200806008 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 / 本發明係有關-種發光裝置’尤其有關-種以表面封 衣型來貝現小型化及輕量化的發光裝置。 【先前技術】 • 近年來，高輸出的發光元件及小型且感度佳的發光裝 、置已運用於各個領域中。這種發光裝置係活用低消耗電力 鲁及輕量化等特徵而被利用於例如行動電話及液晶背光 .(=ki_之光源、、各種測量儀器的光源及各種讀取感測 器等。 旦例如’由於使用有上述光源的機器亦要求小型化與輕 1化’故使用於背光的光源亦被要求薄型化。因此，作為 光源來使用的發光裝置本體亦需要小型化，故開發有各種 被^側光型（Side View Type)形態的發光裝置（例如專利 文獻1)。 止、！ί光1L的發光裝置一般係構成為於封裝體的側面形成 有光線射出用的開口，於庇而恭 於底面載置有發光二極體晶片，ϋ ^線㈣—部分㈣裝體㈣拉出至外部作為外部端 古如此，為了將側光型發光裝置予以小型化，主要 咼度方向的小尺寸化，田μ在 化时朝者封裝體本體的薄臈 ”車專膜化所*的封裝體強化方法（例如專利文獻2卜 專利文獻1 :日本特開2006_24345號公報 專利文獻2:曰本特開平09-298263號公報 319027 5 200806008 【發明内容】 4 (發明所欲解決之課題） ， 然而，將封裝體本體予以薄膜化時，會因封裝體的強 又不足而產生封裝體的缺陷及彎曲，而有製造良率（yield) 下降的問題。 ★此外，在形成封裝體時，雖進行射出成形或壓縮成形 =成形材料無法遍及模具的模穴（cavity)角落，故有產生 -模穴未完全填充的現象（短射short shot，亦即埴充
—之問題。、几王J -種ίΐΓ乃有鑒於上述課題而研創者，其目的在於提令 :先衣置，係能充分地確保料體的隨，謀求操七 •二：ί升’並且藉由有效地利用發光裝置内的空間聋 技術所期望的薄膜化及小型化，且將 ，空間抑制到最低限度。 ^ (解決課題的手段） 明之發光裝置的特徵為具備有··發元 包含在開口 該開口係將該導線架的至少-部分 社開内和亚使—端突出於開口外部 ::有沿著長度方向設置的封裝體，且於前述封“ 外部的導線架收容於前述凹部内，==述封裝體 述發光元件為相對向;第二壁體 319027 6 200806008 有段差；以及第三壁體，係連結於前述第一壁體與第二壁 體之間，且前述第二壁體與第三壁體形成為比前述第一壁 體還厚。 = 本發明之另一發光裝置的特徵為具備有：發光元件、 與該發光元件電性連接的複數個導線架、以及用以取出來 自發光元件的光線之開口，該開口係將該導線架的至少一 部分包含在開口内部，並使一端突出於開口外部；該發光 , 裝置包含有沿著長度方向設置的封裝體，且於前述封裝體 壁體之至少一部分的外表面形成有凹部，將突出於前述封 裝體外部的導線架收容於前述凹部内，且構成前述開口的 封裝體之寬度方向相對向的壁體至少具有：第一壁體，係 與前述發光元件為相對向；第二壁體，係相對於該第一壁 體具有段差；以及第三壁體，係連結於前述第一壁體與第 二壁體之間，且前述第二壁體與第三壁體形成為比前述第 一壁體還厚，而前述第一壁體、第二壁體及第三壁體分別 ⑩具有不同的傾斜（taper)角。 上述發光裝置較佳為第三壁體形成為傾斜度0.2以 上，或對第一壁體或第二壁體以90°至170°的角度連結。 並且，較佳為第一壁體、第二壁體及第三壁體設定為 具有0至45度的傾斜角。 此外，較佳為突出於前述封裝體外部的導線架係收容 成突出於封裝體外部的導線架表面的一部分與前述壁體的 外表面成為相同的平面。 此外，較佳為壁體的較厚部分係至少為構成凹部的壁 7 319027 200806008 體一部分，或為傾斜形狀，鱼 來形成較厚部。 一 〃/、他邻为不同的傾斜角 此外，較佳為搭载有複數個發光元 疋件為不同發光色的元件。 或硬數個發光 (發明的效果） 依據本發明的發光梦 導致封裝體的缺陷及f曲”方止因封裝體強度不足 稭此確保機械性強度，並謀求操作及製造良率的提/ 此外，能藉由有效率妯刹田衣、艮羊的美升。 田,欢卞地利用發光裝置内的空 技術所期望的薄膜化及小 奋貝白ϋ 到最低限度。將封裝的佔據空間抑制 來形ί二ΓΓ使用射出成形或ι縮成形等幕知的方法 出封壯！^’亦能防止產生短射，並防止從導線架漏 ^衣體材料，而可容易製造且獲得高品質的發光裝置。 【貫施方式】 一如弟1圖所不’本發明的發光裝置主要係例如由發光 一 至11C將^作為導線端子來使用的導線架12a 至12f、以及封裝體〗3所構成。 (發光元件） 發光元件一般為半導體發光元件，尤其是稱為發光二 和體的元'件為仏。例如，藉由InN(in(jium以⑴和；氮化銦）、
AlN(alummum nitride ;氮化鋁）、GaN(gallium nitride ;氮 化録)、InGaN(氮化錮鎵）、A1GaN(氮化鋁鎵）、InGaA1N(氮 化銦鎵鋁）等之氮化物半導體、ΠΙ_ν族化合物半導體以及 8 319027 200806008 II-VI族化合物半導體等之各種半導體，於基板上形成包含 有活性層的層疊構造者。作為半導體的構造，可列舉 MIS(metal_insulator-semiconductor ;金屬絕緣半導體）接 "面、PIN接面以及PN接面等之分子執域（HOMO; Molecular Orbital)構造、異質接面（Heterojunction)或雙異質接面 (Double Heterojunction)者。此外，亦可為使半導體活性層 形成產生量子效果的薄膜之單一量子井構造、多重量子井 、 構造。亦有於活性層摻雜Si(矽）、Ge(鍺）等之施體雜質 _ (donor impurity)及 / 或 Zn(鋅）、Mg(鎂）等之受體（acceptor) 雜質。藉由變化半導體的材料、液晶比、活性層的InGan 的In(銦）含有量、於活性層摻雜的雜質種類等，能使所獲 得的發光元件的發光波長由紫外線區域變化成紅色。 並且，由於發光元件係搭載有後述之導線架（lead frame)，故使用接合材料。例如，於具有藍色光及綠色光， 並於藍寶石（sapphire)基板上使氮化物半導體成長而形成 _發光元件的情形時，能使用環氧樹脂、矽等。此外，考量 到來自發光元件的光或熱而導致的劣化，亦可於發光元件 内面鍍覆鋁，亦可不使用樹脂，而使用Au-Sn共晶等之銲 錫、低熔點金屬等蠟材。並且，於兩面形成有電極的發光 元件，且發光元件由GaAs(砷化鎵)等所構成，並具有紅色 光的情形中，亦可藉由銀、金、把等之導電性糊劑（paste) 等予以晶粒接著（die bonding)。 於本發明的發光裝置中，發光元件不僅可為單數，亦 可搭載複數個。該情形中，亦可組合複數個產生相同發光 9 319027 200806008 顏色的發光元件。例如，能組合複數個不同發光顏色的發 •光70件以對應RGB，藉此提升顏色的再現性。此外，能組 ,合複數個相同發光顏色的發光元件，藉此提升亮度。 一(導線架） 導線架係用以舆發光元件電性連接之電 貝性的板狀即可，亦可為波浪形板狀、具有凹凸的板狀。 材料亚無特別限制，較佳為由熱傳導率較大的材料來形 成。藉由以熱傳導率較大的材料來形成，能有效率地釋放 發光元件所產生賴。例如，較佳為具有2G0W/(mxK) 以上㈣傳導率之材料、具有較大的機械性強度之材料、 於f剪式衝屢加工或钱刻加工等令容易使用的材料。具體 二:合：列、銘、金、銀、鑛、鐵、鎳等之金屬或鐵 r予:二：月銅等之合金。此外，較佳為於導線架表面 &予反射㈣，以有效率地取出來自發光 量到發光裝置的大小、形狀草 核考 小、厚4可適畲地調整導線架的大 /予度瓜狀專。亚且，由於爆綠加献各上 部，尤置私狀础 田於¥線木一般在封裝體的外 逸—；； 肢的壁面或配置於封裝體附近的部分合 進仃穹曲加工，故較佳為去除毛邊等，於真 9 予磨圓加工。藉此，能盔ρ 麵、 緣部份施 工導線端子。‘ u封裝體的形狀’並在自在地加 導線架係具備有：搭載配置於後心 ，件之區域及/或與配置於封裝之、 連接之區域、以及從封裝體 之發忐7L件電性 為導線端子功能之區域。 …方突出於外部以作 319027 10 200806008 光元=二;=:置:具:有兩個導線架，且比發 較為適當。例如，在僅搭數目的兩倍以上 架的一方載置發井亓杜 先兀件的情形，於導線 接，並將另1 且與發光70件-方的電極電性連 接。方的導線架與發光元件的另-個電極電性連 於搭載有兩個以上發光元件的情形，亦 光元件或數個發光元件載置於一個導線*斤有的發 =應別將其他的導:架:外 ^ “土為分別將發光元件载置於個別的導線芊並 且將其電性連接，並對應各個發光元件分別’::二 ^外電性連接。具體而言，對應RGB搭载 、'：:，RGB時’可具備一條共用端子及三條獨立 數個發光元件，分別將發光元件予以 置的與導線架電性連接的獨立配線，藉此於發光裝 置勺封衣面可選擇串聯或並聯等之各種配線圖案，並 。此外，在獨立配線的情形，由於容易調整 所载置的發光元件的發光強度，故於使用具有全彩咖等 之不同發光顏色的複數個發光元件時尤為有利。並且，由 於能不使各個發光元件的散熱路徑重複，故各個發光元件 所產生的熱能均勻地散熱，故散熱性更佳。 導線架的材料、形狀、大小、厚度等雖無特別限制， 但須為可對發光元件供給適當的電力之材料^ 並且，亦可從與導線架一部分突出的面或侧不同的封 319027 11 200806008 裝體部分（例如相反侧），使導線架的另外一端突出。該導 線架亦可為不與發光元件電性連接而僅載置發光元件，或 P 亦可為未載置發光元件且未與發光元件電性連接之導線 f 架。較佳為上述導線架的另外一端係比作為導線端子功能 部分的表面積還大。藉此，在封裝體内可作為將發光元件 所產生的熱引導至外部的散熱路徑，並可作為過電壓對策 的功能。 ^ 這些導線架的導線端子及另一端的大小及形狀皆未特 /⑩別限制，只要到達後述封裝體外，可考量搭載於發光裝置 的發光元件之散熱性及發光裝置的使用態樣（配置空間、配 置位置等）而適當地調整。此外，導線端子及另外一端係可 根據與其他電子機器的位置關係等之使用態樣，而適當地 彎曲、變形。惟突出於封裝體外部的導線架係收容至於後 述封裝體壁體的該表面所形成的凹部為宜。此時，較佳為 如後所述，導線架的一部分或全部係收容於凹部内。 ⑩（封裝體Package) 封裝體係用以保護發光元件，並將導線架一體成形， 對於發光元件及導線架只要為能確保絕緣性之物者，不論 以何種材料形成皆可。例如熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂 等，具體而言可列舉聚鄰苯二曱醯胺（polyphthalamide ; PPA)、聚碳酸酯（polycarbonate)樹脂、聚苯硫醚 (polyphenylene sulfide ; PPS)、液晶聚合物（LCP)、ABS 樹 • - . 月旨（Acrylonitrile-Butadiene-Styrene resin ;丙烯腈-丁二烯-苯乙婦樹脂）、環氧樹脂、驗樹脂（phenol resin)、丙烯酸系 12 319027 200806008 樹脂（fCryiC resin)、PBT 樹脂（Polybutylene terephthalate ; 『κ 丁稀對苯一甲酸醋）等之樹脂、肖究等。此外，作為著色 ，=光擴㈣，村於這些材料t混合各種㈣或顏料等 以使用、，藉此’ &將被封裝體吸收的發光光線抑制到最低 I度’亚構成〶反射率的白色封裝體。作為著色劑，可列 = Γΐ〇3 (三氧化二鉻）、Mn〇2(二氧化猛）、Fe2〇3(三氧化二 :)、石厌黑（carbon black)等，作為光擴散劑，可列舉碳酸轉、 奋古、卜氧化欽等。亚且’由於封裝體通常於後述開口填 l光性被覆材料，較佳為考量受到發光元件 響時刪與透光性被覆材料的密著性，選擇這 二材料中膨脹係數差值最小者。 外开體面的外大小及形狀並無特別限制，作為平面視點的 為朝長度方向延::::似的形狀等之形狀。其中，較佳 於封裝體表面形成用以搭载發光元件的開口 的形狀並無特別限制，σ A 鬥 以開 載置發光元侔* 内（較佳為開口的底面） 二=二=電性連接的導線架的-部分表面顯露 頂狀、碗狀等2 三㈣、四角形或多角形柱、圓 能使發光元件。中的任-形狀。藉此， 朝正面方向射出。此外，開 有“地 搭载的發光元件數目、接合（BQndi=n=由所 卢開口的底面及/或側面較佳為藉由I紋 319027 13 200806008 (emboss)加工或電漿處理等使 ^ 4, ^ Φ ^ 1之筏者面積增加，並使與後述 透光性被覆材料之間的密著性提升。 =成開口的封裝體壁體的至少—部分，係於該外表面 形成有凹部。該凹部較佳為到達封裝體壁體的内表面，而 於内表面形成凸部。藉由上述 壯罢疋凹邛，忐更有效地使用發光 衣置内存在的空間（例如盔处网、、，_ 门如無用工間），並能謀求發光裝置的 小型化。 a 1〜 凹部的大小及形狀並無特別限制，例如只要確保將突 至封裝體外部的導線架的—部分收容於該凹部内左右的 空間即可。並且，較佳為確保導線架的一部分收容於凹部 内，且該表面的-部分與封裝體壁體的外表面成為相同的 平面左右的空間。在此，所謂相同的平面係意指僅载置於 電路基板等之封裝基板上，能穩定地與導線端子及電路基 板電性連接並固定之平坦狀態，或意指於導線架表面的一 赢部分與封裝體壁體的外表面之間存在未產生實質性高低差 •的部分=狀態。'然而高低差並非為嚴格之零，係允許麵 左=的範圍。所謂將導線架的一部分收容於凹部内，不僅 如第1圖至第3圖所示於完全的凹部15b内配置導線架， 亦可如第4圖及第5圖所示’於封裝體的角落部形成切口 般的凹部45a、55a，並於該角落部的凹部45a、55a配置 有導線架的一部分之形態者。 一此如第7圖所示，封裝體較佳為構成開口的封裝 體壁（與寬度方向相對向的壁體（參照第7圖中的箭頭）)至 少具備有··第一壁體A，係與前述發光元件為相對向，·第 319027 14 200806008 -壁體CU目對於該— 壁體B，、， 土體Α亚具有段差；以及第三 土胜13係連結於爾述第—壁 一壁體Α係於發弁★姓αα ”罘一壁體C：之間。弟 二壁:成=體’第 :=:，地，:=== 該同低至係由第一劈靜 工々 '、罘一壁體所構成，且第一壁體俜 才日取接近發光元件的壁 結有第三壁體。 °刀於該鬲低差（段差）之間連 或者從另一觀點决| 以上、〇3以上=來看’較佳為以傾斜度0.2以上、0.25 三壁體，或以90。至二。上％〇·4以上、〇.5。以上來形戒第 至148。的角度來連& ^ 160、90至150。、90。 該範圍角度的厚声緣/ ·車父訌為 體係藉由平面而开Γ為直線變化。亦即，較佳為第二壁 觀點來看，發光且，從確保發光裝置的小型化之 並且為發光元件寬声；溥的第一壁體以平面為宜， 倍左右的範圍^ 範圍、4倍左右的範圍、3 較佳為包含有平面部分。 十來構成，惟 藉t ’將壁體的薄膜部分作成最小限度，亦即 4㈣光元件周邊部分最大 體整體的強度。 升封裴 較厚部分’亦即封裝體的第二壁體及第三壁體以配置 319027 15 200806008 分轉線架的附近為佳 架的位置不可。例如，如第5圖的53a = 1存於¥線 發光元件周邊部的附近。藉此，即使 體的體，亦能使發光裝置本體的機械性強度提升。 佳。通U常二ί部分以構成凹部的壁體之至少-部分為 幕知的方法，從細^成料壓縮成形等之 口將mu 側對應的地方所形成之注入 將4化的封裝體材料流入 的模具内，並使材料料— 為硬數)内側封閉 模且的辟错此可將材料一體成形。由於 的㈣為f曲’成形材料無法遍 體容易產生未完全填充模 別：弯曲的部分作成厚膜，故能有效地防止短 光元^ ’由於通常注入於開口内的發先元件周邊並將發 架盥封=封裝，雖然使用透光性被覆材料，但由於導線 的密著性不佳，故有透光性被覆材料從導線 電性===至峨子之_。此時，若導 電流等問⑽ί ，則於使用時會有引㈣漏 中夾有霉綠可此性。於與構成凹部的壁體所對應的部分 間之距離凹?!狀來延長封裝材料上的電極 9 犯防止樹脂漏出至相鄰的電極。 體的最4二:雖!特=’但以非較厚的其他部分(封裝 適當。較厚之壁„體的150至鶴左右較為 产方wP/ 體、弟1壁體）係可跨越開口的深 度方心開口上部至底面的方向）且厚度為固定，但厚= 319027 16 200806008 亦可變化。其中，較 度)。傾斜角度並Μ特丄，底部至開口上部的寬 3。。左右。藉此，能=二 45。左右、1〇至 時，較厚部分的傾ΙΛ 率。此外，為傾斜形狀 度小），麥此，μ、斜角度比封裝體壁體的其他部分還小（坡 3 比封裝體壁體的其他部分能變 部分。結果，可蔣恭止壯$ 刀月匕衣作相對的較厚 並同時改差44壯"先衣置本體的大小抑制在最低限度， 内的空間剎H 、， 尤的取出效率、發光裝置 細二t亚且，壁體的較厚部分(第二壁體或第三壁 體）係错由與其他部分（包合 形成較厚_ ―厂 體）不同的傾斜角度來 认“，車父厚部分與薄膜部分的交界 向的一點中變成相同的膜厚，但全體係具有 分係可不為具有相㈣斜角度的 ^ = 二存編個不同联厚的部分。例如，f 此外，if;::至π的傾斜角度較為適當。 體部分形成複數個厚膜區域。 ^於構成凹部的壁 於本發明的發光裝置中，除了發 载保護元件。4件之外，亦可搭 個。在此，佯:亦可為兩個以上的複數 在此保濩兀件亚热特別限制，只要為 置的眾知之保護元件即可。具體而言，可列兴'㈣衣 麗、過電流、保護電路、以及靜電保護元件="、、過電 此外，於本發明的發光裝置中，較佳為 元件的開口内填入透光性被覆材料赫，置有务光 迷先性被覆材料係能 319027 17 200806008 不受外力、水分的影響，並能保護導線。作 ==覆材料，可列舉環氧樹腊、石夕樹脂、丙烯酸系 =曰夕素叫rea resin)等之耐氣候性(weatherabi 樹腊或玻璃等。尤其是透明樹脂，即使於製程中 =官中在透光性被覆材料内包含有水分時，藉由以1〇〇 ^4小時以上的烘烤，而能將樹脂内所包含的水分排 乳中。因此，能防止水蒸氣爆發、發光元件與膜塑 部分的剝離。 透紐被覆材料包含有擴散劑或螢光物質。擴 放劑係使光擴散之物者，能緩和發光元件的定向性，並增 0視野角度。s光物質係使發光元件的光麟換之物者， 月=毛光TL件朝封裝體外部射出的光線波長予以變換。來 自發光元件的光線為高能量的短波長之可視光時，可適用 於有機螢光體的花衍生物（perylene心办出㈣、ZnCds : c順硫化鋅：銅）、YAG: Ge_g石榴石：鍺）、以叫鎖） 及/或Cr(鉻）所賦予活性的含有氮之CaO—A1203 — =〇2(氧化約—三氧化二銘—二氧化石夕）等之無機螢光體 ^ ^發明中’獲得白色光時，尤其是利用YAG : Ge 螢光體時，係依其含量將來自藍色發光元件的光線，以及 將Ϊ光ί之一部分吸收而成為補色之黃色系變為可發光， 而成較ft單且可靠性佳地形成白色光。同樣地，當利用以 EUf/或Cr賦予活性的含有氮之CaO —Al2〇3—Si02螢光 ^ ^係依其含量將來自藍色發光元件的光線以及將該光 線之一部分吸收而成為補色之紅色系變為可發光，而能較 319027 18 200806008 簡單且可靠性佳地形成白色光。此外，使螢光體完全地沉 殿並去除氣泡，藉此能降低色斑。 以下，根據圖式詳細說明本發明的發光裝置之實施例。 第一實施例 如第1圖所示，該實施例的發光裝置1〇係具備有：發 光兀件11a、lib、11c，係對應RGB ;導線架12b、仏、 12e’係載置上述發光元件，並以導線電性連接發光元件一 方的電極；導線架12a、12d、12f，係以導線電性連接上 述發光元件另-方的電極；以及封裝體13，係將導線架仏 至12f作成一體固定。 、 導線木l2a至m係以摻有鐵的銅合金 狀 :而形成。導線架…f係具備有與發光元== =區域’以及從該區域突出至封裝體外部而作為導線端 /之功A的部分。作為導線端子功能的導線架12 1 =封裝體外部m適t的形狀，尤 f 封裝體壁面或配置於封裝體附近二 乂去除毛&，聽該邊緣部分料磨圓加卫 主 =所搭載之發光元件的光線，於導線架12:= 表面施予鍍覆銀。 王ϋί的 :::且外形 係於該中央附近形成略長方形的開口 Μ。 对衣體13 於開口 14内的底面，導綠架12a至⑵的_部分係露 319027 19 200806008 出成列，於導線架12a、12c、12e上分別一列地載置發 ^ :牛 2a 12b、12c，導線架 12a、12c、12e 係藉由導 ? l $接至發光元件一方的電極以作為陰極電極。此外，導 """ 、12f係藉由導線連接至發光元件另一方的 電極以作為陽極電極。 封裝體13的壁體側面係部分地變化該厚度。第〗圖 :曾於載置有發光元件lla、llb、llc的區域附近以及藉 壯:線而電線連接的區域附近中，為了將開口擴寬，於封 二-13的壁體形成薄膜部…、⑶，並於其他的區域形 〇厚部13\⑼。於底面中，例如薄膜部13a係形成為 • mm左右，薄膜部13c係形成為〇.12mm左右，較厚躬 二係形成為。.2贿左右’較厚部^係形成為。^^ ^。，例如薄膜部13a的傾斜量係形成為〇 〇2職 部…係形成為〇.〇4醜左右’較厚部13b# =成為〇」3随左右，較厚部13d係形成為〇1随左右。 =，能充分地相封裝體13的強度，並有效地活用内部 的热用”而將外形抑制在最低限度的 於封裝體13外部料較仏至m的料，亦即疋= 3==:、15b的壁體作為較厚部13b來形成，故 月b有效地防止製造封裝髀眭 W 了衣體_裝材料從導線架附近洩漏。 與薄膜部13a係…的角度來變化。並且， 形成有較厚部⑸的部分，導線㈣至 12e的側面係蕗出於封裝體13的外表面。 於封裝體！3的側面形成有凹部…、⑽。於角落部 319027 20 200806008 的側面中，該凹部1 5 該凹部15b係有切口般的形狀，且於側面中， D係具有構成溝槽的形狀。 二 1㈣以朝著封裳體13的開口 14内形：凸的凹部 伸至内表面。凹部的女〖γ ν成凸邛的方式而延 7 η Ρ的大小係例如封裝體13的長声方向Α .職左右時，為0 3至〇 5mm左右 二。二 此，能將突出於封震體u的導線架12a至;;猎 ^5aM5b,,^^^12a - ^一部分的表面成為相同的平面。的外表面與封㈣ 此外’雖未圖示，兮恭水壯班 / 該保護元件係電性連接^具備有保護元件， 12b。 按主封衣體13内部的導線架12a、 該發光裝置係能具備最低限度 械強度’並能容易地搭载於電路基板。並且， 2絲所需的空間抑制到最低限度，而能提升與^他, 子機态的組合自由度。再去，A /、 包 接近發光裝置，而可近一”二;：的電子機器配置成 高輸出化。步碟求裝置的小型化、輕量化及 而且\由於搭载三個發光元件，故能確保顏色的再現 性，且由於月匕猎由各導線架獨立控制三個發光元件，故& 調整發光強度。 第二實施例 如弟2圖所不，該實施例的發光裝置2〇,除了於 線架12aS 12f突出的部分對應的凹部i5b的附近，:壯 體23的壁體23a為固定的較厚且傾斜角度形成大致相同衣 319027 21 200806008 且僅於導線架12a至l2f未突出的一侧形成有較厚部23d 與薄膜部23c之外，係與第一實施例的發光裝置實質上為 相同的構成。 、— 該發光裝置能具備最低限度的佔據空間及適當地機械 強度，並能容易地搭载於電路基板。並且，能將搭載至電 路基板所需的空間抑制到最低限度，而能提升與其他電^ 機器的組合自由纟。再者，能將其他的電子機器配置成接 近發光裝置，而可近一步謀求裝置的小型化、輕量化 輸出化。 " 弟二實施例 如第3圖所示，該實施例的發光裝置3〇，除了導線架 12a至12f未突出的一侧的封裝體33的壁體33c以固定肉 厚來形成，並於導線架12a至12f突出部分所對應的凹部 15b附近形成較厚部33b，於其他部分形成薄膜部^ 外，係與第一實施例的發光裝置實質上為相同的構成。 該發光裝置能得到與第一實施例相同的效果。 弟四實施例 如第4圖所示，該實施例的發光裝置4〇係用以搭载一 個發光元件的發光裝置，導線架42a、42b係與封裝體43 一體固定。 ^ 此外’於封裝體43的外表面形成兩個切口形狀的凹部 45a ’各凹部45a係收容各導線架42a、42b。 在格載發光元件的區域及附近，將封裝體43的壁體作 為薄膜部43a來形成，其他的部分係形成較厚部43b。 319027 22 200806008 較厚部43b與薄膜部43a係以146。的角度來變化。 : 在該發光裝置中，係能具備最低限度的佔據空間及適 當地機械強度，並能容易地搭載於電路基板。並且，能將 專 才合載至電路基板所需的空間抑制到最低限度，而能提升與 其他電子機器的組合自由度。再者，能將其他的電子機器 配置成接近發光裝置，而可近一步謀求裝置的小型化、輕 _ 量化及高輸出化。 ， 第五實施例 . — 如第5圖所示，該實施例的發光裝置50係用以搭載一 個發光元件的發光裝置，導線架52a、52b係與封裝體兄 一體固定。 此外’於封裝體53的外表面形成兩個切口形狀的凹部 55a，各凹部55a係收容各導線架52a、52b。 在搭載發光元件的區域之外周區域的一部分，於封裝 體53的壁體形成薄膜㉟53a，其他的部分係形成較厚: • 53b 。 ° 較厚部53b與薄膜部53a係以135。的角度（傾斜： 來變化。 ^ 在該發光裝置中，係能具備最低限度的佔據空間及適 當地機械強度，並能容易地等载於電路基板。並且，由於 在發光it件的外周區域中配置有厚膜部，故於以透光性被 覆材料來封裝開π時，該厚膜部係達成將透紐被覆材料 僅堆積於發光元件附近之功能’而可於僅期望的區域配置 期望的透光性。 一 319027 23 200806008 第六實施例 ••如第6圖⑷至⑷所示，該實施例的發光裝置的，除 • 了導線木，62a至62d未突出的一侧的封裝體63的壁體6% 以一定的厚度來形成，並於導線架62a至62d突出部八c 對應的凹部15b附近形成較厚部63b，於其他部分形 膜邛63a之外，係與第一實施例的發光裝置實質上 η 的構成。 、、传相同 並且，該實施例的發光裝置6〇係將藍色的發 至於導線架62a、62b'62d，並以含有登先體 Ζ 於開口 14内之白色發光的發光裝置。 /月曰封衣 此外，如第6圖⑷所示，於複數個導線架中，未 :裝：二3兩端的導線架咖飛係將藉由封裝體63所^ 入:^的部分作成比較厚部㈣還寬，故能將導線竿 62b、02c與封裝體63堅固也 说 ' 交異ϋ壯舰 ^地固疋，且導線架62b、62c不 保持㈣由封㈣。所夾入並 63夫將很料(換言之’壁體厚度报薄），雖有封裝體 =導線架㈣，_入而有 = 在本發先裝置中能迴避此問題。 仁 並且，如第ό圖（b)所示， 外部，且於封裝體63外部予以餘!^為攸封裝體63突出於 導線架62b、62c，比起從㈣:^口二成為外部端子的 分’端部的部分較大(例如，端部：：面突出的彎曲部 形狀或護臂形狀）。藉此，能使。外邻端運動之本壘板 提升散熱性。並且，亦有容层子的表面積增大，並 6力至端部的粗部分而容易 319027 24 200806008 進行彎曲加工之優點。 : 此外，如第6圖（b)所示，使導線架62b、62c彎曲時， — 較佳為於封裝體63背面的凹部（如第6圖（c)及（d)中的E， —具有閘痕之處）與導線架62b、62c的端部之間隔出間隙。 藉此，能確保更多的散熱路徑，並能有效率地進行空氣冷 部。i且，於從封裝體63突出且彎曲的部分之間連接有散 熱構件時，亦能從此處散熱。
如第6圖（d)所示，於封裝體背面侧，藉由在χγζ方 向將封衣體63的一部分予以切口而形成的凹部(第6凸 中的F)或橫向凸部，可定位χγζ的三方向，例如，將該 發光裝置安裝於安裝基板等時，可容易地高精度對準 板或安裝基板等，且堅固地固定導光板。 在本發光裝置中，能獲得與 只細例相同的效果 (產業上的利用可能性） :發：的發光裝置，係搭載例如發光二極體晶片以作 :二:牛，藉此作為從封裝體側面朝侧面方向射出光線 印光裝置，不僅為利用於傳真機、影 利用於“ 4之影像讀取裴置之照明裝置，亦能 利用於照明用光源、LED顯哭、 π 信號機、照明式開關、車用^車^电話等之背光光源、 示器等之各種照明裝置。各種感測器及各種指 【圖式簡單說明】 第1 略平面圖 圖係用以說明本發明的發光裝置 之主要部分的概 319027 25 200806008 第2圖係用以說明本發明其他的發光u之主要部分 的概略平面圖。 : »3圖係用以說明本發明其他的發域置之主要部分 的概略平面圖。 第4圖係甩以說明本發明其他的發光裝置之主要部分 的概略平面圖。 第5圖係用以說明本發明其他的發光裝置之主要部分 、 的概略平面圖。 _ 、第ό圖係用以說明本發明其他的發光裝置之主要部分 的概略正面圖⑻、概略背面圖⑻、概略平面圖⑷以及斜 視圖（d)。 第7圖（a)至（c)係用以詳細說明本發明的發光裝置之 主要部分的概略平面圖。 【主要元件符號說明】 10、20、30、40、50、60 發光裝置 • 11a ' lib、11c 發光元件 12a 至 12f、42a、42b、52a、52b、62a 至 62d 導線架 13、23、33、43、53、63 封裝體 13a、13c、23c、33a、43a、53a、63a 薄膜部 13b、13d、23d、33b、43b、53b、63b 較厚部 14 開口 15a、15b、45a、55a 凹部 23a、33c、63c 壁體 319027 26