200530815 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於一種資料儲存裝置、資料儲存控制 裝置與方法、以及資料儲存控制程式，其可將所有資料 儲存至包括多數個記憶體排（bank )之記憶體中以及同 步自該記憶體讀取多數個所要之資料。 【先前技術】 圖1係展示習知半導體記憶體MY，其包括記憶體晶 格MC、字元線WL以及位元線BL，而經組構使得記憶 體晶格MC可藉由指定用以一起而界定記憶體晶格MC之 字元線WL以及位元線Bl而存取，而在單一字元線以及 單一位元線（兩者皆作動）相互交錯之位置上之記憶體 晶格MC之資料予以讀取。 在上述所架構之半導體記憶體中，該相同位元線係 由在多數個字元線上之資料所共用。因此，如圖2所示 ，因爲當不同字元線WL1以及WL2被指定時，出現在該 位元線上之資料將被毀掉，因此在不同字元線之資料無 法被同步存取。 且’資料可由獨立之記憶體排（bank )而被同步存 取。如圖3A以及圖3B所示，藉由將記憶體分割爲排 BK1至BKn ’且對於個別之排指定不同之位址，而可同 步存取在多數字元線之資料。然而，在單一排中之不同 字元線之資料無法被同步存取。即，每一排儲存至相同 -5- 200530815 (2) 字元線之資料可被同時存取，而在相同排之不同 上之資料不可被同時存取。 注意，該”排”係指包括在具有多數字元線 數位元線之記憶體之記憶體單元之機構，而其字 址可被獨立控制。 習知技術中，藉由認出包括在輸入資料中之 料陣列而對影像資料實施圖樣認識或類似者。 該半導體記憶體包括例如一緩衝記憶體，其 爲單位而儲存多數個影像資料線並輸出資料，一 理器包括多數個處理器元件，其可處理具有數位 之資料且其可藉由多數個處理器元件而平行處理 以及一控制資訊記憶體以儲存相吻合之操作資料 制資料。在資料處理器中之每個處理器元件藉由 始値（threshold )以二元化影像資料群而將輸出 記憶體之影像資料中所生之主要自我指定像素之 式的影像資料群，予以轉換物件資料，每個物件 具有處理器兀件可處理之序列陣列位元寬度，並 物件資料同時具有與控制資料記憶體中之相同形 考資料（請參考曰本專利公告號第2003 -203 23 6 ) 其係假設，例如，對於包括在影像中之圖樣 域（raster )掃瞄而該影像係自左上側而開始被同 ，記憶體被分割爲對應於同步存取之數目的五個 此而如圖4A至4F而將資料予以定位。此時，該 初始存取五次。然而，當被同步存取之圖樣係如圖 字元線 以及多 元線位 特定資 以像素 資料處 $寬度 資料， 以及控 以一起 自緩衝 矩陣形 資料爲 判斷該 式之參 〇 予以光 步存取 排，藉 資料被 5A至 200530815 (3) 5 F所示而被定位時，多數字元線在排〇被存取，而 無法同步存取。爲了同步存取資料，後到者需要被 於其他排或是相同字元線中。某些圖樣可藉由選擇 儲存位置而被同步存取。爲了同步存取此圖樣，記 必須被分割爲排中之一係只由一個字元線所形成之 排。 且’由影像資料取出字元或是圖樣將作由影像 圖樣認識之例子而解釋。該字元取出可以各種方式 ’但是如圖6所示偵測出” T”圖樣將如下解釋而作 單例。 此處係假設該影像資料係儲存於半導體記憶體 了偵測如圖6所示之” T ”圖樣，指定其中之六個 D 1至D 6係自半導體記憶體μY而讀取。當所讀取 料D1，D2，D3以及D5係爲黑色，而資料D4與D6係 色的’其決定出該影像資料包括一凹陷，’ T”圖樣。 的’當資料D1，D2，D3以及D5爲白色，而資料D4# 係爲黑色，其可決定出該影像資料係爲凹陷” T”圖木 假如不知道所要之字元或是圖樣係存在於影像 之何處’其必須掃瞄整個影像資料，即，依序自該 體記憶體而讀取資料（如圖7所示），而取得所要 元。 且’爲了取得不同之字元，必須同步選擇其他 像素資料以讀取以及比較。 医1此’爲了取得字元或是像素，必須同步讀取 造成 儲存 適當 憶體 許多 資料 而得 爲簡 。爲 資料 之資 爲白 相反 I D6 i ° 資料 半導 之字 組之 多數 -7 - 200530815 (4) 個所要之資料，以符合儲存在半導體記憶體中之影像資 料。 因爲半導體記憶體之機構，記錄在相同排之不同字 元線之資料無法自該半導體記憶體中而同步讀取。 在以下之情形中，必要之資料D 1至D 3以及資料D 4 至D6係分別儲存在不同線WL1以及WL2而係在相同排 (如圖8所示），該資料D1至D6無法被同步存取。 圖9A以及9B係分別表示在影像中以及在記憶體中 之資料分佈。如圖9A以及9B所示，字符或是圖樣在某 一情形中但是不是在任何情形中皆可同步自半導體記億 體中被讀取，其取決於參考區域之位置。 因此，就算是習知之半導體記憶體也必須被分割爲 較多數目之排。 然而，當參考區域具有五乘以五大小之像素時，例 如’如圖1 〇所示，該所需要數目之記憶體排係爲二十五 (2 5 )。該較大數目之排所遇到的困難在於管理該大數 目之排，因其將增加位址線之數目以及晶片區域，而造 成增加電力消耗等問題。 即，因爲不同位址必須被指定至此些排中，該半導 體記憶體將需要較大容量之位址排。 且，該晶片區域將較大，因爲對於此些排需要較多 之解碼器以及選擇器。 進一步，多數排之同步操作將導致較大之電力消耗 -8 - 200530815 (5) 進一步’在單一字之資料數目越大，字元線將較長 而將花費較長之時間存取在該單一字元線上之資料。 在習知之半導體記憶體中，在單一排上建構單一字 元線將允許同步讀取資料。然而，此建構並不實際，因 爲在當及大量之資料被儲存時硬體將需要較大之負載。 對此，在習知半導體記憶體中，提供緩衝記憶體以 及快取記憶體以部分儲存讀取自半導體記憶體，以時間 分享（time-share)多數個所要之資料有多數次，而部分 將之儲存在緩衝記憶體以及快取記憶體，而之後自該後 者而讀取資料。 然而，當所要資料之數目越大且資料輸入/輸出速度 越快’資料將被讀取得更慢。爲了解決此問題，被提出 一種緩衝記憶體以及快取記憶體以部分保持該資料。儘 管藉由此技術，被此緩衝器以及快取記憶體所佔據之較 大區域會造成對於硬體之較大負載。 【發明內容】 本發明之目的在克服上述相關技術之缺點，其係藉 由提供一資料儲存單元，資料儲存控制裝置以及方法， 以及資料儲存控制程式，以儲存所有資料於一記憶體中 ’該記憶體包括多數個記憶體排，並同步讀取多數個所 要之資料而不會有對於硬體之任何負擔。 本發明之目的在提供一種資料儲存單元，資料儲存 控制裝置以及方法，以及資料儲存控制程式，其中選擇 -9 - 200530815 (6) 對應於被同步讀取之資料分佈之適當資料儲存方法，以 允許自一維或是二維陣列資料而同步讀取在任意位置之 多數資料’而不增加排之數目，並避免在資料存取之衝 突，即，在相同排之不同字元線之同步存取。 本發明之此些目的以及其他目的、特性以及優點在 參考以下本發明之實施例之詳細說明而將變得更爲明顯 〇 根據本發明，該上述目的可藉由提供一資料儲存單 元而達成，包含： 一記憶體，包含多數個記憶體排； 一判斷機構，用以根據當依序儲存資料至具有將資 料在多數個記憶體排中被分割之記億體時表示所要同步 讀取之所要多數個資料之存取圖樣，而判斷將被儲存之 資料係爲在對應於該存取圖樣之位置處之資料；以及 一記憶體控制機構，用以在當被同步讀取之資料係 爲對應於該存取圖樣之位置者時，藉由增加其位址而跳 過將被儲存之資料之記憶體排而將對應於該存取圖樣之 位置處之所有資料儲存至不同圖樣，以及將對應於該存 取圖樣之位置之資料儲存至其排位址被增加之記億體排 中。 且上述目的可藉由提供一資料儲存控制器而達成， 其儲存資料至一記憶體，該記憶體包括多數個記億體排 ，並自該記憶體同步讀取多數個所要之資料，該裝置包 含： -10- 200530815 (7) 一判斷機構，當將資料以在記憶體之多數個記憶體 排中被分割之資料而依序儲存至記憶體時根據表示將被 同步讀取之多數個資料之存取圖樣，而判斷將被儲存之 資料是否爲對應於該存取圖樣之位址者；以及 一記憶體控制機構，用以在當將被同步讀取之資料 係爲對應於存取圖樣之位置者時，而藉由增加其位址而 跳過將被儲存之資料之記憶體排而將對應於該存取圖樣 之位置處之所有資料儲存至不同記憶體排，並將對應於 該存取圖樣之位置之資料儲存至具有其排位址被增加之 記憶體排。 本發明之上述目的可藉由提供一資料儲存控制方法 ，其中資料係儲存至一記憶體，該記億體包括多數個記 憶體排，且所要之多數個資料係自記憶體被同步存取， 該方法包含以下步驟： 當在記憶體之多數個記憶體排之中被分割之資料被 依序儲存至記憶體時，根據表示將被同步讀取之多數個 所要資料之存取圖樣，而判斷該將被儲存之資料是否對 應於存取圖樣之位置者；以及 當將被同步讀取之資料係爲對應於該存取圖樣之位 址者，藉由增加其位址而跳過將被儲存之資料之記億體 排，而將對應於該存取圖樣之位置之所有資料儲存至不 同之記憶體排，並將對應於存取圖樣之位置的資料儲存 至具有其排位址被增加之排之記憶體排處。 且上述目的可藉由提供一可由一電腦執行之資料儲 -11 - 200530815 (8) 存控制程式以儲存資料至一包括多數個記憶體排之記憶 體中並自記憶體而同步讀取多數個所要資料，該程式包 含以下步驟： 當在記憶體之多數個記憶體排之中被分割之資料被 依序儲存至記憶體時，根據表示將被同步讀取之多數個 所要資料之存取圖樣，而判斷該將被儲存之資料是否對 應於存取圖樣之位置者；以及 當將被同步讀取之資料係爲對應於該存取圖樣之位 址者，藉由增加其位址而跳過將被儲存之資料之記憶體 排’而將對應於該存取圖樣之位置之所有資料儲存至不 同之記憶體排，並將對應於存取圖樣之位置的資料儲存 至具有其排位址被增加之排之記憶體排處。 且，上述目的可藉由提供一資料儲存單元而達成， 包含： 包括多數個記憶體排之記憶體； 一資料儲存控制機構，用以當將資料儲存至記憶體 時’根據儲存較可儲存於單一字元線之資料數目爲小之 資料數目之範圍，而將位於包括在記憶體中之記憶體排 之字元線中之資料予以依序分割；以及 一資料讀取控制機構，用以根據表示將被同步讀取 之多數個所要資料之存取圖樣，而將不同字元線上同步 非可存取之資料但係在記憶體之相同記憶體排而被同步 讀取之資料予以辨識，讀取如此辨識器且將自記憶體排 而同步讀取之資料讀取，將該所讀取資料儲存兩份於相 -12 - 200530815 (9) 同記憶體排之位置’其係爲同步存取，並自記憶體同步 讀取多數個所要之資料。 且，上述目的可藉由提供一資料儲存控制器而達成 ’其將資料儲存至具有多數個記憶體排之記憶體中並自 記憶體而同步讀取多數個所要資料，該裝置包含·· 一資料儲存控制機構，用以當將資料儲存至包含多 數個記憶體排之記憶體時，根據儲存較可儲存於單一字 兀線之資料數目爲小之資料數目之範圍，而將位於包括 在記憶體中之記憶體排之字元線中之資料予以依序分割 :以及 一資料讀取控制機構，用以根據表示將被同步讀取 之多數個所要資料之存取圖樣，而將不同字元線上同步 非可存取之資料但係在記憶體之相同記憶體排而被同步 讀取之資料予以辨識，讀取如此辨識器且將自記億體排 而同步讀取之資料讀取，將該所讀取資料儲存兩份於相 同記憶體排之位置，其係爲同步存取，並自記憶體同步 讀取多數個所要之資料。 上述目的可藉由提供一資料儲存控制方法而達成， 其中資料係被儲存至包括多數個記憶體排之記憶體而多 數個所要資料係自該記憶體而被同步讀取，該方法包含 以下步驟： 當將資料儲存至包括多數個記憶體排之記憶體中時 ，根據較可儲存於單一字元線之資料數目爲小之資料數 目之儲存範圍，而將包括在記憶體中之記憶體排之字元 -13- 200530815 (10) 線中之資料予以依序分割；以及 根據表示將要被同步讀取之多數個所要資料之存取 圖樣，而將位於不同字元線不可同步存取，但在記憶體 ，之相同記憶體排而可同步讀取之資料予以辨識，讀取經 如此辨識而同步自記億體排讀取之資料，並將位於該相 同記憶體排之位置而可同步存取之所讀取資料予以儲存 兩次；以及 自該記憶體而同步讀取多數個所要之資料。
上述目的可藉由提供可由電腦執行之資料儲存控制 程式而將資料儲存至具有多數個記憶體排之記憶體中並 自該記憶體而同步讀取多數個所要之資料，該程式包含 以下步驟I 當將資料儲存至包括多數個記憶體排之記憶體中時 ，根據較可儲存於單一字兀線之資料數目爲小之資料數 目之儲存範圍，而將包括在記憶體中之記憶體排之字元 線中之資料予以依序分割；以及 根據表示將要被同步讀取之多數個所要資料之存取 圖樣，而將位於不同字元線不可同步存取，但在記憶體 之相同記憶體排而可同步讀取之資料予以辨識，讀取經 如此辨識而同步自記憶體排讀取之資料，並將位於該相 同記憶體排之位置而可同步存取之所讀取資料予以儲存 兩次；以及 自該記憶體而同步讀取多數個所要之資料。 且上述目的藉由提供一資料儲存單元而達成，包含 -14- 200530815 (11) 一記憶體包含多數個記憶體排； 一記錄判斷機構，用以根據偵測圖樣’而判斷將被 同步讀取之多數個所要資料之重訂順序規則；以及 一記憶體控制機構，用以控制至/自記憶體之寫入/讀 取資料，該記憶體控制機構，在當儲存至包括多數個記 憶體排之記憶體中之資料時，根據由重訂順序判斷機構 在參考區應具有大小η並對於將被同步讀取之資料之相 關位置除以2χ (小於η/2χ係爲正整數）之判斷條件下 而判斷之重訂順序規則而判斷一儲存圖樣造成連續（X-1 )種餘數（remainder )，並根據對應於將被同步讀取之 資料之分佈之儲存圖樣而改變在記憶體中每個排之儲存 順序，藉此而將被同步讀取之資料分別儲存至不同排中 〇 上述目的可藉由提供一資料儲存控制器而達成，包 含： 一記憶體控制機構，用以控制包括多數個記憶體排 之寫入/讀取至/自記憶體；以及 一重訂順序判斷機構，用以根據偵測圖樣而判斷將 被同步讀取之多數個所要資料之重訂順序規則， 該記憶體控制機構，在當儲存至包括多數個記憶體 排之記憶體中之資料時，根據由重訂順序判斷機構在參 考區應具有大小η並對於將被同步讀取之資料之相關位 置除以2χ (小於η/2χ係爲正整數）之判斷條件下而判 200530815 (12) 斷之重訂順序規則而判斷一儲存圖樣造成連續（x -1 餘數，並根據對應於將被同步讀取之資料之分佈之 圖樣而改變在記憶體中每個排之儲存順序，藉此而 同步讀取之資料分別儲存至不同排中。 該上述目的可藉由提供一資料儲存控制方法而 ，包含： 在當儲存至包括多數個記憶體排之記憶體中之 時，根據由重訂順序判斷機構在參考區應具有大小 對於將被同步讀取之資料之相關位置除以2x (小於 係爲正整數）之判斷條件下而判斷之重訂順序規則 斷一儲存圖樣造成接續（x-1 )種餘數；以及 根據對應於將被同步讀取之資料之分佈之儲存 而改變在記憶體中每個排之儲存順序，藉此而將被 讀取之資料分別儲存至不同排中。 而上述目的可藉由提供一可由電腦執行之資料 程式，以藉由將資料記錄爲將多數個所要資料可被 憶體中同步讀取之狀態而將資料儲存至包含多數個 體排之記憶體中，該程式包含以下步驟： 在當儲存至包括多數個記憶體排之記憶體中之 時，根據由重訂順序判斷機構在參考區應具有大小 對於將被同步讀取之資料之相關位置除以2x (小於 係爲正整數）之判斷條件下而判斷之重訂順序規則 斷一儲存圖樣造成連續（X-1 )種餘數；以及 根據對應於將被同步讀取之資料之分佈之儲存 )種 儲存 將被 達成 資料 η 並 η/2 X 而判 圖樣 同步 控制 自記 記憶 資料 η並 η/2 X 而判 圖樣 -16- 200530815 (13) 而改變在記憶體中每個排之儲存順序，藉此而將被同步 讀取之資料分別儲存至不同排中。 【實施方式】 以下，本發明將關於特定較佳實施例參考附圖作爲 例子而詳細描述。然而，對於熟知此技藝者應知，本發 明並非限制於該實施例而可以各種方式而修改，另外建 構或以其他形形式實施而不離開在申請專利範圍中之範 φ 圍。 本發明之以下描述係關於資料儲存單元之實施例， 一般係以如圖11之標號1 ο 〇而表示。 該資料儲存單元1 〇 〇包括：一記憶體，包含多數個 排，資料儲存控制器20，以儲存資料至該記億體100,資 料讀取控制器3 0以自記憶體丨〇而讀取資料，以及一資 料移動控制器4 0以控制在記憶體1 〇中資料之移動。被 儲存之資料被送入至記憶體丨0以及資料儲存控制器2〇， φ 而表示被同步讀取之多數資料之存取圖樣被送入至資料 儲存控制器20,資料讀取控制器3〇以及資料移動控制器 40. 如圖12所示，在資料儲存單元1〇〇中之資料儲存控 制器包括一計數器2 1以對輸入資料計數，一符合（ coincidence)判斷單元22以判斷來自該計數器21之計 數輸出是否與存取圖樣相符合，一旗標產生器23以產生 笑寸應末自付a判斷單兀之判斷之旗標，一排位址計數 -17- 200530815 (14) 器，其增加來自該計數器2 ：[之輸出，一位元線位址計數 器2 6其增加來自排位址計數器2 5之輸出，一字元線位 址計數器2 7其增加來自位元線位址計數器2 6之輸出， 以及一位址產生器28以根據來自計數器25,26,27之輸出 而產生一儲存位址。來自間距計數器2 4之輸出作爲間距 値而被輸入至排位址計數器2 5以及位元線位址計數器 26. 如圖1 3所示，該資料讀取控制器3 0包括一開始位 址取得單元3 1以自該存取圖樣取得一開始位址，一資料 讀取計數器32,一排位址計數器33其增加來自該計數器 3 2之輸出，一位元線位址計數器34其增加來自該排位址 計數器3 3之輸出，一字元線位址計數器3 5其增加來自 位元線位址計數器3 4之輸出，以及一位址產生器3 6以 根據來自位址計數器3 3,3 4以及35之輸出而產生儲存位 址。一開始位址自開始位址取得單元3 1而送入至位址計 數器33,34以及35. 該資料移動控制器40用以輸出讀取自記憶體1 0對 應於由資料讀取控制器3 0產生之讀取位址之資料，並控 制資料儲存而作爲將即將被移動至記憶體1 0之資料。如 圖14所示，資料移動控制器41包括一中間圖樣（interpattern) 距離 計算器 41 以計 算來自 存取圖 樣之相 互圖樣 ，以及一目的地位址計算器42以根據由相互圖樣距離計 算器4 1所計算之相互圖樣距離而產生來自由資料讀取控 制器30所產生之讀取位置之目的地位址。 -18- 200530815 (15) 在上述所建構之資料儲存單元1 00中，在影像 多數個資料可藉由將記憶體分割爲多數個排並將多 儲存資料分別重新儲存至不同排而同步存取。 首先描述如此建構而將較配置至資料儲存單元 中之每個排。 此處假設包括對應於多數個將被同步存取之像 及光域掃瞄之圖樣之影像係由開始自右上方之圖樣 成，如圖1 5所示。該對應於將被同步掃瞄之多數個 之存取圖樣並非限制於圖1 5所示之例子。 當開始自影像右上而將像素一個接著一個的儲 一排中時，資料儲存控制器2 0增加該排位址（如圖 至1 6F所示），以一個接著一個的選擇排，例如， 在排1之後，排3在排2之後…以儲存一個像素。 最後一個排時，資料再次被儲存至該排1 ·應知，圖 所示之每個標號係表示資料將被儲存之排位址，即 的排位址。 注意，係假設水平線之右端係連續至下一水平 左端。 上述記憶體1 〇之每個排具有一字元線位址以及 線位址。每次資料被儲存至單一排時，資料儲存控 2 0將增加該排之位元線位址。當位元線位址結束時 資料儲存控制器20將增加該字元線位址。 圖17A至17F所示，當到達被存取之位置時， 儲存控制器2 0將設定該排位址爲在間距計數器24 中之 數個 100 素以 而構 像素 存至 1 6A 排2 當在 1 6 A ，冃 線之 位元 制器 ，該 資料 中之 •19- 200530815 (16) 値。 該在資料儲存控制器2 0中之間距計數器2 4對於存 取位置計數。該在間距計數器24中之計數表示被存取位 置之順序處。對於將資料儲存至與其他存取位置不同之 位置之排中，該資料儲存控制器20控制該間距計數器24 以設定對於該排在該排位址計數器2 5中之間距値。該資 料儲存控制器20跳過在排位址計數器25中本身設定之 間距値之排，並增加在被跳過排之字元線位址而將之視 爲具有資料儲存在其中。 如上述將資料儲存至該些排中將造成在對於每個排 藉由設定帶區位址計數器2 5中的間距値而逃過之在排中 爲空白，如圖8A至8F所示。 注意，圖1 9之流程圖係描述將資料儲存至該些排。 應注應，所形成之排係與將被同步存取之像素一樣多。 特別是，當資料儲存單元1 00傳送將被儲存之資料 時（步驟S 1 )，該資料儲存控制器2 0將控制符合判斷單 元2 2以判斷該資料之目的是否爲可存取之位址（步驟S 2 )。假如判斷結果爲否定（NO )，該資料儲存控制器20 將控制該記憶體20而在現有寫入位址（步驟S3 )中儲存 資料並進入至下一步驟S8· 假如步騾S2之結果爲肯定（Yes )，即，當資料目 的係爲可存取位址，該資料儲存控制器2 0將控制該間距 計數器24以設定一間距値於該排位址計數器24中（步 驟S4 )，增加該間距計數器25 (步驟S5 )，而之後將 -20- 200530815 (17) 資料儲存在記憶體1 〇中之現有寫入位址（步驟s 6 )。 接著’資料儲存計數器20將增加在被跳過排之字元 線位址（步驟S 7 )，之後增加在儲存資料之記憶體排中 之位元線位址（步驟S 8 )。 進一步’該資料儲存控制器2 0判斷是否所有資料皆 已經被儲存（步驟S 9 )。 假如在步驟S 9之判斷結果爲否定（NO )，該資料 儲存控制器2 0將判斷該位元線位址是否已經回到初始處 (步驟S 1 0 ) ’假如此判斷結果爲否定的（NO )，該資 料儲存控制器20將進入至步驟S12.假如判斷結果係爲肯 定的（YES )’該資料儲存控制器20將增加該字元線位 址（步驟S 1 1 )，以及進一步該排位址（步驟S〗2 )，之 後回到步驟S 1，而重複步驟s 1至S 1 2以儲存所有資料直 到在步驟S9之判斷結果爲肯定的（YES )。之後，該資 料儲存控制器2 0將跳出該資料儲存處理。 接著，描述資料重新儲存之方法。 藉由初始設定[050,0 ]，[1,0,5]，[2,0,9]，[3，150]以及 [4，1，4]作爲如圖20A至20F所示將被同步存取之位址（ 排位址、字元線位址以及位元線位址），由於資料係儲 存在資料儲存單元1 00中之不同排，因此這些位址可被 同步存取。 藉由光域掃瞄而對於相鄰像素存取，因爲單一個像 素係儲存在每個記憶體排而使該排位址被加一（如圖 2 1 A至2 1 F所示）。當排位址回復至初始値時’該位元 -21 - 200530815 (18) 線位址增加一。當回復位元線位址至初始値時，該字元 線位址被增加一。 在排位址計數器25中爲了被存取之位置而被設定2 間距（offset )値被取消，因此此些像素始終可被存取° 爲了 一位置（location)而在排位址計數器25中被設定 之間距値被取消，意指在資料不再被存取之位置處將必 須被儲存至藉由對於記憶體排之帶區位址計數器25中之 間距値之設定而跳過之記憶體排中之資料予以重新儲存 。因爲當資料儲存時具有資料儲存其中時位元線位址被 增加地取得藉由設定對於該排之帶區位址計數器25之間 距而跳過之記·憶體。 因此，資料可在該位址而重新儲存。 資料將被重新儲存之目的地可在介於正被存取之位 址以及部分之前位址之間的像素間隔以及排之總數而決 定。 特別是，當現正被存取之位址係爲[排位址b，字元 線位址i，位元線位址j ]時，來自之前位址目的地之像素 間隔係爲d且排之數目係爲n (如圖22所示），則目的 排位址Β係由以下公式（1 )而得： ( d + b-1 ) m〇d η...................(1) 目的字元線位址I以及目的位元線位址J如下·· I = i，而 J=j; -22- 200530815 (19)
B 而 aM3 移 上 向 方 - 址 II 位 J線 爲元 J 字 一址的 在位ts 係線r 丨元， 位個 址的一 位目後 排該最 的則 5 目，復 爲>0回 因-b址 ，B 位 而當線 然，元 小位 爲當 b
’ 爲 較且 I I = i-1·在其他情形中，目的字元線位址I爲I = i· 重新儲存之資料係藉由搬送自位址[1，〇,5]至位址 [0,0,5]，自[2,0,9]至[1，0,9]，[3，1，0]至[1，1，〇]，[4，1，4]至 [〇，1，4]5如圖23A至23F所示。 在資料儲存單元100中，資料之存取以及重新儲存 係根據圖24所示之流程圖而進行。 該資料讀取控制器3 0首先設定被存取之第一位置之 讀取位址[b，i，j](步驟S21)，而資料移動控制器40控制該 中間圖樣（inter-pattern)距離計算器41以決定在被存 取位置處之像素間隔d(步驟S 22)。 接著，資料讀取控制器3 0自記憶體1 〇讀取在讀取 位址[b，i，j]處之資料（在步驟S23)，而該資料移動控制 器40控制該目的地位址計算器42以使用上述公式（1 ) 而自讀取位址[b，I5j]計算目的地位址[B，I，J](步驟S24)。 進一步，該目的地位址計算器4 2判斷該目的排位址 B是否大於讀取排位址b (步驟S 2 5 )。假如該判斷結果爲 肯定（YES)，該目的位元線位址J被設定爲j-ΐ (步 驟S 2 6 )。假如在步驟S 2 5中之該判斷結果爲否定的（n 〇 )’該目的ίι/>兀線位址J被設定爲J = j (步驟§ 2 7)。 且’目的地位址計算器42判斷該目的位元線位址j 是否回復至最後一個（步驟S28 )。假如判斷結果係爲肯 •23- 200530815 (20) 定的（YES )，則目的字元線位址I被設定爲I = i- 1 (步驟 S29)。假如在步驟S28中之判斷結果爲否定的（N0 )， 則目的字元線位址I被設定爲1= i(步驟S3 0)。 之後，該資料移動控制器40將於記憶體1 〇讀取之 讀取位址[b，i，j]所讀取之資料寫入至記憶體10之目的地 位址[B，I，J](步驟 S31)。 當資料移動控制器40將位於上述記億體1 〇所存取 之位置之資料移動時，該資料讀取控制器3 0將判斷是否 所有像素已經被輸入（步驟S32). 假如該判斷結果係爲否疋的（Ν Ο )，該資料讀取控 制器30將增加在讀取位址[b，i5j]中之排位址（步驟S33 )，而判斷該排位址[b]是否已經回復爲初始者（步驟 S34 ) 〇 假如該判斷結果係爲否定的（NO )，則該資料讀取 控制器3 0將進行至步驟S 3 6 .假如在步驟S 3 4中之該結果 係爲肯定的（YES )，該資料讀取控制器3 0將增加在讀 取位址[b，i5j]中之位元線位址[j](步驟S35)，並判斷該 位元線位址[j ]是否回復到初始者（步驟S 3 6 )。 假如在步驟S36之判斷結果爲否定的（NO )，該資 料讀取控制器30將回復至步驟S2 3·假如在步驟S36之判 斷結果爲肯定的（YES )，該資料讀取控制器3 0將增加 在排位址[b，i5j]之字元線位址[i](步驟S37)，並回復至 步驟S23,其重複步驟S23至S37以依序讀取被存取位置 之資料，在記憶體1 0中移動直到在步驟S 3 2之該判斷結 -24- 200530815 (21) 果爲肯定的（γ E S )。之後，該資料讀取控制器3 0將跳 出該資料存取之處理並重新儲存。 注意，由於間距（offset )取消而使得該排位址之增 加可同步存取，因此其不需要保存所儲存之重新儲存目 的之位址。 注意在資料儲存單元100中，該資料儲存控制器20, 資料讀取控制器3 0以及資料移動控制器40可例如由微 處理器而形成，以控制所有資料之儲存，同步讀取多數 個資料以及資料重新儲存（根據儲存在程式記憶體（未 顯示）中之資料儲存控制程式）。 接著，敘述本發明之另一實施例。 在此實施例中將描述如下。多數個資料可藉由雙重 儲存資料於不同位址而同步存取，其由於記憶體組態而 一般係無法同步存取。 首先，該於不同位址而雙重儲存資料（其一般係無 法同步存取）。 此處假設對應於被同步存取之像素1至5之圖樣自 左上而水平光域掃瞄（如圖2 5所示）。 如圖26A至26F所示，當對於被儲存之垂直線之資 料予以儲存至單一字元線以使儲存在相同排之垂直線會 周期出現時’在相同排之不同被存取而使該些像素相互 水平分離而無法同步存取。 在圖26A中，標號表示排位址而粗線框表示被同步 存取之圖樣。在此例子中，該排計數五次，而儲存在相 -25- 200530815 (22) 同排之垂直線每五個排而周期出現。 被存取位置水平移動，而光域掃瞄 圖樣本身不會位移。藉由計算被存取位 素間隔（如圖2 7 A至2 7 B所示），可枉 之排之周期性而知道哪一個像素無法被 28A以及28B所示）。 特別是，被存取位置處之水平相互 算如下： 介於像素1以及2之水平間隔[1-2] 介於像素1以及3之水平間隔[1-3] 介於像素1以及4之水平間隔[1_4] 介於像素1以及5之水平間隔[1 - 5 ] 介於像素2以及3之水平間隔[2-3] 介於像素2以及4之水平間隔[2-4] 介於像素2以及5之水平間隔[2-5] 介於像素3以及4之水平間隔[3-4] 介於像素3以及5之水平間隔[3-5]: 介於像素4以及5之水平間隔[4 - 5 ]: 因爲排周期爲” 5 ” ，可知像素1與 5 (其水平間隔爲5 )係無法同步存取。 當已知任何像素無法被同步存取， 時’可存取之像素被存取並兩次儲存至其 因爲最好無法被同步存取之像素最 繼續進行，但是 置之水平交互像 [據何資料被儲存 同步存取（如圖 像素間隔可被計 :’，3，， :，，1，， :，，5，， :，，〇，， :，，2，， ，，2，’ ，，3，， ，’4” ，，「 ，’ 5，， 4 5以及像素4與 在光域掃瞄進行 :他位址。 好被分別事先讀 -26- 200530815 (23) 取以及寫入在其他位址，設置在圖29A與29B中以雙圓 環標示於左之位置處之該像素1與5係爲不可被同步存 取者。 因此，被雙次儲存之像素可在其他位址被被事先讀 取並寫入。即，當被同步存取之圖樣如圖30A至30F而 被定位時，被雙次儲存之像素可在其他位址被讀取以及 寫入。 因爲被雙重儲存之像素在可能時將在其他位址被讀 取以及寫入，因此不需要在圖樣之右方之像素而開始讀 取。 當在影像之垂直像素之數目爲Η，則寫入位置係爲 第（Η + 1 )個字元線，其中被寫入之像素亦可被讀取。 爲了雙次儲存Ν個像素，因此需要包括第（Η+1) 個至第（Η+Ν)個字元線之區域。 當如圖3 1 Α至3 1 F所示有十個垂直像素以及兩個像 素將被雙次儲存’該些像素將在一字元線之第1 1以及第 12個位址而被雙次儲存。在圖36A至36F所示之例子中 ，在排0之第一字元線之第一與第四位址之像素被雙次 儲存於排〇之第二字元線之第1 1以及第1 2位址。 藉由在不同位址雙次儲存像素（其可被同步儲存） 而使圖樣被同步儲存’此些像素將如圖3 2 A至3 2 F所示 而被同步存取’因爲可存在雙次儲存之目的地的像素。 當光域掃瞄經由圖樣而水平進行時’在水平線之像素如 圖3 3 A至3 3 F所示將雙次儲存無法同步存取之像素而使 -27- 200530815 (24) 可對該些像素同步存取而雙次儲存。 無法被同步存取之像素予以雙次儲存係如圖3 4之流 程圖所示而描述。 首先，計算在圖樣中像素之間之水平間隔（步驟S4 1 )° 其次，無法被同步存取之像素自排周期而決定（步 驟 S 4 2 ) 〇 之後，被雙次儲存之像素被決定（步驟S43)。 進一步，該被雙次儲存之圖樣以及像素被讀取（步 驟 S44) 〇 之後，被雙次儲存之像素被雙次儲存（步驟S45)。 之後，其判斷是否所有所有資料皆被讀取（步驟S4 6 )。假如該判斷係爲否定的（Ν Ο )，即，假如仍有資料 未被讀取，該處理進入步驟S44,其中步驟S44至S46將 重複直到在步驟S46之判斷結果爲肯定的（YES )。之 後，該程序結束。 接著，解釋雙次儲存資料之區域的管理。該資料儲 存區域係以兩個方式而管理。即，資料雙次儲存之區域 係固定如圖3 5 A至3 5 F所示，而原始資料之區域係爲下 一雙次儲存之區域（如圖36A至36F所示）。 當雙次儲存區域爲固定的，非同步存取之像素一般 係被寫入至該區域並自該區域讀取。因此，該雙次存取 區將常常被存取。當雙次儲存資料之原始資料之區域爲 下一雙次儲存之區域時，該雙次儲存目的地由一個轉動 -28- 200530815 (25) 至另一個，使得目的地被幾乎相等的存取。此時，然而 ，在雙次儲存資料被存取之後，如圖37A至37F所示， 資料回至原始資料線，因此而保持其他資料被儲存位置 之關係。 資料儲存之排周期可爲固定或爲可變。 當排周期爲固定的，根據其圖樣而有更多像素無法 被存取。此時，更多區域需要用爲雙次儲存。 且，當排周期爲可變的時，最少像素無法被同步存 取之周期係決定於在像素圖樣之水平交互像素間隔，而 資料可在每個周期而儲存至排中。可根據雙次儲存所需 要之區域多少或是根據特定應用而選擇固定周期或是可 變周期。 接著，例如可如圖3 8所示而藉由資料儲存單元200 而決定對於多數資料之同步存取。 如所示，資料儲存單元200包括一具有多數個排之 記憶體50，一資料儲存控制器60以將資料寫入至記億體 50,一資料讀取控制器70以將資料自記憶體50中讀取， 以及資料移動控制器80以控制在記憶體5〇中之資料的 移動。被儲存之資料被送入至記憶體50以及資料儲存控 制器60,而表示多數資料被同步讀取之存取圖樣被送入至 資料讀取控制器70. 如圖39所示’在資料儲存單元200中之資料儲存控 制器60包括一計數器61，以計算所輸入之資料，以及一 寫入位址產生器62以產生對應於來自計數器6 1之計數 -29- 200530815 (26) 輸出之寫入位址。 如圖40所示，該寫入位址產生器62包括一排位址 計數器6 2 A，其增加來自計數器6 1之輸出，一字元線位 址計數器62B，其增加來自排位址計數器62A之輸出， 一位元線位址計數器62C，其增加來自字元線位址計數 器62B之輸出，以及一位址產生器62D以根據來自計數 器62A，62B，62C之輸出而產生寫入位址。 在此資料儲存單元2 0 0中，如圖4 1之流程圖所示之 程序’該資料儲存控制器6 0依序將所有資料儲存至記億 體50之記憶體排中之字元線，而將資料在字元線之間而 分割。在字元線之資料儲存之每個範圍係限制爲較在一 個字元線可儲存資料之範圍爲小之資料數目。 特別是’當資料儲存之控制信號被送入至資料儲存 單元200中，該資料儲存控制器進入操作。首先，其 初始化該計數器61以及寫入位址產生器62(步驟S51) 。接收輸入資料（步驟S52 )，資料儲存控制器6〇增加 該計數器61 (步驟S53)，並根據來自寫入位址產生器 6 2而送入之寫入資料位址而將資料儲存至該記憶體6 〇 ( 步驟5 4 )。 之後’該資料儲存控制器60判斷排位址（其周期係 爲來自於排位址計數器6 2 A之排數目）是否回復爲原始 者（步驟S 5 5 )。假如在步驟s 5 5之判斷結果爲否定的 (NO)，该資料儲存控制器ό 0進入步驟S 5 9 ·假如步驟 S55之判斷結果爲肯定的（YES )，即，假如該排位址回 -30- 200530815 (27) 復至原始者’該資料儲存控制器6〇將增加該字元線位址 計數器62B (步驟S56)。 之後’資料儲存控制器60判斷該字元線位址（其周 期係爲來自源字元線計數器62B之字元線之數目）是否 回到原始者（步驟S 5 7 )。如果該判斷結果爲否定的（ NO) ’則該資料儲存控制器60進入至步驟S59·假如在 步驟S 5 7之判斷結果爲肯定的，即，假如該字元線回復 至原始者’該資料儲存控制器60將增加該位元線位址計 數器62C (步驟S58 )。 進一步在步驟S59中，資料儲存控制器60判斷該來 自計數器61之計數輸出是否等於被儲存至記億體5〇中 之資料之總數。如果該結果爲否定的（Ν Ο )，該資料儲 存控制器60回到步驟S52,而其重複步驟S52至S59以儲 存資料至該記憶體5 0 ·假如在步驟S 5 9之判斷結果爲肯定 的（YES )’該資料儲存控制器60將退出該資料儲存程 序。 如圖42所示，在資料儲存單元200中之資料讀取控 制器70包括一同步不可存取位置偵測器71，雙次儲存資 料判斷單元72以及讀取位址產生器73.該位址圖樣被送 入至同步非存取位置偵測器71以及讀取位址產生器73, 其亦自資料移動控制器80之目的地位址。 如圖43所示，該同步不可存取位置偵測器7 1包括 一水平位置差異計算器7 1 A以及同步不可存取位置取得 單元7 ] B。該同步不可存取位置偵測器7 1係經組構以控 -31 - 200530815 (28) 制該水平位置差異計算器7 1 B以計算與存取圖樣不 水平位置，而該同步不可存取位置取得單元7 1 B係 來自水平位置差異計算器71A之水平位置差一直而 在存取圖樣中之同步非可存取位置。 如圖44所示，該雙次儲存資料判斷單元72包 水平位置比較器7 2 A以及雙次儲存資料位置判斷 72B，其係提供由同步非可存取位置偵測器7 1所偵 之同步非可存取位置。該雙次儲存資料判斷單元72 構以控制該雙次儲存資料位置判斷單元72B以根據 水平位置比較器72A之比較輸出而於左而取得作爲 儲存資料位置之同步非可存取位置。 如圖45所示，該讀取位址產生器73進一步包 計數器73A、一間距計算器73B、間距加法器73C 位址計算器73D，其係自該雙次儲存資料位置判斷 72而提供雙次儲存資料位置，以及一位置間距處 73E (其自資料移動控制器80而提供一目的位置。 將存取圖樣送入至間距計算器73B以及位址計算器 ，該讀取位址產生器7 3將控制該位址計算器7 3 D以 存取圖樣、雙次儲存資料位置以及經由位址間距處 73E而輸出字間距加法器73C而輸出產生自計數器 之讀取位址。 如圖46所示，該假資料儲存單元200中之資料 控制器80包括一被移動之資料選擇器8 ]、目的地位 生器8 2以及目的地位址管理器8 3 .讀取自記憶體5 0 同之 根據 取得 括一 單元 測得 經組 得自 雙次 括一 以及 單元 理器 藉由 73D 根據 理器 73 A 移動 址產 之資 -32- 200530815 (29) 料被送入至被移動資料選擇器8 1，而由讀取位址產 73所產生之位址係送入至被移動資料選擇器8 1以S 地位址產生器82. 該被移動資料選擇器81 .輸出讀取自記憶體5 0 料，而自該輸出資料選擇作爲被移動資料而被雙次 之資料，而將該資料送入至記憶體50. 且，該目的地位址產生器82產生一目的地位址 中該被移動增要係根據由讀取位址產生器73所產生 取位址而除岑，並將該目的地位址送入至該記憶體 由目的地位址產生器72所產生之目的地位址係由提 的地位址之目的地位址管理器8 3所管理。 在資料儲存單元200中，該資料讀取控制器70 資料移動控制器80 (如上述而組構）自該記憶體50 取資料並根據圖4 7流程圖所示之程序而雙次儲存該 〇 當資料儲存單元200提供控制信號以讀取資料 該資料讀取控制器70以及資料移動控制器8 0被置 作中。當接收存取圖樣時（步驟S6 1 )，該資料讀取 器7〇控制該同步非可存取位置偵測器7 1以計算水 S差異（步驟S62 )，並偵測同步非可存取位置（ S63) ’而該雙次儲存資料判斷單元72決定雙次儲 料位置（步驟S64 )。 之後’該資料讀取控制器70將位於讀取位置產 73中之計數器73A初始化（步驟S65 )，增加該計 生器 :目的 之資 儲存 :，其 .之讀 50·該 :供目 以及 而讀 資料 時， 入操 控制 平位 步驟 存資 生器 數器 -33- 200530815 (30) 73A (步驟S66)，產生一資料讀取位址（步驟S67)， 並根據該資料讀取位址而自記憶體50而讀取資料（步驟 S68 ) 〇 接著，資料移動控制器80選擇被移動資料（步驟 S 69 )並儲存該資料於記憶體50中之目的地位址（步驟 S70 ) 〇 進一步，該資料讀取控制器70判斷是否所有資料已 經被存取（步驟S7 1 )。假如該判斷結果爲否定的（NO )，該資料讀取控制器70將更新該目的地位址（步驟 S72)，並回到步驟S66,其將重複步驟S66至S71直到該 判斷結果S 7 1之結果爲肯定的（YE S )。之後，該資料 讀取控制器7 0會退出該資料讀取以及雙次儲存處理。 注意，在資料儲存單元200中，該資料儲存控制器 60,資料讀取控制器70以及資料移動控制器80將由微處 理器而形成，而資料儲存，同步讀取以及雙次可根據資 料儲存控制器程式（儲存於程式記憶體（未顯示）而完 成。 進一步，本發明關於其他實施例之細節將描述如下 〇 此實施例係應用於資料儲存單元（如圖4 8所示）。 該資料儲存單元3 00包括一由多數排所形成之半導 體記憶體3 1 0，記憶體控制器3 2 0 (連接至包括多數排之 半導體記億體3 1 0 )，以及位址產生器3 3 0，重定序判斷 單元340以及混洗（shuffling )圖樣儲存單元3 5 0 (連接 -34- 200530815 (31) 至該記憶體控制器3 20 )。 在此資料儲存單元3 00中，影像資料係送入至記憶 體控制器3 1 0,而該特定包括在該影像資料中之物件資料 圖樣之偵測圖樣被送入至記憶體控制器3 2 0以及重定序 判斷單元3 40. 該位址產生器3 3 0產生一邏輯位址，其對應於在影 像中之位址，並將之送入至記億體控制器3 20. 且，該重定序判斷單元340判斷關於該所傳送偵測 圖樣之資料重定序，並將重定序規則送入至混洗圖樣儲 存單元3 5 0. 進一步，該混洗圖樣儲存單元3 5 0根據得自重定序 判斷單元3 20之重定序規則而將重定序圖樣送入至記憶 體控制器3 1 0 . 該記憶體控制器根據得自混洗圖樣儲存單元3 5 0之 重定序圖樣而重定序該影像資料，將該重定序影像資料 寫入至該半導體記憶體310,並將得自該位址產生器330 之該邏輯位址轉換爲半導體記憶體3 1 0之實體位址（根 據重定序圖樣），藉此而自該半導體記憶體310同步讀 取多數個資料。 在此資料儲存單元3 00中，該記憶體控制器3 1 0可 使根據得自混洗圖樣儲存單元3 5 0之重定序圖樣而自該 半導體記憶體3 1 0讀取多數個資料，其係藉由事先根據 自半導體記憶體3 1 0同步讀取之多數個影像資料之分佈 而改變寫入至半導體記憶體3】0之方法。 -35- 200530815 (32) 在此資料儲存單元3 00中，多數個像素資料 _失:根據同步讀取自半導體記憶體3丨〇之多數個 料而改變寫入至半導體記憶體3〗〇之方法。該多 ^胃料* $同步讀取而不相關於該參考區域之位置。 & lit資料儲存單元3 〇〇之資料儲存方法將於後 胃7更易瞭解，此處假設該影像資料係爲一 ’ ffi?多數個像素資料係由該一維陣列而同步讀取 藉由解釋自二維陣列同步讀取多數個像素資料而 一維陣列同步讀取多數個像素資料。 圖49A至49C以及圖50A至50C所示係爲資 之方法’其係假設參考區域REF之大小爲” 4 ” ， 步讀取之像素資料數目爲” 2 ” ，而記憶體排之麈 ” 〇 當兩個參考資料DA以及DB相互並列（如圖 示）’影像資料係以排數目[1 ]以及[2]而儲存，即 至每個排（如圖4 9B所示）。因此，該兩個參考| 以及DB將始終分別儲存至不同排，而無關於該參 REF之位置。所以，該兩個參考資料DA以及DB 步讀取（如圖49C所示）。 當兩個參考資料DA以及DB爲交錯設置（如 所示），影像資料係以排數目[1]，Π]，[2]，[2]之順 存，即，兩次父錯至個別排（如圖5 0 B所示）。 該兩個參考資料DA以及DB可被同步存取。儘管 考區域REF係位移（如圖50C所示），該影像資 可藉由 像素資 數個像 述。 維陣列 。以下 解釋自 料儲存 而被同 目，，2 49A所 ，交錯 ί料DA 考區域 可被同 圖50Α 序而儲 因此， 當該參 料可被 -36- 200530815 (33) 同步讀取（如圖49A至49C所示）。 習知上’上述資料讀取需要四個記憶體排，但是本 發明可使此讀取只需要兩個記憶體排。 進一步，圖5 0展示資料儲存之方法，其假設參考區 域REF之大小爲” 8 ” ，而參考資料之數目爲” 3 ” ，而 記憶體排之數目爲” 4 ” 。 此時，可根據參考資料之分佈而有多個儲存適當資 料之方法。該方法包括對應於儲存圖樣A、B、C $三f (如表格1所示）。且，儘管該參考資料在該參考區域 REF中係爲旋轉，資料儲存方法將不必被改變。
儲存圖樣 排數目 A 12341234 B 12123434 C 1 1 223 3 44 即，根據該儲存圖樣’影像資料係在排中儲存’其 數目依序爲[Π，[2]，[3]，[4]，[i]，[2]，[3]5 [4]5 藉此而允 許同步讀取四個參考資料。 根據該儲存圖樣B ’影像資料係分別儲存至排數目 [1]，[2]，[1]，[2]，[3]，[4]，[3]，[4]，藉此而允 g午四個參考 資料之同步讀取° -37- 200530815 (34) 根據該儲存圖樣c，影像資料係分別儲存至排數目 [1]，[1]，[2]，[2]，[3]，[3]，[4]，[4]，藉此而允許對於四個 參考資料同步讀取。 注意’在該資料儲存單元3 0 0中，該記億體控制器 3 1 0可由例如爲處理器所形成，而該影像資料可被儲存至 半導體記憶體3 1 0，根據儲存在程式記憶體（未顯示）中 之資料儲存控制程式，而將參考圖52所示之流程圖而解 釋如下。 即’該sS億體控制器3 2 0首先決定偵測圖樣（步騾 S 8 1 )，並判斷該偵測圖樣是否符合第一判斷狀態（步驟 S82 ) 〇 在步驟S82之判斷條件1之判斷係根據圖53所示之 以下步驟1至3而影響。 步驟1 :參考資料之分佈係分爲四份，而垂直定位而 分割。 步驟2 :在垂直線之參考資料被量測。 步驟3 :根據量測結果而判斷該參考資料是否只成對 存在於一個參考區域中。 假如在步驟S 82之判斷結果爲肯定的（YES )，採 用第一儲存規則（步驟S 8 3 )，而影像資料被儲存至半導 體記憶體3 1 0 (根據儲存圖樣A )(步驟S 8 9 )。 假如在步驟S82之判斷結果爲否定的（NO )，下一 儲存規則被採用以判斷（在步驟S 84 )。 在步驟84之判斷條件2之判斷將受到圖54所示之 -38- 200530815 (35) 步驟1至3而影響。 步驟1 :參考資料之分佈係分爲二，而垂直定位分割 〇 步驟2 :在垂直線中之參考資料被量測。 步驟3 :根據量測結果而判斷參考資料是否只以兩個 現而存在。 假如在步驟S84之判斷結果爲肯定的（YES )，則 採用第一儲存規則（步驟S85)，而影像資料被姐存至半 導體記憶體310 (根據儲存圖樣B )(步驟S89 )。 假如步驟S84之判斷結果爲否定的（no)，採用下 一儲存規則3而判斷（步驟S86)。 在步驟S86之判斷條件2之判斷係受到圖55所示之 步驟1至3而影響。 步驟1:參考資料之分佈被分爲二，並垂直定位而分 割。 步驟2 :在垂直線之參考資料被量測。 步驟3 :根據該量測結果而判斷存在之參考資料之數 目爲一個或是更小。 假如步驟S 8 6之判斷結果爲肯定的（Y E S )，採用 第三儲存規則（步驟87 )，而資料根據該儲存圖樣C而 儲存（步驟S 8 9 )。 假如步驟S86之判斷結果爲否定的（NO )，採用第 四儲存規則（步驟S 8 8 )，而根據儲存圖樣D而儲存資 料（步驟S 8 9 )。 -39- 200530815 (36) 影像資料自資料儲存單元3 00中之半導體記憶體讀 取之敘述將參考圖5 6而說明。 該位址產生器3 3 0產生一邏輯位址（影像之位址） (步驟S 9 1 )，而記憶體控制器3 2 0根據資料重定序規則 而將邏輯位址轉換爲實體位址（在記憶體中之位址）（ 步驟S 92 )，自該半導體記憶體3 1 0而讀取資料群（步驟 593 )，而判斷是否所有至影像末之資料被讀取（步驟 594 )。假如步驟S94之判斷結果爲否定的（NO )，即 ，假如仍有資料未被讀取，該記億體控制器3 20控制該 位址產生器3 3 0以產生下一邏輯位址（步驟S 9 5 )並回到 步驟S9 1，其重複資料讀取直到步驟S94之判斷結果爲肯 定的（YES )。之後，該記憶體控制器320將退出該資料 讀取處理。 上述判斷條件可以如下數學方式而描述。假設在參 考區域之參考資料之相對位置爲A1，A2，...，A8. 判斷條件1 : 參考資料之相對位置爲全偶數或奇數。 該判斷條件1可定義爲相對位置除以2之餘數（Ai m〇d2)應皆爲〇或1. 判斷條件2 : 所有參考資料之相對位置除以4爲兩連續餘數（Ai mod 4 ). •40- 200530815 (37) 特別是，該判斷條件2爲該餘數爲〇與1 ; 1與2,2與 3或是3與0. 判斷條件3 : 參考資料之相對位置除以排數m之餘數（Ai mod m )對於所有參考資料之一個至另一個係爲變化。 注意，該排數可以爲判斷區域之一半大小，而記憶 體排之必要數目爲m = Rx/2,其中Rx爲判斷區域之大小。 在上述中，已經解釋被同步讀取之一維陣列資料之 儲存方法。接著，將解釋被同步讀取之二維陣列資料之 儲存方法。 圖57A至57C係展示二維陣列資料之儲存方法。 圖5 7 A所示之二維陣列影像資料係分爲多個垂直條 狀群（如圖5 7B所示）’而在單一條狀之資料群係儲存 在記憶體排之單一字元線（如圖5 7C )。藉由根據此時 參考資料之分佈而選擇每個條狀資料全之記憶體排，而 可同步讀取二維陣列資料。 以下參考圖58A至58C而解釋被選擇儲存資料之記 憶體排之規則。 圖58A係爲解釋而展示二維參考區域以及在該參考 區域之參考資料分佈。其在圖57中係假設該參考資料被 分割爲垂直條狀（如圖5 8 B所示）。該條狀係垂直的壓 在一起（圖58C)。假如就算只有一個參考資料存在在 該彳1木狀中’即設疋一旗標’其意指該資料以儲存一維陣 -41 - 200530815 (38) 列資料之方法而被儲存。 即，選擇被儲存資料之記憶體排之規則係與與一維 陣列資料者相同。記憶體排之此選擇方法將允許就算參 考區域垂直位移時而仍讀取所要之資料。 接著，將解釋判斷條件之一般解釋。 在假設參考區域之大小爲Rx，記憶體排之數目爲m ，而參考資料之數目爲η，該目標爲m = Rx/2，而在此假 設下參考區域之大小以及儲存圖樣係爲表格2所示。 可用儲存圖樣之數目P係爲p = l〇g2Rx (以2爲基底 之Rx對數）。
參考區 域大小 記憶髖 排之數目 判断條件 儲存圖樣 條數目 2 1 1 A::00 ... 1 4 2 1 A::0011 ... 2 2 Β.Ό101 ... 8 4 1 A:00112233 ... 3 2 B:01012323 ... 3 C:01230123 ... 16 8 1 Α.Ό011223344556677 ... 4 2 B:0101232345456767 ... 3 0:0123012345674567 ... 4 D:0123456701234567 ... 32 16 1 A:00112233445566778899aabbccddeeff... 5 2 B:01012323454567678989ababcdefcdef... 3 C:012301234567456789ab89adcdefcdef... 4 D:012245670123456789abcdef89abcdef... 5 E:0123456789abcdef0123456789abcdef... 因此，該判斷條件如下： -42- 200530815 (39) 判斷條件1 : 參考資料之相對位置爲全爲偶數或是全爲奇數（或 是，相對位置除以2之餘數爲全0或是全1 )。 判斷條件2 : 所有參考資料之相對位置除以4會造成兩個連續餘 數（Ai mod 4 ) ·特別是，該餘數爲0與1，1與2,2與3 或是3與0. 判斷條件3 : 所有參考資料之相對位置除以8之結果爲三個連續 欲署（Aimod8) · 判斷條件P : 該類似操作繼續，直到除數爲n/2，而”參考資料” 之相對位置除以排數πι係爲根據所有參考資料之一個至 其他而變異之餘數（Ai mod m )。 當儲存所有資料至包含多數個排之記億體中時而同 步讀取數個資料爲η而被同步讀取之資料之相對位置除 以2χ(χ爲正整數，2χ小於n/2)造成連續（χ-1)之餘數 ，儲存圖樣被決定，而被同步讀取之資料藉由將儲存順 序改變爲對應於被同步讀取資料分佈之儲存圖樣之記憶 體之每個排而予以儲存至不同排，藉此允許同步讀取多 數個想要之資料。 -43- 200530815 (40) 對於此資料儲存方法，可經數學證明藉由重定序該 資料而同步讀取之參考資料之最大數目η’爲n’ = log 2m. 當η，小於1 o g 2 m，可使用資料重定序規格於任一圖樣，且 亦可使用允許允許同步資料讀取之資料儲存方法。當η’ 超過log 2m時，有可允許同步資料讀取之資料儲存方法 ，其相關於參考資料之分佈。然而，此方法並非永遠可 用。 以上，本發明係描述以及解釋關於來自影像資料之 字元或圖樣之偵測。顯然的，類似觀念可應用於其他領 域。例如，本發明亦可應用於偵測移動向量。即，本發 明可應用於每個像素之候選向量之最佳者之選擇。且， 本發明之資料處理並不限於影像資料亦可應用於音頻資 料。 【圖式簡單說明】 圖1係習知半導體記億體之組態之結構圖； 圖2係資料無法同步存取之半導體記憶體之狀態之 結構圖， 圖3 A至3 B係包括多數個記憶體排之記憶體組態； 圖4A至4F係展示影像包括對應於將被同步存取之 多數像素以及光域掃瞄係開始自圖樣之左上之圖樣之半 導體記憶體之資料儲存狀態之結構圖； 圖5A至5F係展示無法同步存取之半導體記億體之 狀態之圖； -44- 200530815 (41) 圖6係作爲影像資料之圖樣辨識而在影像資料中偵 測之” T”圖樣之結構圖； 圖7係爲當不知該物件符號或圖樣係存在於影像資 料之何處時而掃瞄整個影像資料以取出所要之符號或是 圖樣時之半導體記憶體之狀態之結構圖； 圖8係資料被儲存在包括在相同記憶體排中之不同 字元線而資料無法同步讀取時之半導體記憶體之狀態之 結構圖； 圖9A以及9B係分別展示在影像與記憶體中之資料 分佈，其中就算是被取出之相同符號或是圖樣根據其在 參考區之位置而無法自半導體記憶體中被同步讀取； 圖10係藉由增加記憶體排之數目而可在參考區內同 步存取而可同步存取之半導體記憶體之狀態之結構圖； 圖1 1係根據本發明之資料儲存單元之實施例之方塊 圖； 圖1 2係包括在圖1 1之資料儲存單元之資料儲存控 制器中之方塊圖； 圖1 3係包括在圖1 1之資料儲存單元中之資料讀取 控制器之方塊圖； 圖14亦爲在圖11之資料儲存單元中之資料移動控 制器之方塊圖； 圖1 5係爲包括在一影像中而其對應於被同步存取之 多數像素之圖樣組之例子的結構例； 圖1 6A至1 6F係分別爲以排位址漸增而自影像之右 -45 - 200530815 (42) 上角開始而依序儲存入排中之像素之資料儲存單元之結 構圖例狀態； 圖1 7 A至1 7 F係爲結構展示該排位址在被存取位置 處增加之資料儲存單元之狀態； 圖1 8 A至1 8 F係結構展示由於排位址增加而無資料 在排中被跳過之資料儲存單元之狀態； 圖1 9係爲在對於每個排中資料儲存之操作流程； 圖20A至20F係爲多數個同步存取初始執行時之資 料儲存單元之狀態之結構圖； 圖21A至21F係在光域掃瞄中被存取之相鄰像素之 資料單元之狀態的結構圖； 圖22係解釋在重新儲存資料時被存取之目的地位址 之決定； 圖23A至23F係結構展示資料被重新儲存之資料儲 存單元之狀態之結構圖； 圖24係在執行對於資料存取以及重新儲存之操作之 流程圖； 圖2 5係結透展示被同步存取之圖樣組之例子； 圖26A至26F係結構展示垂直線所儲存之增要被儲 存至單一字元線使得儲存於相同排之垂直線將周期性出 現的資料儲存單元之狀態； 圖27A與27B係結構展示在被存取位置之水平像素 之結構圖； 圖2 8 A與2 8 B係結構展示不可同步存取之像素； -46 - 200530815 (43) 圖29A與29B係結構展示由水平像素間隔之計算而 決定之像素之兩側儲存之結構圖； 圖3 0A至30F係結構展示被兩次儲存之像素被讀取 之資料儲存單元之狀態； 圖3 1 A至3 1 F係結構展示兩次儲存之基本例； 圖32A至32F係結透展示被兩次儲存之同步存取之 像素； 圖3 3 A至3 3 F係在水平線之像素被兩次儲存之資料 儲存單元之狀態； 圖3 4係展示在水平線上之像素被兩側儲存之操作之 流程圖； 圖35A至35F係被兩次儲存之像素被固定之區域之 管理方法之結構圖； 圖36A至36F係結構展示兩次儲存資料之原始資料 被取得之區域係爲下一兩次儲存之區域之結構例； 圖3 7A至3 7F係結構展示在存取被兩次儲存資料之 後資料回復至原始字元線之狀態之結構例； 圖38係爲根據本發明之資料儲存單元之另一實施例 之方塊圖； 圖39係爲包括在圖38之資料儲存單元中之資料儲 存控制器之方塊圖； 圖4 〇係爲包括在圖3 8之資料儲存單元中之儲存位 址產生器之方塊圖； 圖4 1係爲在圖3 9之資料儲存控制器之資料儲存處 -47- 200530815 (44) 理中之操作之流程圖； 圖42亦爲包括在圖38之資料儲存單元中之資料讀 取控制器之方塊圖； 圖4 3係爲包括在圖4 2之資料讀取控制器中同步非 存取位址偵測器之方塊圖； 圖44係爲包括在圖42之資料讀取控制器之兩次儲 存資料判斷單元之方塊圖； 圖45爲包括在圖42之資料讀取控制器之讀取位址 產生器之方塊圖； 圖46爲包括在圖38之資料儲存單元中之資料移動 控制器之方塊圖； 圖4 7爲發生在圖42之資料讀取控制器以及在資料 儲存單元中之圖46之資料移動控制器中之資料讀取與兩 次儲存之操作流程； 圖48爲本發明之資料儲存單元之另一實施例之方塊 圖； 圖49A至4 9C係爲當參考區域之大小爲” 4” ，被同 步讀取之像素數目爲” 2 ”而在記憶體中之記憶體排之數 目爲” 2 ” （假設該參考資料被水平列出）時之資料儲存 方法之結構例； 圖5 0A至50C係爲當參考區域之大小爲” 4” ，被同 步讀取之像素數目爲” 2 ”而在記憶體中之記憶體排之數 目爲” 2” （假設該參考資料被交錯列出）時之資料儲存 方法之結構例； -48- 200530815 (45) 圖5 1係爲假設參考區域爲” 8 ” ，而參考資料之數 目爲” 3 ”而記憶體排之數目爲” 4 ”之資料儲存方法之 結構例； 圖5 2係展示將影像資料儲存至資料儲存單元之記憶 體中之操作之流程圖； 圖5 3係結構展示在儲存影像資料之條件1下而判斷 之結構例； 圖5 4係結構展示在儲存影像資料之條件2下而判斷 之結構例； 圖5 5係結構展示在儲存影像資料之條件3下而判斷 之結構例； 圖56係展示自資料儲存單元之記億體中讀取影像資 料之操作之流程； 圖57A至57C係結構展示分散二維儲存資料之方法 之結構例；以及 圖58A至58C係一起解釋目的記憶體排隊於每個資 料儲存予以選擇之規格。 【主要元件符號說明】 1 像素 10 記憶體 100資料儲存單元 20 資料儲存控制器 2〇0資料儲存單元 -49- 200530815 (46) 2 1 計數器 22 符合判斷單元 23 旗標產生器 24 間距計數器 25 計數器 26 位元線位址計數器 27 字元線位址計數器 28 位址產生器 3 像素 30 資料讀取控制器 3 00資料儲存單元 3 1 開始位址取得單元 3 10記憶體控制器 32 資料讀取計數器 3 20記憶體控制器 33 位址計數器 3 3 0地址產生器 34 位元線位址計數器 3 40重定序判斷單元 35 字元線位址計數器 3 5 0混洗圖樣儲存單元 36 位址產生器 4 像素 40 資料移動控制器 -50- 200530815 (47) 4 1 相互圖樣距離計算器 42 目的地位址計算器 5 像素 50 記憶體 60 資料儲存控制器 6 1 計數器 62 寫入位址產生器 62A排位址計數器 62B字元線位址計數器 62C位元線位址計數器 62D位址產生器 70 資料讀取控制器 7 1 同步不可存取位置偵測器 7 1 A水平位置差異計算器 7 1 B水平位置差異計算器 72 雙次儲存資料判斷單元 72A水平位置比較器 72B雙次儲存資料位置判斷單元 73 讀取位址產生器 73A計數器 7 3B間距計算器 73C間距加法器 73D位址計算器 7 3 E位置間距處理器 -51 - 200530815 (48) 80 資料移動控制器 81 被移動之資料選擇器 82 目的地位址產生器 83 目的地位址管理器 -52-