TW200408866A - Manufacturing method of wiring structure, manufacturing method of electro-optic device, electro-optic device, and electronic apparatus - Google Patents

Description

200408866 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係屬於配線構造及光電面板之製造方法、以及 光電面板、該配線構造及電子機器之技術分野。 【先前技術】 液晶裝置等光電裝置係以隔著特定間隙貼合2片基板 來構成。而規制基板間之距離者，係略呈四角形之形狀且 被稱爲密封部之外框，密封部之內側則充塡著液晶等光電 物質。 此種光電裝置有利用背光源之光實施顯示之透射型、 利用外光在裝置內部反射之反射光實施顯示之反射型、及 在明處利用外光實施反射顯示而在暗處利用內建背光源之 光源光來實施透射顯示之半透射反射型。 半透射反射型之光電裝置已開發出矩陣狀配列之各圖 素具有半透射反射電極之內面反射方式者。該裝置上，半 透射反射電極係以例如在鋁膜等之反射電極或反射膜之上 重疊ITO (氧化銦錫）膜等透明電極來形成。 又，會設置對應各圖素之薄膜電晶體（以下亦稱爲 TFT ( Thin Film Transistor))。各 TFT 之源極係連結著 各資料線，其汲極則連結著各透明電極，其閘極則連結著 各掃描線。各資料線及各掃描線會從密封層內部延伸至外 部而形成連結端子。此種構造記載於例如專利文獻1上。 又，資料線之配線構造則如專利文獻2之記載所示，係採 -4 - (2) (2)200408866 用依鈦、鋁、氮化鈦之順序實施積層之3層構造者。 [專利文獻1] 日本特開平06-2 8 94 1 4號公報（第2頁、第2圖） [專利文獻2] 日本特開2000-243834號公報（第7頁） 其次，形成TFT之基板，大致以第1 :在玻璃基板等 上形成TFT、第2 :形成資料線等之配線構造、第3 :在 其上形成保護膜及丙烯酸層、第4:形成反射電極、第5 :形成透明電極之步驟來製造。 【發明內容】 然而，資料線等之配線會延伸至密封部之外部，爲了 以該端部接收來自外部之信號供應，故必須配設具有良好 電性連結之連結端子。其次，連結端子亦必須以上述之製 造步驟來形成。 第1 6圖係連結端子部份之剖面圖。該實例中，在密 封部外部之配線上，在實施保護膜及丙烯酸層之積層的上 述第5步驟中形成透明電極時，經由接觸窗以和透明電極 相同之材料形成連結端子。該實例中，可利用丙烯酸層之 圖案化遮罩來實施保護膜之圖案化。 然而，因爲丙烯酸層具有因環境水分而膨潤之性質， 而會產生剥離連結端子之作用，故會發生信頼性顯著惡化 (3) (3)200408866 之問題。 此時，如第1 7圖所示，亦可考慮除去密封部外部之 丙烯酸層來構成連結端子部份。此時，雖然可提昇連結端 子之信頼性，然而，必須使用不同於丙烯酸層之圖案化遮 罩的其他遮罩來實施保護膜之圖案化。因此，有製造成本 上揚之問題。 又，如第1 8圖所示，亦可考慮密封部外部之保護膜 及丙烯酸層來構成連結端子部份。此時，實施反射電極之 圖案化時，3層構造之配線的中央層（鋁）會被蝕刻劑侵 蝕，而有中央層被側面切削之問題。若在其上覆蓋透明導 電膜，邊緣部無法被充分覆蓋，而有透明導電膜出現膜剝 離且剝離之破片附著於圖素電極間而導致連結點缺陷之問 有鑑於上述問題點，本發明之課題係提供配線構造及 光電面板之製造方法、以及光電面板、該配線構造、及電 子機器。 爲解決上述課題，本發明之配線構造的製造方法的特 徵係具有：形成具有第丨層、及積層於前述第1層之上的 第2層之配線的步驟；以至少覆蓋前述配線之側壁且使前 述第2層之上面的一部份露出之方式，從前述配線之上利 用蝕刻實施第3層之圖案化的步驟；以及至少在前述第2 層外露之部份形成第4層之步驟；且，前述第2層對前述 第3層之蝕刻上所使用之蝕刻劑具有耐蝕性，且前述第1 層對前述蝕刻劑具有侵蝕性。 (4) (4)200408866 依據本發明，因配線之側壁上覆蓋著第3層，以蝕刻 fi胃3靥實施圖案化之步驟中，該蝕刻劑不會侵蝕第1層 °医1此’可製造高信頼性之配線構造。 &時’前述第1層及前述第3層亦可由相同之材料所 °又’形成前述第4層之部份步驟係在含氧環境中實 @ ’前述第3層及前述第4層之界面上會形成單位面積電 P且値高於前述第2層之單位面積電阻値的氧化膜，又，前 2層之材料應採用比前述第3層之材料更不易氧化之 材料。依據本發明，雖然第3層及第4層之界面形成 Μ ’然而，因爲第2層之材料比第3層之材料更不易 氧化’故第2層及第4層之間有良好之導電率。結果，若 &第4層做爲連結端子之表面，可構成低電阻之連結端子 〇 又’前述配線係在前述第1層之下具有下層之3層構 造’形成前述配線之步驟應依前述下層、前述第1層、及 前述第2層之順序實施圖案化。此時，可使用同一圖案化 遮罩。 又，前述第1層含有鋁，前述第2層含有氮化鈦，前 述第4層則含有氧化銦錫。 其次，本發明之光電裝置的製造方法係在密封層之內 側封入光電物質來構成光電裝置之製造方法，其特徵爲具 有：在基板上形成具有複數電極之矩陣狀半導體元件之步 驟；形成連結於在前述密封層外側上形成之連結端子且具 有第1層、及積層於前述第1層之上之第2層的配線之步 (5) (5)200408866 驟；在前述密封層之內側從前述各半導體元件之上形成絕 緣層之步驟；使用第1材料在前述絕緣層之上形成對應前 述各半導體元件之複數反射電極，且以至少覆蓋前述配線 之側壁且前述第2層會從前述連結端子之一部份露出之方 式’從前述配線之上形成第3層之步驟；以及使用第2材 料’以覆蓋前述反射電極之方式形成透明電極，同時，從 位於前述密封層之外側的前述配線當中之至少前述第2層 外露之部份上形成第4層之步驟。 依據本發明，會同時形成反射電極及第3層，且會同 時形成透明電極及第4層，故可刪減步驟。又，半導體元 件係例如TFT或薄膜二極體TFD ( Thin Film Diode )。 又，光電裝置的製造方法中，前述第1層應由前述第 1材料所構成。此時，實施反射電極及第3層之圖案化時 所使用之蝕刻劑雖然會侵蝕第1層，然而，因爲配線之側 壁爲第3層所覆蓋，故可防止第1層被侵蝕。 又，光電裝置的製造方法中，形成前述透明電極及前 ^第4層之部份步驟係在含氧環境中實施，前述第3層及 @述連結電極之界面上會形成單位面積電阻値高於前述第 2層之單位面積電阻値的氧化膜，前述第2層之材料應採 用比前述第3層材料更不易氧化之導電材料。依據本發明 ’第3層及第4層之界面雖然形成氧化膜，但因第2層之 材料比第3層之材料更不易氧化，故第2層及第4層間有 良好導電率。結果，可構成低電阻之連結端子。 又，光電裝置之製造方法中，前述配線係在前述第1 (6) (6)200408866 層之下具有下層之3層構造，形成前述配線之步驟會依前 述下層、前述第1層、及前述第2層之順序實施圖案化。 又’前述第1層含有鋁，前述第2層含有氮化鈦，前述第 1材料含有鋁，前述第2材料則含有氧化銦錫。 其次，本發明之光電裝置，係在密封層之內側封入光 電物質，且前述密封層之外側配設著連結端子之光電裝置 ’其特徵爲，前述連結端子具有第1層、積層於前述第1 層之上的第2層、以至少覆蓋前述第1層及前述第2層之 側壁且前述連結端子之一部份會露出前述第2層之方式形 成的第3層、以及形成前述第2層外露之部份的第4層。 又，前述光電裝置具有圖素，前述圖素係以由反射導電性 材料所構成之反射電極、及由透明導電性材料所構成之透 明電極來形成，又，前述反射電極及前述第3層係由同一 反射導電性材料所構成，且前述透明電極及前述第4層係 由同一透明導電性材料所構成。 又，係密封層之內側會封入光電物質，且前述密封層 之外側配置著連結端子、及連結於該連結端子之配線的光 電裝置，其特徵爲，前述連結端子及前述配線具有第1層 、積層於前述第1層之上之第2層、以及以至少覆蓋前述 第1層及前述第2層之側壁之方式形成的第3層，前述連 結端子之一部份具有以使前述第2層露出之方式形成之第 3層、及形成於前述第2層外露之部份的第4層。 依據本發明，因爲配線之側壁被第3層覆蓋，以蝕刻 實施第3層之圖案化的步驟中，該蝕刻劑不會侵蝕第1層 冬 (7) (7)200408866 。因此，可製造高信頼性之配線構造。 此時，前述反射電極及前述第3層係由相同材料所構 成，且前述透明電極及前述第4層係由相同材料所構成。 此時，可簡化製造步驟。 其次，本發明之光電裝置係在密封層之內側封入光電 物質之光電裝置，其特徵爲，配置著以矩陣狀配列於前述 密封層之內側的複數半導體元件、以及對應於前述各半導 體元件而以由反射導電性材料所構成之反射電極及透明導 電性材料所構成之透明電極來形成之圖素，且配置著互相 連結之形成於前述密封層之外側的連結端子、以及具有第 1層及積層於前述第1層之上之第2層的配線，前述連結 端子具有以至少覆蓋前述第1層及前述第2層之側壁且前 述連結端子之一部份會露出前述第2層之方式形成的第3 層、以及形成於前述第2層外露之部份的前述第4層。依 據本發明，因爲配線之側壁會被第3層所覆蓋，以蝕刻實 施第3層之圖案化的步驟中，該蝕刻劑不會侵鈾第1層。 因此，可提供高信頼性之光電裝置。 此時，本發明之光電裝置之前述密封層內側，具有在 前述半導體元件之上會形成凹凸形狀之有機絕緣膜，前述 反射電極因係形成於前述有機絕緣膜之上而具有凹凸形狀 ，前述透明電極係以覆蓋前述反射電極之方式形成，前述 反射電極及前述第3層係以相同之反射導電性材料所構成 ，前述透明電極及前述第4層係以相同之透明導電性材料 所構成。此時，可簡化製造步驟。 -10- (8) (8)200408866 又，前述配線之構成上，係前述第1層之下具有下層 之3層構造，前述下層含有鈦，前述第1層含有鋁，前述 第2層含有氮化鈦’前述反射電極及前述第3層含有鋁， 前述透明電極及前述第4層則含有氧化銦錫。 其次，本發明之電子機器之特徵係具有上述之光電裝 置，例如，具有半透射反射型之光電裝置當做顯示部之行 動電話及呼叫器之顯示部、液晶電視、個人電腦、移動式 或移動式終端機之監視器部、以及照相機之尋檢器部等。 本發明所具有之作用及其他優點可由以下說明之實施 形態獲得理解。 【實施方式】 以下，參照圖面針對本發明之實施形態進行說明。以 下之實施形態係將本發明之光電裝置應用於半透射反射型 之液晶裝置上。此時，光電裝置之實例係具有背光源之驅 動電路內建型TFT主動矩陣驅動方式之半透射反射型液 晶裝置。 < 1 ·液晶裝置之整體構成> 首先，參照第1圖及第2圖針對光電裝置之整體構成 進行說明。第1圖係從相對基板側觀看TFT陣列基板、 及形成於其上之各構成要素的平面圖，第2圖係第1圖之 Η— H’剖面圖。 第1圖及第2圖中，本實施形態之光電裝置係以相對 -11 - (9) (9)200408866 方式配置著T F T陣列基板1 0及相對基板2 0。T F T陣列基 板1 0及相對基板2 0之間會封入液晶層5 0，T F Τ陣列基 板1 〇及相對基板20係利用位於影像顯示區域1 0a之周圍 的密封部5 2互相黏結。 密封部5 2之材料係由用以貼合兩基板之例如紫外線 硬化樹脂或熱硬化樹脂等所構成，在製造過程中將其塗布 於TFT陣列基板1 〇上後再利用紫外線照射或加熱等實施 硬化。 密封部5 2中，散布著用以規制基板間之間隙的玻璃 纖維或玻璃珠等之間隙材料。或者，較大型之液晶裝置時 ’亦可在液晶層5 0中再追加散布玻璃纖維或玻璃珠等之 間隙材料，亦可用以取代前述間隙材料。又，影像顯示區 域1 0a之全部區域上之圖素間隙亦可設置多數之貝柱部當 做間隙材料。 以和配置著密封部5 2之密封層區域之內側互相平行 的方式，在相對基板20側設置規制影像顯示區域1 〇a之 框緣區域的遮光性框緣遮光膜5 3。但，此種框緣遮光膜 之一部份或全部亦可以內建遮光膜之形式設置於TFT陣 列基板1 0側。 影像顯示區域周圍之較廣區域當中位於密封部52之 外側的周圍區域上，會沿著TFT陣列基板1 〇之一邊配設 著資料線驅動電路101及外部電路連結端子102，而掃描 線驅動電路1 04則沿著和該邊相鄰之2邊配設。其次， TFT陣列基板丨〇之剩餘一邊上，則配設著用以連結配設 2- (10) 200408866 於影像顯示區域1 0 a兩側之掃描線驅動電路1 ο 4 線10 5。又，如第1圖所示，相對基板2 0之4 ’配置著具有兩基板間之上下導通端子的機能之 材料1〇6。另一方面，TFT陣列基板上和這 對之區域上’配置上下導通端子。利用這些端子 陣列基板1 0及相對基板20間形成電性導通。 第2圖中，TFT陣列基板1〇具有當做該基 由石英板或玻璃板等所構成之透明的第2透明基 第2透明基板202之上，會形成圖素開關切換用 掃描線、及資料線等之配線、以及圖素電極9a 再在其最上層部份形成定向膜。另一方面，相f 上具有當做該基板主體之由石英板或玻璃板等所 明的第1透明基板201。第1透明基板201上， 對電極22及格子狀之遮光膜23，其次，再在其 份形成定向膜。又，液晶層5 0係由例如一種或 列液晶混合而成之液晶所構成，此成對之定向膜 特定之定向狀態。 相對基板20之構成上，在和第1透明基板 晶層5 0的相反側上，會具有偏光板207及相位 〇 TFT陣列基板10之構成上，在和第2透明 之液晶層50的相反側上，會具有偏光板217及 2 1 8。此外，其構成上，偏光板2 1 7之外側會具 來自螢光管220之光從偏光板217導引至液晶面 的複數配 個角部上 上下導通 些角部相 可使 TFT 板主體之 板 202。 之 TFT、 ，其次， ί基板20 構成之透 會形成相 最上層部 數種之向 間係處於 201之液 差板208 基板202 相位差板 有用以將 板內之導 (11) (11)200408866 光板2 1 9。導光板2 1 9係在背面整體形成散射用之粗面、 或形成散射用印刷層之丙烯酸樹脂板等透明體，並以端面 承受光源之光，亦即以端面承受來自螢光管22 0之光，而 從圖之上面射出大致均一之光。又，第1圖中爲了方便說 明，省略從外部附加於此種TFT陣列基板1 0之螢光管 220的圖示。 又，第1圖及第2圖所示之TFT陣列基板10上，除 了上述資料線驅動電路1 0 1及掃描線驅動電路1 04等以外 ，尙可形成實施圖像信號線上之圖像信號的抽樣並供應給 資料線之抽樣電路、在圖像信號之前先分別對複數資料線 供應特定電壓電平之預充電信號的預充電電路、以及用以 在製造途中或出貨時檢查該光電裝置之品質及缺陷等之檢 査電路等。其次，本實施形態時，例如，亦可經由設置於 TFT陣列基板1 〇周圍部之異向性導電膜電性或機械式的 連結於 TAB ( Tape Automated bonding)基板上安裝之驅 動用LSI，用以取代在TFT陣列基板10上配設資料線驅 動電路1 〇 1及掃描線驅動電路1 04。 其次，參照第3圖，針對第1圖及第2圖所示之光電 裝置的圖素部電性構成進行詳細說明。此時，第3圖係構 成於TFT陣列基板上之配線及電子元件等之等效電路圖 〇 第3圖中，構成本實施形態之光電裝置的影像顯示區 域之矩陣狀複數圖素上，會形成圖素電極9a、及用以執 行該圖素電極9a之開關切換控制的TFT30，供應圖像信 -14 - (12) 200408866 號之資料線6a係電性連結於該TFT30之源極。寫入至資 料線6a之圖像信號S 1、S2........ Sn可以前述順序依線 序供應，亦可對相鄰複數資料線6 a以各群組方式供應。 又，TFT3 0之閘極電性連結著掃描線3a，其構成上，可 以特定時序將脈衝式掃描號Gl、G2、......、Gm以前 述順序依線序施加於掃描線3a。

圖素電極9a係電性連結於TFT30之汲極，利用只在 特定期間斷開開關切換元件之TFT3 0，而可以將資料線 6a供應之圖像信號SI、S2........ Sn以特定時序寫入。 經由圖素電極9 a寫入至光電物質實例之液晶的特定電平 之圖像信號SI、S2........ Sn，會在形成於相對基板20

之相對電極22 (參照第2圖）間保存一定期間。液晶會 因爲施加之電壓電平而改變分子集合之定向及秩序，而可 實施光之變調並執行灰階標度顯示。若爲正常白色模式， 會對應以各圖素爲單位施加之電壓而降低射入光之透射率 ，若爲正常黑色模式，則會對應以各圖素爲單位施加之電 壓而增加射入光之透射率，以整體而言，光電裝置會射出 具有對應圖像信號之對比的光。此時，爲了防止保存之圖 像信號外漏，會以和形成於圖素電極9a及相對電極22間 之液晶電容倂聯的方式附加儲存電容70。儲存電容70之 構成上，可由例如由電容線3 00之一部份所構成之固定電 位側電容電極、及連結於TFT30之汲極側及圖素電極9a 之圖素電位側電容電極所構成。 -15- (13) (13)200408866 < 2 .液晶裝置之詳細構成> 其次，第4圖係液晶裝置之部份剖面圖。又，因爲各 層及各構件係圖面上可辨識程度之大小，故各層及各構件 之比例尺並非完全相同。如該圖所示，液晶裝置之構成上 ，係在TFT陣列基板10及相對基板20間充塡液晶層50 〇 首先，相對基板20之第1透明基板201上具有遮光 膜23、濾色鏡5 00、定向膜21、以及相對電極22。濾色 鏡5 00係對應各圖素之矩陣狀，分成紅（R)、綠（G) 、及藍（B )。濾色鏡5 00係利用顔料分散法等之光刻法 來製造。濾色鏡5 00之配列除了條狀配列以外，尙可以爲 差量配列、鑲嵌配列、及三角配列等。 遮光膜23係規制濾色鏡5 00之各色材料部份的間隙 之格子狀，形成於第1透明基板201上。遮光膜23係由 例如Cr (鉻）、Ni (鎳）等之金屬所形成。形成於TFT 陣列基板1 〇側之配線部及元件部，大致被遮光膜23掩蓋 。遮光膜23除了可防止濾色鏡500之各色材料部份之間 隙的光漏以外，尙具有防丄濾色鏡5 00之混色的機能、及 防止射入光導致之光電裝置溫度上昇的機能。 相對電極22係利用ITO膜等之透明電極膜形成於濾 色鏡5 00上之全面。定向膜21會形作於相對電極22上之 全面。定向膜2 1之形成上’例如，在塗布聚醯亞胺樹脂 後，實施烘焙及硏磨處理。 其次，TFT陣列基板1 〇之密封部52的內側，第2透 (14) (14)200408866 明基板202上具有圖素開關切換用之TFT30、資料線6a 、反射膜44、以及透明導電膜45，另一方面，資料線6a 會延伸至密封部5 2之外側，其端部則會形成連結端子9 0 〇 第2透明基板202上之全面配置著基底絕緣膜12。 基底絕緣膜12具有防止硏磨第2透明基板202之表面時 發生粗糙、及防止洗淨後因殘留污物等導致圖素開關切換 用TFT3 0之特性變化的機能。 圖素開關切換用 TFT30具有LDD ( Lightly Doped Drain)構造。TFT30具有閘極405、利用來自該閘極405 之電場形成通道之半導體層la的通道區域la’、含有使閘 極4 05及半導體層la形成絕緣之閘極絕緣膜的絕緣膜2 、半導體層1 a之低濃度源極區域1 b及低濃度汲極區域 lc、半導體層la之高濃度源極區域Id及高濃度汲極區域 1 e 〇 TFT30之上，會實施第1層間絕緣膜41、鈍化膜42 、以及有機絕緣膜43之積層。第1層間絕緣膜41上會形 成接觸窗83及81，鈍化膜42及有機絕緣膜43則會形成 接觸窗85。鈍化膜42除了具有避免TFT30遭受鹼汚染及 水分之破壞的保護膜機能以外，尙具有提昇有機絕緣膜 43之貼合力的機能。又，有機絕緣膜43之材料係透明且 具有良好絕緣特性之有機物質，例如，丙烯酸等。 透射型光電裝置時，前述有機絕緣膜43之表面可以 爲平坦’然而，反射型或半透射反射型光電裝置時，則爲 (15) (15)200408866 了避免鏡面反射而會使前述有機絕緣膜43之表面形成凹 凸。第4圖係後者之圖示，然而，本發明亦可應用於前者 〇 半導體層1 a之汲極區域1 e係經由接觸窗83、中繼 層7 1、以及接觸窗8 5電性連結於透明導電膜4 5。透明導 電膜45係由ITO所構成。又，透明導電膜45之下會形成 反射膜44。反射膜44係由例如鋁所構成。 透明導電膜45及反射膜44構成上述圖素電極9a ( 參照第2圖）。又，圖素電極9a之上側，配設著經過硏 磨處理等特定定向處理之定向膜（圖上省略），例如，係 由聚醯亞胺膜等之有機膜所構成。 圖素電極9a之只有透明導電膜45延伸存在部份爲使 背光源之光透射之透射區域A1，圖素電極9a之反射膜44 及透明導電膜45延伸存在部份爲反射外光之反射區域A2 。又，圖素電極9a下之有機絕緣膜43形成凹凸，而使反 射膜44之表面形成多數微小且略呈半球狀之凹部亦可。 利用此方式，可避免鏡面反射，而可實施使光散射之反射 顯示。 半導體層1 a之高濃度源極區域1 d係經由接觸窗8 1 連結於資料線6a。資料線6a具有由複數層所構成之多層 構造。實例中之資料線6a具有第5圖所示之下層61、中 央層62、.以及上層63。例如，下層61由鈦所構成.，中央 層62由鋁所構成，上層63則由氮化鈦所構成。又，資料 線6a亦可以爲如第6圖所示之2層構造。此時，下層64 •18- (16) 200408866 由鋁所構成，而上層65則由氮化鈦所構成。 其次，TFT陣列基板1 〇之密封部5 2的外側，| 連結端子9 0。連結端子9 0之構成上，係在資料線 實施反射膜44及透明導電膜45之圖案化。第7圖$ 端子9 0之外觀斜視圖。如該圖所示，連結端子9 〇 ^ 密封部5 2之外側的資料線6a之端部。 第8圖係第7圖所示連結端子90及該周圍構g J - J’之平面的剖面圖，第9圖係第7圖所示連結端 之含K 一 K’之平面的剖面圖。 如上述圖所示，因密封部5 2之外側並沒有有種 膜43，連結端子90及密封部52之外側配線不會窄 有機絕緣膜43之膨潤作用而導致連結端子90及配箱 頼性惡化的問題。 又，因爲未以鈍化膜42覆蓋密封部5 2外側之酉 連結端子90，可以利用和有機絕緣膜43相同之遮| 施鈍化膜42之圖案化。 又，因爲資料線6 a之側壁及上面的一部份會泡 膜44覆蓋，可解決實施反射膜44之圖案化時中央 被蝕刻劑侵蝕的問題。 此外，連結端子90之反射膜44上會形成接觸 ，透明導電膜45會經由接觸窗44a連結於資料線6 層6 3。其理由如下所示。 亦即，由ITO所構成之透明導電膜45之形成_ 後面所述，係在形成反射膜44後，在含氧環境中： '形成 6 a上 丨連結 丨形成 :之含 子90 :絕緣 ‘因爲 [之信 丨線及 ί來實 [反射 層62 | 44a .之上 :則如 〔施濺 9- (17) 200408866 鍍等來形成。因此，以鋁爲材料之反射膜44及 膜4 5之界面會形成氧化膜。該氧化膜之單位面 會高於由氮化鈦所構成之上層63之單位面積電 此，連結端子9 0上，若資料線6 a整體被反射膜 ，則導電率會降低而無法確保良好導通。 另一方面，構成資料線6a之上層63係採用 爲材料，故比鋁更不易氧化，在利用濺鍍等形成: 膜45之步驟中亦不會形成氧化膜。 此時，反射膜44上會形成接觸窗44a，透 45及資料線6a之上層63會經由接觸窗44a直 利用此方式，可降低連結端子9 0之電阻値而確< 通。 < 3 .液晶裝置之製造方法> 其次，說明液晶裝置之製造方法。第1 0圖及 係TFT陣列基板10之製造步驟圖。 第1步驟Sal中，會在第2透明基板202上禾I 處理依序形成1 2、1 a、2、及第1層間膜4 1等。 第2步驟S a2中，會利用反應性蝕刻及反應伯 束蝕刻等之乾蝕刻、或濕蝕刻形成接觸窗8 1及8 3 第3步驟S a3中，會形成中繼層71及資料線 體而言，係利用濺鍍處理等實施鈦、鋁、氮化鈦5 並以光刻步驟及鈾刻步驟等形成中繼層7 1及資料 此時，位於密封部52外部之連結端子90上亦會 ;明導電 ί電阻値 :値。因 44覆蓋 ,化鈦做 ;明導電 丨導電膜 ^連結。 :良好導 第1 1圖 j用平面 :離子光 〇 6 a °具 .積層， 線6a 〇 1時形成 -20- (18) (18)200408866 資料線6a。 第4步驟Sa4中，在中繼層71及資料線6a上，會以 例如常壓或減壓CVD法、及利用TEOS氣體等形成由 NSG、PSG、BSG、BPSG等矽玻璃膜、氮化矽膜、及氧化 矽膜等所構成之鈍化膜42。 其次，鈍化膜42上以旋轉塗布或印刷等塗布光硬化 型感光性丙烯酸樹脂等、或丙烯酸系及環氧系等之有機絕 緣膜43，並實施硬化。又，有機絕緣膜43上形成凹凸時 ，只要利用遮罩使凸部曝光並硬化，而凹部則未曝光且未 硬化，再實施後烘焙使樹脂硬化即可。 其次，第5步驟Sa5中，有機絕緣膜43上會以濺鍍 及蒸鍍等實施鋁之堆積，並利用光刻步驟或蝕刻步驟等形 成反射膜44。此時，位於密封部52外部之連結端子90 上，從資料線6 a之側壁至上面會實施反射膜4 4之圖案化 。因此’利用蝕刻劑除去不需要鋁之部份時，連結於連結 端子9 0及資料線6 a之延伸至密封部5 2外部的配線上， 構成中央層6 2之鋁會被熔解，而解決發生側面切削之問 第6步驟S a6中，利用反應性蝕刻及反應性離子光束 蝕刻等乾飩刻、或濕蝕刻來形成接觸窗8 5。 第7步驟Sa7中，利用濺鍍等在氧環境中實施IT0之 整面堆積，再利用光刻步驟及鈾刻步驟等形成透明導電膜 4 5。此時，位於密封部5 2外部之連結端子9 0上，連結著 資料線6 a之上層6 3及透明導電膜4 5。因此，即使因爲 -21 - (19) 200408866 濺鍍而在反射膜4 4及透明導電膜4 5之界面形成氧化膜 亦可將連結端子9 0之電阻値抑制於較低之値。如上所 ，可製造TFT陣列基板20。 其次，針對相對基板20之製造方法、以及由TFT 列基板1 〇及相對基板20所構成之液晶裝置的製造方法 行說明。 相對基板20方面，會準備玻璃基板等光透射性基 做爲第1透明基板201，第1透明基板201上會形成當 黑矩陣使用之遮光膜23。遮光膜23之形成，例如實施 、Ni、鋁等之金屬材料的濺鍍後，再利用光刻步驟及蝕 步驟來形成。又，遮光膜23之形成上，除了上述金屬 料以外，亦可利用將碳及鈦等分散於光阻劑之樹脂黑等 料來形成。 其後，形成濾色鏡5 00，在其上利用濺鍍法等堆積 50〜200nm厚度之ITO等透明導電性薄膜，形成相對電 22。其次，在相對電極22表面之全面塗布聚醯亞胺等 定向膜塗布液後，以具有特定前傾角之方式在特定方向 施硏磨處理等來形成定向膜21。如上所示，可製造相 基板20。 最後’將如上面所述方法製造之T F τ陣列基板j 〇 相對基板2 0，在使圖素電極9 a及相對電極2 2相對之 形下利用密封層材料進行貼合，並利用真空吸引法等方 吸引兩基板間之空間內例如由複數種向列液晶混合而成 液晶’使其形成具有特定厚度之液晶層5 〇，製成具有 示 陣 進 板 做 Cr 刻 材 材 約 極 之 實 對 及 情 法 之 上 •22- (20) (20)200408866 述構造之液晶裝置。 < 4.液晶裝置之變形例> 上述之實施形態中’沒有有機絕緣膜43之密封部52 外側的資料線6a配線上，係覆蓋著反射膜44及透明導電 膜45，然而，亦可在密封部52內側之資料線6a上實施 上述之覆蓋。 如第12圖所示，只有對應圖素電極9a之部份存在有 機絕緣膜4 3時，若未保護資料線6 a之側壁，則在形成反 射膜44時’會有中央層62被蝕刻劑侵蝕之問題。此時， 亦應在密封部5 2內側之資料線6 a上實施上述之覆蓋。 < 5.電子機器> 其次，參照第1 3圖至第1 5圖，針對將上述各實施形 態之半透射反射型光電裝置應用於電子機器之實例進行說 明。 首先，針對將上述之光電裝置應用於移動式電腦之顯 示部的實例進行說明。第1 3圖係其構成之斜視圖。第13 圖中，電腦1200具有具鍵盤1 202之主體部1 204、及當 做顯示部之顯示裝置1 005。 其次，針對將上述之光電裝置應用於行動電話之顯示 部的實例進行說明。第1 4圖係其構成之斜視圖。第1 4圖 中，行動電話1250除了具有複數操作按鈕1252以外，尙 具有受話口、送話口、以及當做顯示裝置1〇〇5之上述光 -23- (21) (21)200408866 電裝置。 其次，針對將上述之光電裝置應用於尋檢器之數位靜 態照相機進行說明。第1 5圖係從其背面觀看其構成之斜 視圖。數位靜態照相機1 3 0 0之外殼1 3 02的背面配置著當 做顯示裝置1 005之上述光電裝置，會依據配設於外殼 13 02前面之CCD 1 3 04的攝影信號來實施顯示。亦即，顯 示裝置1 0 0 5具有顯示被攝體之尋檢器的機能。 又，電子機器除了上述以外，尙有液晶電視、探視器 型、監視直視型之錄放機、汽車導航系統、呼叫器、電子 筆記本、電子記算機、交字處理器、工作站、視訊電話、 POS終端機、以及具有觸摸面板之機器等。。 本發明並未受到上述實施形態之限制，只要在未違反 專利申請範圍及說明書之發明要旨或思想的範圍內，可實 施適度變更，而經過變更之光電裝置及該製造方法、以及 電子機器亦包含於本發明之技術範圍內。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明實施形態之光電裝置的平面圖。 第2圖係第1圖之Η — H’剖面圖。 第3圖係構成於TFT陣列基板1 0上之配線及電子元 件等之等效電路圖。 第4圖係光電裝置之部份剖面圖。 第5圖係資料線6a之剖面圖。 第6圖係資料線6a之其他構成例的剖面圖。 -24- (22) (22)200408866 第7圖係連結端子附近之外觀斜視圖。 第8圖係含第7圖所示之j-j，平面的光電裝置之剖面 圖。 第9圖係含第7圖所示之K-K，平面的光電裝置之剖 面圖。 第1 0圖係T F T陣列基板1 〇之製造步驟圖。 第1 1圖係TFT陣列基板1 〇之製造步驟圖。 第1 2圖係變形例之資料線6 a及有機絕緣膜4 3的模 式槪念圖。 第1 3圖係應用實施形態之光電裝置的電子機器實例 之移動式電腦的斜視圖。 第1 4圖係應用實施形態之光電裝置的電子機器其他 實例之行動電話的斜視圖。 第1 5圖係應用實施形態之光電裝置的電子機器其他 實例之數位靜態照相機的構成斜視圖。 第1 6圖係傳統配線構造之剖面圖。 第1 7圖係傳統配線構造之其他實例的剖面圖。 第1 8圖係傳統配線構造之其他實例的剖面圖。 [元件符號之說明] 6a 資料線 9 a 圖素電極 10 TFT陣列基板 20 相對基板 -25- 200408866 (23) 44 反 射 膜 45 透 明 導 電膜 50 液 晶 層 90 連 結 端 子

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Claims (1)

1. (1) (1)200408866 拾、申請專利範圍 1 · 一種配線構造的製造方法，其特徵爲具有： 形成具有第丨層、及積層於前述第1層之上的第2層 之配線的步驟； 以至少覆蓋前述配線之側壁且使前述第2層之上面的 一部份露出之方式，從前述配線之上利用蝕刻實施第3層 之圖案化的步驟；以及 至少在前述第2層外露之部份形成第4層之步驟；且 則述第2層對前述第3層之飽刻上所使用之触刻劑具 有耐蝕性，且前述第1層對前述蝕刻劑具有侵蝕性。 2 .如申請專利範圍第1項之配線構造的製造方法， 其中 前述第1層及前述第3層係由相同之材料所構成。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之配線構造的製造方 法，其中 形成前述第4層之步驟的一部份係在含氧環境下實施 ’前述第3層及前述第4層之界面上會形成單位面積電阻 値高於前述第2層之單位面積電阻値的氧化膜， 前述第2層之材料採用比前述第3層材料更不易氧化 之導電材料。 4 ·如申請專利範圍第1至3項之其中任一項之配線 構造的製造方法，其中 前述配線係在前述第1層之下具有下層之3層構造， 形成前述配線之步驟會依前述下層、前述第1層、以 -27- (2) (2)200408866 及前述第2層之順序實施圖案化。 5 ·如申請專利範圍第1至4項之其中任一項之配線 構造的製造方法，其中 前述第1層含有鋁，前述第2層含有氮化鈦，前述第 4層含有氧化銦錫。 6. 一種光電裝置之製造方法，係在密封層之內側封 入光電物質來構成光電裝置，其特徵爲具有： 在基板上形成具有複數電極之矩陣狀半導體元件之步 驟； 形成連結於在前述密封層外側上形成之連結端子且具 有第1層、及積層於前述第1層之上之第2層的配線之步 驟； 在前述密封層之內側從前述各半導體元件之上形成絕 緣層之步驟； 使用第1材料在前述絕緣層之上形成對應前述各半導 體元件之複數反射電極’且以至少覆蓋前述配線之側壁且 前述第2層會從前述連結端子之一部份露出之方式，從前 述配線之上形成第3層之步驟；以及 使用第2材料，以覆蓋前述反射電極之方式形成透明 電極，同時，從位於前述密封層之外側的前述配線當中之 至少前述第2層外露之部份上形成第4層之步驟。 7. 如申請專利範圍第6項之光電裝置的製造方法， 其中 前述第1層係由前述第1材料所構成。 -28- (3) (3)200408866 8 ·如申請專利範圍第6或7項之光電裝置的製造方 法，其中 形成前述透明電•極及前述第4層之步驟的一部份，係 在含氧環境中實施，前述第3層及前述第4層之界面上會 形成位面積電阻値高於前述第2層之單位面積電阻値的氧 化膜， 前述第2層之材料採用比前述第3層材料更不易氧化 之導電材料。 9 ·如申請專利範圍第6至8項之其中任一項之光電 裝置的製造方法，其中 前述配線係在前述第1層之下具有下層之3層構造， 形成前述配線之步驟會依前述下層、前述第1層、以 及前述第2層之順序實施圖案化。 1 0·如申請專利範圍第6至9項之其中任一項之光電 裝置的製造方法，其中 前述第1層含有鋁，前述第2層含有氮化鈦，前述第 1材料含有鋁，前述第2材料含有氧化銦錫。 1 1 · 一種光電裝置，係在密封層之內側封入光電物質 ’且前述密封層之外側配置著連結端子，其特徵爲： 前述連結端子具有： 第1層； 積層於前述第1層之上的第2層； 以至少覆蓋前述第1層及前述第2層之側壁且前述連 結端子之一部份會露出前述第2層之方式形成的第3層； -2S- (4) (4)200408866 以及 形成於前述第2層外露之部份的第4層。 12·如申請專利範圍第1 1項之光電裝置，其中 前述光電裝置具有圖素，前述圖素係以由反射導電性 材料所構成之反射電極、及由透明導電性材料所構成之透 明電極來形成。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之光電裝置，其中 前述反射電極及前述第3層係由同一反射導電性材料 所構成，且前述透明電極及前述第4層係由同一透明導電 性材料所構成。 1 4 · 一種光電裝置，密封層之內側會封入光電物質， 且前述密封層之外側配置著連結端子、及連結於該連結端 子之配線，其特徵爲： 前述配線具有： 第1層； 積層於前第1層之上的第2層；以及 以至少覆蓋前述第1層及前述第2層之側壁之方式形 成的第3層。 1 5 · —種光電裝置，係在密封層之內側封入光電物質 ，其特徵爲： 配置著以矩陣狀配列於前述密封層之內側的複數半導 體元件、以及對應於前述各半導體元件而以由反射導電性 材料所構成之反射電極及由透明導電性材料所構成之透明 電極來形成之圖素， -30· (5) (5)200408866 且配置著互相連結之形成於前述密封層之外側的胃'結 端子、以及 具有第1層及積層於前述第1層之上之第2層的配線 前述連結端子具有··以至少覆蓋前述第1層及前述第 2層之側壁且前述連結端子之一部份會露出前述第2層之 方式形成的第3層；及形成於前述第2層外露之部份的前 述第4層。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之光電裝置，其中 前述密封層之內側， 具有在前述半導體元件之上會形成凹凸形狀之有機絕 緣膜， 前述反射電極因係形成於前述有機絕緣膜之上而具有 凹凸形狀， 前述透明電極係以覆蓋前述反射電極之方式形成， 前述反射電極及前述第3層係以相同之反射導電性材 料所構成， 前述透明電極及前述第4層係以相同之透明導電性材 料所構成。 17.如申請專利範圍第1 6項之光電裝置，其中 前述配線係由在前述第1層之下具有下層之3層構造 所構成，前朮下層含有鈦，前述第1層含有鋁，前述第2 層含有氮化鈦，前述反射電極及前述第3層含有鋁，前述 透明電極及前述第4層含有氧化銦錫。 -31 - 200408866 (6) 18. —種電子機器，其特徵爲具有： 如申請專利範圍第1 6或1 7項之前述光電裝置