TW200301002A - Plasma chamber insert ring - Google Patents

Description

200301002 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 婕處理室 電予散射 的 本發明係關於一種半導體晶圓處理系統的電 特別是有關於一種降低電漿處理室中之電弧或 改良元件與方法。 【先前技術】 半導體處理系統所使用之電漿處理室一般句以+上 匕栝在處理室 中承載半導體晶圓的晶圓支撐架。有些晶圓虔梦加e ^ \彳牙条是具有 可直接放置於晶圓之上平坦表面的基座（通常係 '、吗銘或不傭 鋼所製成）。其他晶圓支撐架則包括基座與用 y疋卵圓於 定位的靜電卡盤（Electrostatic chuck, ESC)。靜電卡後通# 支撐於基座之上，且包括具有一或數個嵌入電極的介電層。 為了在晶圓與靜電卡盤支撐表面之間產生夾緊力，電極係 連接於通常是高電壓的直流電源供應器。此晶圓支撐架組 通常是置於製程處理室的…藉以完成化學氣相二’’且 物理氣相 >儿積、或蚀刻製程。 為了 fe问這些製程的使用效率，電漿係形成於製程處理 室中接近晶圓的表面的位置。為了產生此種電漿，製程氣 月迁Μ皮引人處理主巾，且施加能量於製程氣體以形成電裝^ 這月匕量系係由耦合至射頻電源的天線或電極所提供。例如： 在包合耦合雙電栖的電漿處理室+，射頻電源可施加於接 & M g㈣和切靜電卡盤的基座之間。 200301002 在某一操作中，晶圓係被置於靜電卡盤的支撐表面，製 程氣體被引人處理室中，藉由將可產生電漿的能量施加於 製程氣體上藉以引燃電漿，然後在靜電卡盤上施加卡盤電 壓。典型地來說，卡盤電壓係施加於電極與接地的處理室 壁之間。如此，具有導電性的電漿在晶圓和處理室壁之間 形成有小電壓降，此小電壓降跨越形成於晶圓和電漿，與 電漿和處理室壁之間的黑暗空間g。因此，電荷累積在介 電層的支撐表面，和面對支撐表面的晶圓表面。每一個前 述之表面的電荷係極性相反的。結果，庫倫力會吸引電荷， 並使晶圓被吸附在靜電卡盤的支撐表面。 靜電卡盤可包括軟線板（Flex Circuit)，此軟線板依序 包括有薄導電層（例如位於上下介電層之間的銅）。這些介電 層典型上係由聚醯亞胺(polyimide)或其他易撓曲的介電材 料所組成。在某些實施例中，軟線板的厚度介# 6到9密 爾OnilsK即（M5到〇·23公爱）之間。美國專利案第5,822，丨71 號(Shamouilian 答人、却 t，，时 a _ 寺人）砰細地揭露一種璺片式的靜電卡盤， 此吴國專利案與本發明之專利權人（Assignee)為同一人。 f、、泉板通g以例如g分縮丁酸（phen〇Hc butyral)作為黏著 i黏著於基座的上表面。基座通常係以鋁來製#，但也可 以其他的材料如不銹鋼來製作。在某些實施例巾，軟線板 :有小於製程晶圓之直徑4到1〇密爾的直徑，以使此晶圓 70王的覆蓋靜電卡盤的表面。因1¾，晶圓可保護靜電卡盤 免於曝露在電漿下。 a /、卵圓支彳牙架配合一起動作之反應室中其他習知元件 5 200301002 可包括有隔離環和聚焦（或上部）環。在某些例子中，隔離環 和上部環是製作成單一組件。隔離環典型上為環狀並安置 於基座上，且界定出靜電卡盤的周圍。上部環典型上也具 有環狀，並安置在隔離環上，且界定出間隔靜電卡盤與晶 圓的周圍。 在某些實施例中，晶圓突出於靜電卡盤邊緣的部份通 常遠離聚焦環和隔離環·，以方便晶圓安座於靜電卡盤之上。 然而，由於組成元件之間的間隙，靜電卡盤或基座到晶圓 的邊緣部份之間可能發生非預期的電流電弧效應。這類的 電弧會造成晶圓邊緣有凹洞傷害，而導致晶圓的良率下降。 在描述本發明之前，先解釋一種習知之磁力加強電漿 處理室的整體操作。然而，本發明可適用於各種不同的電 漿處理室。第1圖係繪示磁力加強、雙電極、電容耦合的 真2 (電漿）處理室1〇〇，此真空（處理）室可適用於蝕刻或化 學沉積。電漿也可由感應耦合線圈、電子槍、微波產生器 和其他的電漿源所產生。 真2處理室1 00係被圓柱狀的侧壁1 02、圓形底部側壁 104、與圓形上側壁或上蓋1〇6所包圍。上蓋1〇6和圓形底 部側壁104可以是介電材料或金屬。電性接地的陽極電極 係裝置於上蓋106的底部。陽極電極108可被穿洞來作為 氣進入包漿處理室的入口。側壁丨〇2可由介電材料或金 屬所製成。若由金屬所製成，則金屬材料較佳是非磁性的 物質’例如陽極化的銘’如此才不會干擾到處理室外電磁 線圈產生的礤場。假如側壁是金屬的，則可作為陽極的一 6 200301002 部份。 半導體晶圓或半成品11 〇係裝置於陰極電極丨丨2或基 座上’而陰極電極112或基座係依序裝置於處理室的下端。 真2幫浦（沒有標示出來）將氣體經由抽氣岐管114抽出處理 室’且維持處理室的整體壓力於一足夠低的水平（通常在1〇 到20毫托的範圍内），以方便電漿的產生，其中壓力範圍之 較低端和較高端的壓力分別對應於蝕刻和化學氣相沉積製 程。 射頻電源供應器丨i 6係經由射頻饋入器丨丨7與串聯耦 屯谷118而連接至陰極電極112或基座。射頻電源供應 器116於陰極電極112與接地的陽極電極ι〇8之間提供射 頻屯壓，藉以激發在處理室内的氣體至電漿狀態。電漿本 身-有相對；^陽極或陰極電極的時間平均正電位或電壓， 因此會加速離子化製程氣體組成以轟擊陽極和陰極其中之 电裝的磁力加強絲受Θ 強、.工*疋利用陰極電極與陽極電極之間 流磁場來完成。磁場方向是橫向於 ，向於陽極電極和陰極電極之 水久磁鐵或電磁鐵的各 #傳，·无上， -種安排係…圖所于之i係用來提供橫向磁場。其中 之相對兩邊的-對線圈组12〇刀别設置於圓柱狀的側壁102 式連接，並且與4流電㈣卜切圈組12G是以"的方 加於兩線圈之間的區域的橫了(未績示)同相，因而產生附 電子式旋轉，以利於均句//砀場。此磁場可以機械式或 二又礙場的強度也可改變。 200301002 為了在電漿處理室中獲得電漿增強之半導體製程的最 大速率，一般均認為需要最小化基座或陰極電極丨12區域（而 不是晶圓110背後（覆蓋）區域)之射頻電源與電漿的耦合。 換言之，一般均認為需要減少陰極電極側壁之射頻電源的 耦合，或者假如陰極電極直徑大於晶圓直徑，則可從環繞 晶圓周圍的陰極電極上表面部份來減少耦合。這會使得由 電漿護套（Sheath)流向陰極電極112的離子會侷限在連接晶 圓110的陰極表面區域。 例如：第1圖係繪示圍繞在圓柱狀陰極電極丨12之側 邊的圓柱狀介電層或絕緣保護層丨22 ,以及覆蓋住包圍晶圓 11 〇之陰極電極之部份上表面的介電或絕緣環丨24。在處理 矽晶圓的處理室中，高純度的石英是經常使用的介電材料， 因為石英一般不會釋放出重大的污染物至處理室中。射頻 電源的耦合效應可藉由增加介電層的厚度與選擇低介電係 數的介電材料來減少。在此設計中，電漿護套面對陰極的 區域可更緊密對應於晶圓的區域。 離子流經晶圓11 〇的空間均句度可藉由使用特殊調整 的絕緣環來取代絕緣環124(第1圖），而進一步的改善。請 參照第2圖，其繪示出絕緣環2〇2適用於環繞靜電卡盤2〇6。 絕緣環202具有鄰近於靜電卡盤2〇6邊緣的較薄環狀部份 204,此靜電卡盤206係緊位於晶圓„〇周圍的外面。這環 狀部份204通常足夠薄，因此它的電性阻抗在射頻電源供 應器116(第一圖）的頻率（通常是丨3·56百萬赫玆）下是足夠 低的’因此足夠低的射頻電源可自射頻電源供應器丨丨6經 200301002 由¥狀部份204耦合至電漿，以使得在晶圓表面之電漿護 套以輕射狀向外延伸超越環狀部份204。 由硬組成之嵌入環208覆蓋住絕緣環202之薄的環狀 部份204 ’且設於鄰近絕緣環202的垂直侧壁217。這嵌入 % 2 08可以用純矽、矽或多晶矽來製作。值得注意的是， 这些材料可以像晶圓一樣被蝕刻。（雖然是由矽組成，但厚 度小於1 00埃之相當薄的二氧化矽據信可自然的形成在嵌 入環208的表面，這是因為曝露在氧氣或大氣下的正常氧 化過程之故）。此類結構的環是為了提供在晶圓Η 〇邊緣更 嵌入環208能增加晶圓對 均勻的電漿分佈形狀。換言之 電漿的有效尺寸。 w丹一 S的為保護靜電卡盤2〇6的周圍邊 緣⑵’避免靜電卡盤接觸電浆而產生蚀刻損壞。然而，嵌 入％ 2G8的又—目的為保護絕緣環202《薄的 204’避免二氧化μ刻製程所造成的腐触 英環的化性上接近於晶w 11〇上 ：:广“(石 龙此蚀刻製輕 访 々乳化發層。在 某I蝕刻氣裎’矽可用比石英之蝕 在 來進行蚀刻反應。當嵌入環2〇8因蚀刻製二低十倍的速率 著的凹陷表面時，此環可被迅速更換 王：故開始有顯 嵌入環208的上表面變成凹陷之後，可 纟來說，在 來使其使用壽命加倍。 "翻轉嵌入環208 截入：2〇8經常係由高純度的 至處理莖中的污染物達到最少。為了得面=成，以使釋出 種設計係採用具有珍純度超㊣99%的：::最高的純度’一 阳矽。其他須要較 200301002 大之嵌入環的設計可能必須採用多晶珍材料。 請參照第2圖’靜電卡盤2()6是安裝在基座或陰極電 極m丨。基座-I是銘所製<，但也可〃由其他材料例 如不銹鋼所製成。一般來a ’靜電卡盤2〇6的周圍邊緣以 具有小於製程晶圓110之直徑4到10釐米的直徑所以晶 圓110完全覆蓋住靜電卡盤206的表面，並且延伸超出= 出邊緣224。因此’晶圓110可保護靜電卡盤2〇6，以免曝 露於電漿下。 上部環21〇裝置於絕緣環2〇2 ±，此上部環21〇且有 朝向電衆區域220的梦上表面218，並自電聚中移除氟基。 上部環21〇在高度上延伸至晶圓11〇的上方，且具有朝離 開晶圓110方向之斜度。此幾何結構可以加強垂直於於晶 圓110 il：緣上之區域之磁場方向❸電場分量。如此可以增 加晶圓11〇周圍的部份所產生的電漿量，因而使晶圓二 的整個表面有更均勻的蝕刻速率或沉積逯率。 當晶圓U〇置於靜電卡盤206上時，梦上表自218且 有與突出邊緣224分開並環繞的内徑邊緣222。嵌人環2〇8 係用來放置在靜電卡盤周圍邊緣226與上部環的内徑邊緣 ⑵之間’且座以絕緣環2。2之薄的環狀部们〇4上。 晶圓U〇的突出邊緣224通常係與嵌入環綱的上表 離。藉以在晶圓U°的突出邊緣224與嵌入環208 =^垂直間隙212。垂直間隙212係用來確保晶圓可 固地厘洛在靜電卡|施上而不在嵌人冑2。8±。: 由於製造的容許誤差之故’可具有水平…… 10 200301002 隙2 1 6藉以分別地分開靜電卡盤的周圍硌祕， 国邊緣220與嵌入環 208，以及絕緣環的垂直側壁217和嵌入環2〇8。 本發明已經確認習知技術所起的 〜巧問碭係與晶圓U 〇 與嵌入環208之間的電弧或電子散射右陆 , 峒關。如第2圖所示 之向量/表示，可從靜電卡盤206通過播 Q敢入環208，跨越垂 直間隙2 1 2至晶圓11 〇的邊緣來建立雷、、六物乂 二電泥路徑。此電流可 於晶圓110的邊緣造成凹洞傷害，因而陳& θ Μ阳降低晶圓的良率。 更進一步藉由第2圖的/向量所示，電 %狐或電子散射可發 生在跨越水平間隙2 1 4與水平間隙2丨6 此水平間隙2 1 4與 水平間隙216係位在靜電卡盤206血嵌A p ，、敢入％ 208之間以及 絕緣環202與嵌入環208之間。因為靜電卡盤2〇6相對於 鄰近的元件係可以偏正或偏負的充電，所以電子流可以發 生在跨越間隙212、214、與216的任一古a .. ^ 各， 流會對絕緣環202與嵌入環208造成凹洞傷害。除此之外， 此凹洞傷害可造成汗染晶圓11 0的；5夕微粒。 第3圖係繪示一個靜電卡盤與嵌入方式的另一種習知 設計。嵌入環208安置於靜電卡盤215之狹長突出部份219。 絕緣環225之薄的邵份227具有水平上表面223，且水平上 表面223刻意設計成低於靜電卡盤215之狹長突出部份 219。因此於水平上表面223與嵌入環2〇8之間產生垂直間 隙2 2 1。本發明已經確認：以向量）*所示之電弧或電子散射 可以跨越垂直間隙221，因而提供了對絕緣環225與嵌入環 208之凹洞傷害的進一步來源，以及可能污染晶圓之矽微粒 的進一步來源。 200301002 【内容】 本發明提供一種使用於具有晶圓支撐架之處理 入裝置。此嵌入裝置至少包括由第一材料和第二材 成的複合元件，此第二材料有比第一材料大的電性 在一實施例中，複合元件具有一表面設於接近晶圓 之處，且由厚度超過1〇〇埃之第二材料所製成。 一方面，反應處理室進一步具有設於圍繞晶圓支 外部元件。複合元件具有另一表面設於與外部元件 位置。在一實施例中，此另一表面也是由厚度超過 之第二材料所製成。 — 双 與晶圓相鄰的另一表面。在一實施例中，此另 由厚度超過100埃之第二材料所製成。 再一方面，在一實施例中，第二材料是一— < —氣 一種材料是矽化碳、三氧化二鋁、三氧仆-A上 乳化一釔或純 的矽。 ^ 在又一實施例中，外部元件至少包括具有 平上表面的絕緣環。複合元件的表面 叫疋彡又於與 及水平上表面之一或兩者相鄰的位置。 再一方面，晶圓支撐架具有周園邊緣，且

突出邊緣的晶圓，此突出邊緣超過支用 一 \知朱周！U π件的表面係設於與突出邊緣相鄰的位置。 在一實施例中，嵌入裝置至少包括一 7匕1千， 直側 垂直 以承 邊緣 此元 室的嵌 料所組 阻抗。 支撐架 撐架的 相鄰之 100埃 件具有 面亦是 ，而第 少99% 壁與水 側壁以 載具有 。複合 件為環 12 200301002 狀且由第-材料所製成。此元件具有通常 表面、通常是平坦形狀的下表面、通常是 與通常是圓柱狀的内表面。此元件係置放 以使得内表面的至少一部份係相鄰於晶E 、彖此元件更具有厚度超過1 00埃且電性 材料I第二材料層。此層可設於下列之—項 上表面、底表面、外表面或内表面。 本發明尚有其他方面。因此應知前述的 某些實施例與方面的簡略摘要。以下請參 實施例與方面。而必須進一步了解的是， 的精神及範圍内，本發明揭露之實施例可 因此’前述的摘要並不是用來限制本發明的 【實施方式】 在下面的描述中，請參照附圖，這些圖 一邵分，且可用以說明本發明之幾個實施例 即使使用其他實施例並做結構與操作上的 離本發明的範圍。 第4圖和第5圖係繪示可降低或減少前 派或電子射出效應之本發明的實施例。其 環228 ’在一實施例中，此嵌入環228具有 坦表面232。部份的上平坦表面232係朝向 邊緣224，且以垂直間隙212來隔離。上平 他部份係曝露在電漿區域220中。嵌入環 是平坦形狀的上 圓拄狀的外表面 在處理室中，藉 國支撐的周圍邊 阻抗大於第一種 或多項的上面： 說明只是本發明 考本發明之其他 在不脫離本發明 衍生許多變化。 範圍。 示構成此說明的 。可以理解是， 改變，並不會悖 述之不樂見的電 中揭露新的後入 6公釐寬之上平 晶圓110的突出 垣表面232的其 228更具有一圓 13 200301002 枉狀的内表面238，此内表面238係相鄰於靜電卡盤2〇6的 周圍邊緣226。嵌入環228之圓柱狀的外表自24()定義有— 直徑，且此直徑小於絕緣環225之垂直侧壁236所定義的 直徑，且係用來使嵌入環228的下（平坦）表面242可安置於 靜電卡盤215的狹長突出部份219。 欣入環228至y包括由第一材料和第二材料所組成的複 合元件，其中第二材料有較第一材料高的電性阻抗。在一 實施例中，嵌入環228的主體234係由純度至少99%的矽 所組成。二氧化矽絕緣膜係用來形成絕緣層23〇於主體 上。在此實施例中，絕緣層230的厚度超過1〇〇埃，較佳 疋1000埃，且可設於所有表面，亦即上平坦表面、圓 柱狀的内表面238、外表面24〇以及嵌入環228的下表面 242。一氧化矽具有電性絕緣的特性，因而絕緣層η〇可降 低或減少電流或電子流經過間隙212、214與216。同樣地， 設於下表面242上的絕緣層23〇亦可降低電子流經過垂直 間隙221 。 因為嵌入環228的上平坦表面232的一部份係曝露於電 漿區域220,在.此部份之絕緣層23〇(二氧化矽層）可相當迅 速的被蝕刻掉或以其他方式移除。因為矽仍是主要被損耗 的部份，嵌入環228之剩餘曝露的部份係由矽所組成貝所 以其壽命可預期為與習知之矽 和靜電卡盤或間隙214、216、 些部份可能沒有直接曝露在電 氧化碎層的壽命會增加。 環相同。除此之外，與晶圓 221相鄰之二氧化矽層的那 漿下，因此可預期剩餘之二 14 200301002 第6a圖以及第6b

圖係繪示應用在不同 不同設計之電漿處理 290 ,

卡盤的周圍邊緣292。 晶圓支撐架288至少包括具有 1〇’以及有靜電卡盤設置於其上 294具有突緣部份300與其上設 份3 02。具有晶圓周圍邊緣297 靜電卡盤290上，且其直徑大 ϋ 296的突出邊緣298超出靜電 鄰近於晶圓296之靜電卡盤29〇與電極294的隆起部 份3 02通常是具有下表面3〇5之環狀嵌入環3〇4，此下表面 305係位於電極294的凸緣部份3〇〇。此嵌入環3〇4具有外 邵上垂直表面316與外部下垂直表面320，其中兩者係以水 平突出部份322相互連接。相似地，嵌入環304具有内部 上垂直表面306與内部下垂直表面308，其中兩者係以水平 狹長部份3 10相互連接。因此内部上垂直表面3 06係與晶 圓周圍邊緣297相分離；嵌入環的水平狹長部份3 10係與 晶圓突出邊緣298相分離；内部下垂直表面係與電極294 的隆起部份302相分離。嵌入環304的上表面309和晶圓296 的上表面299形成一共平面。 如第6b圖的最佳所示，雖然嵌入環304的内部上垂直 表面306通常是圓柱狀的，它仍然具有與晶圓周圍邊緣297 之方向導軌3 1 4相配的内方向導軌3 1 2。相似地，雖然嵌入 環3 04的外部上垂直表面 環304 3 1 6通常是圓柱狀的’它仍然有 通常平行於内方向導軌312的外方向導軌318 15 200301002 請再參照第6a m 从如一 並 與 式 相 合 入' 化」 6a 的j 與 具 層 使 鉋 的 使 可 後 3 . 圖’外#疋件324環繞著嵌入環304， 具有以水平突由& "伤330相互連接的上部内垂直表面326 下部内垂直表面3U 、士此主 也也山 。仏二表面的設置係以平行間隔的方 术與敢入環的外却 配人。 "垂直表面316與外部下垂直表面320 嵌入環304至少4 &丄# 元件，其中第- 材料和第二材料組所成之複 環304的，-—材料具有較第一材料高的電性阻抗。嵌 & 304的主體 係由純度至少99%的矽所組成。二氧 咬絕緣膜係用以在古_ ^ l ^ 植334上形成二氧化矽層332。如第 圖所示之實施例中，— , 一虱化矽層332係設於嵌入環304 百表面’因此可防 戈7"止電子流經嵌入環304與任 u或所有外邵元侔 、 & 件324义間、以及靜電卡盤a% 电極294和晶圓之間。 雖然第5圖和望< μ 3〇4 昂6a圖所示之實施例包括位於嵌入環228 :所有表面的膜層，但值得注意得是其他的實施例 置於V於所有表面或 一 。除此之外，雖炊、邵分的媒 雖然王體234與334係由矽所製成，亦可 节其他材料。例如.、 1J如.王體可以用諸如碳化矽、二一 策三氧化二釔來製作。 -氧化二 1統上^在製造習知之料時，二氧切層會長在妙環 D 。然後，以濕蝕刻製程來移除此二氧化矽 ^ ^ ^ 增藉以 二、 並且彳于到由相當純之梦所組成的環。因此， k容易地完成改良式嵌入環的製造。在濕蝕刻製程完成 ’可使用熱氧化的方式來生長厚度比先前去除之膜=大 16 200301002 、、’ ^ 矽層。然而，習於此技藝之人士應知還有其他方 ::::虱化矽層生長於矽環上。然而，纟氧化法可形成 予又比較均勻且品質優良的膜層。並不須要在製程上作大 的改變央制 造改良的嵌入環；可預期的是在製程中增加一 個氧化的步驟（和在不需每-面均被蓋佐的情況下之移除其 他面之表面氧化層的步驟）便已足夠了。 第5圖和第6a圖的嵌入環係由第一材料和第二材料所 形成的複合元件，其中具有較高阻抗的材料形成膜層23〇 和3 3 2 其他實施例不須要包括膜層，而可能牽涉到不同於 前述之膜層的剖面幾何結構。第7a圖繪示由第一部份246 和第二部份248所組成之複合元件的嵌入環244，其中第一 部份246係由第一材料所組成，第二部份248係由電性阻 抗高於第一材料的第二材料所組成。 嵌入壤244具有通常是矩形的截面和上表面250、下表 面252、内表面254以及外表面256。第二部份24 8形成整 個内表面254以及部分之上表面250和嵌入環244的下表 面2 52，因而有倒L形之截面。第一部份246的截面是互補 的L形，因此第一部份246和第二部份248具有通常是矩 形的結合橫截面。位於形成部份之下表面252位置之第二 部份248的寬度wl大約是下表面252整體寬度的約20%， 因而實質上較膜層厚。相似地，位於形成部份之上表面250 位置之第二部份248的寬度w2至少包括上表面250之整體 寬度的約45%。 第7 b圖係繪示由第一部份2 6 0和第二部份2 6 2所組成 17 200301002 <肷入環258(複合元件），其中第一部份260係由第一材料 所組成’第二部份262係由電性阻抗高於第一材料的第二 材料所組成。嵌入環258具有通常是矩形的截面，和上表 面264、下表面266、内表面268以及外表面27〇。第一部 份260和第二部份262的橫截面通常是矩形的，因而這些 4份的結合截面通常也是矩形的。第二部份262形成整個 内表面268，以及部份之嵌入環258的上表面264和下表面 266。形成部份之上表面264和下表面266之第二部份 的寬度w為整個表面寬度的45%。因此，第二部份262至 少包括嵌入環258之總體積的實質部份。 第7c圖為繪示由第一部份272和第二部份274所組成 之嵌入環271 (複合元件），其中第一部份272係由第一材料 所組成，第二部份274係由電性阻抗高於第一材料的第二 材料所組成。嵌入環271具有通常是矩形的截面，以及上 表面276、下表面278、内表面280和外表面282。第二部 份274形成整個内表面280與下表面278，和部分之嵌入環 271的上表面276與外表面282。第二部份274的截面通常 是被移除一角的矩形，以形成狹長突出部份284。第一部份 272的截面通常是矩形，且與第二部份274的狹長突出部份 284相配合，因而整體觀之，第一部份272與第二部份274 具有通常是矩形的截面。因此，相較於第一個部份272，第 二部份274至少包括嵌入環271之總體積的較大部份。 這裡所揭露之新穎的嵌入環或組成元件可以使用於包括 具有動力下基座或電極的處理室之不同型的處理室，諸如 18 200301002 蝕刻處理t、物理氣相沉積以及化學氣相淀積的處理室。 然而，這些環可特別應用在蝕刻處理室中， ^ 1 其中施加至晶 圓之射頻偏壓可為最大，所以此蝕刻處理宣可能會發生較 大之電子電弧和電子散射的問題。 值得注意的是’這些上部環、絕緣環與嵌入環的結構 和幾何形狀僅為說明而已。λ改善的新穎嵌入環也可以用 =合適的結構與幾何形狀來製作，〇與晶圓、晶圓支 絕緣環或所有這些元件相鄰的表面較佳是以絕緣材 ^作，例*:阻抗高於嵌入環剩餘部份的材料。例如 整合的元件，嵌入環的另一實施例可至少包括兩構 二中疋-係與晶圓或靜電卡盤的周圍邊緣或二者相鄰， 且由尚阻抗材料所製成。另一種元件 料製成。 T J用I電性較佳的材 理解的θ / -，、个霄听的特殊實施例，可 利範圍# A f 74曰違月其中精神。申請專 園係為了涵蓋前述之修正，使其落於 園與藉满。15=1 $ 發月 < 真實範 而非限制㈣，“ 。貫施例應被视為說明性的 -^ 乾圍與精神係如同申靖專利 Μ，而非前述之說明t，而且來自於•、“申“ 效意義與範圍的所有變化都 、申印專利範圍之等 哥又化都疋本發明所欲涵蓋的。 圖式簡單說明] 第1圖係綠示習知> +辦：+ ^ 白知 < 電漿處理室的剖面圖。 第2圖係输示部份之電裝處 主尔、.死的習知安排的剖 19 200301002 面圖，其中電漿處理室系統至少包括晶圓卡盤、嵌入環以 及相關元件。 第3圖係繪示不同設計之習知電漿處理室之晶圓、靜 電卡盤、嵌入環以及相關元件的放大剖面圖。 第4圖係繪示包括根據本發明之實施例之電漿處理 室，包括嵌入環，的剖面圖。 第5圖係繪示根據本發明之實施例之嵌入環，且係沿 著選擇之其他處理室元件所得之放大剖面圖。 第6a圖係繪示根據本發明的又一實施例之嵌入環，且 係沿著選擇之其他處理室元件所得之放大剖面圖。 第 6b係繪示第 6a圖之彼入環、晶圓以及外部元件的 上視圖。 第7a圖至第7c圖係繪示根據本發明之其他實施例之嵌 入環的放大剖面圖。 【元件代表符號簡單說明】 102侧壁 106上蓋 11 0晶圓 114抽氣歧管 11 7射頻饋入器 120線圈組 124絕緣環 204環狀部份 100真空處理室 104圓形底部側壁 I 0 8陽極電極 II 2陰極電極 11 6射頻電源供應器 11 8串聯耦合電容 122絕緣保護層 202絕緣環 20 200301002 206靜電卡盤 2 1 0上部環 2 1 4水平間隙 2 1 6水平間隙 218矽上表面 220電漿區域 222内徑邊緣 224突出邊緣 226周圍邊緣 228嵌入環 232上平坦表面 236垂直側壁 240外表面 244嵌入環 248第二部份 252下表面 256外表面 260第一部份 264上表面 268内表面 271嵌入環 274第二部份 278下表面 282外表面 208嵌入環 2 1 2垂直間隙 215靜電卡盤 2 1 7垂直侧壁 219狹長突出部份 221垂直間隙 223 水平上表面 225絕緣環 227部分 230絕緣層 234主體 238内表面 242下表面 246第一部份 250上表面 254内表面 258嵌入環 262第二部份 266下表面 270外表面 272第一部份 276上表面 280内表面 284狹長突出部份 200301002 288 晶圓 支撐 架 290 靜 電 卡 盤 292 周圍 邊 緣 294 電 極 296 晶圓 297 周 圍 邊緣 298 突出 邊緣 299 上 表 面 300 突緣 部 分 302 隆 起 部 份 304 欲入 環 305 下 表 面 306 内部 上 垂 直 表 面 312 内 方 向 導 軌 308 内部 下 垂 直 表 面 309 上 表 面 310 水平 狹 長 部 分 314 方 向 導 軌 316 外部 上 垂 直 表 面 318 外 方 向 導 軌 320 外部 下 垂 直 表 面 322 水 平 突 出 部 份 324 外部 元 件 326 上 部 内 垂 直 表面 328 下部 内 垂 直 表 面 330 水 平 突 出 部 份 332 二氧 化 矽 層 334 主 體 w 寬度 w 1 寬度 w2 寬度

22

Claims (1)

1. 200301002 拾、申讀專利範園 1. 一種 < 用於具有一晶圓支撐架之處理室的嵌入裝 置，該嵌入裝置至少包括·· 一複舍元件’該複合元件至少包括一第一材料及一第 二材料，該第二材料的電性阻抗大於該第一材料； 該複合元件具有一與該晶圓支撐架相鄰之第一表面； 以及 該第一表面係由厚度超過100埃的該第二材料所製成。 2 .如申請專利範圍第1項所述之嵌入裝置，其中上述 之處理室具有環繞該晶圓支撐架的一外部元件，其中該複 合元件具有與該外部元件相鄰的一第二表面，該第二表面 係由厚度超過100埃的該第二材料所製成。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之嵌入裝置，其中上述 之晶圓支撐架係用以承載一晶圓，而該複合元件具有與該 晶圓相鄰的一第二表面，該第二表面係由厚度超過1〇〇埃 的該第二材料所製成。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之嵌入裝置，其中上述 之第二材料為二氧化矽，而該第一材料為下列之一者：碳 化矽、三氧化二鋁、三氧化二釔或純度至少99%的矽。 5·如申請專利範圍第2項所述之嵌入裝置，其中上述 23 200301002 之第二材料為二氧化矽，而該第一材料為下列之一者：碳 化矽、三氧化二鋁、三氧化二釔或純度至少9 9 %的矽。 6 .如申請專利範圍第3項所述之嵌入裝置，其中上述 之第二材料為二氧化矽，而該第一材料是下列之一者：碳 化矽、三氧化二鋁、三氧化二釔或純度至少99%的矽。

   7 .如申請專利範圍第1項所述之嵌入裝置，其中上述 之第二材料的厚度超過1，〇〇〇埃。 8 .如申請專利範圍第2項所述之嵌入裝置，其中上述 之第二材料的厚度超過1，〇〇〇埃。 9 .如申請專利範圍第3項所述之嵌入裝置，其中上述 之第二材料的厚度超過1，〇〇〇埃。

   10. 如申請專利範圍第3項所述之嵌入裝置，其中 上述之複合元件通常是環狀的。 11. 如申請專利範圍第1項所述之嵌入裝置，其中 上述之第二材料係由一膜層所組成。 1 2 .如申請專利範圍第2項所述之嵌入裝置，其中上 述之第二材料係由一膜層所組成。 24 200301002 13 . 如申請專利範圍第2項所述之嵌入裝置， 上述之外部元件更至少包括具有一垂直侧壁和一水平 面的一絕緣環，而且該第二表面係與該垂直側壁與該 上表面中之一者相鄰。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項所述之嵌入裝置，其 述之複合元件更包括具有一第三表面，該第三表面係 於該垂直側壁與該水平上表面中之另一者，而且該第 面係由厚度超過1 〇〇埃的該第二材料所組成。 15. 如申請專利範圍第3項所述之嵌入裝置， 上述之晶圓支撐架具有一周圍邊緣，且該晶圓具有超 晶圓支撐架之該周圍邊緣的一晶圓突出邊緣，該第二 係相鄰於該晶圓突出邊緣。 1 6 .如申請專利範圍第1項所述之嵌入裝置，其 述之晶圓支撐架有一靜電卡盤（ESC)，而且該第一表面 鄰於該靜電卡盤（ESC)。 17. —種適用於一處理室之嵌入裝置，該處理 有承載一晶圓的一晶圓支撐架，與環繞該晶圓支撐架 外部元件，該嵌入裝置至少包括： 一複合元件，該複合元件至少包括一第一材料及一 其中 上表 水平 中上 相鄰 三表 其中 過該 表面 中上 係相 室具 的一 第二 25 200301002 材料，該第二材料的電性阻抗大於該第一材料； μ複合疋件具有一第一表面，該第一表面相鄰於該晶圓 支撐架、該外部元件與該晶圓中之一者；以及 該第一表面係由厚度超過1 〇〇埃的該第二材料所組成。 1 8·如申請專利範圍第17項所述之嵌入裝置，其中上述 之複合兀件具有一第二表面，該第二表面係相鄰於該晶圓 支轉架、1¾外部元件和該晶圓中之另一者，且該第二表面 係由厚度超過1 00埃的該第二材料所製成。 19·如申請專利範圍第18項所述之嵌入裝置，其中上 迷之複合元件具有一第三表面，該第三表面是相鄰於該晶 圓支撐架、該外部元件和該晶圓中之另一者，且該第三表 面係由厚度超過1 00埃的該第二材料所製成。 20·如申請專利範圍第1 7項所述之嵌入裝置，其中上 逑 < 第二材料至少包括一膜層。 21·如申請專利範圍第18項所述之嵌入裝置，其中上 述之第二材料至少包括一膜層。 22·如申請專利範圍第17項所述之嵌入裝置，其中上 述之第二材料係二氧化矽，而該第一材料係為下列之一奢： 碳化矽、三氧化二鋁、三氧化二釔或純度至少99%的矽。 200301002 23·如申請專利範圍第18項所述之嵌入裝置，其中 述之第二材料係二氧化珍，而該第〆材料係為下列之〜者 碳化矽、三氧化二鋁、三氧化二釦或純度至少99%的♦。 24.如申請專利範圍第1 7項所述之嵌入裝置，其中上 述之複合元件通常是環狀的。 25 ·如申請專利範圍第1 8項所述之嵌入裝置，其中上 述之第二材料的厚度超過1，〇〇〇埃。 2 6 ·如申請專利範圍第1 8項所述之嵌入裝置，其中上 述之第二材料的厚度超過1，〇〇〇埃。 27·如申請專利範圍第19項所述之嵌入裝置，其中上 述之第二材料的厚度超過1，〇〇〇埃。 28· ——種適用於具有一基座之處理室的嵌入裝置，該 嵌入裝置至少包括： 一複合元件，該複合元件至少包括一第一材料及一第二 材料’該第二材料的電性阻抗大於該第一材料； 該複合元件具有一第一表面，且該第一表面相鄰於該基 座；以及 由該第二材料所製成之該第一表面的厚度超過1〇〇埃。 27 200301002 29. —種適用於具有晶圓支撐架之處理室的嵌入裝 置，該晶圓支禮架具有一周圍邊緣’该敗入裝置至少包括·· 一元件，該元件通常是環狀，且係由一第一材料所製成； 該元件具有通常是平坦形狀的一上表面、通常是平坦形 狀的一下表面、通常是圓柱形狀的一外表面和通常是圓柱 形狀的一内表面； 該元件係設於該處理室中’藉以使得該内表面的至少一 部份與該晶圓支撐架的該周圍邊緣相鄰；以及 該元件更具有一由第二材料所製成的一膜層，該第二材 料的厚度超過埃，且具有大於該第一材料的電性阻抗， 該膜層係設於該上表面、該下表面、該外表面以及該内表 面中之一者上。

   3 0.如申請專利範圍第29項所述之嵌入裝置，其中上 述之膜層係設於該上表面、該下表面、該外表面以及該内 表面中之另一者上。 3 1 ·如申請專利範圍第30項所述之嵌入裝置，其中上 述之膜層係設於該上表面、該下表面、該外表面以及該内 表面中之另一者上。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項所述之嵌入裝置，其中上 述之膜層係設於該上表面、該下表面、該外表面以及該内 28 200301002 表面中之另一者上。 33.如申請專利範圍第29項所述之嵌入裝置， 述之第一材料是下列之一者：碳化矽、三氧化二鋁 化二釔或純度至少99%的矽，該第二材料係矽純度至 的二氧化矽。 3 4.如申請專利範圍第30項所述之嵌入裝置， 述之第一材料是下列之一者：碳化矽、三氧化二鋁 化二釔或純度至少99%的矽，該第二材料是矽純度至 的二氧化矽。 3 5.如申請專利範圍第29項所述之嵌入裝置， 述之膜層的厚度超過1，〇〇〇埃。 3 6.如申請專利範圍第30項所述之嵌入裝置， 述之膜層的厚度超過1，〇〇〇埃。 3 7.如申請專利範圍第29項所述之嵌入裝置， 述之晶圓支撐架具有一靜電卡盤，該靜電卡盤具有 邊緣，而該元件設於置入該處理室中，藉以使該内 至少一部份與該靜電卡盤的該周圍邊緣相鄰。 38. —種適用在具有一晶圓支撐架之一處理室 其中上 、三氧 少99% 其中上 、三氧 少99% 其中上 其中上 其中上 一周圍 表面的 的嵌入 29 200301002 裝置’該晶圓支撐架具有一 用於承载一晶圓，該晶圓具 出邊緣亦超過該晶圓支撐架 少包括： 周圍邊緣，且該晶圓支撐架適 有一晶圓突出邊緣，該晶圓突 的該周圍邊緣，該嵌入裝置至 罘 兀旰，孩第 兀件係由下列之一者所製成：包括 碳化多^、二资彳匕—一溶 一乳鋁二虱化二釔或純度至少99%之矽； 第二元件，其係由二氧化矽所製成； 該第-元件和該第二元件係以相鄰的方式設置； -茨第- 7G件和孩第二元件設置在該處理室内，藉以使得 該第-元件或該第二元件的至少一部份與該晶圓突出邊緣 相隔；以及 ，藉以使該第二元件的至 該周圍邊緣或該晶圓突出 該第二元件設置在該處理室内 少一部份相鄰於該晶圓支撐架的 邊緣。 、/、β 一含氟電漿和具有一周圍邊緣之 晶圓支撐架之處理室的製 1 1 I ^工具，該晶圓支撐架係用摩 载一晶圓，該晶圓具有一 W^ _ ^ 阳囫突出邊緣，該晶圓突出i| 超過該晶圓支撐架的該周圍 圍邊緣，該製程工具至少包括： 具有一矽上表面的一上3 泰將九 上邠蜋，該矽上表面係朝向孩令 %彦和由該含氟電漿中 、、 浐鈕L + 陈軋，當該晶圓置放在該晶圓 牙％上時，具有一内部 蛙兮曰η 圍邊緣的該矽上表面係間隔卫 %琢晶圓突出邊緣；以及 一嵌入環設置在該晶圓 、、 固支拉架的該周圍邊緣與該上奇 30 200301002 勺。内$周圍邊緣之間，讀嵌入環具有厚度超過100埃的 氡化矽上表面，該二氧化矽上表面之至少一部份係設 、在該卵圓突出邊緣的下方且與該晶圓突出邊緣相間隔， :〉曰曰圓突出邊緣電性絕緣於該晶圓支撐架。 、 ·如申请專利範圍第3 9項所述之製程工具，其中上 、、嵌入環的該二氧化矽上表面更包括一部份，該部份係 鄰近於系上邵環之該矽上表面的該内部周圍邊緣，並且曝 露於該電漿中。 4 1 ·如申清專利範圍第3 9項所述之製程工具，其中上 述之歆入環具有一内圓柱狀二氧化矽表面，該内圓柱狀二 氧化碎表面的厚度超㉟1〇〇 $，且鄰近於該晶圓支撐架的 該周圍邊緣，並使該嵌入環電性絕緣於該晶圓支撐架。 42· —種半導體晶圓製程的設備，至少包括· 一底壁； 一連接於該底壁的一侧壁，該底壁和讀侧壁形成一反應 # 空間； 一晶圓支撐架，設於該反應空間内，讀晶圓支撐架具有 一周園邊緣； 一元件，該元件通常是環狀的，且係由〜第一材料所製 成； 該元件具有通常是平坦的一上表面、通常是平坦的一下 31 200301002 表面、通常是柱狀的一外表面、與通常是圓拄狀的一内 面； 該元件設置在該反應空間内，藉以使得該内表面的至 一部份鄰近於該晶圓支撐架的該周圍邊緣；以及 該元件有一膜層，該膜層係由阻抗較該第一材料高且 度超過100埃的一第二材料所製成，該膜層係設於該上 面、該下表面、該外表面及該内表面中之一者上。 43.如申請專利範圍第42項所述之製程設備，其中 述之膜層設於該上表面、該下表面、該外表面及該内表 中之另一者上。 44·如申請專利範圍第43項所述之製程設備，其中 述之膜層設於該上表面、該下表面、該外表面及該内表 中之另一者上。 45.如申請專利範圍第44項所述之製程設備，其中 述之膜層設於該上表層、該下表面、該外表面及該内表 中之另一者上。 46·如申請專利範圍第42項所述之製程設備，其中 述之第一材料是下列之一者：包括碳化矽、三氧化二鋁 三氧化二釔或純度至少99%的矽，該第二材料是純度至 9 9 %的二氧化梦。 表 少 厚 表 上 面 上 面 上 面 上 少 32 200301002 47. 如申請專利範圍第43項所述之製程設備，其中上 述之第一材料是下列之一者：包括碳化矽、三氧化二鋁、 三氧化二釔或純度至少99%矽，該第二材料是純度至少99 %的二氧化矽。 48. 如申請專利範圍第42項所述之製程設備，其中上 述之膜層的厚度超過1，〇〇〇埃。 49. 如申請專利範圍第43項所述之製程設備，其中上 述之膜層的厚度超過1，〇〇〇埃。 5 0. —種組合半導體晶圓製程設備的方法，至少包括 下列步驟： 提供一處理室，該處理室具有一反應空間； 提供一靜電卡盤，用以在該反應空間中承載一晶圓；以 及 定位出鄰近於該靜電卡盤的一嵌入裝置，該嵌入裝置至 少包括： 一複合元件，至少包括一第一材料及阻抗較該 第一材料高的一第二材料； 該複合元件具有鄰近於該靜電卡盤與該晶圓中 之一者的一第一表面；以及 該第一表面係由厚度超過100埃的該第二材 33 200301002 料所製成。 5 1.如申請專利範圍第5 0項所述之方法，其中上述之 複合元件具有鄰近於該靜電卡盤與該晶圓中之另一者的一 第二表面，且該第二表面係由厚度超過100埃的該第二材 料所製成。 52. 如申請專利範圍第50項所述之方法，其中上述之 第一表面係由一膜層所組成。 53. 如申請專利範圍第5 1項所述之方法，其中上述之 第一表面與該第二表面係由一膜層所組成。 54. 如申請專利範圍第50項所述之方法，其中上述之 第二材料為下列之一者：包括二氧化矽，該第一材料是碳 化矽、三氧化二鋁、三氧化二釔或純度至少99%的矽。 5 5 ·如申請專利範圍第5 1項所述之方法，其中上述之 第二材料為二氧化矽，該第一材料是下列之一者：包括碳 化矽、三氧化二鋁、三氧化二釔或純度至少99%的矽。 56.如申請專利範圍第50項所述之方法，其中上述之 複合元件通常是環狀的。 34 200301002 5 7. —種組合使用於半導體晶圓製程之設備的方法， 至少包括以下步驟： 提供具有一反應空間之一處理室； 提供在該反應空間中承載一晶圓之一晶圓支撐架，該晶 圓支撐架具有一周圍邊緣；以及 定位出與該晶圓支撐架之該周圍邊緣相鄰的一嵌入裝 置，該嵌入裝置至少包括： 一元件，該元件通常是環狀，而且係由一第一 材材料所組成； 該元件具有通常是平坦的一上表面、通常是平 坦的一下表面、通常是圓柱狀的一外表面、以及通 常是圓柱狀的一内表面；以及 該元件具有厚度超過100埃且由一第二材料 所組成之一膜層，其中該第二材料之電性阻抗大於 該第一材料，該膜層設於該上表面、該下表面、該 外表面及該内表面中之一者上。 5 8 ·如申請專利範圍第5 7項所述之方法，其中上述之 膜層設於該上表面、該下表面、該外表面及該内表面中之 另一者上。 59·如申請專利範圍第58項所述之方法，其中上述之 膜層詨於該上表面、該下表面、該外表面及該内表面中之 另一者上。 35 ζυ_1〇〇2 60·如 膜層設於該 另一者上。 申請專利範圍第59项所述之 上表面、該下表面、該外表 方法 面及 第一材料B J /負所域 化/枓疋下列之一者：包括碳化發 —此或發純度至少99%切 少"％之二氧切。 " 材 62.如中請專利範圍第58項所 第-材料是下狀-者：包㈣切;"三以 化二此或梦純度至》99%切，該第= 少99%之二氧化矽。 何科 63·如申請專利範圍第57項所述之方法 膜層的厚度超過1，〇〇〇埃。 64·如申請專利範圍第58項所述之方法 膜層的厚度超過！，〇〇〇埃。 彳 其中上述之 内表面中之 其中上述之 二鋁、三氧 純度超過至 其中上述之 二鋁、三氧 純度超過至 其中上述之 其中上述之 65· —種製造半導體晶圓的方法， 王少包括 提供具有一反應空間之一處理室； 提供具有一周圍邊緣之一晶圓支撐 ^ 孩周 圍邊緣係用 36 200301002 來承載位在該反應空間中之一晶圓； 提供使用於該處理室之一嵌入裝置，該嵌入裝置通常具 有環狀的結構，且係由一第一材料所製成，該嵌入裝置具 有通常是平坦的一上表面、通常是平坦的一下表面、通常 是圓柱狀的一外表面、以及通常是圓柱狀的一内表面； 該嵌入裝置設於該處理室中，藉以使該内表面的至少一 部份與該晶圓支撐架的該周圍邊緣相鄰；以及 該嵌入裝置更具有厚度超過100埃之一膜層，且該膜層 係由電性阻抗大於該第一材料之一第二材料所組成，該膜 層設於該上表面、該下表面、該外表面以及該内表面中之 〜者上；以及 置放該晶圓於該晶圓支撐架上。 66·如申請專利範圍第65項所述之方法，其中上述之 膜層設於該上表面、該下表面、該外表面以及該内表面中 之另一者上。 6 7 ·如申請專利範圍第6 6項所述之方法，其中上述之 膜層設於該上表面、該下表面、該外表面以及該内表面中 之另一耆上。 6 § ·如申睛專利範圍第6 7項所述之方法，其中上述之 膜層設於该上表面、該下表面、該外表面以及該内表面中 之另一者上。 37 200301002 69·如申請專利範圍第65項所述之方法，其中上述之 膜層的厚度超過1，000埃。 70. 如申請專利範圍第66項所述之方法，其中上述之 膜層的厚度超過1，000埃。 71. —種適用於一處理室以激發—電漿之嵌入裝置， 該處理室具有用來承載具有一周圍邊緣之一晶圓的一晶圓 支撐架，該處理室更具有用來環繞該晶圓支撐架的一外部 元件，該嵌入裝置至少包括： 一矽嵌入元件，用以提供至少包括環繞該晶圓之該周圍 邊緣之一矽表面，該矽嵌入元件係用來保護該晶圓支撐架 避免接觸該電漿；以及 一絕緣元件，用以使該矽嵌入元件絕緣於該矽嵌入元件 與該外部元件、該晶圓支撐架或該晶圓之間的電子流，該 絕緣元件至少包括設於該珍後入元件中且厚度超過1 〇 〇埃 之一二氧化矽表層。 7 2 ·如申請專利範圍第7 1項所述之嵌入裝置，其中上 述之一氧化♦表層的厚度超過1，000埃。 73· —種用於一使用電漿來處理具有一晶圓周圍之一 矽晶圓的製程設備，該製程設備至少包括： 38 200301002 具有一反應空間之一處理室； 用以在該反應空間中承載該晶圓的一元件； 一矽嵌入元件，用以提供環繞該晶圓的該周圍邊緣之一 矽表面，該矽嵌入元件係用來保護該承載元件以避免接觸 該電漿； 一第一絕緣元件，用以使該矽嵌入元件抵擋並絕緣於該 矽嵌入元件與該承載元件之間的電子流，該第一絕緣元件 至少包括設於該矽嵌入元件中且厚度超過100埃之一二氧 化矽表層；以及 用以點燃該電漿之一元件。 74.如申請專利範圍第73項所述之設備，更至少包括 一第二絕緣元件，用以將該矽嵌入元件絕緣於該矽嵌入元 件與該晶圓間的電子流，該第二絕緣元件至少包括設於該 矽嵌入元件中之一二氧化矽表層且厚度超過1〇〇埃。 7 5 ·如申请專利知圍昂7 4項所述之設備，至少包括： 一絕緣環，鄰近於該矽嵌入元件；以及 一第三絕緣元件，以使該矽嵌入元件絕緣於該矽嵌入元 件和該絕緣環之間的電子流，且該第三絕緣元件至少包括 設於該篏入裝置中之一二氧化矽表層且厚度超過1〇〇埃。 76·如申請專利範圍第73項所述之設備，其中上述之 二氧化珍表層的厚度超過1，〇〇〇埃。 39