TW200303700A - Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device - Google Patents

Description

200303700 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 ， 本發明相關於一種具有沈積裝置的製造裝置，用於能 夠藉由蒸發進行沈積的材料（以下將其稱爲蒸發材料）的 沈積。具體來說，本發明是一種當將有機材料用作蒸發材 料時的有效技術。 【先前技術】 近年來，已經積極地對具有EL元件作爲自發光元件 的發光裝置進行了硏究。特別地，一種利用有機材料作爲 EL材料的發光裝置受到關注。這種發光裝置也被稱爲有 機EL顯示器或有機發光二極體。 此外，EL元件具有陽極、陰極以及包含有機化合物 的層，對該層加上電場可以獲得電致發光（以下稱爲EL 層）。在有機化合物中的電致發光具有從單激發態返回到 基態中的發光（螢光）和從三重激發態返回到基態中的發 光（磷光）。利用本發明的沈積裝置和沈積方法製造的發 光裝置能夠適用於這兩種發光情況。 由於與液晶顯示裝置不同，該發光裝置的特徵在於沒 有視角的問題，因爲它們是自發光型的。更具體來說，它 們比液晶顯示器更適合於在戶外使用。已經提出了各種使 用形式。 EL元件具有將EL層夾在一對電極之間的結構。EL層 一般具有多層結構。典型地，陽極/電洞傳輸層/發射層/電 (2) (2)200303700 子傳輸層/陰極的多層結構是著名的，這是由 EastmanKodakCompany的Tang提出的。這種結構具有很高 的發光效率，爲大多數目前正在硏究和開發的發光裝置所 採用。 . 另外，除了這一點，這些結構可以很好地根據這樣的 順序層疊在陽極之上：電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電 子傳輸層的結構，或者，電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/ 電子傳輸層/電子注入層的結構。此外，給發光層塗上螢 光顔料也是可以接受的。此外，這些層最好都用低分子材 料構成或者都用聚合材料構成。 在本說明中，將位於陽極和陰極之間總的層集中稱爲 EL層。因此，認爲電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、 電子傳輸層和電子注入層都包括在EL層中。 在本說明中，由陽極、EL層和陰極構成的發光元件 稱爲EL元件。EL元件有兩種系統：將EL層構成在兩種相 互垂直的長條電極之間的系統（簡單矩陣系統）和將EL 層構成在相反的電極與連接TFT並且按矩陣排列的像素電 極之間的系統（主動矩陣系統）。 構成EL層的EL材料一般分爲低分子（基於單體的） 材料和聚合（基於聚合體的）材料。低分子材料主要藉由 蒸發來沈積。 EL材料往往出現嚴重變質，它很容易被存在的氧氣 或濕氣氧化或退化。由於這個緣故，在沈積之後不能進行 光刻處理。爲了形成圖案，需要用具有打開部分的遮罩（ -7- (3) (3)200303700 以後稱之爲遮罩）同時進行沈積和分離。因此，幾乎已經 將所有昇華了的有機EL材料沈積在薄膜形成室或、牆沈積 防護罩（用於防止蒸發材料沈積在薄膜形成室的內牆上的 保護板）的內牆上。 在習知的蒸發裝置中，將基底與蒸發源之間的空間設 置的比較寬，以提高薄膜厚度的均勻性，這使得裝置本身 的尺寸較大。此外，由於基底與蒸發源之間的空間寬，使 沈積速度變低，排空薄膜形成室內部所需的時間很長，生 産能力下降。 此外，在習知的蒸發裝置中，對昂貴的EL材料的利 用率大約爲百分之一或更低，這種極低的利用率使發光裝 置的製造成本極高。 【發明內容】 EL材料非常昂貴，其每克的單價比每克黃金的單價 要貴得多。因此，希望盡可能有效地使用它們。但是，在 習知的蒸發裝置中，對昂貴的EL材料的利用率很低。 本發明的一個目的是提供一種能夠提高EL材料的利 用率並且在均勻性和生産能力方面性能卓越的蒸發裝置。 在本發明中，在蒸發過程中，基底與蒸發源之間的距 離d通常減小到30cm或更小，對蒸發材料的利用率以及生 産能力明顯提高。由於減小了基底與蒸發源之間的距離d ，因此可以減小薄膜形成室的尺寸。小型化降低了薄膜形 成室的容積。因此，可以縮短用於抽真空的時間，可以減 -8- (4) (4)200303700 少薄膜形成室內部的雜質總量，還可以防止在高純度的 EL材料中混入雜質（濕氣和氧氣）。根據本發明·，將來 實現更高純度的蒸發材料的想法是可行的。 除此之外，本發明的特徵在於，在薄膜形成室中，將 具有用蒸發材料密封的容器的蒸發源支撐器移動到距基底 一定的間距。在本說明中，將具有配備了可移動蒸發源支 撐器的蒸發裝置的製造系統稱爲移動構件集群系統（ movingcellclustersystem)。單個蒸發源支撐器可以支援 兩個或更多坩堝，最好是四個或六個坩堝。在本發明中， 蒸發源支撐器被移動。這樣，當快速移動時，遮罩幾乎沒 有被加熱。因此也可以抑制由遮罩熱變形引起的沈積失敗 〇 將要在本說明披露的本發明的結構是一種具有沈積裝 置的製造系統，其中，將蒸發材料從沈積在基底對面的蒸 發源蒸發並且沈積在基底上，所述系統包括： 一個薄膜形成室，用於放置基底，所述薄膜形成室包 括： 蒸發源；以及 用於移動蒸發源的裝置（適合於移動的構件）， 其中，爲了進行沈積，蒸發源沿X方向、Y方向或之 字形移動。 此外，可以接受的是，將用於旋轉基底的機構佈置在 薄膜形成室中，爲了沈積出厚度非常均勻的薄膜，在蒸發 過程中，使基底旋轉和蒸發源移動同時進行。 -9 - (5) (5)200303700 將要在本說明披露的本發明的結構是一種具有沈積裝 置的製造系統，在該沈積裝置中，將蒸發材料從沈、積在基 底對面的蒸發源蒸發並且沈積在基底上， 一個薄膜形成室，用於放置基底，所述薄膜形成室具 有： 蒸發源； 用於移動蒸發源的裝置（適合於移動的構件）；以及 用於旋轉基底的裝置（適合於旋轉的構件）， 其中，爲了進行沈積，使基底旋轉和蒸發源移動同時 進行。 可以構成一種多室系統的製造系統。本發明的另一種 結構是具有沈積裝置的製造系統，該製造系統具有： 一個載入室； 一個與載入室連接的輸送室； 一個與輸送室連接的薄膜形成室， 其中，薄膜形成室包括： 蒸發源；以及 用於移動蒸發源的裝置（適合於移動的構件）， 用於旋轉基底的裝置（適合於旋轉的構件）， 其中’爲了進行沈積，使基底旋轉和蒸發源移動同時 進行。 在本結構中’蒸發源與基底之間的距離的特徵爲 30cm或低於30cm，最好是5到15cm。 在本結構中’薄膜形成室的特徵在於與用於對薄膜形 -10- (6) (6)200303700 成室抽真空的真空處理室連接。 在本結構中，蒸發源的特徵在於至少在X方向和γ方 向移動。在本結構中，將遮罩佈置在基底與蒸發源之間， 該遮罩的特徵在於由具有低熱膨脹係數的金屬材料構成。 在本結構中，蒸發材料的特徵在於是有機化合物或金 屬材料。 當說道主處理時，在該處理中，如氧氣和濕氣等雜質 被混入用於蒸發的EL材料或金屬材料中，在蒸發和蒸發 處理之前，可以考慮將EL材料或金屬材料放入蒸發裝置 的過程。 一般來說，用於儲存EL材料的容器放在用塑膠蓋封 閉的棕色玻璃瓶中，還應該考慮用於儲存EL材料的容器 的密封度不夠。 習知上，在利用蒸發的方法進行沈積的過程中，將盛 在容器（玻璃瓶）中的預定量的蒸發材料取出，並且傳送 到位於面對蒸發裝置中的加工件的位置上的容器（通常是 坩堝和蒸發器皿）中。在傳送操作中，很容易混入雜質。 更具體來說，很容易混入氧氣、濕氣和其他雜質，這是降 低EL元件品質的原因之一。 例如，在所述材料從玻璃瓶輸送到容器的過程中，考 慮人手將在配備有手套的預處理室中的材料輸送到蒸發室 。但是，當預處理室配備有手套時，不能對該室抽真空， 因此在大氣壓下進行該操作。即使在惰性氣體中進行該操 作，也很難盡可能減少預處理室中的氧氣和濕氣。還考慮 -11 - (7) (7)200303700 利用機器人。但是，蒸發材料是粉末，因此很難製造輸送 機器人。因此很難製造完全密封的系統，使從形成、覆蓋下 面電極的EL層的步驟到形成上面電極的步驟的這些處理 步驟都自動進行，以p免混入雜質。 那麽’在本發明中，構成了 一種製造系統，其中，不 將通常爲玻璃瓶的習知容器用作儲存EL材料的容器，而 將EL材料和金屬材料直接放在要被放入蒸發裝置的容器 中，並且在傳送之後將它們沈積。本發明實現了防止雜質 混入高純度的EL材料中。或者，當直接放置££材料的蒸 發材料時’不分開放置所獲得的蒸發材料，而採用將蒸發 材料在放在蒸發裝置中的容器中直接昇華和提純。根據本 發明，將來實現更高純度的蒸發材料的想法是可行的。最 好將金屬材料直接放在要被放入蒸發裝置中的容器中，並 且藉由電阻加熱進行蒸發。 所希望的是，使用蒸發裝置的發光裝置製造商要求材 料製造商直接將蒸發材料放入要被放在蒸發裝置中的容器 中，材料製造商製造或銷售蒸發材料。 此外，即使由材料製造商提供高純度的EL材料，在 發光裝置製造器中的習知輸送操作也總有混入雜質的風險 ’不能保持EL材料的純度，這使得在純度方面受到限制 。根據本發明，發光裝置製造器與材料製造器合作，努力 減少混入的雜質，這可以保持由材料製造器獲得的高純度 EL材料。因此，發光裝置製造器能夠在不降低純度的情 況下進行蒸發。 -12- (8) (8)200303700 【實施方式】 以下將對本發明的實施例進行描述。 實施例 圖1A和1B表示出本發明的沈積裝置。圖ία爲截面圖 ’圖1 B爲頂視圖。 在圖1A和1B中，標號11表示薄膜形成室，標號12表 示基底支撐器’標號13表示基底，標號14表示遮罩，標號 15表不沈積罩（沈積閘），標號17表示蒸發源支撐器，標 號18表75黑發材料’並且標號19表τρ：經過蒸發的蒸發材料 0 在真空度爲5xl(T3Torrs ( 0.665帕）或更低，最好是 1(Γ4到1(Γ6帕的薄膜形成室1 1中進行蒸發。在蒸發過程中 ’藉由預先進行電阻加熱對蒸發材料進行蒸發（氣化）。 當進行蒸發時，將閘（沒有示出）打開，使得材料沿著基 底13的方向飛。經過蒸發的蒸發材料19向上飛，藉由位於 遮罩1 4中的打開部分，並且有選擇地蒸發到基底丨3上。

在蒸發裝置中，蒸發源支援由一個坩堝、藉由散熱元 件佈置在坩堝外面的加熱器、在加熱器的外面佈置隔熱層 、用於將它們包住的外殼、圍繞該外殼的外面佈置的冷卻 管以及用於打開和關閉外殼的打開部分的閘設備構成，包 括坩堝的打開部分。此外，在本說明中，坩堝是一個具有 相對較大開口部分的圓桶形容器，它是由BN的燒坯、BN -13 - (9) (9)200303700 和AIN的混合燒坯、或如石英和石墨等能夠抵抗高溫、高 壓和減壓的材料構成的。 ' 最好可以由微電腦對沈積速度進行控制。 在圖1 A和1B中示出的蒸發裝置中，在蒸發過程中， 通常將基底13與蒸發源支撐器17之間的距離d減小到30cm 或以下，20 cm或以下更好，最好是5到15 cm。這樣明顯提 高了對蒸發材料的利用率和生産能力。 基底支撐器12配備有用於旋轉基底I3的機構。支撐器 配備有用於在薄膜形成室11內部沿著X方向或Y方向移動 該支撐器的機構，同時蒸發源支撐器17保持水平。這裏， 表示出沿著某個方向移動該支撐器的例子，對此沒有具體 規定。使蒸發源支撐器17在二維平面內沿X方向或Y方向 移動是可以接受的。可選地，最好蒸發源支撐器201可以 沿著X方向或Y方向往返移動若干次、斜著移動或沿著弧 形移動。蒸發源支撐器201可以根據固定的加速度移動。 蒸發源支撐器20 1也可以在靠近基底的邊緣部分減速或加 速移動。例如，如圖6所示的例子，最好使蒸發源支撐器 201沿著折線移動。在圖6中，標號200表示基底，標號20 1 表示蒸發源支撐器，標號202表示蒸發源支撐器移動的方 向。在圖6中，可以在蒸發源支撐器201中放置四個坩堝。 將蒸發材料203 a和蒸發材料203b放在不同的坩堝中。 圖1A和1B所示的蒸發裝置的特徵在於，在蒸發過程 中，可以使基底13的旋轉和蒸發源支撐器17的移動同時進 行，並且由此使沈積在薄膜厚度均勻性方面表現優越。 -14 - (10) (10)200303700 可以將沈積罩佈置在可移動蒸發源支撐器17中。最好 ，在單個蒸發源支撐器中提供的有機化合物不必是、單一的 化合物，它可以是多種化合物。例如，可以在蒸發源中提 供用作摻雜劑的另一種有機化合物（摻雜材料），而不是 提供一種用作發光有機化合物的材料。最好，要被沈積的 有機化合物層由宿主材料和激發能量低於該宿主材料的發 光材料（摻雜材料）構成，將摻雜材料的激發能量設計爲 低於電洞傳輸區域的激發能量和電子傳輸層的激發能量。 因此，防止了攙雜材料的分子激發子擴散，並且可以提高 攙雜材料的發光效率。當攙雜材料是載子截留材料時，也 可以提高載子重新組合的效率。能夠將三重激發能量轉換 爲光發射的材料作爲攙雜材料混入混合區域的情況也包括 在本發明中。關於混合區域的形成，最好混合區域具有濃 度梯度。 當在單個蒸發源支撐器中提供多種有機化合物時，希 望將化合物蒸發的方向設置爲傾斜的，以便在工件的位置 相交，使有機化合物相互混合。如圖6所示，爲了進行共 同蒸發，蒸發源支撐器2〇1可以有四種蒸發材料（兩種作 爲蒸發材料a的宿主材料和兩種作爲蒸發材料b的攙雜材料 )° 由於通常將基底1 3與蒸發源支撐器1 7之間的距離減小 到3 〇cm或更小，最好是5到15cm，遮罩14可能被加熱。因 此’對於遮罩1 4來說，希望利用具有低熱膨脹係數的金屬 材料’這樣的材料幾乎不出現熱變形（例如，高熔點金屬 -15- (11) (11)200303700 如鎢、鉅、鉻、鎳和鉬等或是包含這些元素的合金，以及 如不銹鋼、鉻鎳鐵合金和耐熱鎳基合金等材料）。·例如， 4 2 %鎳和5 8 %鐵的低熱膨脹合金是有名的。爲了冷卻要被 加熱的遮罩，最好使該遮罩配備有用於迴圈冷卻介質（冷 卻水或冷卻氣體）的裝置。 遮罩14用於有選擇地沈積薄膜，在薄膜的整個表面上 沈積時不需要它。 基底支撐器12安裝有永磁鐵，它利用磁力將金屬製造 的遮罩固定，還固定夾在中間的基底I3。這裏表示出遮罩 與基底1 3緊密接觸的例子。但是，最好適當地提供一種用 於帶有一些空間固定基底的基底支撐器或遮罩支撐器。 薄膜形成室11與用於對薄膜形成室抽真空的真空處理 室連接。關於真空處理室，提供了磁浮渦輪分子泵、低溫 泵和乾燥密封真空泵。因此，可以將傳輸室的極限真空度 設置爲10-5到10-6，並且可以對來自泵側和排氣系統的雜 質反向擴散進行控制。爲了防止將雜質引入該裝置中，將 惰性氣體如氮氣和稀有氣體用作要被引入的氣體。在將要 被引入裝置的氣體引入該裝置之前，利用氣體淨化器對這 些氣體進行高度淨化。因此，需要提供氣體淨化器，以便 對氣體進行高度淨化，然後將其引入蒸發裝置。因此，可 以預先消除包含在氣體中的氧氣、濕氣以及其他雜質。這 樣就防止了將雜質引入該裝置。 最好在薄膜形成室11中提供電漿生成構件，在沒有放 入基底的狀態下，在薄膜形成室中生成電漿（藉由對從Αι* -16 - (12) (12)200303700 、H、F、NF3或〇中選擇的一種或幾種氣體進行激發産生 的電漿），爲了淸潔，將沈積在薄膜形成室的內牆'、牆沈 積罩或遮罩上的沈積物氣化排放到薄膜形成室外面。這樣 ，可以在保持期間，在不將薄膜形成室暴露在空氣中的情 況下，對其進行淸潔。此外，淸潔中被氣化的有機化合物 可以藉由排氣系統收集並對其重複利用。 以下將藉由例子，更詳細地描述根據這樣的結構形成 的本發明。 例子 〔例1〕 這裏，根據圖2Α和2Β，對製造主動矩陣發光裝置的 處理步驟進行舉例和描述，該發光裝置具有在同一個基底 上的像素部分和驅動電路並且包括EL元件。 首先，如圖2Α所示，利用衆所周知的製造處理步驟 ，在具有絕緣表面的基底2 1上形成薄膜電晶體（下面將其 稱爲TFT) 22。在像素部分20a中，形成η通道TFT和ρ通道 TFT。這裏，在圖中示出用於給有機發光元件提供電流的 P通道TFT。用於給有機發光元件提供電流的TFT可以是η 通道TFT或ρ通道TFT。在位於像素部分周圍的驅動電路 2〇b中，形成η通道TFT、ρ通道TFT以及將它們互補組合的 COMS電路。這裏，表示出一個例子，其中，根據矩陣形 成由透明氧化膜形成的陽極23 ( ITO (氧化銦錫合金）、 氧化銦—氧化鋅合金（Ιη203-Ζη0 )和氧化鋅（ZnO )) -17· (13) (13)200303700 ，然後形成連接TFT的主動層的接線。隨後，形成由無機 材料或有機材料構成的絕緣薄膜24，用於覆蓋陽極、23的端 部。 然後，如圖2B所示，沈積用於形成EL元件的有機化 合物層（EL層）。 首先，作爲預處理，對陽極23進行淸潔。關於淸潔陽 極表面，在真空中進行紫外線照射或者進行氧電漿處理， 以便淸潔陽極表面。關於氧化，最好在將基底加熱到1 00 到1 2〇 °C的情況下，在包含氧氣的空氣中進行紫外線照 射，在陽極是氧化物如ITO的情況下，這樣做是有效的。 關於退火，爲了淸除附著在基底中的雜質如氧氣和濕氣以 及沈積在基底上的薄膜中的雜質如氧氣和濕氣，可以在基 底能夠在真空中承受的5 0 °C或更高，最好是6 5到1 5 0 °C的 加熱溫度下對基底進行退火。特別地，EL材料往往被雜 質如氧氣和濕氣退化，因此在蒸發之前在真空進行退火是 有效的。

接著，在不暴露在空氣中的情況下，將基底輸送到圖 1 A和1B所示的作爲沈積裝置的薄膜形成室，並且將作爲 有機化合物層之一的電洞傳輸層、電洞注入層或發光層適 當地層疊在陽極23上。這裏，爲了進行蒸發，將在作爲圖 1 A和1B中示出的蒸發裝置的薄膜形成室中提供的蒸發源 加熱，沈積出電洞注入層25、發光層（R) 26、發光層（ G) 27和發光層（B) 28。發光層（R)爲發出紅光的發光 層，發光層（G)爲發出綠光的發光層，並且發光層（B -18- (14) (14)200303700 )爲發出藍光的發光層。在圖丨入和…中示出的沈積裝置 用於蒸發’它可以顯著地提高有機化合物層的薄膜，厚度的 均勻度、對蒸發材料的利用率以及産量。 然後，形成陰極29。在圖1A和1B中示出的薄膜形成 室可以用於形成陰極29。在圖1A和1B中示出的沈積裝置 用於蒸發，它可以顯著地提高陰極的薄膜厚度的均勻度、 對蒸發材料的利用率以及産量。 關於用於陰極29的材料，考慮最好利用具有較小功函 數的金屬（典型的是在元素周期表中第一族或第二族中的 金屬元素）或包含它們的合金。功函數越小，發光效率提 高的越多。由此，作爲用於陰極的材料，包含鹼金屬之一 Li (鋰）的合金材料是他們當中的理想材料。陰極也用作 全部像素的共用接線，它具有在藉由接線的輸入端部分的 端子電極。 接著，最好利用保護膜、密封基底或密封罐對基底進 行密封，將有機發光裝置與外界完全隔開，以防止外界的 物質進入，由於濕氣和氧氣使EL層氧化，這些物質會引 起退化。可以提供乾燥劑。 然後，用各向異性的導電材料將FPC (軟性印刷電路 )聯接到輸入和輸出端部分中的電極上。各向異性的導電 材料是由樹脂與鍍金的直徑爲幾到幾百微米的導電顆粒構 成的，其中導電顆粒在電氣上將在輸入和輸出部分中的電 極與在FPC中形成的接線連接。 最好提供光學膜如由起偏振片和延遲劑構成的迴圈偏 -19- (15) (15)200303700 振片，或者，如果需要，安裝1C晶片。 根據這些處理步驟，完成了用FPC連接的模組、型主動 矩陣發光裝置。 此外，這裏表示陽極是透明導電膜，根據這樣的順 序疊加陽極、有機化合物層和陰極的例子。但是，本發明 不限於這種多層結構。可以根據陰極、有機化合物層和陽 極的順序進行分層，或者，陽極可以是一個金屬層，根據 陽極、有機化合物層和半透明的陰極的順序進行分層。 這裏表示出頂部閘極TFT的例子，作爲TFT的結構。 但是，本發明能夠修改而不必考慮TFT的結構。例如，可 以改爲底部閘極（逆交叉）的TFT和交叉TFT。 〔例2〕 圖3表示出EL模組的頂視圖的外觀。在形成了無數 TFT的基底（也將其稱爲TFT基底）35中，佈置了用於顯 示的像素部分3 0、用於驅動在像素部分中的像素的驅動電 路3 la和3 1b、用於將佈置在EL層之上的陰極連接到互連接 線的連接部分、以及用於聯結FPC從而連接外部電路的端 子部分32。將該模組用用於密封EL元件的基底和密封材 料3 4進行密封。 在圖3中，沒有具體表明像素部分的截面圖。這裏， 將圖2B中示出的截面圖作爲例子。圖3中示出的模組爲進 行密封處理之後的産品，其中，將保護膜或者密封基底聯 接到具有圖2B所示截面結構的産品上。 -20- (16) (16)200303700 在基底上形成絕緣薄膜，在絕緣薄膜的上部形成像素 部分和驅動電路。由多個包括電流控制TFT和在電'氣上連 接汲極的像素電極構成像素部分。藉由利用包括η通道 TFT和ρ通道TFT的CMOS電路形成驅動電路。 最好藉由利用衆所周知的技術形成這些TFT。 像素電極起發光元件（有機發光元件）的陽極的作用 。在像素電極的兩端形成稱爲岸（bank)的絕緣薄膜，在 像素電極之上形成有機化合物層和發光元件的陰極。 陰極起由全部像素共用的接線的作用，藉由連接接線 ，陰極在電氣上連接到連接FPC的端子部分。用陰極和保 護膜覆蓋像素部分和驅動電路包括的全部裝置。最好用膠 粘劑將基底與覆蓋材料（用於密封的基底）粘結。可以在 覆蓋材料中佈置凹進部分用來放置乾燥劑。 本例可以與實施例自由組合。 〔例3〕 例1表示出製造將頂部閘極TFT (更具體講，它是平 面TFT)作爲TFT22的例子。在本例中，使用TFT42而不是 TFT22。在本例中使用的TFT42爲底部閘極TFT (更具體講 爲逆交叉TFT )，最好利用衆所周知的製造處理步驟來製 造它。 如圖4A所示，首先，利用衆所周知的製造處理步驟 ，在具有絕緣表面的基底41上形成底部閘極的TFT42。這 裏，表示出形成TFT，然後根據矩陣形成陽極43的例子， -21 - (17) (17)200303700 陽極43由金屬層（從Pt、Cr、W、Ni、Zn、Sn和In只選擇 的包括一種或多個元素的導電材料）構成。 ' 接著，沈積用於覆蓋陽極43端部的絕緣薄膜44，它是 由無機材料或有機材料構成的。 然後，如圖4B所示，沈積用於形成EL元件的有機化 合物層（EL層）。將基底傳送到配備有蒸發源的薄膜形 成室，在陽極43之上適當地層疊電洞傳輸層、電洞注入層 或發光層，它們是有機化合物層之一。這裏在圖1 A和1B 所示的沈積裝置中進行蒸發，沈積出電洞注入層45、發光 層（R) 46、發光層（G) 47和發光層（B) 48。在圖1A和 1 B中所示的沈積裝置用於蒸發，它可以顯著地提高有機化 合物層的薄膜厚度的均勻度、對蒸發材料的利用率以及産 量° 接著，利用圖1 A和1 B所示的沈積裝置形成應當爲下 層的陰極49a。圖1A和1B所示的沈積裝置用於蒸發，它可 以顯著地提高陰極49a的薄膜厚度的均勻度、對蒸發材料 的利用率以及産量。關於應當作爲下層的陰極49a，最好 使用非常薄的金屬膜（藉由將鋁與合金如MgAg、Mgln、 AlLi和CaN或元素周期表中第一族或第二族中的元素聯合 蒸發而沈積的薄膜）或這些材料的多層。 然後，在陰極49a之上形成電極49b (圖4C，對於電極 49b，最好使用透明金屬氧化膜（IT0 (氧化銦錫合金）、 氧化銦—氧化鋅合金（Ιη203-Ζη0 )和氧化鋅（ΖηΟ )) 。圖4 C所示的多層結構是沿著圖中箭頭所示的方向發光的 -22- (18) (18)200303700 情況（光線藉由陰極）。由此，最好將半透明的導電材料 用作包括陰極的電極。 ' 在本步驟之後的步驟與例1中示出的模組型主動矩陣 發光裝置的步驟相同，因此這裏將其說明省略。 本例可以與實施例、例1或2中的任意一個自由結合。 〔例4〕 在本例中，圖5表示出多室系統的製造系統，其中到 製造上部電極之前，製造步驟完全是自動進行的。 在圖5中，100a到100k和100m到100u表示門，101表 示預處理室，119表示取出室，102、104a、108、114和 118表示輸送室，105、107和111表示傳遞室，106R、 106B、106G、109、110、112 和 113 表示薄膜形成室，103 表示預處理室，117表示密封基底載入室，115表示分配室 ，116表示封裝室，120a和120b表示盒（chamber)室， 121表示支架安裝台。 下面將說明預先用TFT22和陽極23形成的基底在圖5 所示的製造系統中傳送，以形成圖2B所示的多層結構的過 程。 首先，在盒室120a或盒室120b中放置用TFT和陽極23 形成的基底。當該基底是大尺寸基底時（例如， 3 00mmx 3 60mm )，將其放置在盒室1 2Ob中。當該基底是 一般基底時（例如，127mmxl27mm)，將其傳送到支架 安裝台121。然後，將幾個基底放入支架中（例如， -23- (19) (19)200303700 300mmx360mm ) 0 然後，將基底從配備有基底輸送機構的輸送室11 8傳 送到準備室1 0 1。 準備室101與真空處理室連接。最好，將準備室101抽 真空，然後引入惰性氣體達到大氣壓。接著，將基底傳送 到連接準備室101的輸送室102。預先將輸送室抽真空以保 持真空，以便不存在濕氣和氧氣。 輸送室102與用於對輸送室抽真空的真空處理室連接 。關於真空處理室，提供了磁浮渦輪分子泵、低溫泵或乾 燥密封真空泵。因此，輸送室中的最終的真空度可以達到 10_5到10_6Pa，並且可以對從泵側的雜質反向擴散和排氣 系統進行控制。爲了防止將雜質引入該裝置，將惰性氣體 如氮氣和稀有氣體用作要引入的氣體。在引入該裝置之前 ，用氣體淨化器對要引入該裝置的氣體進行高度淨化。因 此，需要配備氣體淨化器，以便對氣體進行高度淨化，然 後將其引入該裝置。因此，可以預先淸除包含在氣體中的 氧氣、濕氣和其他雜質。這樣，可以防止將雜質引入該裝 置。 爲了淸除包含在基底中的濕氣和其他氣體，基底最好 在真空中退火以除氧。最好將基底傳送到與輸送室102連 接的預處理室103進行退火。當需要對陽極表面進行淸潔 時，最好將基底傳送到與輸送室102連接的預處理室103進 行淸潔。 可以將由聚合物構成的有機化合物層沈積在整個陽極 -24- (20) (20)200303700 之上。薄膜形成室1 12是用於沈積由聚合物構成的有機化 合物層的薄膜形成室。在本例中，表示出將起電洞’注入層 25作用的聚（苯乙烯-磺酸鹽）/聚（乙二氧基噻吩 ethylenedioxythiophene) (PEDOT/PSS)水溶液沈積在整 個表面的例子。當藉由旋轉塗覆、噴墨沈積或者噴射，在 薄膜形成室112中進行有機化合物層沈積時，在大氣壓下 將用於沈積的基底的表面向上放置。在本例中，傳送室 105配備有用於適當翻轉基底的基底翻轉機構。在用水溶 液進行沈積之後，最好將基底傳送到預處理室1 〇3並且在 真空中進行退火以使濕氣氣化。在本例中，表示出對由聚 合物構成的電洞注入層25進行沈積的例子。但是，可以在 電阻加熱的基礎上，藉由蒸發對由低分子量有機材料構成 的電洞注入層進行沈積，或者不特別提供電洞注入層25。 接著，在不暴露到空氣中的情況下，將基底l〇4c從輸 送室102傳送到傳送室105。然後，將基底104c傳送到輸送 室104，並且由輸送機構104b將其傳送到薄膜形成室106R ，以便將發出紅光的EL層26適當地沈積在陽極23上。這 裏，沈積是在電阻加熱的基礎上藉由蒸發進行的。對於薄 膜形成室106R來說，在傳送室105中，將用於沈積的基底 表面向下放置。在傳送基底之前，最好對薄膜形成室抽真 空。 在被抽真空的薄膜形成室l〇6R中進行蒸發，將薄膜形 成室106R的真空度減小到例如5xl(T3T〇rrS ( 0.665Pa )或 以下，最好是1(Γ4到l〇_6Pa。在蒸發過程中，預先進行電 -25- (21) (21)200303700 阻加熱，使有機化合物氣化。在蒸發過程中，將閘（沒有 示出）打開，使化合物沿著基底的方向飛。經過氣 '化的有 機化合物向上飛，並且藉由金屬遮罩中沈積的打開部分， 沈積在基底上。 在本例中，在圖1 A和1B中示出的沈積裝置用於進行 沈積。在圖1 A和1B中示出的沈積裝置用於蒸發，這可以 顯著地提高有機化合物層的薄膜厚度的均勻度、對蒸發材 料的利用率以及産量。 這裏，爲了提供全顔色，在薄膜形成室10 6R中對基底 進行沈積，然後，在薄膜形成室106 G和106B中對基底連 續進行沈積，以便適當地形成發出紅、綠、藍光的有機化 合物層2 6到2 8。 在陽極23上形成電洞注入層25和理想的EL層26到28 ，然後，在不暴露到空氣中的情況下，將基底從輸送室 1〇4 a傳送到傳送室107。接著，在不暴露到空氣中的情況 下，將基底從傳送室107傳送到輸送室1〇8。 此後’在輸送室1 0 8中提供的輸送機構將基底傳送到 薄膜形成室110，在電阻加熱的基礎上，藉由蒸發的方法 ’適當地沈積由金屬層構成的陰極29。這裏，薄膜形成室 110是在用於藉由電阻加熱進行蒸發的蒸發源中具有。和 A1蒸發裝置。 根據這些步驟，製造出圖2B中所示的多層結構發光元 件。 然後’在不暴露到空氣中的情況下，將基底從輸送室 -26- (22) (22)200303700 10 8傳送到薄膜形成室113，對由氮化矽薄膜或氮氧化矽薄 膜構成的保護膜進行沈積。這裏，薄膜形成室11 3、是在內 部配備有由矽構成的目標（target )、由氧化矽構成的目 標或由氮化矽構成的目標的噴射裝置。例如，使用由矽構 成的目標，在薄膜形成室中的氣體設置爲氮氣或包含氮氣 和氬氣的氣體，這使得能夠進行氮化矽薄膜沈積。 接著’在不暴露到空氣中的情況下，將形成有發光元 件的基底從輸送室1 〇 8傳送到傳送室1 1 1，再將其從傳送室 1 1 1傳送到輸送室1 1 4。 此後，將形成有發光元件的基底從輸送室1 1 4傳送到 封裝室1 1 6。最好在封裝室1 1 6中準備好具有密封材料的封 裝基底。 將封裝基底從外面裝入封裝基底載入室117。爲了淸 除雜質如濕氣，最好預先在真空中進行退火。例如，在封 裝基底載入室117中對基底進行退火。當在封裝基底上形 成密封材料時，將輸送室1 14設置爲大氣壓，將封裝基底 從封裝基底載入室傳送到分配室1 1 5，以形成與形成有發 光元件的基底粘結的密封材料。然後，將形成有密封材料 的封裝基底傳送到封裝室1 1 6。 接著，爲了對形成有發光元件的基底除氣，在真 或者在惰性氣體中對基底退火，然後，將形成有密封材_ 的封裝基底與形成有發光元件的基底粘結。這裏，表示$ 在封裝基底上形成密封材料的例子，對其沒有具體規定。 最好在形成有發光元件的基底上構成密封材料。 -27- (23) (23)200303700 然後，藉由在封裝室1 1 6中提供的紫外線照射機構， 將紫外線照射在一套經過粘結的基底上，以便使密對材料 固化。這裏，將紫外線可固化樹脂用作密封材料，只要是 粘結劑，沒有其他特殊限制。 接著，將這套經過粘結的基底從封裝室1 1 6傳送到輸 送室114，再從輸送室11 4傳送到取出室119，將其取出。 如上所述，使用了圖5所示的製造系統，直到將其在 封閉的空間中封裝之前，完全不將發光元件暴露在周圍的 空氣中。由此，能夠製造高度可靠的發光裝置。在輸送室 1 1 4中重複出現真空和大氣壓下的氮氣，但理想的情況是 始終將輸送室102、104 a和10 8保持真空。 或者，直列（inline )系統的製造裝置是可行的。 下面將說明將預先形成了 TFT和陽極的基底傳送到圖 5所示的製造系統中，並且形成圖4C所示的多層結構的過 程。 首先，與形成圖2A所示的多層結構相似，將形成有 TFT和陽極43的基底放置在盒室120a或盒室120b中。 然後，將基底從配備有基底輸送機構的輸送室1 1 8傳 送到準備室1 0 1。接著，將基底傳送到與準備室1 〇 1連接的 輸送室1 02。 爲了淸除包含在基底中的濕氣和其他氣體，最好對基 底在真空中退火以除氧。爲了退火，最好將基底傳送到與 輸送室102連接的預處理室103。當需要淸潔陽極表面時， 將基底傳送到與輸送室102連接的預處理室1〇3進行淸潔。 -28 - (24) (24)200303700 可以在整個陽極之上形成由聚合物構成的有機化合物 層。薄膜形成室11 2是用於沈積由聚合物構成的有機化合 物層的薄膜形成室。例如，最好在整個表面上對起電洞注 入層45作用的聚（苯乙烯磺酸鹽）/聚（乙二氧基噻吩 ethylenedioxythiophene) ( PEDOT/PSS)水溶液進行沈積 。當藉由旋轉塗覆、噴墨沈積或者噴射，在薄膜形成室 1 1 2中對有機化合物層進行沈積時，在大氣壓下將用於沈 積的基底的表面向上放置。傳送室105配備有用於適當翻 轉基底的基底翻轉機構。在用水溶液進行沈積之後，最好 將基底傳送到預處理室103並且在真空中進行熱處理以使 濕氣氣化。 接著，在不暴露到空氣中的情況下，將基底l〇4c從輸 送室102傳送到傳送室105，然後，將基底104c傳送到輸送 室104。由輸送機構104b將基底傳送到薄膜形成室106R， 將發出紅光的EL層46適當地沈積在陽極43上。這裏，沈 積是利用圖1 A和圖1 B所示沈積裝置藉由蒸發進行的。圖 1 A和1 B所示的沈積裝置用於蒸發，可以顯著地提高有機 化合物層的薄膜厚度的均勻度、對蒸發材料的利用率以及 座量。 這裏，爲了提供全顔色，在薄膜形成室1061^中對基底 進行沈積，然後，在薄膜形成室106G和106B中對基底進 行沈積，以便適當地沈積發出紅、綠、藍光的有機化合物 層4 6到4 8。 在陽極43上形成電洞注入層45和理想的EL層46到48 -29 - (25) (25)200303700 ，然後，在不暴露到空氣中的情況下，將基底從輸送室 1〇4a傳送到傳送室107。然後，在不暴露到空氣中钓情況 下，再將基底從傳送室107傳送到輸送室108。 此後，利用在輸送室108中配備的輸送機構將基底傳 送到薄膜形成室110，藉由在圖1 A和1B中示出的沈積裝置 ，沈積由非常薄的金屬膜（藉由共同沈積的方法，對鋁與 合金如MgAg、Mgln、AlLi和CaN或元素周期表中第一族 或第二族中的元素進行沈積的薄膜）構成的陰極49a (下 層）。對由非常薄的金屬膜構成的陰極49a (下層）進行 沈積。然後，將基底傳送到薄膜形成室1 09，在這裏，利 用噴射對由透明導電薄膜形成的電極（上層）49b ( ITO ( 氧化銦錫合金）、氧化銦-氧化鋅合金（Ιη203-Ζη0)和 氧化鋅（ZnO ))進行沈積，以便適當形成薄金屬層的和 透明導電薄膜的電極49a和4 9b的多層。 根據這些處理步驟，製成圖4C中示出的多層結構的發 光元件。圖4C中示出的多層結構的發光元件沿著圖中箭頭 所示的方向發出光線，與圖2B所示發光元件發出的光線相 反。 此後的處理步驟與製造圖2A所示的具有多層結構的 發光裝置的過程相同，因此忽略對其的說明。 如上所述，當使用圖5所示的製造系統時，可以分別 製造圖2B中和圖4C中所示的多層結構。在圖1 A和1B中所 示的沈積裝置用於蒸發，可以顯著地提高有機化合物層的 薄膜厚度的均勻度、對蒸發材料的利用率以及産量。 -30- (26) (26)200303700 本例可以與實施例以及例1到3中的任何一個自由組合 〔例 5〕 _ 圖7表示出本例的製造系統的示意圖。 在圖7中，標號6la表示第一容器（坩堝），Mb表示 第一容器，用於將第一容器與空氣分開，以防止第—容器 被污染。標號62表示經過高度淨化的粉末狀EL材料。標 號63表不可抽真空室，標號64表示加熱構件，標號65表示 工件，標號66表示薄膜。標號68表示材料製造器，它是一 個生産和淨化將被用作蒸發材料的有機重新組合材料的製 造器（典型爲原料處理器），標號69表示具有蒸發裝置的 發光裝置製造器，它是一個發光裝置的製造器（典型爲生 產工廠）。 以下將說明本例的製造系統的流程。 首先，發光裝置製造器69向材料製造器68下指令60。 材料製造器68根據指令60準備第一容器和第二容器。然後 ，在充分注意不讓雜質（氧氣和濕氣）混入的情況下，材 料製造器在超淨室的環境中，在第一容器61a中淨化或放 置經過高度淨化的EL材料62。此後，材料製造器68最好 在第二容器61b中密封第一容器6la，以免不必要的雜質附 著在超淨室環境中的第一容器的裏面或外面。在密封過程 中，第二容器6 1 b的裏面最好爲真空或充滿惰性氣體。最 好，在淨化或裝載經過高度淨化的EL材料之前，對第一 -31 - (27) (27)200303700 容器61a和第二容器61b進行淸潔。 在本例中，由於後面要進行蒸發，將第一容器61 a放 在一個室中。第二容器61b可以是一種具有阻擋層特性的 包裝膜，用於阻止混入氧氣和濕氣。但是，第二容器最好 是具有光遮罩特性的圓柱形或箱形的硬容器，以便進行自 動拾取。 接著，當第一容器61 a被密封在第二容器61b中時，材 料製造器68進行到發光裝置製造器69的輸送67。 然後，當第一容器61 a被密封在第二容器61b中時，將 它們放在可以抽真空的處理室63中。處理室63是一個具有 內部提供的加熱構件64和基底支撐器（未示出）的蒸發室 。此後，對處理室63進行抽真空並且進行淸潔，盡可能減 少氧氣和濕氣，將第一容器61 a從第二容器61b中取出，然 後，在保持真空的情況下將其放入加熱構件64。這樣就準 備了蒸發源。放置工件65 (基底），使其面對第—容器 6 1 a ° 接著，用於進行電阻加熱的加熱構件64對蒸發材料進 行加熱，並且薄膜66可以被沈積在面對蒸發源的工件表面 上。這樣得到的沈積薄膜60不含雜質。當將沈積薄膜66用 於完成發光元件時，可以實現高可靠性和高亮度。 這樣，在從未暴露在空氣中的情況下，將第一容器 6 la放入處理室63，可以在將純度保持在已經由材料製造 器裝載蒸發材料62的水平的情況下，進行蒸發。材料製造 器直接將EL材料裝載到第一容器61 a中，它可以提供發光 -32- (28) (28)200303700 裝置製造器正好需要的量，並且可以有效地利用相對昂貴 的E L材料。 、 在基於電阻加熱的習知的蒸發方法中，對材料的利用 率很低。例如，以下是一種提高利用率的方法。在維護蒸 發裝置時候，將新的EL材料裝載入坩堝，在這種狀態下 進行第一次蒸發，然後，保留未被蒸發的剩餘材料。然後 ，在下一次沈積時，將新的EL材料補充在剩餘材料之上 進行黑發，在後續的蒸發中反復補充，直到進行維護之前 。追種方法可以提高利用率，但是該方法會使剩餘材料受 到污染。操作者補充材料，因此在補充過程中有可能將氧 氣和濕氣混入蒸發材料，使純度下降。將坩堝重複若干次 用於黑發，在維護時將其丟棄。爲了防止被雜質污染，可 以考慮每次進行蒸發時將新EL材料放入坩堝，並且在每 次蒸發後將坩堝丟棄，但製造成本提高。 該製造系統可以取消習知的盛放蒸發材料的玻璃瓶以 及將材料從玻璃瓶輸送到坩堝的操作，這樣可以防止混入 雜質。除此之外，也可以提高産量。 根據本例’能夠實現完全自動的製造系統以提高産量 ，能夠實現完全封閉的系統，該系統能夠防止雜質混入由 材料製造器68淨化的蒸發材料中。 EL·材料是爲了說明所舉的例子。但是，在本例中， 也可以在電阻加熱的基礎上，藉由蒸發對作爲陰極和陽極 的金屬層進行沈積。當利用電阻加熱形成陰極時可以在不 改變TFT22的電氣特性（導通電流、關斷電流、vth和S値 -33- (29) (29)200303700 )的情況下，製造EL元件。 對於金屬材料，可以根據相似的方式將金屬材·料預先 盛放在第一容器中，像現在這樣將第一容器放在蒸發裝置 中，並且利用電阻加熱使金屬蒸發，從而沈積出薄膜。 本例可以與實施例以及例1到4中的任何一個自由組合 〔例6〕 在本例中，將結合圖8 A，詳細描述用於輸送的容器 的形式。用於輸送的第二容器具有上部分72 1 a和下部分 72 1b。該第二容器具有：位於第二容器的上部分中，用於 固定第一容器的固定構件706 ;用於給固定構件施加壓力 的彈簧705 ; —個位於第二容器下部分的氣體入口 7〇8 ’它 是一個用於減少和保持第二容器中的壓力的氣體管線；一 個用於將上容器72 la與下容器72 lb固定的Ο形環；以及一 個緊固件702。在第二容器中，放入密封有經過淨化的蒸 發材料的第一容器701。第二容器最好是由包括不銹鋼的 材料構成的，而第一容器701是由含駄的材料構成的。 在材料製造器中，將經過淨化的蒸發材料密封在第一 容器701中。然後，藉由〇形環將第二容器的上部分72 la放 在第二容器的下部分721b上，緊固件702將上容器721a與 下容器721b固定，然後將第一容器701密封在第二容器中 。此後，藉由氣體入口 708對第二容器的內部減壓’並且 用氮氣進行替換，對彈簧705進行控制，利用固定構件706 -34- (30) (30)200303700 固定第一容器70 1。最好在第二容器中放入乾燥劑。根據 這樣的方式，當第二容器的內部保持真空、減壓或、氮氣時 ，即使是少量的氧氣和濕氣，也可以防止其附著到蒸發材 料上。 . 在該狀態下，將這些容器輸送到發光裝置製造器，將 第一容器放入薄膜形成室。此後，藉由加熱使蒸發材料昇 華，以便沈積出薄膜。 理想的是，以相似的方式，在不暴露到空氣中的情況 下，將其他部件如薄膜厚度監視器（石英諧振器）和閘輸 送並放入蒸發裝置中。 在本例中，薄膜形成室與設置室連接，在設置室中將 在不暴露到空氣中的情況下被密封在容器中的坩堝（它被 充滿蒸發材料）從容器中取出，以便將坩堝放置在蒸發源 支撐器中。在不暴露到空氣中的情況下，利用傳送機器人 從設置室輸送坩堝。最好，設置室配備有抽真空的構件和 用於對坩堝進行加熱的加熱構件。 以下將結合圖8A和8B，對將第一容器701放入薄膜形 成室的機構進行描述，第一容器被密封在第二容器72 la和 721b中進行輸送。 圖8 A表示出具有用於固定盛放了第一容器的第二容 器721 a和lb的旋轉台713、用於輸送第一容器的輸送機 構以及提升機構的設置室7 1 3的截面圖。設置室的位置與 薄膜形成室相鄰，並且可以由氣體控制構件藉由氣體入口 控制設置室中的氣體。本例的輸送機構不限於圖8B所示在 -35- (31) (31)200303700 第一容器70 1上面將第一容器夾住（拾取）進行傳送的結 構。可以採用從側面夾住第一容器進行傳送的結構'。 在這個設置室中，將第二容器放在旋轉台713上，而 將緊固件702去掉。其裏面是真空狀態，因此去掉緊固件 7 02時，第二容器不斷開。然後，氣體控制構件減小設置 室裏面的壓強。當設置室裏面的壓強變得與第二容器裏面 的壓強相等時，很容易將第二容器打開。提升機構7 1 1將 第二容器的上部分72 la移開，並且旋轉台713以旋轉軸712 作爲軸進行旋轉，使第二容器的下部分和第一容器移動。 然後，輸送機構將第一容器701輸送到薄膜形成室，並且 將第一容器70 1放在蒸發源支撐器（沒有示出）裏面。 此後，位於蒸發源支撐器中的加熱構件使蒸發材料昇 華，開始沈積。在這個沈積過程中，當位於蒸發源支撐器 中的閘（沒有示出）打開時，昇華的蒸發材料沿著要被沈 積的基底的方向飛過基底，並且沈積出發光層（包括電洞 傳輸層、電洞注入層、電子傳輸層和電子注入層）。 接著，完成蒸發之後，將第一容器從蒸發源支撐器中 拾起，輸送到設置室，放在置於旋轉台713之上的第二容 器（沒有示出）的下容器上，並且用上容器72 la密封。此 時’最好根據傳送的組合將第一容器、上容器、和下容器 密封。在這種情況下，使設置室805處於大氣壓下。將第 二容器從設置室中取出，用緊固件7 02固定，並且傳送到 材料製造器。 圖9 A和9B表示出可以保持多個第一容器911的設置室 -36- (32) (32)200303700 的例子。在圖9A中，設置室905具有可以保持多個第一容 器911或第二容器912的旋轉台907、用於傳送第一溶器的 傳送機構902b和提升機構902a。薄膜形成室906具有蒸發 源支撐器903和支撐器移動機構（這裏沒有示出）。圖9A 表示出頂視圖，圖9B表示出設置室裏面的透視圖。設置室 905配備有與薄膜形成室906相鄰的閘閥900，並且氣體控 制構件藉由氣體入口對設置室中的氣體進行控制。在圖中 沒有示出，安排移開的上部分（第二容器）9 1 2的地方是 分開佈置的。 或者，可以在與薄膜形成室連接的預處理室（設置室 )中配備機器人，使機器人將每個蒸發源從薄膜形成室移 動到預處理室，並且使機器人能夠在預處理室的蒸發源中 佈置蒸發材料。更具體地說，可以接受在其中將蒸發源移 動到預處理室的製造系統。因此，可以在保持薄膜形成室 淸潔的情況下，設置蒸發源。 本例可以與實施例和例1到5中的任意一個自由組合。 〔例7〕 在本例中，圖10表示出從第一電極形成到封裝的處理 步驟全部自動進行的多室系統的製造系統的例子。 圖10是一個多室製造系統，具有門500 a到5 0 0y，輸送 室 502、 504a、 508、 514和 518，傳送室 505、 507和 511， 準備室501，第一薄膜形成室506H，第二薄膜形成室506B ，第三薄膜形成室506G，第四薄膜形成室506R，薄膜形 -37- (33) (33)200303700 成室50 6E，其他薄膜形成室509、510、512、513、531、 和 5 3 2，用於設置蒸發源的設置室 526R、5 26G、52 6B、 526E和526H，預處理室5 03 a和503b，封裝室516，遮罩儲 存室524、封裝基底儲存室5 3 0，盒室520a和520b，托盤安 裝台521和取出室519。輸送室504a配備有用於輸送基底 5 04c的傳送機構504b，並且其他輸送室也相似地配備有各 自的傳送機構。 下面，表示出將預先形成有陽極（第一電極）和用於 覆蓋陽極末端部分的絕緣子（阻擋壁）的基底傳遞到圖1 〇 所示系統中，以便製造發光裝置的過程。在製造主動矩陣 發光裝置的情況下，基底由多個連接到陽極的薄膜電晶體 (電流控制TFT )和其他電晶體（如開關TFT )以及也由 薄膜電晶體構成的驅動電路預先形成。也是在製造主動矩 陣發光裝置的情況下，可以藉由圖1 〇所示的製造系統對其 進行製造。 首先，將基底放在盒室5 20a或盒室520b中。當該基底 是大尺寸基底時（例如，300mmx360mm)，將其放置在 盒室520b中。當該基底是一般基底時（例如， 127mmx 127mm )，將其放在盒室520a中並傳送到支架安 裝台521。將多個基底放在支架上（例如，300mmx360mm )° 將放在盒室中的基底（形成有陽極和用於覆蓋陽極末 端部分的絕緣子的基底）傳送到輸送室5 1 8。 爲了減少點缺陷，在將基底放在盒室中之前，最好用 -38- (34) (34)200303700 浸泡了表面活性劑（弱鹼性）的多孔海綿（通常該海綿是 由PVA (聚-乙烯醇）和尼龍製造的）對第一電極’（陽極 )的表面進行淸潔，以淸除該表面上的灰塵和污垢。作爲 淸潔機構，可以採用具有沿著與基底表面平行的軸線旋轉 ，以接觸基底表面的旋轉刷（由PVA製造的）的淸潔設備 ，或者具有沿著與基底表面垂直的軸線旋轉，以接觸基底 表面的盤刷（由PVA製造的）的淸潔設備。爲了淸除包含 在基底中的濕氣和其他氣體，在沈積包含有機化合物的薄 膜之前，最好對基底退火，在真空中進行排氣。爲了退火 ，最好將基底傳送到與輸送室518連接的烘焙室523。 接著，將基底從配備有基底輸送機構的輸送室518傳 送到準備室501。在本例的製造系統中，安裝在輸送室518 中的機器人可以將基底翻轉，它可以將基底反過來傳送到 準備室501。在本例中，將輸送室518始終保持爲大氣壓。 準備室501與真空處理室連接，它最好被抽真空，引入惰 性氣體並且保持爲大氣壓。 接著，將基底傳送到與準備室501連接的輸送室502。 最好預先將輸送室5 02抽真空並保持真空，以便使存在的 濕氣和氧氣盡可能少。 關於真空處理室，提供了磁浮渦輪分子泵、低溫泵或 乾燥密封真空泵。因此，輸送室中的最終的真空度可以達 到1CT5到l(T6Pa，並且可以對來自泵側的雜質反向擴散和 排氣系統進行控制。爲了防止雜質混入該裝置，將惰性氣 體如氮氣和稀有氣體用作要引入的氣體。在引入該裝置之 -39- (35) (35)200303700 前’用氣體淨化器對要引入該裝置的氣體進行高度淨化。 因此’需要配備氣體淨化器，以便對氣體進行高度、淨化， 再將其引入該裝置。因此，可以預先淸除包含在氣體中的 氧氣、濕氣和其他雜質。這樣，可以防止將雜質引入該裝 置。 在將已經沈積在不必要的位置上的包含有機化合物的 薄膜淸除的情況下，最好將基底傳送到預處理室503 a，以 便有選擇地淸除多層有機化合物薄膜。預處理室5 03 a具有 等離子生成構件，用於對從Ar、h、F、和Ο中選擇的一種 或多種氣體進行激發，生成用於幹蝕刻的等離子。遮罩用 於有選擇地僅將不需要的部分淸除。可以在預處理室503 a 提供紫外線照射機構，以便照射紫外線，作爲陽極表面處 理。 爲了消除收縮，最好在緊接著沈積有機化合物薄模之 前’在真空下對基底進行加熱。爲了在預處理室5 03b中徹 底淸除包含在基底中的濕氣和其他氣體，在真空中（ 5xl〇-3T〇rrs ( 0.665Pa)或以下，最好是 1 (Γ4 到 1 (T6Pa )對 基底退火，用於除氧。在預處理室5 03b中，將平面加熱器 (典型爲外皮加熱器）用於對多個基底均勻加熱。可以將 多個平面加熱器佈置爲用平面加熱器將基底夾在中間，從 兩側對其加熱。當然，平面加熱器可以從一側對基底加熱 °特別地，當有機樹脂薄膜被用作層間絕緣材料或阻擋壁 的材料時，某些有機樹脂材料有吸收濕氣的趨勢，往往需 要進一步除氧。因此，有效的是在真空中進行加熱，其中 -40- (36) (36)200303700 ，在100到2 5 0它、最好是150到200 °C對基底進行30分 鐘或更長時間的退火，然後進行自然冷卻，例如，’3 0分鐘 ，從而在沈積包含有機化合物的層之前，淸除所吸收的濕 氣。 . 然後，在真空中進行加熱之後，將基底從輸送室5 02 傳送到傳送室5 05，再在不暴露到空氣中的情況下，將基 底從傳送室5 0 5傳送到輸送室504a。 接著，將基底適當地傳送到與輸送室504 a連接的薄膜 形成室5 06R、506G、5 06B和506E，以便在基底上沈積將 作爲電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層或電 子注入層的低分子量有機化合物層。或者，可以將基底從 輸送室102傳送到薄膜形成室506H進行蒸發。 或者可以在薄膜形成室512中，在大氣壓或減壓下， 藉由噴墨沈積或旋轉塗覆沈積出由聚合物材料構成的電洞 注入層。或者，最好將基底垂直放置，以便藉由噴墨沈積 在真空中進行沈積。可以在用於進行烘焙的第一電極（陽 極）的整個表面上塗覆起電洞注入層（陽極緩衝層）作用 的聚（苯乙烯磺酸鹽）/聚（乙二氧基噻吩）（ PEDOT/PSS )水溶液、聚苯胺/樟腦磺 水溶液（ PANI/CS A ) 、PTPDES、Et-PTPDEK 或 PPB A 〇 在烘焙過程 中，在烘焙室523中對基底進行烘焙。當藉由利用旋轉塗 覆的塗覆方法沈積由聚合物材料構成的電洞注入層時，提 高了平整度並且在其上沈積的薄膜的覆蓋和薄膜厚度均勻 性可以非常好。特別地，使發光層的薄膜厚度變得均勻， -41 - (37) (37)200303700 從而可以得到均勻的發光。在這種情況下，最好藉由塗覆 的方法沈積電洞注入層，然後，在緊接著藉由蒸發*的方法 進行沈積之前，在真空下對基底加熱（100到200 °C)。最 好在預處理室503b中：在真空下對基底加熱。例如，用海 綿對第一電極（陽極）的表面進行淸潔，並且將基底傳送 到盒室和薄膜形成室512，以便藉由旋轉塗覆，在整個表 面上塗覆厚度爲60nm的聚（苯乙烯磺酸鹽）/聚（乙二氧 基噻吩）（PEDOT/PSS )水溶液。然後，將基底傳送到烘 焙室5 23，在80 °C的溫度下預烘焙十分鐘，在200 °C的 溫度下烘焙一個小時。在緊接著蒸發之前，再將基底傳送 到預處理室5 03 b，在真空中加熱（在170 °C的溫度下加 熱3 0分鐘，並且冷卻3 0分鐘）。然後，在不暴露到空氣中 的情況下，將基底傳送到薄膜形成室506R、506G和506B ，藉由蒸發的方法沈積發光層。特別地，當將ITO薄膜用 作陽極材料並且在表面上存在凹坑和凸起時，形成厚度爲 30nm或更厚的PEDOT/PSS薄膜。因此，可以減少影響。 當將PEDOT/PSS塗覆在ITO薄膜表面上時，它不具有 良好的潤濕性。因此，最好，藉由旋轉塗覆來塗覆 PEDOT/PSS溶液第一次，用純水洗該表面以提高潤濕性， 再藉由旋轉塗覆塗覆PEDOT/PSS溶液第二次，並且烘焙該 基底，得到均勻性良好的沈積。在第一次塗覆之後，用純 水淸洗以改善表面，這樣也可以獲得淸除細小顆粒的優點 〇 當藉由旋轉塗覆沈積PEDOT/PSS時，將其沈積在整個 -42- (38) (38)200303700 表面上。因此，最好有選擇地將端面、邊緣部分、基底的 端子部分以及陰極與低層接線的連接區域淸除。最·好在預 處理室5 03 a中用遮罩藉由02灰化（ashing)進行有選擇地 淸除。 . 這裏，將描述薄膜形成室506R、506G、506B、506E 和 5 0 6 Η。 薄膜形成室506R、506G、506Β、506Ε和506Η中的每 一個都配備有可移動蒸發源支撐器。準備多個蒸發源支撐 器以使多個容器（坩堝）用EL材料適當密封，並且在這 樣的狀態下將這些支撐器放在薄膜形成室中。在薄膜形成 室中，將基底面朝下放置，用CCD調整遮罩的位置，以便 藉由電阻加熱進行蒸發，從而進行有選擇的沈積。該遮罩 被儲存在遮罩儲存室5 24中，並且在蒸發過程中被適當地 傳送到薄膜形成室。在蒸發過程中，遮罩儲存室是空的， 由此在沈積或處理之後，可以將基底儲存。薄膜形成室 5 3 2是一個備用的薄膜形成室，用於形成包含有機化合物 的層或金屬材料層。 最好，將以下說明的製造系統用於在薄膜形成室中放 置EL材料。更具體來說，最好將預先由材料製造器將EL 材料盛放在其中的容器（典型爲坩堝）用於蒸發。在不暴 ® @氣中的情況下放置坩堝更好。當從材料製造器傳送 時’最好當坩堝密封在第二容器中時，將其帶入薄膜形成 室。理想地，將設置室5 26R、526G、526B、526H和526E 設置爲真空或惰性氣體，在設置室中將坩堝從第二容器中 -43- (39) (39)200303700 取出，並將坩堝放在薄膜形成室中。設置室具有抽真空構 件，它們分別與薄膜形成室506R、5 06G、506B、5 06H和 5 06E連接。圖8A和8B或圖9A和9B示出設置室的一個例子 。因此，可以防止坩堝和盛放在坩堝中的EL材料被污染 。在設置室526R、5 26G、526B、5 26H和526E中可儲存金 屬遮罩。

適當選擇放在薄膜形成室506R、5 06G、506B、506H 和5 06E中的EL材料，由此可以製造由全部發光元件發出 單色（具體爲白色）或全色（具體爲紅綠藍）光的發光元 件。例如，當製造綠色發光元件時，在薄膜形成室506H 中形成電洞傳輸層或電洞注入層，在薄膜形成室506G中 形成發光層（G)，在薄膜形成室506E中形成電子傳輸層 或電子注入層，然後形成陰極。由此可以得到綠色發光元 件。例如，當製造全色發光元件時，在薄膜形成室506R中 使用用於紅色的遮罩，以便順序地形成電洞傳輸層或電洞 注入層、發光層（R)和電子傳輸層或電子注入層。在薄 膜形成室506G中使用用於綠色的遮罩，以便順序地形成 電洞傳輸層或電洞注入層、發光層（G)和電子傳輸層或 電子注入層。在薄膜形成室5 06B中使用用於藍色的遮罩， 以便順序地形成電洞傳輸層或電洞注入層、發光層（B ) 和電子傳輸層或電子注入層，然後形成陰極。由此可以得 到全色發光元件。 發出白光的有機化合物層主要被分爲具有紅綠藍三原 色的三波段型以及在形成具有不同顔色發光層的情況下， -44- (40) (40)200303700 利用藍/黃或青/橙等補色關係的兩波段型。在單個薄膜形 成室中可以製造白色發光元件。例如，當利用三波'段型獲 得白色發光元件時，準備好配備有多個安放了多個坩堝的 蒸發源支撐器的薄膜形成室。將芳香二元胺（TPD )密封 在第一蒸發源支撐器中，將ρ-EtTAZ密封在第二蒸發源支 撐器中，將Alq3密封在第三蒸發源支撐器中，將添加了構 成紅色發光染料的尼羅紅的Alq3密封在第四蒸發源支撐器 中，並且將Alq3密封在第五蒸發源支撐器中。在該狀態下 ，支撐器被放在不同的薄膜形成室中。然後，第一到第五 蒸發源順序開始移動，使基底經過蒸發形成層。更具體來 說，藉由加熱使TPD從第一蒸發源支撐器昇華，並且沈積 在整個基底表面上。然後，使p-EtTAZ從第二蒸發源支撐 器昇華，使Alq3從第三蒸發源支撐器昇華，使 Alq3:NileRed從第四蒸發源支撐器昇華，使Alq3從第五蒸 發源支撐器昇華，並且使它們沈積在整個基底表面上。此 後，形成陰極，於是就可以獲得白色光發光元件。 根據這些處理步驟，適當地形成包含有機化合物的層 ，然後將基底從輸送室5 04 a傳送到傳送室5 07。在不暴露 到空氣中的情況下，再將基底從傳送室5 07傳送到輸送室 5 08 ° 然後，安裝在輸送室5 08中的輸送機構將基底從輸送 室508傳送到薄膜形成室510，並且形成陰極。陰極是藉由 利用電阻加熱的蒸發方法形成的無機物薄膜（藉由鋁與合 金如MgAg、Mgln、AlLi和CaN或元素周期表中第一族或 -45- (41) (41)200303700 第二族中的元素聯合蒸發而形成的薄膜，或者多層這樣的 薄膜）。或者，可以藉由噴射形成陰極。 · 當製造頂部發光的發光裝置時，陰極最好是透明的或 半透明的。最好形成由金屬膜（1到1 Onm )構成的薄膜或 者由金屬膜（1到l〇nm )和透明導電薄膜構成的多層薄膜 ，作爲陰極。在這種情況下，最好在薄膜形成室5 09中藉 由噴射，沈積透明導電薄膜（ITO (氧化銦錫合金）、氧 化銦一氧化鋅合金（Ιη203·Ζη0)和氧化鋅（ZnO))。 根據這些步驟，製成多層結構的發光裝置。 可以將基底傳送到與輸送室508連接的薄膜形成室5 1 3 ，並且形成由氮化矽薄膜或氮氧化矽薄膜構成的保護膜用 於封裝。這裏，在薄膜形成室5 1 3中，提供由矽構成的目 標、由氧化矽構成的目標或由氮化矽構成的目標。例如， 使用矽構成的目標，並且使薄膜形成室中的氣體爲氮氣或 包含氮氣和氬氣的氣體。由此，可以在陰極上沈積氮化矽 薄膜。或者，最好沈積主要成分爲碳（DLC薄膜、CN薄膜 和無定形碳薄膜）的薄膜作爲保護膜。也可以藉由CVD分 別提供薄膜形成室。也可以藉由等離子CVD (典型爲RF等 離子CVD、微波CVD、電子迴旋加速器諧振源（ECR ) CVD和熱燈絲CVD)、火焰燃燒技術、噴射、離子束蒸發 和鐳射蒸發，沈積類金剛石碳薄膜（也稱爲DLC薄膜）。 關於用於沈積的反應氣體，使用氫氣和碳氫基氣體（例如 ，CH4、（：2112和C6H6 )，藉由輝光放電將它們電離，將離 子加速，碰撞負自偏陰極，進行沈積。對於CN薄膜，最 -46- (42) 200303700 好用C2H4氣體N2氣體作爲用於沈積的反應氣體。 和CN薄膜對可見光透明或半透明的絕緣薄膜。 透明是指對可見光的透明度爲80 - 1 00%，對可 明是指對可見光的透明度爲50 - 80%。 在本例中，在陰極上形成由第一無機絕緣薄 緩和薄膜和第二無機絕緣薄膜的多層構成的保護 ’形成陰極後，將基底傳送到薄膜形成室5 1 3以 無機絕緣薄膜，將基底傳送到薄膜形成室5 3 2以 法’沈積具有吸水性和透明度的應力緩和薄膜（ 化合物的層）。再將基底傳送到薄膜形成室5 1 3 二無機絕緣薄膜。 接著，在不暴露到空氣中的情況下，將形成 件的基底從輸送室508傳送到傳送室511，並且 5 1 1傳送到輸送室5 1 4。然後，將形成有發光元件 輸送室514傳送到封裝室516。 將密封基底從外面放入載入室5 1 7作爲準備 除雜質如濕氣，最好預先在真空中對該基底退火 當在密封基底上形成用於粘結形成有發光元件的 封材料時，在密封室5 2 7中形成密封材料，並且 封材料的封裝基底傳送到封裝基底儲存室5 3 〇。 封室5 2 7中將乾燥劑處理在封裝基底中。這裏示 基底上形成密封材料的例子，對其沒有特別的規 在形成有發光元件的基底上形成密封材料。 此後’在封裝室5 1 6中，將該基底粘結到封 DLC薄膜 對可見光 見光半透 膜、應力 層。例如 沈積第一 藉由蒸發 包含有機 以沈積第 有發光元 從傳送室 的基底從 。爲了淸 。然後， 基底的密 形成有密 可以在密 出在封裝 定。可以 裝基底上 -47- (43) (43)200303700 ’並且藉由安裝在封裝室516中的紫外線照射機構，將紫 外線照射在一套經過粘結的基底上，固化密封材料、。這裏 ，將UV可固化樹脂用作密封材料，只要是粘結劑，沒有 特殊限制。 _ 接著’將這套經過粘結的基底從封裝室516傳送到輸 送室514，並且從輸送室514傳送到取出室519並將其取出 〇 如上所述，使用圖1 0所示製造系統，完全避免了在將 發光元件密封在封閉的空間裏以前將其暴露在空氣中。因 此可以製造高可靠發光裝置。在輸送室514中，在大氣壓 下傳送基底’但可以重複真空和大氣壓下的氮氣，以便淸 除濕氣。然而，理想的情況是將輸送室502、50 4 a和508始 終保持真空。輸送室518始終是大氣壓。 此處圖式中未示出，安裝了用於對各個處理室中的操 作進行控制的控制系統，用於對各個處理室之間輸送基底 進行控制的控制系統以及用於對將基底傳送到各個處理室 的路線進行控制的控制系統用於自動化。 或者，在圖10所示的製造系統中，可以在其中引入了 形成有作爲陽極的透明導電薄膜（或金屬薄膜（TiN )) 的基底中製造頂部發光的（或頂部和底部發光的）發光元 件，沈積包含有機化合物的層，並且沈積透明或半透明陰 極（例如，多層薄金屬膜（Al，Ag )和透明導電薄膜）° 頂部發光的發光元件是指使光穿過陰極並且發出由有機化 合物層産生的光的元件。 -48- (44) (44)200303700 或者，在圖10所示的製造系統中，可以在其中引入了 形成有作爲陽極的透明導電薄膜（或金屬薄膜（ΓίΝ )) 的基底中製造底部發光的（或頂部和底部發光的）發光元 件，沈積包含有機彳匕合物的層，並且沈積由金屬膜（ Al，Ag )構成的陰極。底部發光的發光元件是指使有機化 合物層發出的光從作爲透明電極的陽極照向TFT並且穿過 基底的元件。 本例可以與實施例、例1、2、3、5或6自由組合。 本發明的沈積裝置用於蒸發，它可以顯著地提高有機 化合物層的薄膜厚度的均勻度、蒸發材料的利用率以及産 【圖式簡單說明】 藉由結合圖式考慮下面的詳細描述，可以很容易地理 解本發明，其中： 圖1 A和1B表示出實施例1 ; 圖2A和2B爲說明例1的截面圖； 圖3表示出發光裝置的頂視圖； 圖4A、4B和4C爲說明例3的截面圖； 圖5表示出多室系統的製造系統（例4); 圖6表示出移動蒸發源支撐器的一個例子； 圖7表示出例5 ; 圖8 A和8B表示出在設置室中的坩堝傳送； 圖9 A和9B表示出在設置室中傳送到蒸發源支撐器的 -49- (45) (45)200303700 坩堝；以及 圖10表示出多室系統的製造系統（例7)。 【符號說明】 11 薄膜形成室 12 基底支撐器 13 基底 14 遮罩 15 沈積罩（沈積閘） 17 蒸發源支撐器 18 蒸發材料 19 經過蒸發的蒸發材料 20a 像素部分 20b 驅動電路 2 1 基底 22 薄膜電晶體（TFT) 23 陽極 24 絕緣薄膜 25 電洞注入層 26 發光層（R) 27 發光層（G) 28 發光層（B) 29 陰極 30 像素部分 -50- (46) (46)200303700 31a、31b驅動電路 32 端子部分 34 密封材料 35 基底（也將其稱爲TFT基底） 41 基底 4 3 陽極 44 絕緣薄膜 4 5 電洞注入層 46 發光層（R) 47 發光層（G) 48 發光層（B) 49a 陰極 49b電極 6 1 a第一容器（坩堝） 61b第二容器 62 高度淨化的粉末狀EL材料 63 可抽真空室 64 加熱構件 65 工件 66 薄膜 6 7 輸送 68 材料製造器 69 發光裝置製造器 100a-100k 門 -51 - (47) (47)200303700 100m-1OOu 門 101預處理室 102、104a、108、1 14、1 18 輸送室 103預處理室 _ 1 04c基底 104b輸送機構 105、107、1 1 1 傳遞室 106R、106B、106G、109 薄膜形成室 1 1 0、1 1 2、1 1 3 薄膜形成室 1 15分配室 1 1 6封裝室 1 1 7密封基底載入室 1 19取出室 120a 、 120b 盒室 121支架安裝台 200基底 201蒸發源支撐器 202蒸發源支撐器移動的方向 2〇3a蒸發材料 2〇3b蒸發材料 500a-500y 門 501準備室 502、 504a、 508、 514、 518 輸送室 5 03 a、5 03 b 預處理室 -52- (48) (48)200303700 504b傳送機構 504c基底 505、 507、 511 傳送室 5 06H 第一薄膜形成室 5 06B 第二薄膜形成室 5 06G 第三薄膜形成室 5 06R 第四薄膜形成室 5 06E薄膜形成室 509、 510、 512、 513、 531、 532 薄膜形成室 5 1 6封裝室 5 19取出室 520a ^ 520b 盒室 521托盤安裝台 5 2 3烘焙室 5 24遮罩儲存室 5 26R、5 26G、5 26B ； 5 26E、5 16H 設置室 5 2 7 密封室 5 3 0封裝基底儲存室 701第一容器 702緊固件 7 0 5彈簧 7 0 6固定構件 708氣體入口 711提升機構 -53- (49) (49)200303700 7 1 2旋轉軸 713設置室 72 la上部分 72 lb下部分 . 80 5設置室 900閘閥 902a提升機構 902b傳送機構 903蒸發源支撐器 905設置室 9 0 6薄膜形成室 9 0 7旋轉台 91 1第一容器 912第二容器 -54

Claims (1)

1. (1) (1)200303700 拾、申請專利範圍 1· 一種製造系統，具有沈積裝置，其中，蒸、發材料 從位於基底對面的蒸發源蒸發，並沈積在基底上，該系統 包括： . 一個薄膜形成室，在其中放置基底，該薄膜形成室包 括： 蒸發源； 用於移動蒸發源的裝置；以及 用於旋轉基底的裝置， 其中，基底被移動，同時蒸發源被旋轉以便沈積。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的製造系統，其中，蒸 發源與基底之間的距離爲30cm或更小。 3 ·如申請專利範圍第1項所述的製造系統，其中，薄 膜形成室與用於對薄膜形成室抽真空的室連接。 4 ·如申請專利範圍第1項所述的製造系統，其中，蒸 發源至少沿X方向和Y方向移動。 5 ·如申請專利範圍第i項所述的製造系統，其中，蒸 發材料包括有機化合物材料。 6 ·如申請專利範圍第〗項所述的製造系統，所述用於 移動蒸發源的裝置爲蒸發源支撐器。 7 ·如申請專利範圍第〗項所述的製造系統，所述用於 旋轉基底的裝置是基底支撐器。 8· —種製造系統，具有沈積裝置，該系統包括： 一個載入室； -55- (2) (2)200303700 一個與載入室連接的輸送室；以及 一個與輸送室連接的薄膜形成室， · 其中，薄膜形成室包括： 一個蒸發源； _ 用於移動蒸發源的裝置；以及 用於旋轉基底的裝置， 其中，基底被移動，同時蒸發源被旋轉以便沈積。 9 ·如申請專利範圍第8項所述的製造系統，其中，蒸 發源與基底之間的距離爲30cm或更小。 1 〇 ·如申請專利範圍第8項所述的製造系統，其中， 薄膜形成室與用於對薄膜形成室抽真空的室連接。 1 1 ·如申請專利範圍第8項所述的製造系統，其中， 蒸發源至少沿X方向和Y方向移動。 1 2 ·如申請專利範圍第8項所述的製造系統，其中， 蒸發材料包括有機化合物材料。 1 3 ·如申請專利範圍第8項所述的製造系統，該用於 移動蒸發源的裝置爲蒸發源支撐器。 1 4 ·如申請專利範圍第8項所述的製造系統，該用於 旋轉基底的裝置是基底支撐器。 15· —種製造系統，具有沈積裝置，其中，蒸發材料 從位於基底對面的蒸發源蒸發，並沈積在基底上，該系統 包括： 一個薄膜形成室，在其中放置基底，該薄膜形成室包 括： -56- (3) (3)200303700 蒸發源； 用於移動蒸發源的裝置；並且 、 其中，蒸發源沿著Z字形移動。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述的製造系統，其中， 蒸發源與基底之間的距離爲3 0 c m或更小。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項所述的製造系統，其中， 薄膜形成室與用於對薄膜形成室抽真空的室連接。 1 8 ·如申請專利範圍第1 5項所述的製造系統，其中， 蒸發源至少沿X方向和Y方向移動。 1 9 ·如申請專利範圍第1 5項所述的製造系統，其中， 蒸發材料包括有機化合物材料。 20 ·如申請專利範圍第1 5項所述的製造系統，該用於 移動蒸發源的裝置爲蒸發源支撐器。 21· —種製造系統，具有沈積裝置，該製造系統包括 一個載入室； 一個與載入室連接的輸送室；以及 一個與輸送室連接的薄膜形成室， 其中，薄膜形成室包括： 一個蒸發源； 用於移動蒸發源的裝置；並且 其中，蒸發源沿著Z字形移動。 22 ·如申請專利範圍第2 1項所述的製造系統，其中， 蒸發源與基底之間的距離爲30cm或更小。 -57- (4) (4)200303700 23 ·如申請專利範圍第2 1項所述的製造系統，其中， 薄膜形成室與用於對薄膜形成室抽真空的室連接。， 24 ·如申請專利範圍第2 1項所述的製造系統，其中， 蒸發源至少沿X方向和Y方向移動。 25 ·如申請專利範圍第21項所述的製造系統，其中， 蒸發材料包括有機化合物材料。 26 ·如申請專利範圍第2 i項所述的製造系統，該用於 移動蒸發源的裝置爲蒸發源支撐器。 27 · —種發光裝置的製造方法，該方法包括： 在薄膜形成室中旋轉基底； 在薄膜形成室中從蒸發源蒸發包括有機化合物的蒸發 材料； 改變蒸發源與基底的相對位置；以及 在薄膜形成室中將包括所述有機化合物的層沈積在所 述基底上。 28· —種發光裝置的製造方法，該方法包括·· 在薄膜形成室中從蒸發源蒸發包括有機化合物的蒸發 材料； 沿著Z字形改變蒸發源與基底的相對位置；以及 在薄膜形成室中將包括所述有機化合物的層沈積在所 述基底上。 -58-