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TW200407201A - Substrate treatment apparatus and substrate washing method - Google Patents

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TW200407201A
TW200407201A TW092115235A TW92115235A TW200407201A TW 200407201 A TW200407201 A TW 200407201A TW 092115235 A TW092115235 A TW 092115235A TW 92115235 A TW92115235 A TW 92115235A TW 200407201 A TW200407201 A TW 200407201A
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TW
Taiwan
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aforementioned
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TW092115235A
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TWI228058B (en
Inventor
Mitsuaki Yoshitani
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg
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Publication date
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Publication of TW200407201A publication Critical patent/TW200407201A/zh
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Publication of TWI228058B publication Critical patent/TWI228058B/zh

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Description

200407201 玖、發明說明: [發明所屬之技術領域] 本發明係關於一處理裝置,其係為了以濕式處理半導體 晶圓、液晶顯示與電漿顯示等之平面顯示器製造用之玻璃 基板、印刷基板等板狀基板。 [先前技術] 以濕式將半導體晶圓與平面顯示器製造用之玻璃基板、 印刷基板等板狀基板進行洗淨處理之處理裝置,為了提升 基板清潔度’例如:如特開平8-294679號公報所揭示,針對 基板提出由噴嘴排出高壓化流體之技術。 [發明所欲解決之問題] 然而’排出而壓化流體至基板之際,飛散之煙霧擴散至 處理槽全體,會產生再度附著於處理基板、基板受到污染 之問題。 像這樣的^形,於處理槽内基板以窄化出入之開口部之 $子覆蓋該喷嘴與基板之被洗淨部位,一般認為可防止煙 霧飛散至盒子外部’然而此一方法會有如以下之問題。 洗淨、除i 、由於在盒子内部洗淨液容易滯留於基板上 之塵埃容易再度附著於基板。 過度升高壓力則煙霧從開口部漏出。 假設極端窄化其4 ^ ^ 基板開口時,大型基板與薄板基板會因 曲舁輻运中之振動發生接觸。 另外,針搿如上述開 幕狀排出液體之噴嘴, 口部之煙霧漏出,於開口部設置帷 亦即也可視為以液體帷幕可遮蔽開
85636.DOC 200407201 口邵’此一方法也會有如以下之問題。 盒子内部由於煙霧滯留,容易發生再度附著。 過度升高壓力則煙霧從開口部漏出。 本發明之目的係有鑑於上述問題,提供煙霧與塵埃不再 附著於基板之基板處理裝置。 [發明内容] 為解決上述問題,申請專利範圍第1項之發明之基板處理 裝置之特徵在於包含:第1收容容器部,其係包含於相對向 之側面包含第1開口部與第2開口部之至少一個之第1收容 容器者;第2收容容器,其係收容前述第1收容容器部,於 相對向側面包含第3開口邵與第4開口部者;輸送手段,其 係將基板從前述第3開口部送入前述第2收容容器,於前述 第1收I表益部依次從前述第1收容容器之前述第1開口部 送入前述基板而從前述第2開口部送出,通過前述第1收容 容器邵後從前述第4開口部將前述基板送出至前述第2收容 容咨外者;第1噴出手段,其係配置於前述第1收容容器部 之内部,並可向被輸送之前述基板噴出處理流體者;第1排 氣手段,其係將前述第1收容容器部之内部排氣者;及 第2排氣手段,其係將前述第2收容容器部之内部排氣者。 另外’申請專利範圍第2項之發明係如申請專利範圍第工 項之基板處理裝置,其中利用前述第2排氣手段之排氣速度 較利用前述第1排氣手段之排氣速度為大者。 另外’申請專利範圍第3項之發明係如申請專利範圍第^ 或2項之基板處理裝置’其中利用存在於前述第1收容容器
85636.DOC 200407201 部之前述基板之接收端,且作為前述第1開口部之開口部定 義第1最邊端開口部,利用存在於前述第1收容容器部之前 述基板之送出端,且作為前述第2開口部之開口部定義第2 最邊端開口部時,進一步包含:多數之第2噴出手段,其係 在前述第1收容容器部之外部,被配置於各前述第1及前述 第2最邊端開口部之附近,向前述第1最邊端開口部與前述 基板之第1間隙及前述第2最邊端開口部-與前述基板之第2 間隙,喷出第1液體者。 另外5申請專利範圍第4項之發明係如申請專利範圍第3 項之基板處理裝置,其中前述第1及前述第2最邊端開口部 各包含與通過前述第1及前述第2最邊端開口部之前述基板 約略平行而相對向之面者。 另外,申請專利範圍第5項之發明係如申請專利範圍第i 或2項之基板處理裝置’其中進一步包含:第3喷出手段, 其係在別述弟2收各谷益之内部,被配置於前述第$與第4開 口部中至少一個之附近,用於排出第2液體,而以關閉該第 3與第4開口部中至少一個之方式形成液體流者。 另外,申請專利範圍第6項之發明係如申請專利範圍第1 或2項之基板處理裝置,包含上部噴出手段與下部喑出手段 ’以作為前述第!噴出手段;前述上部及下部嘴出手段係二 置於被輸送至前述第1收容容器部之前诚就 1 < W迷基板之各自不同 面側者。 另外,申請專利範圍第7項之發明係如 甲凊專利範圍ί 項之基板處理裝置’其中前述上部及下部嘴出手段之至
85636.DOC 200407201 一個係將氣體與第3液 出者。 體之混合物當作前述處 理流體而噴 另外’申清專利範、 容器,…」 發明其特徵在於包含: 容容器,其係於相姐a、 “穴竹做隹於at ·王收 者·於…丰、;、U <側面包含第1開口部與第2開口部 者’輪送手#又,其得將其4 、, 〜η 將基板μ述第1開口部送人前述主收 谷备态,而由前述第2開口部 配置於前述主收容容哭…者…貧出手段,其係 # 麟 # ^向被輸运之前述基板噴出 一,弟1排氣手段,其係將前述主收容容器之内部 排氣者’·及複數之第2噴出手段,其係配置於前述主收容容 Κ外邵且前述第丨及前述第2開口部之各自附近,可向由 前述第i及前述第2開口部與被輸送之前述基板所形成之間 隙,噴出第1液體者。 另外’中請專利範圍第9項之發明係、如中請專利範圍第δ 項之基板處理裝置,其中前述第β前述第2開口部係分別 包含與通過前述第1及前述第2開口部之前述基板約略平行 之面者。 另外,申請專利範圍第10項之發明係如申請專利範圍第8 或9項之基板處理裝置,其中包含上部噴出手段與下部噴出 手段,以作為前述第1噴出手段;前述上部及下部喷出手段 係配置於被輸送至前述主收容容器之前述基板之各自不、@ 面側者。 另外,申請專利範圍第11項之發明係如申請專利範圍第i 〇 項之基板處理裝置,其中前述上部及下部噴出手段之至少 一個係將氣體與第2液體之混合物當作前述處理流體而喷
85636.DOC 200407201 出者。 另外,申請專利範圍第12項之發明係如申請專利範圍第8 或9項之基板處理裝置,其特徵在於進—步包含:副收容部 ,其係共有包含前述第1與第2開口部者;第2排氣手段,其 係將前述副收容部之内部進行排氣者;前述第2噴出手段係 配置於前述副收容部内,前述副收容部係在相對之側面包 過之第3開口部及第4開口部,前述輸送 手段係將前述基板由前述副收容部外經前述第3開口部,送 入前述主收容器後,由前述主收容器經前述第4開口部,送 出至前述副收容部外。 另外,申請專利範圍第13項之發明係如申請專利範圍第 1、2、8、9項中任一項之基板處理裝置,其中前述輸送手 段係向傾斜於前述基板之水平方向之方向,輸送前述基板 者。 另外,申請專利範圍第14項之發明之基板洗淨方法,其 特徵在於:收容在相對向之側面包含第丨開口部與第2開口 部之至少一個之第1收容容器之第丨收容容器部,在相對向 之側面包含第3開口部與第4開口部之第2收容容器之内部 洗淨基板者;且將前述基板由前述第3開口部送入前述第2 收容容器,在前述第1收容容器,逐次由前述第1收容容器 之前述第1開口部送入前述基板,由前述第2開口部送出, 通過前述第1收容容器部後,由前述第4開口部將前述基板 送出至前述第2收容容器外;在前述第1收容容器部之内部 ,向被輸送之前述基板噴出處理流體,並一面將前述第丨收 85636.DOC -10- 200407201 容容器部之内部排氣 氣者。 —面將前述第2收容容器部之内部排 、卜申μ專利範圍第i 5項之發明係如申請專利範圍第 基板/先淨方法,其中利用存在於前述第1收容容器部 之前述基板之接收被,π、上 严 且作為則述第1開口部之開口部定義 第1最邊端開口部,牙丨1 六士、人乂 、 利用存在於珂述第1收容容器部之前述 基板之出細;5曰4令Ί -ST ^ Ο 0E1 下為則述罘2開口部之開口部定義第2最 邊端開口部時,進一步白八奋 、,、 、乂包g ·貧出工序,其係向前述第1及 别述弟2最邊端開口却命a、+,使 4 W刖述基板所形成之間隙噴出第1液 者,利用則逑贺出工程,將通過前述第1及前述第2最邊 端開口部之前述基板、與前述第i及前述第2最邊端開口部 之端緣部之間隙施行水封者。 另外申明專利範圍第16項之發明係如申請專利範圍第 14或15項之基板洗淨方法,其中於前述第2收容容器之内部 ’在前述第3與第4開口部中至少一個之附近"賣出第2液體 、形成液流,以前述液流關閉該第3開口部與第4開口部中 至少一個。 另外,申請專利範圍第17項之發明係如申請專利範圍第 14或15項之基板洗淨方法,纟中前述輸送工序係向傾斜於 前述基板之水平方向之方向,輸送前述基板者。 另外’申請專利範圍第丨8項之發明之基板處理裝置,其 特徵在於包含:第丨收容容器,、其係包含可使基板通過之開 口部者;第2收容容器,其係包含可使前述基板通過之開口 部,且收容前述第丨收容容器者;輸送手段,其係經由前述 85636.DOC -11 - 200407201 第2收容容器之前述開口部及前述第1收容容器之之前述開 口部,將前述基板由前述第2收容容器之外過前述第2收容 容器内之前述第1收容容器,再輸送至前述第2收容容器外 者;供給手段,其係於前述第1收容容器内,對前述基板供 給處理流體者;第1排氣手段,其係將前述第1收容容器之 内部排氣者;及第2排氣手段,其係將前述第2收容容器之 内部排氣者。 另外,申請專利範圍第19項之發明其特徵在於包含:收 容容器,其係包含可供基板通過之開口部者;輸送手段, 其係經由前述收容容器之前述開口部,將前述基板由前述 收容容器之外,經過前述收容容器内,再輸送至前述收容 容器外者;第1供給手段,其係於前述收容容器内,對前述 基板供給處理流體者;第2供給手段,其係朝前述第1收容 容器之開口部與前述基板之間隙,供給液體者;及排氣手 段,其係將前述收容容器内排氣者。 另外,申請專利範圍第20項之發明其特徵在於包含··主 收容容器,其係包含可供基板通過之第1開口部及第2開口 部者;副收容容器,其係為了共有包含前述第1開口部及第 2開口部側面之任一而設置,且包含可供前述基板通過之開 口部之至少一個者;輸送手段,其係經由前述副收容容器 之前述開口部及前述主收容容器之前述第1開口部與第2開 口部,輸送前述基板,使其通過前述副收容容器與主收容 容器者;供給手段,其係於前述主收容容器内,對前述基 板供給處理流體者;第1排氣手段,其係將前述主收容容器 85636.DOC -12- 200407201 之内部排氣者;及第2排氣手段,其係將前述副收容容器之 内部排氣者。 [實施方式] 〈第1實施型態〉 〈裝置構成〉 圖1係模式顯示關於本發明之第1實施型態之基板處理裝 置1之構成之一側剖面圖。基板處理裝置1係一基板洗淨裝 置’以圖中未顯示之驅動源所驅動之輸送滾筒2持續輸送例 如:半導體基板與平面顯示器製造用之矩形玻璃基板,或 是印刷配線基板等之基板w,於處理槽丨a實施洗淨處理,洗 淨該基板W。 基板處理裝置1之處理槽i a内,由基板之輸送方向上流側 依序配置包含排出純水之喷嘴5丨與滾筒刷5 2之第w先淨機 構53、與稍後敘述之第2洗淨機構54、以及包含以噴霧狀供 給純水之噴嘴5 5之第三洗淨機構5 6。圖2係顯示第2洗淨機 構54心模式方式側剖面圖,第2洗淨機構54包含一雙重盒構 造,係於其内部進行洗淨處理之第丨收容容器3進一步被收 答至第2收容容器4。作為對各收容容器之基板w之出入口, 在前者相互相對之2側面係第1開口部3a與第2開口部3b,在 後者相互相對之2側面係第3開口部4a與第4開口部4b,各自 位於同樣鬲度並且一直線上。基板w利用輸送滾筒2為依序 通過沒些開口部,依箭頭AR1所示之水平方向被輸送。圖2 中將前頭AR1所示基板w之輸送方向以X軸正方向、水平面 内入X軸方向垂直之方向以y軸方向、與W平面垂直之方向
85636.DOC -13- 200407201 以z軸方向標示三度空間座標。另外,第1開口部3a、第2開 口邵3b、第3開口部4a以及第4開口部4b之末端3ae、3be、4ae 以及4be各自朝第1、第2收容容器3、4之内側成突出之烏嘴 形狀’其基板通過側之面形成與被輸送過來之基板W略平行 之平面。 基板W隔著通過區域與輸送滾筒2相對之位置配置壓住滾 筒9 ’其係以圖中未顯示之驅動源來驅動,壓住滾筒9係由 上側壓住隨輸送與洗淨而振動之基板W,扮演協助基板w輸 送之角色。另外,第1收容容器3内雖無驅動源,但具備作 為使基板W之輸送更安定化之引導功能之支援滾筒1 〇,透過 這些裝備,可持續抑制基板w因稍後敘述之高壓煙霧狀流體 碰撞所產生之振動而引起之位置偏移並輸送。 另外’第1收么客备3於基板w之通過位置上方配置了上部 賣出手段5,基板w之通過位置下方配置了下部噴出手段6 ’雨者係主要為洗淨基板w之表面;後者係主要為洗淨背面。 上邵噴出手段5以例如1〇〇 :丨程度之體積比混合空氣與純 水,如箭頭AR2對基板w之表面排出霧狀之混合流體也就是 所州一泥體噴嘴。在此,空氣由來自空氣供給源as、以空 氣閥AV持續調整、經過空氣供給路徑AL所供給。以泵?1向 純水供給源WS取水,利用閥v丨持續調整流量,經純水供給 路徑WL1供給純水。 下邵噴出手段6係為了將同樣由來自純水供給源ws,經純 水供給路徑WL4所供給之純水化為噴霧狀,如箭頭AR3排出 至基板W的背面。
85636.DOC -14- 200407201 上邵噴出手段5與下部噴出手段6可利用眾所周知之噴霧 技術,而且在下部噴出手段6,排出空氣與混合流體之狀態 也無妨。另外,與上述相反,下部嘴出手段6排出混合流體 、上邵噴出手段5排出純水之狀態也可被接受。 另外,圖2中雖因故未圖示,但在關於本實施形態之基板 處理裝置1,僅以y軸方向所定之角度0將基板w傾斜,針對 基板W之輸送方向基板…以傾斜於左側之狀態輸送,圖3係 用於說明關於基板W之傾斜輸送之圖。如圖3所示,第丨開口 部3a開始之開口部也係配合基板之傾斜而形成。另外,於輸 送滾筒2設置與基板直接接觸之2個滾筒2&與2b,於設置於傾 斜下方之滾筒2b裝有為防止基板滑落之突緣部。關於壓住 /袞同9與支援滾甸1 〇也同樣地設置與基板直接接觸之2個滾 筒9a與9b,以及l〇a與l〇b。 進一步’於第1收容容器3之外部、第1開口部3a與第2開口 部3b之附近,管式淋灑器7於各處隔著基板設置於上下。另 外,於第2收容容器4之内部、第3開口部4a與第4開口部4b 之附近’液刀8於各處隔著基板設置於上下。圖4係為說明 管式淋灑器7與液刀8之斜視圖,以模式方式顯示兩者之一 部份。 管式淋麗器7如圖4所示,沿yz平面内且基板W之傾斜之方 向配置。於管式淋灑器7,由來自純水供給源WS、經純水供 給路徑WL2所供給(供給路徑WL2於圖2僅圖示一部份)之純 水,以所定之間隔設置之複數排出口 7a,如圖2箭頭AR4所 示’朝第1開口邵3a與通過該開口邵中基板之間隙以及第2 85636.DOC -15- 200407201 開口部3b與通過該開口部中基板w之間隙排出。 另方面,液刀8如圖4所示,沿yz平面内且基板w之傾斜 之方向配置。方令液刀8,& $自純水供給源、經純水供給 路徑WL3所供給(供給路徑WL3於圖2僅圖示一部份)之純水 以所定之間隔設置之複數排出口 8a,如圖2箭頭ar5所示 朝Μ基板W垂直父叉方向亦即如同形成液體帷幕般排出。 另外,液刀8因如同從上下隔著基板冒排出純水,也發揮了 抑制基板W的端部通過之際之基板w振動,順暢地輸送之引 導角色。而且液刀8备至少設置於第4開口部4b之附近,則 未必要設置於第3開口部4a之附近。例如:輸送路徑中不容 許洗淨流體外漏至下流側之第4開口部3 b側,若容許洗淨流 組外漏至上氣側之第3開口邵4a側時,第3開口部4a之附近並 不一定要設置液刀8。 另外,第1收容容器3内之空氣利用第1排氣手段v 1、經由 排氣路徑VL1排氣;第2收容容器4内之空氣利用第2排氣手 段V2、經由排氣路徑VL2排氣。這些排氣建議與來自上部喷 出手段5與下部噴出手段6之洗淨流體噴出連動、進行。只 有在洗淨流體被排出時,能夠藉由取得排氣被執行之狀態 ,防止外部之空氣流入未執行洗淨時之第丨收容容器3。另 外,也有助於減低公用設備之負荷。 由管式淋灑器7與液刀8供給至第1收容容器3與第2收容 容器4中之純水,以及成霧狀後再度液化之純水排出至排水 管DR 〇 另外,在第1收容容器3與第2收容容器4,排出為洗淨其
85636.DOC -16« 200407201 内部之洗淨液之洗淨用喷嘴1 5,舉例可適當地設置於容器 内部之四周等處。 〈基板洗淨處理〉 其次’針對於基板處理裝置1形成之基板洗淨處理進行說 明。由前工序運送過來之基板W—進入處理槽la後,首先被 第1洗淨機構53洗淨,接著基板w進入第2洗淨機構54之第2 收容容器4。關於此第2洗淨機構54,根據圖5進行說明,圖 5係以模式方式表示基板洗淨處理中之第1收容容器3與第2 收容容器4之内部的情形。 第1收容容器3中,針對各自由上部喷出手段5與下部喷出 手段6通過之基板W排出霧狀之高壓洗淨流體丨丨與純水之噴 務為12。利用使構成洗淨流體丨丨與純水之喷霧器丨2之微粒子 在基板W之表面或背面以高速產生碰撞,可除去附著於基板 W(塵埃等物。利用此碰撞所除去之塵埃與純水之霧狀物等 物會飛散至第1收容容器3内之空氣中,為了防止再度附著 於基板W,第1收容容器3内之空氣利用第丨排氣手段乂丨、透 過排氣路徑VL1排氣。 然而,洗淨流體11與純水之噴霧器12因高壓、高速且朝基 板W噴射之故,即使執行排氣手段v丨之排氣,那些物質與 基板W接觸後,沿基板w面水平方向前進,其多數非從排氣 路徑VL1、而是從第}開口部3a與第2開口部扑之基板w與開 口部之間隙排出至P收容容器3外。被除去之塵埃與霧狀 物等隨此流出後,還是會發生再度附著於基板w或附著在處 理槽la内面等基板處理裝置1内等問題。
85636.DOC -17- 200407201 因此,關於本實施形態之基板處理裝置1對此間隙由管式 淋厲器7排出純水,以純水填滿此間隙亦即實現封住間隙狀 態’以下將產生此狀態之純水稱為水封13。第1開口部“與 第2開口部3b皆因其端部3“與3以之形狀與基板…形成約略 平行之平面且平坦之故,水封丨3容易被實現。水封丨3並無 法元全密封間隙,對洗淨流體丨丨與丨2而言,因減低其流速會 形成相當之阻力,可顯著抑制流出第1收容容器3之洗淨流 體11與噴霧器12之量與速度。而且,即使基板不存在之狀態 ,透過由管式淋灑器7排出純水可某種程度抑制洗淨流體i i 與噴霧器1 2流出至第1收容容器3之外部。 另外,第2收容容器4之内部也依舊會利用第2排氣手段V2 經排氣路徑VL2排氣。因水封13洗淨流體丨丨與^之流速顯著 地交弱,由第1收容容器3流出之空氣14可透過第2排氣手段 V2充分排氣。因利用第2排氣手段之排氣速度V2較第丨排氣 手段V1為大,其效果非常足夠,藉此可防止塵埃與霧狀物 再度附著於基板W。再者,於第2收容容器4設置了液刀8, 這是利用排出純水於基板W通過時,將此基板w與第3開口 部4a與第4開口部4b之間隙進行水封, ,另外,無基板W通過
85636.DOC -18- 200407201 沈疋說基板W〈表面以比較短之時間、新供給之純水來取代。 如以上況月,關於本實施形態之基板處理裝置1,在第2 洗淨機構54中收容容器具有雙重盒構造…""3封住内 側之第1收容容哭3夕戸q ^如 , 、 备31開口邵、抑制高壓排出之洗淨流體1 1 /、1 2 W出之同時,外側之第2收容容器4也進行排氣,可以 洗淨抑制被除去之塵埃等之再附著。 如此第2洗净'機構54之洗淨完成後,其次基板界以第3 洗淨機構%進行噴霧洗淨,最後由處理槽“送出,輸送至進 行下一乾燥工程之乾燥裝置。 再者在本K施形態,利用從第1收容容器3之外側朝開 口部3a、3b排出液體’可堵住沿基板w、往外側之洗淨流體 11,藉此即使開口部3a、3b於較廣之狀態,可水封其開口部 ’對液霧狀物等之遮蔽也有效。 〈第2實施狀態〉 圖6係以模式方式表示關於本發明之第2實施形態之洗淨 機構101之構成。洗淨機構1〇1與關於第丨實施形態之第2洗 淨機構54相同,係基板洗淨裝置之一部份,其係用於洗淨 例如半導體基板與平面顯示器製造用玻璃基板,或是印刷 配線基板等之基板W,因為被同樣使用,對同樣之構成要素 與第2洗淨機構54之情形註記同樣之符號,以下省略其說明 。再者,圖6為簡略圖示,關於空氣與純水之供給路徑僅顯 示一部分。 基板處理裝置101於第2收容容器4之内部,包含由複數之 第ί收容容器所組成之第1收容容器部3〇,這一點與關於第^ 85636.DOC -19- 200407201 貫施形態之基板處理裝置1不同。在圖6舉例說明了第1收容 容器部30由2個第1收容容器31與32所構成之情形。 2個第1收收容容器3 1與3 2相互接近、連鎖性地串聯配置 以使基板W以此順序通過,於各自互相相對之2側面所形成 之開口邵3 1 a、3 1 b、32a、32b成直線排列,然後各配置有上 部喷出手段5(51、52)、下部噴出手段6(61、62)。另外,第2 排氣手段V 2同時負責2個第1收收容容器3 1與3 2之雙方的排 氣’接者相當於弟1收谷谷态部30兩端開口部之第1收容容 器31之第1開口部31a與第1收容容器32之第2開口部32b各自 包含與輸送過來之基板W約略平行之面、成鳥嘴狀之端部 3 1 ae 以及 3 2be。 接奢以位於第1收谷容器部3 0之基板w接收端之第1開口 部3 la定義「第1最邊端開口部」,以位於第1收容容器部3〇 之基板W送出端之第2開口部32b定義「第2最邊端開口部」 時’在第1收容容器部30之外部且第i與第2最邊端開口部 之3 la、32b之附近配置了複數之管式淋灑器7,其係用於朝 第1與第2最邊端開口部31a、3 2b與被輸送之基板w所形成之 間隙排出液體。再者’即使於弟1貫施形態(圖2)也可定義r 第1最邊端開口部」與「第2最邊端開口部」,此時因為第1 開口部3a只有一個’此第1開口部3a作為第1最邊端開口部發 揮其功能,同樣地因第2開口部3b只有一個,第2開口部% 作為第2最邊端開口部發揮其功能。 關於本實施形態之基板處理裝置101的情形,由管式淋灑 器7排出之純水於第1收容容器31之第!開口部31a與第i收容 85636.DOC -20- 200407201 容器32之第2開〇如。,, 4 32b形成水封13。此時,2個第1收容容 器間之開口邵未形士, y成水封,因藉由將兩者接近配置,抑制 空氣流出至外却 ^ ΛΙ , 可’其結果與第1實施形態相同,第1收容容 器邵3 0全體之命备、云 二乳^出被抑制在第2收容容器4可排氣之程 度内。 於是,如本會祐夕犯〜 ^ ^ ^ _ /、她义形怨,即使包含複數之洗淨處理之收 藉由於兩端之收容容器之開口部形成水封,可進 行塵埃等不再附著之洗淨處理。 〈變形例〉 云上1^說月’本發明藉形成水封以抑制高壓排出之洗淨 、广、&為形成水封之開口部端部之形狀不限定於上 述之狀悲。圖7得矣+哲1 w 、 糸表不弟1收容容器3之端部3e之形狀之代表 變形例,也就是命,娃a 疋冗崎邵“可以如圖7(a)平坦部分突出於 ^收容容器3外側之構造,也可如圖7⑻冑出於兩側之構 圖7(c)甚&為包含賴斜之才冓造亦可。或是如圖7⑷利 用構成收容容器3之容器之構件之厚度。 另外’在上述之實施形態’因供給高壓之洗淨流體U於3 板W之上面’建議儘可能將支撐基板之下面側之輸送滾旧 支撐浪筒設置於接近其供給部位之位置。在上述實施开” ,為了也對基板之下面側進行洗淨處理,於下面側供給^ 霧器12’於洗淨流體u與噴霧器12之供給中⑽置之前後+ 置支㈣筒U)’例如不須要對下面側進行洗淨處理時省巧 對下面之液體供給’於對應洗淨流體U供給中心之位置幻 支撐滾筒或輸送滾筒便可。再者,對基板之下面以高壓
85636.DOC -21 . 200407201 給洗淨流體,若對上面以低壓供給洗淨流體的話,即使基 板厚度薄的情形’可減輕基板因承受重力等因素而產生彎 曲,提高輸送安定性。 另外,在上述之實施形態雖僅由收容容器之上側排氣, 但也可由下側來排氣’而且若由上下兩方來排氣的話,可 更加有效率。另外,將第1收容容器3與第2收容容器4連接 至個別之排氣手段,作為這二個排氣手段也可設置一可兼 用之大容量排氣手段。 另外,在上述之實施形態,第2洗淨機構54係第2收容容 器4内含第1收容容器3之雙重容器構造,但不受限於此。例 如圖8所示,於主收容容器之第1收容容器3之外側,作為副 收容邵’設置第1副收容容器41以便共有包含開口部3 a之側 面,為共有包含開口部3b之側面設置第2副收容容器42之構 造也可以。 圖8中副收容容器41、42於輸送路徑之前後,分割並包含 上述之實施形態1之第2收容容器4擁有之構成要素與其功 能。也就是說,第3開口部4a形成於副收容容器41,第4開口 部4b形成於副收容容器42,另外,各副收容容器41、42係 連接於排氣手段V2。其次,第1收容容器3之開口部3a、3b 之外側亦即副收容容器41與42内,設置對開口部3a、3b供給 液體之管式淋灑器7,而且設置液刀8於第3與第4開口部附 近。 隨著構成之不同也可得到與上述實施形態大約同樣效果 ’不過,由開口部3a、补通過管式淋灑器7之水封,於第i
85636.DOC -22- 200407201 收容容器3之外側將洗淨流體11減速之效力會影響開口部3a 側與開口部3 b側,容易加大容積之先前所提之雙重容器構 造較為優異。而且,在此副收容容器未必要設置於第1收容 容器3之開口部3 a、3b之兩側,例如:從第1收容容器3來看 容許洗淨流體漏出至上流側之開口部3 a側,但不容許洗淨 流體漏出至下流側之開口部3 b側的情況下,至少設置開口 部3b侧之副收容容器42。 於上述實施形態係以純水進行洗淨之狀態,由上部噴出 手段5或下部噴出手段6排出之洗淨流體之組成則不限於 此,所定之處理液例如··顯像液、触刻液、剝離液等皆可 。另外,各噴出手段或供給至管式淋灑器、液刀之純水亦 可由不同之供給手段來處理。 另外,於上述實施形態,使用後之純水係排出至排水管 DR、廢棄,但不限於此,將處理液循環再使用亦可。例如 於第1之實施形態,各洗淨機構53、54、56分離純水、回收 ,接著將第3之洗淨機構56使用之純水供給第2之洗淨機構 54使用’也可將該純水進一步供給於第1之洗淨機構53使用。 另外,於第1收容容器内部設置複數之上部噴出手段與下 部噴出手段亦可。 [發明之功效] 如以上之說明,根據申請專利範圍第丨至7項以及申請專 利範圍第14至18項之發明,處理容器採雙重構造,因各自 進仃排氣,可使處理流體不漏出至收容容器之外部而排氣。 另外’根據申清專利範圍第2至4項以及申請專利範圍第
85636.DOC -23- 200407201 1 5至1 7項之於日日 斗片卜 又月,右弟1收容容器無法完全排 之處理流體時,可方^、 徘孔屋生漏出 理流體不漏c收谷容器完全排氣,其結果可使處 土收谷谷态之外部而排氣。 根據申清專利範圍第3、4、8項至巾^m, 12、15項,以总a δ -主申巧專利範圍第 路徑之開口部,mj範圍第19項之發明,於基板輸送 體漏出至外部。興基板之間隙形成水封可抑制處理流 成=:根據申請專利範圍第4與9項之發明可更確實地形 :夕卜根據申請專利範圍第5與“項之發明 遮斷處理容器内外之空氣之出入,可:用展: 與處理容器外部之混入。 4把又漏出 第=之=申請專利範圍第6、7、1〇項以及申請專利範圍 另:,㈣’於—個收容容器内可同時洗淨基板之兩面。 高清淨度之方面,可採且:t、:f《發明,對於要求更 洗淨基板。 切力之漏合物之處理流體 抑另^根據t請專利範圍第12與2()項之發明,因主處理 备之兩後也進行排氣之 排氣。 &故,可使處理流體不漏出至外部而 、另外根據申請專利範圍第13與Π項之發明,因 之液體不會長時間滞留 、/ 、 著。 常田於基板表面,抑制了雜質等之再附 [圖式簡單說明]
85636.DOC -24- 2UU4U72U1 圖1係以模式方式表示關於第 1之全體構成圖。 1實施形態之基板處理裝置 圖2係以模式方忒矣一 @ '、弟2洗淨機構54之詳細構成圖。 圖3係說明基板w之傾斜輸itB。 圖4係為說明管式淋麗器7與液刀8之立體圖。 圖5係以模式方式表示基板洗淨處理中之第1收容容器3 與第2收容容器4内部之情形圖。 圖6係以模式方式表示關於第2實施形態之基板處理裝置 1〇1之構成圖。 圖7(a)-(d)係表示第1收容容器3之端部3e形狀之代表變形 例之圖。 圖8係表示包含副收容容器之變形例之圖 [圖式代表符號說明] 卜 1 〇 1基板處理裝置 2 輸送滾筒 3 、 31 、 32 第1收容容器 4 第2收容容器 5 上部喷出手段 6 下部噴出手段 7 管式淋灑器 8 液刀 9 壓住滚筒 10 支撐滾筒 11、12 洗淨流體
85636.DOC -25- 200407201 13 水封 52 滾筒刷 53 第1洗淨機構 54 第2洗淨機構 56 第3洗淨機構 VI 第1排氣手段 V2 第2排氣手段 W 基板 -26
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Claims (1)

  1. 200407201 拾、申請專利範圍: 1. 一種基板處理裝置,其特徵在於包含: 第1收容容器部,其係包含於相對向之側面包含第1開口 部與第2開口部之至少一個之第1收容容器; 第2收容容器,其係收容前述第1收容容器部,且於相對 向之側面包含第3開口部與第4開口部; 輸送手段,其係將基板從前述第3開口部送入前述第2 收容容器,於前述第1收容容器部依次從前述第1收容容器 之前述第1開口邵送入前述基板而從前述第2開口部送出 ,通過前述第1收容容器部後,從前述第4開口部將前述基 板送出至前述第2收容容器外; 第1噴出手段,其係配置於前述第1收容容器部之内部, 並可向被輸送之前述基板喷出處理流體; 第1排氣手段,其係將前述第1收容容器部之内部排氣 •,及 第2排氣手段,其係將前述第2收容容器部之内部排氣 者。 2·如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中 利用前述第2排氣手段之排氣速度較利用前述第1排氣 手段之排氣速度為大。 3.如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置,其中 利用存在於前述第1收容容器部之前述基板之接收端, 且作為前述第1開口部之開口部定義第1最邊端開口部, 利用存在於前述第1收容容器部之前述基板之送出端, 85636.DOC 200407201 且作為前述第2開口部之開口部定義第2最邊端開口部時 ’進一步包含: 多數之第2噴出手段,其係在前述第1收容容器部之外部 ’被配置於各前述第1及前述第2最邊端開口部之附近,向 前述第1最邊端開口部與前述基板之第1間隙及前述第2最 邊端開口部與前述基板之第2間隙,喷出第1液體者。 4·如申請專利範圍第3項之基板處理裝置,其中 前述第1及前述第2最邊端開口部各包含與通過前述第1 及前述第2最邊端開口部之前述基板約略平行而相對向之 面。 5·如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置,其中進_步包 含: 第3噴出手段,其係在前述第2收容容器之内部,被配置 於前述第3與第4開口部中至少一個之附近,用於排出第2 液體,而以關閉該第3與第4開口部中至少—個之方式形成 液體流。 / 6. 置,其中 以作為前述第1噴 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝 包含上邵噴出手段與下部喷出手段, 出手段; 丽述上部及下部噴出手段係 A社珂述第1收容容 部輸送之前述基板之各自不同面側 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置,其中 别述上邵及下部噴出手段之至少一 減、A 亍杈(主y個係將氣體與第 ml混合物當作前述處理流體而噴出。 85636.DOC 200407201 8· —種基板處理裝置,其特徵在於包含: 主收各各器,其係於相對向之側面包含第丨開口部與第2 開口部者; 知送手段’其係將基板從前述第1開口部送入前述主收 各各备,而由前述第2開口部送出者; 第1噴出手段,其係配置於前述主收容容器之内部,向 被輸送之前述基板噴出處理流體者; 第1排氣手段’其係將前述主收容容器之内部排氣者;及 複數 < 第2噴出手段,其係配置於前述主收容容器之外 部且㈤述第1及前述第2開口部之各自附近,可向由前述第 1及$逑第2開口部與被輸送之前述基板所形成之間隙,喷 出第1液體者。 9 ·如申凊專利範圍第8項之基板處理裝置,其中 前述第1及前述第2開口部係分別包含與通過前述第 前述第2開口部之前述基板約略平行之面。 10 ·如申凊專利範圍第8或9項之基板處理裝置,其中 包含上部噴出手段與下部喷出手段,以作為前述第^貧 出手段; 前述上部及下部噴出手段係配置於在前述主收容容器 輸送之前述基板之各自不同面側。 11·如申請專利範圍第10項之基板處理裝置,其中 前述上部及下部噴出手段之至少一個係將氣體與第2液 體之混合物當作前述處理流體而喷出。 12 ·如申凊專利範圍第8或9項之基板處理裝置,其中進—步勺 85636.DOC 200407201 含: 副收容部,其係共有包含前述第1與第2開口部者; 第2排氣手段,其係將前述副收容部之内部進行排氣者· 兩述第2噴出手段係配置於前述副收容部内, 前述副收容部係在相對之侧面包含前述基板所通過之 第3開口部及第4開口部, 岫述輸送手段係將前述基板由前述副收容部外經前述 第3開口部,送入前述主收容器後,由前述主收容器經前 述第4開口部,送出至前述副收容部外。 二… 13·如申請專利範圍第i、2、8、9項中任—項之基板處理 ,其中 前述輸送手段係向傾斜於前述基板之水平方向之方向 ,輸送前述基板。 14. 一種基板洗淨方法,其特徵在於:收容在相對向之側面包 含第1開口部與第2開口部之至少-個之第1收容容器之; 1收容容器部,在相對向之側面包含第3開口部與第4開口 邵之第2收容容器之内部洗淨基板者;且 將前述基板由前述第3開口部送入前述第2收容容器,在 前述第1收容容器,逐次由‘、七堃 —— 、人由則述弟1收谷苳器之前述 口部送入前述基板,由前签 … 、 W迷罘2開口邵迗出,通過前述 收容容器部後,由前述第4 ρε|如史a 、吊4開口邵將則逑基板送出至 第2收容容器外; 在前述第1收容容器部 ^ , 内邵,向被輸送之前述 出處理流體,並 、丞狹負 85636.DOC 200407201 :面將前述第1收容容器部之内部排氣, -面將前述第2收容容器部之内部排氣。 15.如請專利範圍第14項之基板洗淨方法,其中 利用存在於前述第1收容容器部之前述基板之接收端, 且作為前述第1開口部之開口部定義第旧邊端開口部, 用存在万;七述第丨收容容器邵之前述基板之送出端, 且作為前述第2開口部之開口部定義第2最邊端開口部時 ’進一步包含: 、噴出工序,其係向前述第1及前述第2最邊端開口部與前 述基板所形成之間隙噴出第1液體者; 利用前述噴出工程,將通過前述第〖及前述第2最邊端開 口部之前述基板、與前述第丨及前述第2最邊端開口部之端 緣部之間隙施行水封者。 16·如申請專利範圍第14或15項之基板洗淨方法,其中 於如述第2收容容器之内部’在前述第3與第4開口部中 至少一個之附近,噴出第2液體以形成液流,以前述液流 關閉該第3開口部與第4開口部中至少一個。 17·如申請專利範圍第14或15項之基板洗淨方法,其中 削述知送工序係向傾斜於前述基板之水平方向之方向 ,輸送前述基板。 18. —種基板處理裝置,其特徵在於包含: 第1收容容器,其係包含可使基板通過之開口部者; 第2收容容器,其係包含可使前述基板通過之開口部, 且收容前述第1收容容器者; 85636.DOC 200407201 輸送手段,其係經由前述第2收容容器之前述開口部及 前述第1收容容器之前述開口部,將前述基板由前述第2 收容容器之外,經過前述第2收容容器内之前述第1收容容 器,再輸送至前述第2收容容器外者; 供給手段,其係於前述第1收容容器内,對前述基板供 給處理流體者; 第1排氣手段,其係將前述第1收容容器之内部排氣者 ;及 第2排氣手段,其係將前述第2收容容器之内部排氣者。 19. 一種基板處理裝置,其特徵在於包含: 收容容器,其係包含可供基板通過之開口部者; 輸送手段,其係經由前述收容容器之前述開口部,將前 述基板由前述收容容器之外,經過前述收容容器内,再輸 送至前述收容容器外者; 第1供給手段,其係於前述收容容器内,對前述基板供 給處理流體者; 第2供給手段,其係朝前述第1收容容器之開口部與前述 墓板之間隙,供給液體者;及 排氣手段,其係將前述收容容器内排氣者。 20. —種基板處理裝置,其特徵在於包含: 主收容容器,其係包含可供基板通過之第1開口部及第2 開口部者; 副收容容器,其係以共有包含前述第1開口部及第2開口 部側面之任一之方式而設置,且包含可供前述基板通過之 85636.DOC 200407201 開口部之至少一個者; 輸送手段,其係經由前述副收容容器之前述開口部及前 述主收容容器之前述第1開口部與第2開口部,以通過前述 副收容容器與主收容容器之方式者輸送前述基板; 供給手段,其係於前述主收容容器内,對前述基板供給 處理流體者; 第1排氣手段,其係將前述主收容容器之内部排氣者 ;及 第2排氣手段,其係將前述副收容容器之内部排氣者。 85636.DOC
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