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TW200303294A - Method of purifying niobium compound and/or tantalum compound - Google Patents

Method of purifying niobium compound and/or tantalum compound Download PDF

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Hirohito Izumi
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Description

200303294 五、發明說明⑴ 發明所屬之技術領域·· 本發明屬於一種据宾jp 人,, 之方法。 匕σ物及/或組化合物的純度 先前技術: 由於鈮可使鋼中的石炭穩 、 果而作為鋼鐵添加材料來使=方止晶粒間腐蝕的效 屬於高壓鈉燈的燈發光部之導電ί 金貫際用作附 料和超合金的添加元素等。 s了步利用於超導材 大,其中特別是廣泛使用於電子工m銳的需求 者。作為精=合:ί:逐漸成為必要而不可或缺 各種精製方法,作兴盆中/,雖基於原料之不同而採取 你处日舉其中之一的氧化鈮為例,則古捍中八 =:曰法、溶劑萃取法、離子交換樹脂法、蒸 \…、、而,用以得到銳的礦石,例如銳鐵礦、(/ h ·、t )或雜镳 r ^ κ ^ ^ V co 1 umb 11 e 理.化學上的降二/兰—起共存著。又由於起和组在物 有諸多提荦似,故兩者的分離極為困難。因此, ^法。案建遘由礦石—起回收包含這些元素的化合物之 例如’於美國特許第2,962 32 7號說明書 ΐί法例:'ΐΐ铌和组的礦石加以微粉碎,犧酸與無 ,丨如k S欠與混酸來處理此礦石粉,將鈮和钽一起與 、鈣、稀土元素和其他的金屬不純物力σi解,4 低級脂肪酸的酮、醋、或醚等的有機溶劑,特別 土 /、丁基曱_等相接觸,而將鈮和鈕萃取分離於有機 2015.5506-PF(Nl).ptd 第11頁
200303294
溶劑相中。 又 述溶解 於陰離 虱氣酸 再 水溶液 方法, 藉由降 NbOF52~ 甲基異 次萃取 等。這 甲基異 須藉由 來清洗 一次將鈮和鈕吸附 物金屬分離之後,。 〇 種研討,以往係利月 之差來分離鈮和鈕^ 鈕的共存水溶液中, 鈮由NbF?2_轉變為 在著,利用此差異Α 组’或疋相反地由一 鈮至酸性水溶液側 號公報所記載,由方 完全分離组與銳,^ ’以曱基異丁基甲酿j
於特開昭58 — 1 76 1 28號公報提 液流經F型陰離子交換樹脂層, 子交換樹脂中而與其他的不純 及氣化銨水溶液加以洗提回收 對於分離說和鈕的方法進行各 中的鹽析劑濃度與氫離子濃度 亦即可使用以下方法:在鈮和 低氩氤酸與無機酸的濃度,使 ,而另一方的鈕依舊以TaF72-存 丁基甲酮等的有機溶劑來萃取 至有機溶劑的鈕與銳,再萃取 些方法亦如特開昭6 2 — 1 5 8 1 1 8 丁基甲酮頗易溶解於水,難以 其他階段的混合器-沈降器等, 水相。
斤另外’於特開昭6 4 — 3 1 9 3 7號公報揭露以下的方法: 將氡化三辛基膦等的含氧有機溶劑、或由烷基的碳數為4 以上的烷基胺所選擇的有機溶劑施予固定或交聯於活性碳 或聚丙烯等的多孔載體之吸收劑,而使用此種吸收劑來吸 f ί一由/容液中去除。然而,使有機溶劑交聯的吸收劑取 得困難,而將有機溶劑浸潰於多孔載體的情形會發生有機 洛劑溶解析出至水相中的問題。 因此,本發明的目的在於提供一種更為簡便且低成本
2015-5506-PF(Nl).ptd 第12頁 200303294 五、發明說明(3) 的銳4匕合物及/或鈕化合物的精製方法。 發明内容: 本發明係一種鈮化合物及/或鈕化合物的精製方法, 其特徵在於:從鈮化合物及/或鈕化合物的溶解液,利 晶析才呆作來加以精製。 對於本發明,其特徵在於··使用將鈮化合物及/或鈕 化合物加以溶解的溶液,並施予晶析。再者,藉由添加访 酸、硝酸、鹽酸等,使不純物更容易溶解於晶析後的濾匕 液,也可配成混酸系。甚且,也可於溶解後加以稀釋, 調整晶析時的濃度。 ^再者,為了更為提昇純度,也可反覆進行晶析操作。 藉由將所得到的鈮化合物溶液施予晶析以進行固液分離。 利用此晶析步驟幾乎可去除同族的鈕或Fe、Ni、丁丨等的金 屬不純物。此時,不純物轉移至液相側,結晶侧被純化, 而能夠簡便地加以高純度化。 而且,利用條件也可純化溶液側。處理此種所得到的 鈮化合物,可得到作為目的的高純度鈮化合物。例如,溶 解於氫a酸之後,對施行晶析的結果所得到的結晶或濾液 施予鹼處理而獲得不溶性的氫氧化鈮,藉由焙燒此氫&化 鈮,則能夠製造高純度氧化鈮。並且,藉由與氟化鉀或碳 酸鉀等產生反應而能夠製造氟鈮酸鉀(Kdbh )。更且, 藉由將高純度妮化合物加鹼溶化也可製造高純度金屬鈮。 並且,對於钽化合物也實施同樣的操作,當然能^製 造高純度钽化合物。
2015-5506-PF(Nl).ptd 第13頁 200303294 五、發明說明(4) 實施方式: 皂π Ϊ ^本發明貫施’則由原礦石等純度較低的化合物作 二2二佔料丄能夠很容易地精製成銳化合物(工業品)。 处#六】貫施前處理的98%左右的鈮化合物工業品,亦 1地精製成高達99.9% (3Ν)水平以上純度㈣ 也可適用。复ΐ = ί邊=的銳化合物,即使再利用時 為人摘㈣ 特別疋,含有Fe、Ni、Ti等的不純物者成
Si、Ca、Γ理對^。除了這些不純物之外,亦可含有A1、 不吨物含旦g、:的不純物。雖可含有多量的不純物作為 為較佳。Ϊ為未施行前處理而不純物含量較低者 銳酸化合物、銳驗金屬踐化人物蓉銳鹵化物、 合適的對象。並且也可為e rMb人& t疋鈮氧化物成為 吧j為k些化合物的混合物。 又作為溶解液,若為能夠溶解人 並無特別限制。例如,可舉出H溶解液’則 酸;或是驗溶液、水、有機溶劑d%:酸、硫酸等的 佳。並且含水分在8 0重量%以下丄專氫氟酸中,別是氮氣酸較 晶析操作也是相同的,並不限^為適用。對於 析,也包含基於水溶液或有機= 液的晶 種鹽類也都可適用。並且,不僅二斤。當然甚至各 到的結晶,也可使用濾液。再者,承用晶析操作所得 反覆進行晶析操作。 加提高純度,可 作為晶析操作,可使用冷卻法、 縮法)、絕熱蒸發法和其他的方法。;2法(例如蒸發濃 ▽卹法的情形,若在
2015-5506-PF(Nl).ptd 200303294 五、發明說明(5) 銳化合物結晶的溶點以下操作,則沒有問題,但在工業 上,-40 °C〜30 °C左右為特佳。又對於壓力,雖f為高壓或 低壓,但在工業上,常壓更佳。而且對於晶析時間,雖係 依存於所使用的鈮化合物濃度,但在鈮化合物濃度較高 時,1 0分鐘左右就足夠了,而即使在鈮化合物濃度較低 時,實施24小時左右也足夠了。然而若在工業上加以考 量,則以1〜3小時左右進行結晶析出為特佳。 且濃縮時,雖也有藉由加熱以去除溶劑,逐漸析出結 晶的情形,但對於未析出時,則使用一次乾固等的方法、 以及於濃縮後施予冷卻而析出結晶等的方法。 作為具體的實例,使用基於氩氟酸溶解液的晶析操作 所得到的結晶或濾液的情形,第1項係,藉由鹼中和形成 氫氧化鈮的形態,而經由焙燒則能夠精製成高純度氧化 銳。當然,藉由將所得到的結晶進行直接培燒也可製得高 純度氧化鈮。第2項係,藉由與氟化鉀或碳酸鉀等產生反 應’可製得氟妮酸鉀(& NbF? ) ^乐ό項係,秸田聆面純度 鈮化合物施予加鹼溶化,亦可製得高純度金屬錕。除了二 述之外’作為用以製造包含銳酸鐘(LiNb〇3)或氟^酸 (ΝΗ# N bFT )等的銳之鹽類等的高純度鈮化合物之中 當然也能夠加以使用。#由使用以這些方法 二古坤 度鈮化合物,則可製得高品位的電子材料和光 ^ = ^ 種領域的高機能材料。 何枓荨各 再者對於钽,藉由與鈮同樣的操作,當然 製。作為其中的實例,基於氫氟酸溶液的==可加以精 曰曰研操作所得到
2015-5506-PF(Nl).ptd 第15頁 200303294 五、發明說明(6) 的結晶之氟鈕酸(H2TaF7 ),能夠製造高純度氧化鈕 (T 〇5 )、高純度钽酸鐘([i τ a 〇3 )、高純度氟組酸卸 (KgTaF7)或高純度金屬鈕(Ta)、含有其他钽之鹽類等 的南純度纽化合物。 實施例: 為了進一步對本發明作更具體的說明,舉出以氫氟酸 溶解時的以下實施例,但本發明並不僅限於這些實施例。 (實施例1 ) 於具有攪拌器、容量1L的透明PF A製容器_,添加
75%HF 500g、或75%HF495g與98%硫酸5g之後,一邊攪拌, 一邊約於3小時之間加入含有如第1表所示的金屬不純物之 銳鐵合金15Og之後,在室溫下進行攪拌。其後,調製成經 由過;慮去除不溶物質而換算為鈮元素約3〇〇g/L的鈮氫氟酸 〃 一邊對上述的鈮氫氟酸溶液加以攪拌,- -2 0 C進订2小日丰曰批^ " 卜 % &曰π Γ日日析後,經由過濾取出晶析結晶, 澱後,經由過濟If氣水65g,使銳形成氣氧化銳 將所得到:氫!二匕錢等’而得到氫氧化鈮。
而得到氧化銳。起,以電爐於1 00 0。〇下進行培? (I CP-AES )對所1 應耦合電漿原子發射光譜分析4 的不純物量係如第^矣的氧化鈮加以分析,則氡化鈮所 弟1表的結果。 C貝施例2 ) 於具有擅^ 4Ψ 32. ^ 、各量1L的透明PFA製容器令,添加
200303294 五、發明說明⑺ 100°/〇HF (氫氟酸酐)、75%HF、50°/〇HF、或30%HF50 0g,一 邊於-2 0 °C或室溫下攪拌,一邊約於3小時之間加入含有如 第2表所示的金屬不純物之氧化鈮丨50g之後,加以授拌。 再者,5G%HF、30%HF溶解液係於7〇 t加溫回流下施予攪 拌。其後,調製成經由過濾去除少量不溶物質而換算為鈮 元素約3 0 0 g / L的錕氫氟酸溶液。同樣地,於具有攪拌器、 容量1 L的透明PFA製容器中,添加5 0%HF495g、與98%硫酸 或69%硝酸5g之後,以溶解氧化鈮。 於上述所使用的氧化鈮係經施行前處理以降低不純物 濃度者,為9 8 %氧化鈮工業品。 此處’利用感應耦合電漿原子發射光譜分析儀 (ICP-AES )分析上述調製溶液,則每種溶液係溶解Ta約 200 0 ppm ; Fe、Ti 為250ppm 以上之溶液。 其後,一邊對上述的鈮氫氟酸溶液或鈮混酸溶液加以攪 拌’ 一邊於-2 0 C進行2小時晶析之後,經由過濾取出晶析 結晶’於此銳結晶溶融液中加入28 %氨水65g,使鈮形成氫 氧化銳’沈澱後,經由過濾去除氟化銨等,而得到氫氧化 銳。 再將所得到的氫氧化鈮,以電爐於i 〇 〇 0 t下進行焙 燒’而得到氧化鈮。利用感應耦合電漿原子發射光譜分析 儀(I CP-AES )對所得到的氧化鈮加以分析,則氧化鈮所 含的不純物量係如第2表的結果。 (實施例3 ) 於具有攪拌器、容量1 L的透明PFA製容器中,添加
2015-5506-PF(Nl).ptd 第17頁 200303294 五、發明說明⑻ 5一0%HF 5 00g,一邊於室溫下攪拌,一邊加入含有如第3表所 不的金屬不純物之氧化鈕13〇g之後,於7〇 t加溫回流 予攪拌約5小時。 其後,调製成經由過濾去除少量不溶物質而換算為釦 元素約300g/L的鈕氫氟酸溶液。同樣地,於具有攪拌器、 容量11^的透明??八製容器中,添加5〇%111?4952'與98%硫酸 或6 9%硝酸5g之後,以溶解氧化鈕。再者,此次所使用的 氧化鈕係經施行前處理以降低不純物濃度者,為98%氧化 钽工業品。 其後’ 一邊對上述的纽氫氟酸溶液或鈕混酸溶液加以授 拌,一邊於-2 0 C進行2小時晶析之後,經由過濾取出晶析 ,晶,於此钽結晶溶融液中加入28 %氨水65g,使鈕形成氫 氧化组,沈澱後,經由過濾去除氟化銨等,而得到氫氧化 组。 再將所得到的氫氧化鈕,以電爐於1 0 0 〇 t下進行焙 燒’而彳于到氧化艇。利用感應耦合電漿原子發射光譜分析 儀(I CP-AES )對所得到的氧化鈕加以分析,則氧化鈕所 含的不純物量係如第3表的結果。 由第1表可知,對鈮鐵合金僅施行一次晶析操作,即能夠 大幅降低Ti、Fe的不純物,Ta也能夠減低至1/5。 尸,且’由第2表可知,對於98%氧化鈮,溶解於10〇%HF (氩氟,酐)之後,僅施行一次晶析操作,即能夠降低 T 1、F e等的不純物量,甚至Ta也能夠減低,可精製至 9 9 · 9 % ( 3N )的品位。更且,可知基於溶解氧化鈮的HF濃
第18頁 200303294 五、發明說明(9) 度之不同,則去除不純物能力也有所差異,配成低濃度的 情形,可更有效地去除Ti、Fe、Ta等不純物,而可精製至 9 9.9 9 % (4N )的品位以上。 而且,硫酸或硝酸混酸系更能夠有效地去除T i、F e不 純物。 由第3表可知,對於氧化鈕即使僅施行一次的晶析操 作,也能夠去除N b、T i、F e不純物。 因此,藉由施行本發明的晶析操作,可有效去除所有 的不純物,而能夠很容易地實施精製。 〈第1表〉 · 賓施例1 不純物含量(PPm〉 Ta Ti Fe Ni A1 Sb 原料鈮鐵合金 3300 1400 480000 230 450 120 75%HF濱解—晶祈精製品 660 5 10 1 1 <0· 5 75$HF+H2S04混酸系溶解 630 1 5 <0_ 5 <0.5 <0.5 —晶祈精製品 換算爲Nb2Os
2015-5506-PF(Nl).ptd 第19頁 200303294 五、發明說明(ίο) (第2表〉 賓施例2 不純物含量(PPm〉 Ta Ti Fe Ni A1 Sb 原料氧化鈮 1610 900 310 50 30 20 氫氟酸酐溶解—晶祈精製品 410 10 10 1 3 1 7 5 % H F溶解一晶祈精製品 250 5 5 <0.5 <0.5 <0.5 5 0%HF溶解—晶祈精製品 140 5 5 <0.5 <0.5 <0.5 5〇%HF+H2S04混酸系溶解 —晶祈精製品 110 <0.5 <0.5 <0.5 <0.5 <0.5 5〇%HF+HN03混酸系溶解 —晶祈精製品 110 1 <0.5 <0.5 <0.5 <0.5 3 0 % HF溶解—晶祈精製品 80 3 3 <0.5 <0.5 <0.5 換算爲Nb2Os (第3表〉 霣施例3 不純物含量(PPm) Nb Ti Fe Ni A1 Sb 原料氧化鉬 1200 1000 1100 300 200 20 S0%HF溶解—晶析精製品 100 5 5 <0.5 <0.5 <0.5 5 0%HF + H2SO4混酸系溶解 —晶析精製品 90 <0.5 <0.5 <0.5 <0.5 <0.5 產業上可利用性: 若依據本發明實施,則由原礦石等純度較低的化合物 作為鈮原材料,能夠很容易地精製成鈮化合物(工業品 )。又藉由使用實施前處理的98%左右的鈮化合物工業 品,亦能夠很容易地精製成高達99. 9% (3N )水平以上純 度的鈮化合物。甚至對成為邊角料的鈮化合物予以再利用
2015-5506-PF(Nl).ptd 第20頁 200303294 五、發明說明(11) 時也可適用。 藉由使用本發明 合物結晶、或銳化合 中間原料。藉由使用 物’則能夠製得南品 的高機能材料。 並且,本發明的 精製。此係一種精製 (1 )溶解步驟、(2 特別是藉由採用晶析 理,係一種在工業上 再者,當然對於鈕也 所得到 物,當 以這些 位的電 特徵在 方法, )晶析 步驟作 能夠报 可藉由 #在晶析步驟後所獲得的鈮化 成為各種而純度銳化合物的 方去所得到的高純度鈮化合 子材料和光學材料等各種領域 於能夠簡便地進行鈮化合物的 其特徵在於:藉由大致區分為 步驟的兩項步驟來加以精製。 為去除不純物步驟的一次處 簡便地施行之精製技術。& 同樣的操作而得到。
200303294 圖式簡單說明
2015-5506-PF(Nl).ptd 第22頁

Claims (1)

  1. 200303294 六、申請專利範圍 1 · 一種銳化合物及/或组化合物的精‘方法 其特徵 在於:從鈮化合物及/或鈕化合物的溶解液’利用晶析操 作加以精製。 2 ·如申請專利範圍第1項所述的銳化合物及/或纽化合 物的精製方法,其中前述鈮化合物及/或钽化合物係鈮氡 化物及/或鈕氧化物。 3 ·如申請專利範圍第1或2項所述的鈮化合物及/或鈕 化合物的精製方法,其中前述溶解液係氫氟酸。 4 ·如申請專利範圍第3項所述的銳化合物及/或鈕化合 物的精製方法,其中前述氫氟酸係水分為8 0重量%以下 者0
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