200402811 Π) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關電子裝置的製造裝置，電子裝置的製造 方法及電子裝置的製造程式，尤其是適合於安裝有電子零 件的捲帶基板等的焊錫回流過程者。 【先前技術】 在丰導體裝置的製造中，具有：在COF(chip 〇n film) 挨’ifl或 TAB(Tape Automated Bonding)模組等的電路基板 中，藉由回流方式來例如安裝半導體晶片的過程。圖8是 表示以往電子裝置的製造方法。 圖17是表示以往電子裝置的製造方法。 在圖1 7中’在回流過程中，沿著捲帶基板8 〇 1的搬 送方向（箭頭方向）而設有加熱區域811〜S13及冷却區 域8 1 4。在此，於回流過程中，若施以激烈的高温加熱， 則電路基板8 0 1與半導體晶片之間的接著劑等的接合構件 或半導體晶片本身會發生回流龜裂，或者無法順利地進行 焊錫膏的焊錫接合。因此，會在加熱區域8 1 1、8 1 2施以 預熱，在加熱區域8 1 3施以峰値熱。峰値熱是形成焊錫融 点+ α。並且，在回流過程的回流方式，可採用熱風循環 方式的空氣加熱，燈加熱方式，或遠紅外線方式等。 又，若半導體晶片的端子經由焊錫膏而溶融接合於電 路基板的配線上，則會在冷却區域8 1 4被冷却，藉此半導 體晶片會被固定於電路基板上。在冷却區域8 1 4中，可採 (2) (2)200402811 用使低温空氣循環的方式。 【發明內容】 【發明所欲解決之課題】 但，在熱風循環方式的空氣加熱中，由於熱傳導性差 ，因此加熱區域8 1 1〜8 1 3的加熱處理時間會變長，而有 礙生産性的提升。並且，就熱風循環方式而言，由於熱風 循環的機構大，因此會妨礙裝置的小型化。 又，就燈加熱方式或遠紅外線方式而言，由於是進行 點加熱的方式，因此在加熱區域8 1 1〜8 1 3間必須要有遮 光構造，其結果，裝置的構成會變大。 又，就該等的回流方式而言，由於熱放散性大，因此 在以預定的區塊長單位來對捲帶基板80 1進行加熱處理或 冷却處理時，難以對應配合區塊長的處理時間。並且，在 加熱區域8 1 1〜8 1 3間，由於熱會移動，因此難以維持去 除加熱區域8 1 1〜8 1 3間的境界温度。 又，上述回流方式中，當基於某種原因而造成生產線 停止一定時間以上時，會在關閉加熱源的開關下，使加熱 處理中斷。但，在停止生產線一定時間以上時，由於無法 使加熱處理中的製品迴避，因此會難以防止製品受到損傷 〇 又，由於熱也會被傳達至位於加熱區域8 1 1前之下次 才會進行加熱處理的捲帶基板8 0 1，因此不易進行製品的 品質管理。 -6- (3) (3)200402811 又，當生產線恢復時，雖會再度施以預熱、峰値熱及 冷却’但由於在將受損的製品部份送至回流過程外之後， 必須關閉加熱源的開關，因此會拉長恢復後至進行加熱處 理或冷却處理之通常運轉的等待時間。 又，由於在回流過程的冷却區域8 1 4中使以低温空氣 來冷却，因此冷却處理時間會變長，特別是當焊錫膏爲無 鉛時，不易防止熱氧化。 因應於此，本發明的目的是在於提供一種可以簡單的 構成來容易進行製品的品質管理，以及能夠防止在生產線 停止時造成製品的損傷之電子裝置製造裝置，電子裝置的 製造方法及電子裝置的製造程式。 【用以解決課題之手段】 爲了達成上述目的，本發明之一形態的電子裝置的製 造裝置的特徵是具備：發熱手段；該發熱手段是藉由控制 與在各電路區塊中設有電子零件搭載區域之連續體的被加 熱處理區域的距離來使上述被加熱處理區域的溫度上升。 藉此、可在控制被加熱處理區域與發熱手段的距離之 情況下、容易控制被加熱處理區域的加熱狀態，即使是在 搬送途中使被加熱處理區域静止，照樣可以容易控制被加 熱處理區域的。因此，可控制回流過程之激烈的温度變化 ，降低對電子零件或焊錫材等造成損傷，且可容易避免生 產線停止時造成製品的熱損傷，一方面可以抑止裝置大型 化，另一方面能夠容易進行回流處理的品質管理。 (4) 200402811 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 :上述發熱手段是藉由接近或接觸於上述連續體的被加熱 處理區域的至少一部份來使上述被加熱處理區域的溫度上 藉此，可利用輻射熱或熱傳導來控制被加熱處理區域 的加熱狀態，抑止發熱手段所產生的熱散放於周圍。因此 ，可以電路區塊單位來精度良好地控制温度履歷，而能夠 容易進行品質管理，且不需要熱風循環方式的遮蔽構造， 及燈加熱方式或遠紅外線方式的遮光構造，因此可達成省 空間化。 又，可在使發熱手段接觸於連續體的被加熱處理區域 之情況下，迅速地使電路區塊的温度上升，而能夠縮短搬 送時的作業流程時間。因此，可使焊錫塗佈過程或安裝過 程之搬送作業流程與回流過程之搬送作業流程整合，而使 能夠一次進行焊錫塗佈處理、電子零件的安裝處理及回流 處理。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 :上述發熱手段是由上述連續體的背面側或表面側來接觸 〇 在此，發熱手段會由連續體的背面側接觸，藉此即使 高度不同的電子零件配置於連續體上，還是能夠有效率地 在連續體傳遞熱，而使能夠安定地進行回流處理。 又，發熱手段會由連續體的表面側接觸，藉此發熱手 段可直接接觸於電子零件，防止發熱手段接觸於連續體， 冬 ·、、，、了 二 V. / (5) (5)200402811 而使能夠防止連續體附著於發熱手段。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 ••上述發熱手段是藉由控制移動速度或移動位置來階段性 地控制被加熱處理區域的溫度。 藉此，可不必使用温度不同的複數個發熱手段，就能 階段性地控制被加熱處理區域的温度。因此，可防止在進 行被加熱處理區域的回流處理時產生激烈的温度變化，一 方面可達成省空間化，另一方面能夠抑止回流處理的品質 劣化。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 :上述發熱手段爲上下移動或水平移動。 在此，即使被加熱處理區域較廣，照樣可以藉由上下 移動發熱手段來維持被加熱處理區域的温度分布均—，p皆 段性地使被加熱處理區域的温度上升或下降，且一方面可 抑止回流區域 面積増大，另一方面能夠使發熱手段迅速 地脫離被加熱處理區域。 因此，即使是在生產線發生問題而停止搬送系統時， 照樣可以一方面達成省空間化，另一方面能夠迅速地迴避 對被加熱處理區域造成熱損傷，進而可以抑制回流處理的 品質劣化。 又，可藉由水平移動發熱手段來使連續體的搬送速度 與發熱手段的移動速度一致，可使被加熱處理區域的静止 位置之加熱温度差降低，且即使製品間距不同，照樣可以 保持加熱時間的均一性。 (6) (6)200402811 又’本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 :上述發熱手段是複數次接觸於同一被加熱處理區域。 藉此，由於可避免對被加熱處理區域造成熱損傷，因 此即使脫離發熱手段，照樣可一面防止被加熱處理區域的 激烈温度變化，一面使被加熱處理區域容易恢復到原來的 温度’且一方面可達成省空間化，另一方面能抑止回流處 理的品質劣化。 又’本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 :上述發熱手段具有比塗佈於上述電路區塊上的焊錫塗佈 區域還要大的接觸面積，一次針對複數個電路區塊來使溫 度上升。 藉此，可在使被加熱處理區域接觸於發熱手段的情況 下’一次針對複數個電路區塊進行回流處理，且即使製品 間距不同，照樣可在不更換發熱手段的情況下進行回流處 理。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 :上述發熱手段具有設定溫度不同的複數個接觸區域，藉 由上述接觸區域依次接觸於上述被加熱處理區域來階段性 地使上述被加熱處理區域的溫度上升。 藉此，可利用熱傳導來控制被加熱處理區域的加熱狀 態’一方面可抑止發熱手段所產生的熱散放於周圍，另一 方面能使被加熱處理區域的温度段階性地上升。因此，可 在不需要熱風循環方式的遮蔽構造，及燈加熱方式或遠紅 外線方式的遮光構造之下，以電路區塊單位來階段性地控 -10- (7) (7)200402811 制温度履歷，進而可以一面達成省空間化，一面能夠容易 進行品質管理。 又’可在使發熱手段依次接近於連續體的被加熱處理 區域之情況下，階段性且迅速地使電路區塊的温度上升， 一方面可防止被加熱處理區域的激烈温度變化，另一方面 成1(0短搬送時的作業流程時間。因此，一*方面可抑止回流 處理的品質劣化，另一方面可使焊錫塗佈過程或安裝過程 之搬送作業流程與回流過程之搬送作業流程整合，而使能 夠一次進行焊錫塗佈處理、電子零件的安裝處理及回流處 理。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 :上述設定溫度不同的複數個接觸區域是沿著上述連續體 的搬送方向來排列配置。 藉此，可在搬送連續體的情況下，使設定温度不同的 複數個接觸區域依次接觸於被加熱處理區域，可在不移動 發熱手段的情況下，階段性地使被加熱處理區域的温度上 升，且能一次針對複數個被加熱處理區域進行回流處理。 因此，一方面可以防止在進行回流處理時被加熱處理 區域產生激烈的温度變化，另一方面能夠縮短回流處理的 作業流程時間，一面維持製品品質，一面更有效率地進行 回流處理。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 •在上述設疋溫度不问的接觸區域間設有空隙。 藉此，可消除在設定温度不同的接觸區域間的境界產 L r v -11 - 200402811 (δ) 生温度差，精度良好地控制各被加熱處理區域的温度履歷 ，提高回流處理的製品品質。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 :上述設定溫度不同的複數個接觸區域可個別移動。 藉此，可使特定的電路區塊繼續進行預熱，而不會中 斷其他電路區塊的正式加熱。因此，即使在途中使正式加 熱中斷，照樣能夠防止在途中停止預熱，進而可以降低製 品不良。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 :與上述被加熱處理區域接觸的上述發熱手段的接觸面爲 平坦。 藉此，可在使連續體接觸於發熱手段的接觸面上之情 況下，順暢地搬送連續體。因此，在使連續體接觸於發熱 手段的接觸面來進行加熱時，可省略發熱手段的移動動作 ，進而能縮短回流處理的作業流程時間。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 ••上述發熱手段的接觸面設有對應於上述被加熱處理區域 的半導體晶片的配置位置之凹部。 藉此，可防止發熱手段直接接觸於配置有半導體晶片 的區域。因此，即使在連續體上安裝有不耐熱的半導體晶 片，還是可以抑止對半導體晶片造成熱損傷。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 :在上述連續體的被加熱處理區域與上述發熱手段之間， 更具備插拔可能的遮蔽手段。 -12- (9) (9)200402811 藉此，在使被加熱處理區域迴避發熱手段時，可抑止 來自發熱手段的輻射熱持續加熱被加熱處理區域，即使拉 長回避時間，還是能夠抑止對被加熱處理區域造成熱損傷 〇 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵是 更具備： 計時手段；該計時手段是用以計時上述發熱手段之上 述被加熱處理區域的加熱時間；及 脫離手段；該脫離手段是在上述加熱時間超越預定時 間時，使上述發熱手段脫離上述被加熱處理區域。 藉此，在對被加熱處理區域進行加熱處理中，即使生 產線發生問題，而導致搬送系統停止時，照樣可以迅速迴 避對被加熱處理區域造成熱損傷，抑止回流處理的品質劣 化。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵是 更具備： 支持台；該支持台是用以支持上述發熱手段；及 滑動手段；g亥滑動手段是用以沿著上述連續體的搬送 方向來使上述支持台滑動。 藉此，可一邊目視確認，一邊使發熱手段的位置對準 製品間距，即使製品間距不同，照樣能夠保持加熱時間的 i句—性 〇 又’本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵是 更具備：加熱輔助手段；該加熱輔助手段是由與上述發熱 -13- (10) (10)200402811 手段不同的方向來加熱上述連續體的被加熱處理區域。 藉此，即使是在使被加熱處理區域迴避發熱手段時， 照樣可以使被加熱處理區域的温度保持於預定値以上，防 止被加熱處理區域的温度過度降低，而發生製品不良。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵是 更具備：溫度下降手段；該溫度下降手段是在於使藉由上 述發熱手段而溫度上升的上述被加熱處理區域的溫度下降 〇 藉此，可使藉由發熱手段而温度上升的被加熱處理區 域的温度急速下降，提高焊錫浸溼性來使接合安定，且可 防止焊錫熱氧化。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵是 上述溫度下降手段具備：平板構件；該平板構件在面向上 述被加熱處理區域的一側具有複數個冷卻劑的吹出孔。 藉此，即使電子零件被安裝於被加熱處理區域上，照 樣可使冷却剤遍及各個角落，有效率地使被加熱處理區域 上的温度下降。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵是 上述溫度下降手段具備： 由厚度方向的上下來覆蓋上述被加熱處理區域而夾入 之剖面呈口字形的覆夾孔；及 設置於上述覆夾孔的內面之複數個冷卻劑的吹出孔。 藉此，可由被加熱處理區域的表面側與背面側來冷卻 被加熱處理區域，而使能夠有效率地使被加熱處理區域的 -14- (11) (11)200402811 温度下降。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵是 上述溫度下降于段具備：比上述發熱手段的溫度還要低白勺 區域，藉由上述溫度較低的區域接觸於上述連續體的被加 熱處理區域的至少一部份來使上述被加熱處理區域的溫度 下降。 藉此，可根據熱傳導來控制被加熱處理區域的冷却狀 態，可使冷却効率提高來縮短冷却時間。 因此，可縮短冷却時的作業程序時間，抑止焊錫熱氧 化，製品品質的劣化，且能有效率地進行回流處理。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵是 上述溫度較低的區域具有比藉由上述焊錫塗佈手段而塗佈 的焊錫塗佈區域還要大的接觸面積，上述溫度下降手段是 一次針對複數個電路區塊來使溫度上升。 藉此，可在使被加熱處理區域接觸於比發熱手段的温 度速要低的區域之情況下，一次針對複數個電路區塊進行 冷却處理，且即使製品間距不同，還是可以在不更換温度 降下手段的情況下進行冷却處理，而使能夠提高生産効率 〇 又，本發明之一形態的電子裝置的製造裝置的特徵爲 :上述溫度較低的區域是排列配置於上述發熱手段的前段 或後段或者上述發熱手段之間。 藉此，可在搬送連續體的情況下，使被加熱處理區域 接觸於比發熱手段的温度還要低的區域，可在固定比發熱 -15- (12) (12)200402811 手段的温度還要低的區域之情況下，使被加熱處理區域的 温度下降，且可一次針對複數個被加熱處理區域進行冷却 處理。 因此，可縮短冷却時的作業流程時間，抑止焊錫熱氧 化，防止製品品質劣化，且可有效率地進行回流處理。 又，可在發熱手段的前段或發熱手段之間Μ列配置比 發熱手段的温度還要低的區域之情況下，防止自發熱手段 產生的熱傳達至未接觸於發熱手段的區域，可精度良好地 保持被加熱處理區域的温度履歷，而使回流處理的製品品 質能夠提高。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵爲 :藉由控制在各電路區塊中設有電子零件搭載區域之連續 體的被加熱處理區域與發熱手段的距離來使上述被加熱處 理區域的溫度上升。 藉此，可在控制被加熱處理區域與發熱手段的距離之 情況下，容易控制被加熱處理區域的加熱狀態，即使在搬 送途中使被加熱處理區域靜止，還是可以容易控制被加熱 處理區域的温度。因此，可縮短回流過程的作業流程時間 ，且可抑止回流過程的激烈温度變化，降低對電子零件或 焊錫材等造成損傷，一方面可抑止回流處理的品質劣化， 另一方面能有效率進行回流處理。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵爲 :藉由接近或接觸於上述連續體的被加熱處理區域的至少 一部份來使上述被加熱處理區域的溫度上升。 -16- (13) (13)200402811 藉此’可根據輻射熱或熱傳導來控制被加熱處理區域 的加熱狀態’抑止在發熱手段所產生的熱散放於周圍。因 此，可以電路區塊單位來精度良好地控制温度履歷，而容 易進行品質管理，且不需要熱風循環方式的遮蔽構造，或 者燈加熱方式或遠紅外線方式的遮光構造，而使能夠達成 省空間化。 又’可在使}發熱手段接觸於連續體的被加熱處理區域 之情況下’迅速地使電路區塊的温度上升，而使能夠縮短 搬送時的作業流程時間。因此，可使焊錫塗佈過程或安裝 過程之搬送作業流程與回流過程之搬送作業流程整合，而 能夠一次進行焊錫塗佈處理、電子零件的安裝處理及回流 處理。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵爲 :使複數個電路區塊一次接觸於上述發熱手段。 藉此，可在使被加熱處理區域接觸於發熱手段的情況 下，一次針對複數個電路區塊進行回流處理，提高生産効 率。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵爲 :使同一電路區塊複數次接觸於上述發熱手段。 藉此，即使爲了使被加熱處理區域能夠避免熱損傷而 脫離發熱手段，還是可以一面防止被加熱處理區域產生激 烈温度變化，一面使被加熱處理區域容易恢復到原來的温 度，且一方面可以達成省空間化，另一方面能夠抑止回流 處理的品質劣化。 -17- (14) (14)200402811 又’本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵是 具備： 將上述連續體的第1被加熱處理區域搬送至上述發熱 手段上之過程；及 藉由使搬送至上述發熱手段上的上述第1被加熱處理 區域接觸於上述發熱手段來使上述第1被加熱處理區域的 溫度上升之過程；及 將上述連續體的第2被加熱處理區域搬送至上述發熱 手段上之過程；及 藉由使搬送至上述發熱手段上的上述第2被加熱處理 區域接觸於上述發熱手段來使上述第2被加熱處理區域的 溫度上升之過程。 藉此，可在發熱手段上搬送連續體的情況下，使被加 熱處理區域接觸於發熱手段，而使能夠縮短回流處理的作 業流程時間，提高生産効率。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵是 具備： 將上述連續體的被加熱處理區域搬送至上述發熱手段 上之過程；及 藉由使上述發熱手段階段性地接近於搬送至上述發熱 手段上的被加熱處理區域來階段性地使上述加熱處理區域 的溫度上升之過程。 藉此，可在使用温度一定的發熱手段的情況下，階段 性地使被加熱處理區域的温度上升，一方面可以達成省空 -18- (15) (15)200402811 間化，另一方面能夠抑止回流處理的熱損傷。 又’本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵是 具備： 在上述發熱手段之上述被加熱處理區域的加熱後或加 熱中’使上述發熱手段脫離上述被加熱處理區域之過程。 藉此’即使在對被加熱處理區域進行加熱處理中停止 搬送系統’照樣可以迅速地迴避對被加熱處理區域造成熱 損傷，抑止回流處理的品質劣化。 又’本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵是 具備：在上述被脫離的上述發熱手段與上述被加熱處理區 域之間插入遮熱板之過程。 藉此’只要在發熱手段與被加熱處理區域之間插入遮 熱板來使發熱手段脫離被加熱處理區域，便可抑止對被加 熱處理區域造成熱損傷，一方面可達成省空間化，另一方 面能抑止回流處理的品質劣化。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵是 具備：使由上述被加熱處理區域脫離的上述發熱手段再度 接觸於上述被加熱處理區域之過程。 藉此，即使爲了避免對被加熱處理區域造成熱損傷， 而脫離發熱手段時，照樣可一面防止被加熱處理區域產生 激烈温度變化，一面使被加熱處理區域容易恢復到原來的 温度。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵是 具備··在使由上述被加熱處理區域脫離的上述發熱手段再 -19- (16) (16)200402811 度接觸於上述被加熱處理區域之前，將熱風吹至上述被加 熱處理區域之過程。 藉此，即使被加熱處理區域脫離發熱手段，照樣可以 使被加熱處理區域的温度保持於預定値以上，使能夠防止 發生製品不良。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵是 具備： 將上述連續體的第1被加熱處理區域搬送至第1發熱 手段上，且將上述連續體的第2被加熱處理區域搬送至比 上述第1發熱手段還要高溫的第2發熱手段上之過程；及 藉由使搬送至上述第1發熱手段上的上述第i被加熱 處理區域接觸於上述第1發熱手段來使上述第1被加熱處 理區域的溫度上升，且藉由使搬送至上述第2發熱手段上 的上述第2被加熱處理區域接觸於上述第2發熱手段來使 上述第2被加熱處理區域的溫度上升至比上述第1被加熱 處理區域的溫度還要高之過程。 藉此，可在搬送連續體的情況下，一次針對複數個被 加熱處理區域，使温度階段性地上升，一方面可以抑止回 流處理的熱損傷，另一方面能夠謀求回流處理的迅速化。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵爲 :上述第1發熱手段及上述第2發熱手段是以上述第1發 熱手段能夠形成前段之方式來沿著上述連續體的搬送方向 而排列配置。 藉此，可在搬送連續體的情況下，一次使複數個被加 -20 - (17) (17)200402811 :熱處理區域接觸於設定温度不同的複數個發熱手段，可在 不移動發熱手段的情況下，一次使複數個被加熱處理區域 . 的温度階段性地上升。 @此’可以一方面防止在進行回流處理時產生被加熱 處S區域的激烈温度變化，另一方面能夠縮短回流處理的 作業流程時間，一面維持製品品質，一面有效率地進行回 流處理。 又’本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵是 Φ 具備： 在上述第1及第2發熱手段之上述被加熱處理區域的 加熱後或加熱中，在使上述第1發熱手段接觸於上述第1 被加熱處理區域下，使上述第2發熱手段脫離上述第2被 加熱處理區域之過程。 錯此’即使在對複數個被加熱處理區域進行加熱處理 中停止搬送系統，照樣可在使第1被加熱處理區域維持一 定温度的情況下，迅速地迴避對第2被加熱處理區域造成 鲁 熱損傷’且即使被加熱處理區域的加熱狀態不同，還是能 夠抑止回流處理的品質劣化。 又’本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵是 具備··使由上述第2被加熱處理區域脫離的上述第2發熱 手段再度接觸於上述第2被加熱處理區域之過程。 藉此’即使爲了迴避對第2被加熱處理區域造成熱損 傷，而使第2發熱手段脫離第2被加熱處理區域，照樣可 在不影響第1被加熱處理區域的温度之情況下，使第2被 -21 - (18) 200402811 加熱處理區域恢復到原來的温度，可在不發生製 情況下，使回流處理再度開始。 又’本發明之一形態的電子裝置的製造方法 具備：在使由上述第2被加熱處理區域脫離的上 熱手段再度接觸於上述第2被加熱處理區域之前 吹至上述第2被加熱處理區域之過程。 錯此，即使爲了迴避對第2被加熱處理區域 傷，而使第2被加熱處理區域脫離第2發熱手段 以使弟2被加熱處理區域的温度保持於預定値以 發生製品不良。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造方法 具備：以上述發熱手段的位置能夠對應於製品間 ，沿著上述連續體的搬送方向來使支持上述發熱 持台滑動之過程。 藉此，可一邊目視確認，一邊使發熱手段的 製品間距，即使製品間距不同，照樣可以保持加 均一性。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造方法 具備：使藉由上述發熱手段而溫度上升的被加熱 的溫度下降之過程。 藉此，可使利用發熱手段而温度上升的被加 域的温度急速下降，提高焊錫浸溼性’而使能夠 ，同時可防止被加熱處理區域長時間維持於高温 夠防止焊錫熱氧化。 品不良的 的特徵是 述第2發 ’將熱風 造成熱損 ，照樣可 上，防止 的特徵是 距之方式 手段的支 位置對準 熱時間的 的特徵是 處理區域 熱處理區 安定接合 ，進而能 -22- (19) (19)200402811 又’本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵爲 ••藉由使比上述發熱手段的溫度還要低的區域接觸於藉由 上述發熱手段而溫度上升的被加熱處理區域的至少~部份 來使上述被加熱處理區域的溫度下降。 藉此，可利用熱傳導來控制被加熱處理區域的冷却狀 態，提高冷却効率，而使能夠縮短冷却時間。因此，可縮 短冷却時的作業程序時間，抑止焊錫熱氧化，防止製品品 質劣化，且能夠有效率地進行回流處理。 又’本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵爲 :上述溫度較低的區域是排列配置於上述發熱手段的前段 或後段或者上述發熱手段之間。 葙此’可在搬送連續體的狀態下，使被加熱處理區域 接觸於比發熱手段的温度還要低的區域，有效率地進行回 流時的冷却處理。 又’可在發熱手段的前段或發熱手段之間並列配置比 發熱手段的温度遠要低的區域之情況下，在發熱手段的境 界遮斷由發熱手段所產生的熱，消除發熱手段的境界温度 ，而使能夠提高回流處理的製品品質。 又’本發明之一形態的電子裝置的製造方法的特徵爲 :藉由使氣體吹至藉由上述發熱手段而溫度上升的被加熱 處理區域的單面或兩面來使上述被加熱處理區域的溫度下 降。 藉此，即使電子零件被安裝於被加熱處理區域上，照 樣可使冷却剤遍及各個角落，而有效率地使被加熱處理區 -23 - (20) (20)200402811 域上的温度下降。 又，本發明之一形態的電子裝置的製造程式的特徵是 使下述步驟執行於電腦中，該步驟是藉由控制在各電路區 塊中設有電子零件搭載區域之連續體的被加熱處理區域與 發熱手段的距離來使上述被加熱處理區域的溫度上升。 藉此，可在安裝電子裝置的製造程式下，適當地控制 連續體的被加熱處理區域與發熱手段的距離，而使能夠一 面抑止回流時的熱損傷，一面有效率地製造電子裝置。 【實施方式】 以下，參照圖面來說明本發明之實施形態的電子裝置 的製造裝置及其製造方法。 圖1是表示本發明之第1實施形態的電子裝置的製造 方法。 圖1中，在裝載機2 1與卸載機25之間，焊錫塗怖區 域22、安裝區域23及回流區域24是沿著捲帶基板31的 搬送方向而排列配置。 另一方面，在捲帶基板31上，電子零件搭載區域會 被設置於每個電路區塊B 1 1〜B 1 3，在各電路區塊B 1 1〜 B 13中會分別設有電路基板31a、31b。又，各電路基板 3U〜31b上分別設有配線32a〜32c，且以配線32a〜32c 的端子部分能夠露出的方式，在各配線32a〜32c上形成 有絕緣膜3 3 a〜3 3 c。 此外，連結預定長度的電路基板3 1 a〜3 1 c之捲帶基 -24- (21) 200402811 板3]會被架設於捲出捲軸2 1 a與捲取捲軸2 5 a之間。又 ，依捲帶基板3 1的各搬送作業流程，捲帶基板3 1的未焊 錫塗佈區域會被搬送至設置於裝載機2 1與卸載機2 5之間 的焊錫塗佈區域22，又，捲帶基板3 1的焊錫塗佈完成區 域會被搬送至與焊錫塗佈區域22並列配置的安裝區域23 ，且捲帶基板31的安裝完成區域會被搬送至與安裝區域 2 3並列配置的回流區域2 4。
另外，在焊錫塗佈區域22中，焊錫膏34a會被印刷 於電路基板31a上，在安裝區域23中、半導體晶片35b 會被安裝於印刷有焊錫膏34b的電路基板 31b上，在回 流區域24中，藉由安裝有半導體晶片35c之電路基板 3 1 c的回流處理，半導體晶片35c會經由焊錫膏34c來固 定於電路基板3 1 c上。
再者，若捲帶基板3 1的所有電路區塊B 1 1〜B 1 3的 焊錫塗佈處理，安裝處理及回流處理終了，則於切斷區域 26中，捲帶基板31會在每個電路區塊B11〜B13被切斷 。又，被切斷的各電路區塊B 1 1〜B 1 3會移至樹脂封裝區 域27，例如藉由在半導體晶片3 5 c的周圍塗佈封裝樹脂 3 6 c，而使能夠樹脂封裝電路區塊B 1 3。 藉此，可在捲出捲軸2 1 a與捲取捲軸2 5 a之間，僅搬 送捲帶基板3 1 —次，便能完成電路基板3 1 a〜3 1 c的焊錫 塗佈處理，安裝處理及回流處理，且可同時進行不同電路 基板3 1 a〜3 1 c的焊錫塗佈處理，安裝處理及回流處理， 進而能夠提高生産効率。 -25- (22) 200402811 圖2是表示本發明之第2實施形態的電 裝置的槪略構成立體圖。 在圖2中，設有：施以預熱的預熱區塊 峰値熱的正式加熱區塊11 2，以及使被施以 熱處理體的温度下降的冷卻區塊1 1 3。例如 、安裝過程後進行的回流過程中，對連接圖 長的被加熱處理體（電路基板1 0 〇的連續 】〇 〇 )進行加熱處理或冷卻處理。 預熱區塊I ] 1是例如由金屬或陶瓷等所 未圖示的驅動機構來自由移動於箭頭a，b 預熱區塊1 1 1是慢慢地接近捲帶基板1 00來 詳細說明如後述。 正式加熱區塊1 1 2是例如由金屬或陶瓷 接近配置於預熱區塊1 1 1。並且，正式加熱 用未圖示的驅動機構來自由移動於箭頭a， ，正式加熱區塊1 12是接觸於捲帶基板1〇〇 ’其詳細說明如後述。 冷卻區塊1 1 3是例如由金屬或陶瓷等所 未圖示的驅動機構來自由移動於箭頭c，d 冷卻區塊113具有：由厚度方向的上下來覆 板1 1 0的覆夾孔1 1 4 (剖面呈〕字形状）。 孔1 1 4的面設有複數個冷卻劑的吹出孔1 1 5 卻劑而言，例如可使用空氣、氧氣、氮氣、 或氟代烴等。 子裝置的製造 111，及施以 峰値熱的被加 ，在錫焊過程 4之預定區塊 體（捲帶基板 構成，且利用 方向。並且， 施以預熱，其 等所構成，且 區塊1 1 2會利 b方向。而且 來賦予峰値熱 構成，且利用 方向。並且， 蓋夾入捲帶基 而且，在覆夾 。在此’就冷 二氧化碳、氦 -26- (23) (23)200402811 在此，捲帶基板]0 0，如後述的圖4所示，連接預定 區塊長的電路基板10 1。並且，在後述圖4的電路基板 1 〇 1上，會在回流過程前的錫焊過程中，在配線1 〇 2上附 著焊錫膏1 04。並且，亦可在配線I 0 2上，利用轉印來附 著ACF等的黏著劑。圖中，元件符號1 04爲絕緣膜。而 且，在錫焊過程後的安裝過程中，會在電路基板1 01上經 由焊錫膏104來安裝半導體晶片105。 又，基於某種原因，例如從圖I所述的裝載機2 1至 卸載機2 5間的生產線停止時，在預熱區塊1 1 1或正式加 熱區塊1 1 2的加熱處理中，預熱區塊1 1 1或正式加熱區塊 1 1 2會自捲帶基板1 00離開，而使能夠避免對捲帶基板 1 〇 〇加熱至所需以上。 圖3、4是表示圖2的回流處理。圖5是表示圖2的 回流處理的温度履歷。 在圖3〜5中’若完成錫焊過程及安裝過程的捲帶基 板1 〇 〇前進至回流過程，則如圖3 ( a)所示，預熱區塊1 1 1 會於箭頭a方向上升一段，而接近捲帶基板I 〇 〇。此刻， 正式加熱區塊1 1 2會在定位待機。 又，預熱區塊1 1 1會以預定時間來接近圖4所示之捲 帶基板1 0 〇的預定區塊長的電路基板1 0 1，而進行加熱處 理。藉此，在電路基板1 〇 1中，賦予預熱①。此預熱①是 形成圖5之①的實線所示的温度梯度。 若預熱區塊π 1之圖3(a)的加熱處理終了，則如圖3( b)所示，預熱區塊111會更於箭頭a方向上升一_段，而來 -27- (24) 200402811 1 0 ]進行 ，如圖4 實線所示 ，則如圖 —段，而 板101進 中，如圖 的實線所 ①〜③賦 定位待機 基板101 則如圖3 ( 基板100 2所示的 接觸於捲 熱處理。 値熱④。 度。在此 溶融，而 配線102 接近捲帶基板100，與上述同樣的，對電路基板 預定時間的加熱處理。藉此，在電路基板101中 所示，賦予預熱②。此預熱②是形成圖5之②的 的温度梯度。 若預熱區塊111之圖3(b)的加熱處理終了 3 ( c)所示，預熱區塊ill會更於箭頭a方向上升 來接近捲帶基板100，與上述同樣的，對電路基: 行預定時間的加熱處理。藉此，在電路基板101 4所示，賦予預熱⑧。此預熱③是形成圖5之③ 示的温度梯度。並且，藉預熱區塊111，當預熱 予電路基板1 〇 1時，由於正式加熱區塊11 2會在 ’因此可防止來自正式加熱區塊11 2的熱對電路 進成影響。 若預熱區塊111之圖3(C)的加熱處理終了， d)所示，預熱區塊111會回到定位。此刻，捲帶 會只以電路基板10.1的預定區塊長度來搬送於圖 虛線箭頭方向。又，正式加熱區塊112會上升而 帶基板1 0 0，對電路基板1 〇 1進行預定時間的加 藉此，在電路基板1 〇 1中，如圖4所示，賦予峰 此峰値熱④是形成圖5之④的實線所示的温度梯 的峰値熱④爲焊錫融點+ α ，因此焊錫膏1 〇4會 使得半導體晶片1 〇5會接合於電路基板10 1上的 若正式加熱區塊112之圖3(d)的加熱處理終了 ’則如 (25) (25)200402811 圖3 (e )所示，正式加熱區塊1 ] 2會下降於箭頭b方向， 而回到定位，且冷卻區塊1 1 3會自圖3 ( a)所示的定位移動 於箭頭c方向’而使能夠藉由覆夾孔1 1 4來從上下夾入基 板1 0 0。又，來自設於覆夾孔1 1 4的內面之複數個冷卻劑 吹出孔1 1 5的冷卻劑會從電路基板1 〇 1的上下面吹出’而 來冷卻電路基板1 〇 1。 藉此，電路基板1 〇 1會如圖4的⑤所示那樣被冷卻。 此冷卻⑤是形成圖5之⑤的實線所示的温度梯度。如此一 來，在冷卻電路基板1 〇I下，半導體晶片1 05會經由配線 1 〇 2來固定於電路基板1 0 1。若對電路基板1 01之預定時 間的冷卻終了，則冷卻區塊1 1 3會由圖3 (e)的狀態來移動 於箭頭d方向，回到圖3(a)的定位。 如此一'來，若依次對捲帶基板1 〇 〇之預定區塊長的電 路基板1 0 1施以預熱、峰値熱及冷卻，而完成對某電路基 板1 0 1的回流處理的話，則捲帶基板1 00會僅被搬送電路 基板101的預定區塊長，而如圖3(a)〜（e)所示，依次賦 予預熱、峰値熱及冷卻，對下個電路基板1 0 1進行回流處 理。 又，基於某種原因，例如從圖1所述的裝載機21至 卸載機2 5間的生產線停止時，在預熱區塊1 1 1或正式加 熱區塊1 1 2的加熱處理中，預熱區塊1 1 1或正式加熱區塊 1 1 2會自捲帶基板100離開。藉此，可避免對捲帶基板 1〇〇加熱至所需以上。 另一方面，在生產線恢復時，會再度施以預熱、峰値 (26) (26)200402811 熱及冷卻。此刻，當捲帶基板]〇 〇之預定區塊長的電路基 板1 〇 1的温度，分別如圖5的虛線所示①〜④那樣降低時 ，首先會分別對應於①〜③來慢慢地使預熱區塊1 Π上升 ，使捲帶基板1 0 〇之預定區塊長的電路基板]〇 1的温度上 升至圖5的實線所示的位置。其次，可使正式加熱區塊 ]1 2接觸於電路基板1 0 1，而來施以峰値熱。藉此，在生 產線恢復後，不會對製品造成損傷，而能夠繼續進行回流 處理。 如此一來，在上述第6實施形態中，可藉由上升移動 來使預熱區塊1 1 1慢慢地由定位接近至捲帶基板1 0 0之預 定區塊長的電路基板1 〇 1，而於施以預熱後，回到定位， 然後使接近配置於預熱區塊1〗1的正式加熱區塊11 2接觸 於以預定的作業流程而搬送之施以預熱的電路基板1 0 1， 而於施以峰値熱後，回到定位，然後使冷卻區塊1 1 3接近 施以峰値熱的電路基板1 0 1，而於冷卻電路基板1 〇 1後， 回到定位。 藉此，因可消除預熱區塊111與正式加熱區塊112之 間的境界温度，所以能夠容易進行製品的品質管理。又’ 由於不需要以往的燈加熱方式或遠紅外線方式遮光構造’ 因此可謀求裝置構成的簡素化。 又，基於某種原因，從圖1所述的裝載機21至卸載 機2 5間的生產線停止時，在預熱區塊1 1 1或正式加熱區 塊1 1 2的加熱處理中，預熱區塊1 1 1或正式加熱區塊1 1 2 會自捲帶基板1 〇 〇離開，所以可避免對捲帶基板1 0 0加熱 i ,Η -30- (27) (27)200402811 至所需以上，且能夠容易進行製品的品質管理。 另一方面，在生產線恢復時，當捲帶基板1 00之預定 區塊長的電路基板1 0 1的温度分別如圖5的虛線所示①〜 ④那樣降低時，首先會分別對應於①〜③來慢慢地使預熱 區塊1 1 1上升，使捲帶基板1 00之預定區塊長的電路基板 1 〇 1的温度上升至圖5的實線所示的位置，然後使正式加 熱區塊1 1 2接觸於電路基板1 01，而再度施以峰値熱，且 利用冷卻區塊1 1 3再度使施以峰値熱的電路基板1 0 1冷卻 ，因此不會對製品造成損傷，而能夠繼續進行回流處理。 又，在生產線恢復時，由於會再度施以預熱、峰値熱 及冷卻，因此可大幅度地縮短恢復.後之加熱處理或冷卻處 理的等待時間。 又，由於可利用來自冷卻區塊1 I 3的覆夾孔 Π 4的 複數個冷卻劑吹出孔1 1 5的冷卻劑來冷卻施以峰値熱的電 路基板1 〇 1，因此能夠提高電路基板1 〇 1的冷卻効率，藉 此可縮短冷卻處理時間，特別是在焊錫膏1 04爲無鉛時， 可容易防止熱氧化。 又，本實施形態中，雖是針對使預熱區塊1 1 1段階性 上升來施以預熱時，但並非只限於此例’亦可使線性上升 來施以預熱。 又，本實施形態中，雖是針對使預熱區塊1 1 1及正式 加熱區塊1 1 2由捲帶基板1 〇〇的下面側來上升移動時’ 但並非只限於此例，亦可使由捲帶基板100的上面側來下 降移動。又，本實施形態中，雖是針對將具有剖面呈〕字 (28) (28)200402811 形状的複數個冷卻劑吹出孔】]5的覆夾孔1 1 4設置於冷卻 區塊U 3時，但並非只限於此例，亦可使冷卻區塊1 ] 3形 成平板状， 且使於朝向捲帶基板1 〇〇的面側設置冷卻 劑吹出孔1 1 5。又，本實施形態中，雖是針對預熱區塊 1 1〗爲1個時，但並非只限於此例，預熱區塊1 1 1亦可爲 複數個。 圖6是表示本發明之第7實施形態的電子裝置的製造 裝置的槪略構成立體圖。 圖6中，設有使施以熱的加熱區塊2 1 1及被施以熱的 被加熱處理體的温度下降之冷卻區塊2 1 3。例如在錫焊過 程、安裝過程後所進行的回流過程中，對連接預定區塊長 的被加熱處理體（電路基板）的連續體（捲帶基板200) 進行加熱處理或冷卻處理。在此，就連接於捲帶基板200 的電路基板而言，例如可使用與圖4同樣的構成。 加熱區塊2 1 1是例如由金屬或陶瓷等所構成，且藉由 未圖示的驅動機構來自由移動於箭頭a，b方向。加熱區 塊2 1 1是慢慢地接近捲帶基板200來施以預熱，且接觸於 捲帶基板2 0 0來施以峰値熱，其詳細說明如後述。 冷卻區塊2 1 3是例如由金屬或陶瓷等所構成，且藉由 未圖不的驅動機構來自由移動於箭頭d方向。冷卻區 塊213具有：由厚度方向的上下來覆蓋夾入捲帶基板200 的覆夾孔2 1 4 (剖面呈〕字形状）。並且，在覆夾孔2 14 的內面設有複數個冷卻劑吹出孔2 1 5。 圖7是表示圖6之回流處理的側面圖。 -32- (29) 200402811 圖7中，若完成錫焊過程及安裝過程的捲帶基板2 0 0 前進至回流過程，則如圖7(a)所示，加熱區塊2] 1會從虛 線所示的初期位置上升一段於箭頭a方向，而來接近捲帶 基板2 0 0。此刻，加熱區塊2 1 1是以預定時間來接近捲帶 基板2〇0之預定區塊長的電路基板，而進行加熱處理。藉 此，在電路基板中，會施以與圖4同樣的預熱①。此預熱 ①可形成圖5之①的實線所示的温度梯度。 若加熱區塊21 1之圖7(a)的加熱處理終了，則如圖7( b)所示，加熱區塊會更上升一段於箭頭a方向，而來 接近捲帶基板200，與上述同樣的，對電路基板進行預定 時間的加熱處理。藉此，在電路基板中，施以與圖4同樣 的預熱②。此預熱②可形成圖5之②的實線所示的温度梯 度。 若加熱區塊2 1 1之圖7 (b )的加熱處理終了，則如圖 7(c)所示，加熱區塊21 1會更上升一段於箭頭a方向，而 來接近捲帶基板200，與上述同樣的，對電路基板進行預 定時間的加熱處理。藉此，在電路基板中，施以與圖4同 樣的預熱③。此預熱③可形成圖5之③的實線所示的温度 梯度。 若加熱區塊21 1之圖7(c)的加熱處理終了，則如圖7( d)所示，加熱區塊2 1 1會更上升一段於箭頭a方向，而來 接觸於捲帶基板200，與上述同樣的，對電路基板進行預 定時間的加熱處理。藉此，在電路基板中，施以與圖4同 樣的峰値熱④。此峰値熱④可形成圖5之④的實線所示的 292 - 33 - (30) (30)200402811 温度梯度。在此的峰値熱④爲焊錫融點+ ^ ’因此焊錫膏 會溶融，而使得半導體晶片會接合於電路基板上的配線。 若加熱區塊2 1 1之圖7 ( d )的加熱處理終了，則如圖 7 (e )所示，加熱區塊21 1會下降於箭頭b方向，而回到初 期位置，且冷卻區塊213會自圖7(a)所示的初期位置移動 於箭頭c方向，而使能夠藉由覆夾孔2 1 4來從上下覆蓋夾 入基板200。又，來自設於覆夾孔2]4的內面之複數個冷 卻劑吹出孔2 1 5的冷卻劑會從電路基板的上下面吹出，而 來冷卻電路基板。 藉此，電路基板會如圖4的⑤所示那樣被冷卻。此冷 卻⑤是形成圖5之⑤的實線所示的温度梯度。如此一來， 在冷卻電路基板下，半導體晶片會經由配線來固定於電路 基板，若對電路基板之預定時間的冷卻終了，則冷卻區塊 2 1 3會由圖7 (e)的狀態來移動於箭頭d方向，回到圖7 ( a) 的初期位置。 如此一來，若依次對捲帶基板200之預定區塊長的電 路基板施以預熱、峰値熱及冷卻，而完成對某電路基板的 回流處理的話，則捲帶基板200會僅被搬送電路基板的預 定區塊長，而如圖7(a)〜（e)所示，依次賦予預熱、峰値 熱及冷卻，對下個電路基板進行回流處理。 又，基於某種原因，例如從圖1所述的裝載機2 1至 卸載機2 5間的生產線停止時，在預熱區塊2 1 1的加熱處 理中，加熱區塊211會自捲帶基板200離開。藉此，可避 免對捲帶基板200加熱至所需以上。
-34 - (31) (31)200402811 另一方面，在生產線恢復時，會再度施以預熱、峰値 熱及冷卻。此刻，當捲帶基板2 0 0之預定區塊長的電路基 板的温度，分別如圖5的虛線所示①〜④那樣降低時，會 分別對應於①〜④來慢慢地使加熱區塊2 1 1上升，可使捲 帶基板2 00之預定區塊長的電路基板的温度上升至圖5的 實線所示的位置。藉此，在生產線恢復後，不會對製品造 成損傷，而能夠繼續進行回流處理。 如此一來，在上述第7實施形態中，可藉由上升移動 來使加熱區塊2 1 1慢慢地由初期位置接近至捲帶基板2 0 0 之預定區塊長的電路基板，而施以預熱，且使接觸於電路 基板來施以峰値熱後，下降回到初期位置，然後使冷卻區 塊2 ] 3從初期位置藉由水平移動來接近被施以峰値熱的電 路基板，而於冷卻電路基板後，回到初期位置，因此不需 要像以往那樣設置複數個加熱區域，所以可達成省空間化 〇 由於可藉由上升移動來使加熱區塊2 1 1慢慢地由初期 位置接近至捲帶基板200之預定區塊長的電路基板，而施 以預熱，並使接觸於電路基板來施以峰値熱，且藉由冷卻 區塊2 1 3的覆夾孔2 1 4來使能夠從上下覆蓋夾入捲帶基板 2 0 0，又，利用來自設於覆夾孔2 1 4的內面之複數個冷卻 劑吹出孔2 1 5的冷卻劑來冷卻電路基板，因此可提高對電 路基板的加熱效率及冷卻效率，所以可縮短加熱處理或冷 卻處理所需的時間，進而能夠謀求省能源化。 又，基於某種原因，從圖3所述的裝載機2 1至卸載 -35- (32) (32)200402811 機2 5間的生產線停止時，由於可使加熱區塊2 1 I從捲帶 基板200離開，因此可避免對捲帶基板加熱至所需以上， 而能夠容易防止對製品造成損傷。並且，在生產線恢復時 ，由於會再度施以預熱、峰値熱及冷卻，因此可大幅度地 縮短恢復後之加熱處理或冷卻處理的等待時間。 又，由於可利用來自冷卻區塊2 1 3的覆夾孔 2 ] 4的 複數個冷卻劑吹出孔2 1 5的冷卻劑來冷卻被施以峰値熱的 電路基板，因此能夠提高電路基板的冷卻効率，藉此可縮 短冷卻處理時間，特別是在焊錫膏爲無鉛時，可容易防土 熱氧化。 又，本實施形態中，雖是針對使預熱區塊2 1 1段階性 上升來施以預熱及峰値熱時，但並非只限於此例，亦可使 加熱區塊2 1 1接觸於電路基板，在此狀態下，慢慢地提高 由加熱區塊2 1 1所賦予的熱，而施以預熱及峰値熱。 又，本實施的形態中，雖是針對使加熱區塊2 1 1段階 性上升來施以預熱時，但並非只限於此例，亦可使線性上 升來施以預熱。 又，本實施形態中，雖是針對使加熱區塊2 1 1由捲帶 基板2 0 0的下面側來上升移動時，但並非只限於此例，亦 可使由捲帶基板200的上面側來下降移動。 又，本實施形態中，雖是針對將具有剖面呈^字形状 的複數個冷卻劑吹出孔2 1 5的覆夾孔2 1 4設置於冷卻區塊 2 1 3時，但並非只限於此例，亦可使冷卻區塊2】3形成平 板状， 且使於朝向捲帶基板2 0 0的面側設置冷卻劑吹出 -36- (33) (33)200402811 孔 2 1 5 〇 圖8、圖9是表示本發明之第8實施形態的電子裝置 的製造方法。 在圖8中，設有：施以預熱的預熱區塊3 1 1〜3 1 3，及 施以峰値熱的正式加熱區塊3 1 4，以及使被施以峰値熱的 被加熱處理體的温度下降的冷卻區塊3 i 5。在錫焊過程、 安裝過程後進行的回流過程中，對連接預定區塊長的被加 熱處理體（電路基板3 0 1 )的連續體（捲帶基板3 0 0 )進 行加熱處理或冷卻處理。 該等預熱區塊3 1 1〜3 1 3，正式加熱區塊3 1 4及冷卻區 塊3 1 5是例如由金屬或陶瓷等所構成。並且，分別在預熱 區塊3 1 1〜3 ] 3與正式加熱區塊3 1 4之間，例如可設置 2 m m程度的空隙。可藉此空隙來防止在各個預熱區塊3 1 1 〜3 1 3與正式加熱區塊3 1 4之間直接熱傳導，且可如後述 一般使個別移動。 又，預熱區塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻 區塊3 1 5可上下移動。亦即，在對捲帶基板3 00進行加熱 處理或冷卻處理時，如圖8(b)所示，預熱區塊3 1 1〜3 13 、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5會上升移動，而使能 夠接觸於捲帶基板3 00之預定區塊長的電路基板3 0 1。預 熱區塊3 1 1〜3 1 3 '正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5的 上下移動可同時或個別進行。又，亦可取代上下移動預熱 區塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5，而使 捲帶基板300上下移動。 -37- (34) (34)200402811 在此，於電路基板3 0 ]中，是在回流過程前的錫焊過 程中，將焊錫膏3 04附著於電路基板 301的配線3 02上 。並且，亦可在配線3 0 2上，利用轉印來附著A C F等的 黏著劑。圖中，元件符號3 0 3爲絕緣膜。而且，在錫焊過 程後的安裝過程中，會在電路基板上經由焊錫膏304 來安裝半導體晶片3 0 5。 又，若預熱區塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷 卻區塊3 1 5對捲帶基板3 0 0的預定區塊長的電路基板3 0 1 接觸預定的時間而完成加熱處理或冷卻處理的話，則會下 降移動，而自捲帶基板3 0離開。若如此的預熱區塊3 1 1 〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5上下移動，則 會藉由往捲帶基板20的箭頭方向之搬送來依次對電路基 板3 0 1施以預熱、峰値熱及冷卻。在此，預熱區塊3 1 1〜 3 1 3是對捲帶基板3 00施以圖5的①〜③所示的預熱。正 式加熱區塊3 1 4是如圖5的④所示，對捲帶基板3 00施以 焊錫融點+ α的峰値熱。冷卻區塊3 1 5是如圖5的⑤所示 ，使捲帶基板3 0 0的温度下降。 其次，說明有關如此構成的半導體製造裝置之製造方 法。 在圖8(a)中，若完成錫焊過程及安裝過程之捲帶基板 3 〇〇的電路基板301前進至回流過程，則會被搬送至預熱 區塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5上。 又’若完成錫焊過程及安裝過程之捲帶基板3 0 0的電路基 板3 0 1被搬送至預熱區塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4 -38- (35) (35)200402811 及冷卻區塊3 1 5上，則預熱區塊3 1 ]〜3 1 3、正式加熱區 塊3 ] 4及冷卻區塊3 1 5會上升移動，而接觸於捲帶基板 3 0 0。此刻，首先會對捲帶基板3 0 0之預定區塊長的電路 基板3 0 1進行加熱處理（與預熱區塊3 1 1接觸預定時間） 。藉此，電路基板3 0 1會被施以圖5之①的實線所示的預 熱。 在此，當預熱區塊3 1 1僅以預定時間來接觸於電路基 板3 0 1而進行加熱處理時，在捲帶基板3 00的下游側的電 路基板 3 0 1上，預熱區塊 3 1 2〜3 1 3、正式加熱區塊 3 1 4 及冷卻區塊3 1 5會接觸，在捲帶基板3 00的下游側的電路 基板3 0 1上，施以圖5之②〜⑤的實線所示的預熱、峰値 熱及冷卻。因此，可一次對連接於捲帶基板3 00的複數個 電路基板3 0 1進行預熱區塊3 1 1〜3 1 3、正式熱區塊 3 1 4 及冷卻區塊3 1 5之預熱、峰値熱及冷卻處理，而使能夠提 高生産効率。 若預熱區塊3 0 1之預定時間的加熱處理終了，則預熱 區塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5會從 捲帶基板3 00離開。其次，捲帶基板3 00會被搬送於圖 8(a)的箭頭方向。此刻的搬送行程會配合捲帶基板3 00之 預定區塊長的電路基板301。若根據預熱區塊311來完成 加熱處理的電路基板3 0 1到達預熱區塊3 1 2的位置，則往 圖8(a)的箭頭方向之捲帶基板300的搬送會被停止，預熱 區塊311〜313、正式加熱區塊314及冷卻區塊315會再 度上升。此刻，預熱區塊3 1 2會對捲帶基板3 00之預定區 -39- (36) (36)200402811 塊長的電路基板3 0 ]接觸預定時間來進行加熱處理。藉此 ，在電路基板3 0 1中，賦予圖5之②所示的預熱。 在此，當預熱區塊3 1 2僅以預定時間來接觸於電路基 板3 0 1而進行加熱處理時，預熱區塊3 1 1會接觸於捲帶基 板3 00的上游側的電路基板3 0 1，而於捲帶基板3 00的上 游側的電路基板3 中賦予圖5之①的實線所示的預熱， 且預熱區塊3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5會接 觸於捲帶基板3 00的下游側的電路基板3 0 1，而於捲帶基 板3 0 0的下游側的電路基板3 0 1中賦予圖5之③〜⑤的實 線所示的預熱、峰値熱及冷卻。 若預熱區塊3 1 2之預定時間的加熱處理終了，則預熱 區塊311〜3Γ3、正式加熱區塊3〗4及冷卻區塊315會從 捲帶基板3 00離開。其次，捲帶基板3 00會被搬送於圖 8(a)的箭頭方向。若根據預熱區塊312來完成加熱處理的 電路基板301到達預熱區塊313的位置，則往圖8(a)的箭 頭方向之捲帶基板300的搬送會被停止，預熱區塊311〜 313、正式加熱區塊314及冷卻區塊315會再度上升。此 刻，預熱區塊3 1 3會對捲帶基板3 00之預定區塊長的電路 基板3 0 1接觸預定時間來進行加熱處理。藉此，在電路基 板3 0 1中，賦予圖5之③的實線所示的預熱。 在此，當預熱區塊3 1 3僅以預定時間來接觸於電路基 板3 0 1而進行加熱處理時，預熱區塊3 1 1、3 1 2會接觸於 捲帶基板3 0 0的上游側的電路基板3 0 1，而於捲帶基板 3 00的上游側的電路基板3 0 1中賦予圖5之①及②的實線 -40- (37) (37)200402811 所示的預熱，且正式加熱區塊3 ] 4及冷卻區塊3 1 5會接觸 於捲帶基板3 0 0的下游側的電路基板3 0 1 ’而於捲帶基板 3 0 0的下游側的電路基板3 0 1中賦予圖5之④及⑤的實線 所示的峰値熱及冷卻。 若預熱區塊3 1 3之預定時間的加熱處理終了，則預熱 區塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5會從 捲帶基板3 00離開。其次，捲帶基板3 00會被搬送於圖 8 ( a)的箭頭方向。若根據預熱區塊3 1 3來完成加熱處理的 電路基板3 0 1到達正式加熱區塊3 1 4的位置，則往圖8 ( a) 的箭頭方向之捲帶基板3〇〇的搬送會被停止，預熱區塊 3 ] 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5會再度上升 。此刻，正式加熱區塊3 1 4會對捲帶基板3 00之預定區塊 長的電路基板3 0 1接觸預定時間來進行加熱處理。藉此， 在電路基板3 0 1中，賦予圖5之④的實線所示的峰値熱， 而使焊錫膏3 (Η溶融，將半導體晶片3 〇5接合於電路基板 3 0 1上的配線3 0 2。 在此，當正式加熱區塊3 1 4僅以預定時間來接觸於電 路基板3 0 1而進行加熱處理時，預熱區塊3 1 1〜3 1 3會接 觸於捲帶基板3 0 0的上游側的電路基板3 0 1，而於捲帶基 板3 00的上游側的電路基板3 0 1中賦予圖5之①〜③的實 線所示的預熱，且冷卻區塊3 1 5會接觸於捲帶基板3 00的 下游側的電路基板301，而於捲帶基板3 00的下游側的電 路基板3 0 1中賦予圖5之⑤的實線所所示的冷卻。 若正式加熱區塊3 1 4之預定時間的加熱處理終了，則 -41 - (38) 200402811 預熱區塊3 1 1〜3 ] 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區 會從捲帶基板3 00離開。其次，捲帶基板3〇〇會被 圖8(a)的箭頭方向。若根據正式加熱區塊314來完 處理的電路基板3 0 1到達冷卻區塊3 1 5的位置， 8 (a)的箭頭方向之捲帶基板3 00的搬送會被停止， 塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5 上升。此刻，冷卻區塊3 1 5會對捲帶基板3 00之預 長的電路基板3 0 1接觸預定時間來進行冷卻處理。 在電路基板3 0 1中，溫度會如圖5之⑤的實線所示 半導^體晶片3 0 5會經由配線3 02來固定於電路基板 在此，當冷卻區塊3 1 5僅以預定時間來接觸於 板3 0 1而進行溫度下降處理時，預熱區塊3 1 1〜3 ] 式加熱區塊3 1 4會接觸於捲帶基板3 00的上游側的 板3 0 1，而於捲帶基板3 00的上游側的電路基板3 < 予圖5之①〜④的實線所示的預熱及峰値熱。 如以上所述，往圖8(a)的箭頭方向來搬送捲 3 0 0，藉此來依次對預定區塊長的電路基板3 0 1施 、峰値熱及冷卻，而完成對電路基板3 0 1的回流過 又，基於某種原因，當從圖1所述的裝載機2 載機2 5間的生產線停止時’預熱區塊3 1 1〜3 1 3、 熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5會自捲帶基板3 0 0離開 捲帶基板3 00的温度不會影響品質的位置。藉此來 捲帶基板3 〇 〇加熱至所需以上。 另一方面，在生產線恢復時，會再度施以預熱 塊 3 15 搬送於 成加熱 則往圖 預熱區 會再度 定區塊 藉此， 下降， 30卜 電路基 3及正 電路基 )1中賦 帶基板 以預熱 .1至卸 正式加 ，而至 避免對 、峰値 -42 - (39) 200402811 熱及冷卻。此刻，當捲帶基板3 0 0之預定區塊長的電 板3 Ο 1的温度，例如圖5的虛線所示那樣降低時，會 9所示那樣，使預熱區塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 冷卻區塊3 ] 5慢慢地上升，藉此可使捲帶基板3 00之 區塊長的電路基板3 0 1的温度上升至圖5的實線所示 置。藉此，在生產線恢復後，不會對製品造成損傷， 夠繼續進行回流處理。又，亦可取代使預熱區塊 3 3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5慢慢地上升 即使捲帶基板3 0 0慢慢地下降。 又，當生產線恢復時，首先僅使預熱區塊3 1 1 -上升，在對電路基板3 0 1施以預定的預熱之後，使正 熱區塊3 1 4上升，而使能夠對被施以預熱的電路基板 施以峰値熱。此情況，亦可使正式加熱區塊3 1 4上的 基板3 0 1，例如回到預熱區塊3 1 3上，對正式加熱區：! 之峰値熱的施加途中的電路基板3 01施以預定的預熱 如此一來，在上述第4實施形態中，預熱區塊3 313會接觸於捲帶基板300之預定區塊長的電路基板 來施以①〜③的預熱，又，正式加熱區塊3 1 4會接觸 施以③的預熱的電路基板3 0 1來施以④的峰値熱，又 卻區塊 3 1 5會接觸於被施以峰値熱的電路基板3 0 1 電路基板3 0 1的温度下降。 如此一來，對捲帶基板3 00的加熱處理或冷卻處 藉由預熱區塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻 3 1 5的接觸來進行，而使能夠提高對捲帶基板3 0 0的 路基 如圖 14及 預定 的位 而能 1 1〜 ，亦 。：）i J 式加 30 1 電路 鬼34 〇 1 1〜 30 1 於被 ，冷 來使 理可 區塊 加熱 -43- (40) (40)200402811 効率或冷卻効率，進而縮短加熱處理或冷卻處理所需的時 間，提高生産性。又，由於不必像以往的熱風循環方式那 樣需要熱風循環用的機構，且不必像以往的燈加熱方式或 遠紫外線方式那樣需要進行局部加熱的遮光構造，因此不 會導致裝置大型化。又，由於預熱區塊31]〜313、正式 加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5的加熱處理或冷卻處理可個 別進行，因此可容易對應配合區塊長的處理時間，且由於 預熱區塊3 1 1〜3 1 3間不會有熱的移動，因此可容易消除 預熱區塊 3 1 1〜3 1 3 c間的境界温度，而使能夠容易進行 製品的品質管理。 又，基於某種原因，從圖1所述的裝載機2 1至卸載 機2 5間的生產線停止時，由於可使預熱區塊3 1 1〜3 1 3、 正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5從捲帶基板3 00離開， 因此可避免對捲帶基板3 00加熱至所需以上，而能夠容易 防止對製品造成損傷。並且，在生產線恢復時，由於會再 度施以預熱、峰値熱及冷卻，因此可大幅度地縮短恢復後 之加熱處理或冷卻處理的等待時間。 又，由於冷卻區塊3 1 5會接觸於被施以峰値熱的電路 基板3 0 1，而來冷卻電路基板3 0 1，因此可提高電路基板 3 0 1的冷卻効率，而使能夠縮短冷卻處理時間，特別是當 焊錫膏2 ] 4爲無鉛時，可容易防止熱氧化。 又，就第4實施形態而言，雖是針對預熱區塊3 1 1〜 3 1 3爲3個時來進行説明，但並非只限於此例，亦可爲2 個以下或4個以上。亦即，當預熱區塊3 1 1〜3 1 3爲1個 -44- (41) 200402811 時’可使預熱區塊3 ]]〜3 1 3慢慢地接近捲帶基板 而使能夠慢慢地施以圖5之①〜③所示的預熱。又 區塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 ] 4及冷卻區塊3 下動亦可同時進行，或者個別進行。又，預熱區塊 3 1 3與正式加熱區塊3〗4亦可合倂構成1個，此情 1曼慢地使1個加熱區塊接近或接觸捲帶基板3 〇 〇， 施以圖5之①〜③的實線所示的預熱及圖5之④的 示的峰値熱。 又，就第4實施形態而言，雖是針對回流處理 帶基板3 0 0在配合電路基板3 0 1的預定區塊長來搬 使預熱區塊3 ] 1〜3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區 上下移動，但並非只限於此例，亦可使預熱區塊 3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 ] 5上升，而 於捲帶基板3 0 0的情況下搬送捲帶基板3 00。 又，亦可在冷卻區塊3 1 5中設置内部中空的配 亦可在此配管内一邊流動氣體或液體，一邊進行冷 此，可在不使冷卻區塊3 1 5的外形變化下強制冷卻 塊3 1 5，提高冷卻効率。在此，就設置於冷卻區塊 配管内所流動的氣體而言，例如可使用空氣、氧氣 、二氧化碳、氦或氟代烴等。又，就設置於冷卻區 的配管内所流動的液體而言，例如可使用水或油等 亦可使設置於冷卻區塊3 1 5的配管内減圧’而藉此 提升冷卻効率。 圖1 〇是表示本發明之第5實施形態的電子裝 3# 4 -45- 3 00， ，預熱 1 5的上 3 1 1〜 況，可 藉此來 實線所 中，捲 送時， ί 塊 3 1 5 3 ] 1〜 在接觸 管，且 卻。藉 冷卻區 3 15的 、氮氣 塊3 15 〇又， 來更爲 置的製 (42) (42)200402811 造方法。 在圖1 〇U)中，除了圖8的構成以外，還設有用以輔 助進行預熱的熱空氣吹送區塊3 1 6。此熱空氣吹送區塊 3 ] 6是位於正式加熱區塊3 1 5的上方，且藉由未圖示的驅 動機構來進行上下移動。並且，此熱空氣吹送區塊3 ] 6在 生產線恢復時，會下降移動而接近捲帶基板3 00，對正式 加熱區塊3 1 5上的電路基板3 0 1施以預定的預熱。 其次，針對如此構成的半導體製造裝置的製造方法來 進行説明。 首先，若完成錫焊過程及安裝過程的捲帶基板3 00的 電路基板3 0 1前進至回流過程，則與圖1 3同樣的，預熱 區塊3 1 1〜 3 1 3、正式加熱區塊3 1 4及冷卻區塊3 1 5會上 升移動，而接觸於捲帶基板3 00，進行回流處理。 此刻，基於某種原因，從圖1所述的裝載機21至卸 載機25間的生產線停止時，如圖10(B)所示，會藉由未 圖示的驅動機構來使預熱區塊3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊 3 14及冷卻區塊315離開捲帶基板3 00至捲帶基板3 00的 温度不會影響品質的位置。此刻，熱空氣吹送區塊3 1 6會 藉由未圖示的驅動機構來由正式加熱區塊3 1 5的上方下降 移動，而接近捲帶基板3 00。 然後，當生產線恢復時，來自熱空氣吹送區塊3 1 6的 熱空氣會賦予電路基板3 0 1。此刻，當正式加熱區塊3 1 5 上的電路基板3 0 1的温度如圖5之④的虛線所示下降時， 會對電路基板3 0 1施以圖5之③的實線爲止的預熱。 -46- (43) (43)
200402811 若對正式加熱區塊3〗5上的電路基板3 0 ] 則熱空氣吹送區塊3 1 6會如圖1 0 ( c )所示，藉 驅動機構來上升移動，而自捲帶基板3 0 0離開 ，預熱區塊 3 1 1〜3 1 3、正式加熱區塊 3 1 4 3 15會上升移動，而接觸於捲帶基板3 0 0，繼 通常的加熱處理及冷卻處理。藉此，在生產線 會對製品產生損傷，繼續進行回流處理。 如此，在上述第5實施形態中，基於某種 1所述的裝載機2 1至卸載機2 5間的生產線停 由未圖示的驅動機構來使預熱區塊3 1 1〜3 1 3 區塊314及冷卻區塊315離開捲帶基板300 3 00的温度不會影響品質的位置，且藉由未圖 構來使熱空氣吹送區塊3 1 6由正式加熱區塊3 降移動，而接近捲帶基板.3 00，當生產線恢復 路基板3 0 1施以來自熱空氣吹送區塊3 1 6的熱 ，因此可以確實地避免在生產線停止時對製品 且能夠大幅度地縮短恢復後進行通常運轉的等 被施以預熱的電路基板3 0 1而言，可避免正 3 1 5所產生的熱影響。 此外，就上述第5實施形態而言，雖是針 板3 00的下面側來使預熱區塊3 1 1〜3 1 3、正 3 1 4及冷卻區塊3 1 5上升移動時進行説明，但 此例，亦可由捲帶基板3 00的上面側來使下降 況，熱空氣吹送區1鬼316可由捲帶基板300的 一 47- 施以預熱， •由未圖示的 。另一方面 及冷卻區塊 續進行上述 恢復後，不 原因，從圖 止時，會藉 、正式加熱 至捲帶基板 示的驅動機 1 5的上方下 時，可對電 空氣之預熱 造成損傷， 待時間，對 式加熱區塊 對由捲帶基 式加熱區塊 並非只限於 移動。此情 下面側來使 (44) (44)200402811 上升移動。 圖]]是表示本發明之第]〇實施形態的電子裝置的製 造方法。 在圖1 1 ( a)中設有：施以預熱的預熱區塊4 1 2，及施 以峰値熱的正式加熱區塊4 1 3，以及使被施以峰値熱的被 加熱處理體的温度下降的冷卻區塊4 1 4。並且，在預熱區 塊4 1 2的前段配置有避免對預熱區塊4 1 2之加熱處理前的 捲帶基板400傳達熱的冷卻區塊41 1。在圖1 1(a)的例子 中，基於説明方便起見，預熱區塊4 1 2爲1個。 就如此的構成而言，當預熱區塊4 1 2接觸於捲帶基板 4 〇 〇的預定區塊長的電路基板而如圖5所述被施以①〜③ 的預熱時，施以①的預熱前的捲帶基板4 00的預定區塊長 的電路基板會接觸冷卻區塊4 1 1。在此，由於冷卻區塊 4 ] 1會使施以①的預熱前的電路基板400冷卻至常温，因 此可避免預熱區塊4 1 2之加熱處理前的捲帶基板400的温 度上升。 如此一來，在圖1 1(a)的實施形態中，對施以圖5之 ①的預熱前的捲帶基板400的預定區塊長的電路基板而言 ，由於會接觸冷卻區塊4 1 1冷卻至常温程度，因此可迴避 預熱區塊412之加熱處理前的捲帶基板400的温度上升， 而使能夠容易進行製品的品質管理。 另一方面，在圖1 1(b)中設有：施以預熱的預熱區塊 5 1 2，及施以峰値熱的正式加熱區塊5 1 4，以及使被施以 峰値熱的被加熱處理體的温度下降的冷卻區塊5 1 5。並且 -48- (45) (45)200402811 ，在預熱區塊5 1 2的前段配置有避免對預熱區塊5 ] 2之加 熱處理前的捲帶基板5 0 0傳達熱的冷卻區塊5 1 1。而且， 在預熱區塊5 1 2與正式加熱區塊5 1 4之間配置有避免對正 式加熱區塊5 1 4之加熱處理前的捲帶基板5 00傳達熱的冷 卻區塊5 1 3。在圖1 1 (b)的例子中，基於説明方便起見， 預熱區塊5 1 2爲1個。 就如此的構成而言，當加熱區塊5 1 4接觸於捲帶基板 5 〇〇之預定區塊長的電路基板而施以峰値熱時，對施以峰 値熱前的捲帶基板5 00之預定區塊長的電路基板而言，由 於會接觸冷卻區塊5 1 3而冷卻，因此可迴避正式加熱區塊 5 1 4之加熱處理前的捲帶基板5 0 0的温度上升。 如此一來，在圖1 1 (b)的實施形態中，對施以峰値熱 前的捲帶基板5 0 0之預定區塊長的電路基板而言，由於會 接觸冷卻區塊5 ] 3而冷卻，因此可迴避正式加熱區塊5 1 4 之加熱處理前的捲帶基板500的温度上升，而使能夠容易 進行製品的品質管理。 又，就第6實施形態而言’雖是針對預熱區塊5 1 2爲 1個時來進行説明，但並非只限於此例’亦可爲2個以下 或4個以上，當預熱區塊5 1 2爲複數時，可分別於之間配 置冷卻區塊，來迴避施以預熱時後續的捲帶基板5 0 0的温 度上升，因此更能夠容易進行製品的品質管理。 圖1 2是表示本發明之第7實施形態的電子裝置的製 造裝置的槪略構成立體圖。 在圖12中，在捲帶基板601中配置有沿著長度方向 -49- (46) (46)200402811 而連接的電路區塊603，且於各電路區塊603中設有電子 零件搭載區域。並且，在捲帶基板6 0 1的兩側，以預定間 ， 距而設有供以搬送捲帶基板60]的送孔602。又，捲帶基 -板60 1的材質，例如可使用聚醯亞胺等。又，搭載於各電 路區塊603上的電子零件，例如有半導體晶片、晶片電容 器、電阻元件、線圏或連接器等。 另一方面，在捲帶基板6 0 1的回流區域中，加熱區塊 611〜614會取預定的間隔而沿著捲帶基板601的搬送方 • 向排列配置。並且在加熱區塊6 1 3上配置有突起部6 1 7會 向下設置的壓板616，而且在加熱區塊611〜614的旁邊 配置有擋板615a、615b。 在此，加熱區塊6 1 1、6 1 2的温度可設定成依次增高 於比焊錫融點還要小的範圍內，加熱區塊6 1 3的温度可設 定成焊錫融點以上，加熱區塊6 1 4的温度可設定成比加熱 區塊6 1 ]、6 1 2的温度還要小。又，加熱區塊1 1 1〜6 1 4及 壓板616可分別獨立上下移動，且擋板 615a、615b可水 ® 平移動於捲帶基板6 0 1的短邊方向，又，加熱區塊6 1 1〜 6 1 4，擋板6 1 5 a、6 1 5b及壓板6 1 6是以能夠沿著捲帶基板 601的搬送方向而一體滑動之方式來支持著。又，設置於 壓板6 1 6的突起部6 1 7的間隔可設定成對應於電路區塊 6 〇 3的長度。 又，加熱區塊611〜614及擋板615a、615b的材質， 例如可使用含金屬，金屬化合物或合金的構件，或者陶瓷 。加熱區塊6 1 1〜6 1 4的材質，例如可使用鐵或不鏽鋼等
-50- (47) (47)200402811 ，藉此來抑止加熱區塊6 ]]〜6 I 4的熱膨脹，而使捲帶基 板6 0 ]能夠精度良好地搬送於加熱區塊6 ] 1〜6 1 4上。 又，各加熱區塊6 1 1〜6 I 4的長度可設定成對應於複 數個電路區塊603的長度’擋板615a、615b的大小可設 定成4個加熱區塊6 1 1〜6 1 4的大小加上加熱區塊6丨〗〜 6 1 4間的空隙的大小的値，壓板6 1 6的大小可設定成對應 於加熱區塊6 1 3的大小。並且，各加熱區塊6 1 1〜6 1 4的 長度並非一定要設定成1個電路區塊6 0 3的長度的整數倍 ，亦可產生尾數。 又，加熱區塊 6 1 1〜6 1 4的形状，至少與捲帶基板 60 1的接觸面可設定成平坦狀，例如可使加熱區塊6 1 1〜 6 1 4形成板状。 圖1 3是表示圖1 2之回流處理的側面圖，圖1 4是表 示圖1 2之回流處理的流程圖。 在圖13、1 4中，例如在圖1的焊錫塗佈區域2 2及安 裝區域23中，被進行焊錫膏印刷及電子零件的安裝處理 之捲帶基板601會被搬送至加熱區塊611〜614上（圖14 的步驟S 1 )。並且，在加熱區塊6 1 1〜6 1 4上搬送捲帶基 板601時，可使捲帶基板601接觸於加熱區塊611〜6 14 的情況下來搬送。藉此，在使加熱區塊6 1 1〜6 1 4接觸於 捲帶基板6 0 1來加熱捲帶基板6 0 1時，可省略加熱區塊 6 1 1〜6 1 4的移動動作，進而能夠縮短回流處理的作業流 程時間。在此，可使加熱區塊6 1 1〜6 1 4形成板状，而使 捲帶基板6 0 1接觸於加熱區塊6 1 1〜6 1 4的上面時能夠順 -51 - (48) (48)200402811 暢地搬送捲帶基板6 0 1。 其次，如圖1 3 (b)所示，若被進行焊錫膏印刷及電子 零件的安裝處理之捲帶基板60 1被搬送於加熱區塊6 1 1〜 6 1 4上，則捲帶基板60 1的搬送會只被停止預定的時間（ 圖14的步驟S2、S4)，進行各加熱區塊61 1〜614之捲帶 基板6 0 1的加熱。在此，加熱區塊6 1 1〜6 1 4是沿著捲帶 基板6 0 1的搬送方向而並列配置，加熱區塊6 1 1、6 1 2的 温度是被設定成依次增高於比焊錫融點還要小的範圍內， 加熱區塊6 1 3的温度是被設定成焊錫融點以上，加熱區塊 6 1 4的温度是被設定成比加熱區塊6 1 1、6 1 2的温度還要 小。 因此，可於加熱區塊6 1 1、6 1 2上的電路區塊6 03進 行預熱，於加熱區塊6 1 3上的電路區塊6〇3進行正式加熱 ，於加熱區塊614上的電路區塊603進行冷卻，亦即能夠 一次對捲帶基板601上不同的電路區塊603進行預熱、正 式加熱及冷卻。 在此，若捲帶基板601被靜止於加熱區塊61 1〜614 上，則壓板6 1 6會下降於加熱區塊6 1 3上，可隔著突起部 6 1 7來按壓加熱區塊6 1 3上的電路區塊603。藉此，即使 捲帶基板6 0 1變形，例如形成裙帶菜狀，還是能夠均一地 將熱傳達至捲帶基板60 1，進而可以安定地進行焊錫溶融 處理。並且，可使突起部6 1 7的間隔對應於電路區塊6 0 3 的長度，而於電路區塊603的境界按壓電路區塊603，防 止配置於電路區塊603上的電子零件遭受到機械性的損傷 -52 - (49) (49)200402811 又，若停止捲帶基板60 1的搬送後僅經過預定的時間 ，則捲帶基板6 0 1會只被搬送預定的長度，使捲帶基板 6 0 1上的特定電路區塊6 0 3依次靜止於各加熱區塊6 1 !〜 6 1 4上，而使能夠連續進行捲帶基板6 〇 1上的特定電路區 塊ό 0 3的預熱、正式加熱及冷卻。因此，可階段性地使捲 帶基板6 0 1上的特定電路區塊6 〇 3的温度上升，進而可以 一面防止對電路區塊603造成熱損傷，一面進行回流處理 ’並且能夠迅速地使被焊錫溶融的電路區塊6 0 3的温度下 降，抑止焊錫熱氧化，而來提高製品品質。 又，可使捲帶基板6 0 1上的特定電路區塊6 03依次接 觸於各加熱區塊6 1 1〜6 1 4上，藉此一方面能消除境界的 温度差，另一方面可使電路區塊6〇3的温度上升及下降迅 速化，而使電路區塊603能夠迅速地加溫至設定温度，進 而可以有效率地進行回流處理。 因此，如圖1所示，即使在同一捲帶基板601上，於 焊錫塗佈處理及安裝處理的後連續進行回流處理，還是能 夠防止回流處理被限速而使得焊錫塗佈處理及安裝處理停 滯，製造効率變差。 亦即，即使焊錫塗佈區域22及安裝區域23的電路區 塊6 0 3的焊錫塗佈處理及安裝處理分別終了，還是會因 爲回流區域24的電路區塊603的回流處理尙未終了，而 使得捲帶基板60 1至回流區域24的電路區塊603的回流 處理終了爲止無法搬送。因此，與焊錫塗佈處理及安裝處 -53- (50) (50)200402811 理相較下，當回流處理較費時時，至回流區域2 4的電路 區塊6 0 3的回流處理終了爲止，必須分別使焊錫塗佈區域 22及安裝區域23的電路區塊603的焊錫塗佈處理及安裝 處理待機，而導致焊錫塗佈區域2 2及安裝區域2 3的作動 効率會降低，進而使得製造効率變差。 在此，可使捲帶基板6 01接觸於加熱區塊6 ] 1〜6 1 4 上，而來令捲帶基板6 01能夠迅速地加熱至設定温度，進 而可以使回流處理迅速化。因此，即使是在一次進行焊錫 塗佈處理、安裝處理及回流處理時，照樣能夠防止回流處 理被限速而導致圖3的焊錫塗佈區域22及安裝區域23的 作動効率降低，而使生産効率能夠提升。 又，可沿著捲帶基板6 0 1的搬送方向來並列配置複數 個加熱區塊 6 1 1〜6 1 4，而使能夠在不增加回流處理的時 間下，階段性地提高電路區塊603的温度，可一面防止熱 損傷，一面進行回流處理。 因此，即使是在一次進行焊錫塗佈處理、安裝處理及 回流處理時，照樣可以防止回流處理被限速，且能夠謀求 回流處理之温度履歷的最適化，而不使製品品質劣化，提 高生産効率。 在此，於1次的搬送作業流程所被搬送的捲帶基板 601的長度，例如在圖3的焊錫塗佈區域2 2中，可使對 應於1次的搬送作業流程所被塗佈的焊錫塗佈區域的長度 。又，於1次的搬送作業流程所被塗佈的焊錫塗佈區域的 長度，可設定成1個電路區塊6 0 3的長度的整數倍。 -54- (51) (51)200402811 又，於圖1的焊錫塗佈區域2 2中，可以1次的搬送 作業流程來一次針對複數個電路區塊603進行焊錫塗佈， 藉此而能夠一次針對複數個電路區塊603來階段性地進行 回流處理，而不會使製品品質劣化，提高生産効率。 又’於1次的搬送作業流程所被塗佈的焊錫塗佈區域 的長度與各加熱區塊6 1 ]〜6 1 4的長度並非一定要一致， 亦可使加熱區塊6 1 1〜6 1 4的長度比1次的搬送作業流程 所被塗佈的焊錫塗佈區域的長度還要長。藉此，即使捲帶 基板601的電路區塊60 3的長度被變更，照樣可在不更 換加熱區塊 6 1 1〜6 1 4的情況下，一邊使特定的電路區塊 6 0 3能夠在所有的加熱區塊6 1 1〜6 1 4上加熱至預定時間 以上，一邊搬送捲帶基板60 1，進而可以一方面抑止製品 品質劣化，一方面能夠提高生産効率。 例如，1次的搬送作業流程所被塗佈的焊錫塗佈區域 的長度的最大値，例如可設定成3 2 0mm，各加熱區塊61 1 〜614的長度，例如可設定成361mm。又，圖12之送孔 6 0 2的1間距，例如可設定成4.7 5 m m，1個電路區塊6 0 3 的長度，例如可在送孔602的6〜1 5個間距份量的長度範 圍內變更。此情況，1次的搬送作業流程所被塗佈的焊錫 塗佈區域的長度，可在不超越最大値=3 20mm的範圍內， 以能夠使電路區塊. 603的個數形成最多的方式來加以設定 。例如，若1個電路區塊6 0 3的長度爲送孔602的8個間 距份量的長度，則1個電路區塊6 03的長度會形成4.75x8 =3 8 mm，1次的搬送作業流程所被塗佈的焊錫塗佈區域 -55- (52) (52)200402811 的長度可形成8個電路區塊603的長度= 3〇4mmS320mm 。因此，可設定成]次的搬送作業流程所被搬送的捲帶基 板6 0 1的長度=3 0 4 m m。 又，若使各加熱區塊6 1 1〜6 1 4的長度比1次的搬送 作業流程所被塗佈的焊錫塗佈區域的長度還要長，且將1 次的搬送作業流程所被搬送的捲帶基板60 1的長度設定成 焊錫塗佈區域的長度，則同一電路區塊603的至少一部份 會被複數次靜止於同一加熱區塊6 1 1〜6 1 4上，而導致會 產生加熱時間變長的部份。因應於此，可藉由使加熱溫度 具有一界限的方式來設定加熱區塊611〜614的温度及作 業流程時間，而使能夠維持回流處理時的品質。 又，可以預定間隔來隔開配置加熱區塊 6 1 1〜6 1 4， 藉此來消除加熱區塊6 1 1〜6 1 4間的境界温度，而使電路 區塊603的全體區域能夠均一地保持於設定温度，進而可 以使回流處理時的製品品質維持一定。 又，當以預定間隔來隔開配置加熱區塊6 1 1〜6 1 4時 ，亦可於加熱區塊6 1 1〜6 1 4間的空隙中設置特氟綸（註冊 商標）等的絕緣性樹脂，藉此來使加熱區塊6 1 1〜6 1 4間的 熱傳導能夠更低。 其次’如圖1 3 (c)所示，例如當圖1的焊錫塗佈區域 22或安裝區域23等發生問題時（圖14的步驟S3)，會使 加熱區塊61 1〜614的位置下降（圖14的步驟S5)。然後， 以擋板6 1 5 a、6 1 5 b能夠到達加熱區塊6 1 1〜6 1 4上的方式 ，使擋板615a、61 5b水平移動，在捲帶基板601的上下 -56- (53) (53)200402811 插入檔板6]5a、615b(圖14的步驟S6)。 藉此，即使圖]的焊錫塗佈區域22或安裝區域23等 發生的問題，而造成捲帶基板60 1的搬送長時間停止時， 照樣可以防止捲帶基板601的加熱狀態拉長至必要以上， 而使能夠減少焊錫的熱氧化或接觸不良等。 又，可藉由在捲帶基板601的上下插入擋板615a、 6 15b來使捲帶基板601上下的温度分布均一化，而使能 夠防止捲帶基板60 1變形，例如形成裙帶菜狀。 其次，如圖13(d)〜圖13(f)所示，若在圖1的焊錫塗 佈區域22或安裝區域23等發生的問題被解除（圖14的步 驟S 7)，則會拔出擋板615a、6] 5b (圖14的步驟S 8)。然 後，一邊使加熱區塊6 ] 1〜6 1 4的位置段階性地上升（圖 1 4的步驟S 9)，一邊使加熱區塊6 1 1〜6〗4接觸於捲帶基 板 601。 藉此，即使加熱區塊6 1 1〜6 1 4長時間持續處於脫離 捲帶基板601的狀態，而造成加熱區塊61 1〜614上的捲 帶基板 6 0 1冷卻時，照樣能夠在停止搬送捲帶基板6 0 1 下，階段性地使各加熱區塊61 1〜614上的電路區塊603 的温度上升。 因此，爲了分別使各加熱區塊6 1 1〜6 1 4上的電路區 塊603的温度階段性地上升時，不必使捲帶基板60 1捲回 於相反方向，而來重新搬送捲帶基板6 0 1，所以可在不使 搬送系統複雑化下，再度開始進行回流處理。 又，上述實施形態中，雖是針對在使捲帶基板60 1迴 -57- (54) 200402811 避加熱狀態時，使全體加熱區塊 6 ] 1〜6 1 4從捲帶基板 6 〇 1脫離的方法來進行説明，但亦可例如使加熱區塊6 Π 、6 ] 2、6 1 4原封不動地接觸於捲帶基板6 0 1，而僅使加熱 區塊6 13從捲帶基板60 1脫離。藉此，例如當圖1的焊錫 塗佈區域22或安裝區域23等發生問題，而導致捲帶基板 60 1的搬送長時間停止時，照樣可以一邊持續對捲帶基板 601的電路區塊6 03施以預熱，一邊使正式加熱中斷，進 而能夠降低製品不良率。 又，圖1 2的實施形態中，雖是針對並列設置4個加 熱區塊6 1 1〜6 1 4的方法來進行說明，但亦可並列設置5 個以上的加熱區塊 6 1 1〜6 1 4，而使能夠更緩和地進行電 路區塊6 03的預熱，或者階段性地進行電路區塊603的冷 卻。 又，雖是針對在平板上構成各加熱區塊6 1 1〜6 1 4的 方法來進行説明，但亦可在加熱區塊6 1 I〜6 1 4的接觸面 中，例如在接觸於配置有半導體晶片的區域的部分設置凹 部，藉此來防止加熱區塊6 1 1〜6 1 4直接接觸於配置有半 導體晶片的區域。因此，在捲帶基板60 1上安裝不耐熱的 半導體晶片時，可防止對半導體晶片造成熱損傷。 圖1 5是表示本發明之第8實施形態的電子裝置的製 造裝置的槪略構成立體圖。 在圖15中，在捲帶基板601a、601b中分別配置有電 路區塊6〇3a、603b(沿著長度方向而連接），且在各電 路區塊603a、603b中分別設有電子零件搭載區域。並且 31? -58- (55) (55)200402811 ，在各捲帶基板60 ] a、60 1 b的兩側分別設有供以搬送各 捲帶基板601a、601b的送孔602a、602b (以預定的間距 來設置）。 並且，在加熱區塊6 1 1〜6 1 4上並列配置有2條的捲 帶基板 601a、601b。而且，在使該等 2條的捲帶基板 6 0 1 a、6 0 ] b接觸於加熱區塊6 1 1〜6 1 4上來進行搬送。藉 此，可在加熱區塊 6 1 1〜6 1 4上一次對 2條的捲帶基板 6 〇 ]進行回流 理，而使生産効率提高。 在此，雖是針對在加熱區塊611〜614上並列搬送2 條的捲帶基板 601a、601b時來進行說明，但並非只限於 此，亦可在加熱區塊6 1 1〜6 1 4上並列搬送3條以上的捲 帶基板。 圖1 6是表示本發明之第9實施形態的電子裝置的製 造裝置的側面圖。 在圖16(a)中，回流爐711是藉由具有軌道713的支 持台7 I 2來予以支持著。在此，回流爐7 η是例如在進行 錫焊過程、安裝過程後的回流過程中，對連接於捲帶基板 7 〇〇的被加熱處理體，亦即電路基板進行加熱處理或冷卻 處理者’且設有階段性地使電路基板的温度上升之加熱區 域72 1〜724，及階段性地使電路基板的温度下降之冷卻 區域7 2 5。並且，回流爐7可一次處理連接於捲帶基板 7 0 0的複數個電路基板，或者一個一個地處理連接於捲帶 基板7 〇 0的電路基板。 又，如圖2〇(b)、（c)所示，回流爐71 1會沿著支持台 -59- (56) 200402811 7 ] 2的軌道7 ] 3而自由移動於 b方向是沿著捲帶基板7 0 0的 流爐7 1 1可在自由移動於箭頭 熱區域721〜724及冷卻區域 距之位置上。 【圖式簡單說明】 圖1是表示第1實施形態 圖2是表示第2實施形態 圖3是表示圖2的回流處 圖4是表示圖2的回流處 圖5是表不圖2的回流處 圖6是表示第3實施形態 圖7是表示圖6的回流處 圖8是表示第4實施形·態 圖9是表示第4實施形態 圖10是表示第5實施形喪 圖1 1是表示第6實施形喪 圖12是表示第7實施形| 圖1 3是表示圖1 2的回流 圖1 4是表示圖1 2的回流 圖1 5是表示第8實施形青 圖1 6是表示第9實施形竟 圖17是表示以往電子裝| 箭頭a — b方向。此箭頭a — 搬送方向者。如此一來，回 :a— b方向下，設定於使加 72 5對準電路基板的製品間 之電子裝置的製造方法。 之電子裝置的製造裝置。 理。 理。 理的溫對履歷。 之電子裝置的製造裝置。 理。 之電子裝置的製造方法。 之電子裝置的製造方法。 i之電子裝置的製造方法。 I之電子裝置的製造方法。 I之電子裝置的製造裝置。 處理。 處理的流程圖。 _之電子裝置的製造裝置。 之電子裝置的製造裝置。 ί的製造方法。 -60- (57) (57)200402811 【符號之說明】 31、 ]00、 200、 300、 601、 700 ：捲帶基板 3 1 a 〜3 1 c、] 0 1、3 0 1、8 0 I :電路基板 32a〜32c、 102、 302、 802 ：配線 3 3 a 〜3 3 c、10 3、3 0 3、8 0 3 ：絕緣膜 34a〜34c、 104、 304、 804 ：焊錫膏 35b、35c、105、305、805:半導體晶片 3 6 c :封裝樹脂 B 1 1〜B 1 3 :電路區塊 2 ]:裝載機 2 1 a ·捲出捲軸 2 2 :焊錫塗佈區域 2 3 :安裝區域 2 4 :回流區域 2 5 :卸載機 2 5 a :捲取捲軸 2 6 :切斷區域 2 7 :樹脂封裝區域 111、 311 〜313、412、512:預熱區塊 112、 314、413、514:正式加熱區塊 113、 213、 315、 411、 414、 511、 513、 515、 825a〜825c :冷却區塊 1 1 4、2 1 4 :覆夾孔 1 1 5、2 1 5 :吹出孔 -61 - (58) (58)200402811 2 ] ]、6 1 1〜6 1 4 :加熱區塊 3 1 6 :熱空氣吹送區塊 6 0 2 :送孔 615a、 615b:擋板 6 1 6 :壓板 6 1 7 :突起部 7 1 1 :回流爐 7 1 2 :支持台 7 1 3 :軌道 7 2 1〜7 2 4 :加熱區域 7 2 5 :冷却區域