RU2008135371A - Тонкопленочная многослойная структура, компонент, включающий такую структуру, и способ ее осаждения - Google Patents
Тонкопленочная многослойная структура, компонент, включающий такую структуру, и способ ее осаждения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008135371A RU2008135371A RU2008135371/02A RU2008135371A RU2008135371A RU 2008135371 A RU2008135371 A RU 2008135371A RU 2008135371/02 A RU2008135371/02 A RU 2008135371/02A RU 2008135371 A RU2008135371 A RU 2008135371A RU 2008135371 A RU2008135371 A RU 2008135371A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- structure according
- surface layer
- gas
- layer
- functional surface
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract 18
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 1
- 229910000997 High-speed steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims 1
- VCZQFJFZMMALHB-UHFFFAOYSA-N tetraethylsilane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)CC VCZQFJFZMMALHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
- C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0209—Pretreatment of the material to be coated by heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/517—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using a combination of discharges covered by two or more of groups C23C16/503 - C23C16/515
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
- Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
- Y10T428/24975—No layer or component greater than 5 mils thick
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
1. Коррозионностойкая тонкопленочная многослойная структура, обладающая низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения, отличающаяся тем, что она содержит: ! от 1 до 1000 групп, предпочтительно, от 1 до 500 групп, причем одна группа содержит от 2 до 100 слоев (А, В) на основе углерода, кремния и водорода, предпочтительно, от 2 до 10 слоев; и ! необязательно, функциональный поверхностный слой (FSL). ! 2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что ее общая толщина составляет 10 мкм или менее. ! 3. Структура по п.2, отличающаяся тем, что ее общая толщина составляет от 1 до 6 мкм. ! 4. Структура по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что каждый слой (А, В) в группе состоит из углерода, кремния и водорода с атомным отношением Si/C в диапазоне от 0,3 до 1,5 и содержит от 10 до 30 ат.% водорода. ! 5. Структура по п.1, отличающаяся тем, что толщина (ад, ав) каждого слоя изменяется от 5 нм до 5 мкм. ! 6. Структура по п.1 или 2, отличающаяся тем, что каждый слой (А, В) группы, независимо от других слоев в группе, обладает твердостью от 1 до 100 ГПа и модулем Юнга от 10 до 600 ГПа. ! 7. Структура по п.1, отличающаяся тем, что функциональный поверхностный слой (FSL) содержит, главным образом, углерод. ! 8. Структура по п.7, отличающаяся тем, что функциональный поверхностный слой (FSL) содержит от 30 до 100% углерода. ! 9. Структура по п.7 или 8, отличающаяся тем, что ! функциональный поверхностный слой (FSL) содержит дополнительные элементы, выбранные из кремния, водорода, серы, фтора, титана и вольфрама, в пропорции от 0 до 70 ат.%. ! 10. Структура по п.1, отличающаяся тем, что толщина (dpsi.) функционального поверхностного слоя составляет 3 мкм или менее. ! 11. Структура по п.10, отличающаяся тем, что толщина (dpsb) функцио
Claims (20)
1. Коррозионностойкая тонкопленочная многослойная структура, обладающая низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения, отличающаяся тем, что она содержит:
от 1 до 1000 групп, предпочтительно, от 1 до 500 групп, причем одна группа содержит от 2 до 100 слоев (А, В) на основе углерода, кремния и водорода, предпочтительно, от 2 до 10 слоев; и
необязательно, функциональный поверхностный слой (FSL).
2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что ее общая толщина составляет 10 мкм или менее.
3. Структура по п.2, отличающаяся тем, что ее общая толщина составляет от 1 до 6 мкм.
4. Структура по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что каждый слой (А, В) в группе состоит из углерода, кремния и водорода с атомным отношением Si/C в диапазоне от 0,3 до 1,5 и содержит от 10 до 30 ат.% водорода.
5. Структура по п.1, отличающаяся тем, что толщина (ад, ав) каждого слоя изменяется от 5 нм до 5 мкм.
6. Структура по п.1 или 2, отличающаяся тем, что каждый слой (А, В) группы, независимо от других слоев в группе, обладает твердостью от 1 до 100 ГПа и модулем Юнга от 10 до 600 ГПа.
7. Структура по п.1, отличающаяся тем, что функциональный поверхностный слой (FSL) содержит, главным образом, углерод.
8. Структура по п.7, отличающаяся тем, что функциональный поверхностный слой (FSL) содержит от 30 до 100% углерода.
9. Структура по п.7 или 8, отличающаяся тем, что
функциональный поверхностный слой (FSL) содержит дополнительные элементы, выбранные из кремния, водорода, серы, фтора, титана и вольфрама, в пропорции от 0 до 70 ат.%.
10. Структура по п.1, отличающаяся тем, что толщина (dpsi.) функционального поверхностного слоя составляет 3 мкм или менее.
11. Структура по п.10, отличающаяся тем, что толщина (dpsb) функционального поверхностного слоя составляет от 1 нм до 2 мкм.
12. Коррозионностойкий компонент, обладающий низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения, отличающийся тем, что он содержит:
металлическую основу, выполненную из материала, который не повреждается при нагревании до температур до 600°С;
связующий слой, расположенный между основой и покрытием; и
покрытие, покрывающее связующий слой, при этом покрытие представляет собой тонкопленочную многослойную структуру по любому из пп.1-11.
13. Компонент по п.12, отличающийся тем, что металлическая основа выполнена из титана или одного из его сплавов, быстрорежущей стали, нержавеющей стали или карбида.
14. Компонент по п.12 или 13, отличающийся тем, что связующий слой является азотированным, цементированным, нитроцементированным или силицированным.
15. Компонент по п.12 или 13, отличающийся тем, что толщина связующего слоя составляет от 0,1 до 100 мкм.
16. Способ осаждения покрытия в виде коррозионностойкой тонкопленочной многослойной структуры с низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения на металлическую основу, выполненную из материала, не повреждающегося при нагревании до температур ниже 600°С, путем химического осаждения из газовой фазы, активированного микроволновой плазмой и/или низкочастотной плазмой, включающий следующие последовательные этапы, на которых:
1) устанавливают основу на опору в камере, содержащей зону введения/извлечения и активную зону, в которой может находиться плазма максимальной плотности, при этом этап установки сопровождается следующими этапами обработки поверхности, на которых:
2) создают в камере первичный вакуум, а затем - вторичный вакуум;
3) выполняют травление основы в активной зоне путем введения в первичный вакуум травильного газа, создают плазму этого газа в зоне разряда и отдельно нагревают основу до регулируемой температуры от 200 до 600°С;
4) формируют связующий слой путем введения в активную зону камеры предварительно обработанного газа для замещения плазмы травильного газа плазмой предварительно обработанного газа, при этом продолжая нагревать основу и поддерживать указанную регулируемую температуру;
5) формируют многослойную структуру по любому из пп.1-11 путем введения в активную зону химически активного газа, причем химически активный газ содержит единственное соединение с тетраэдрической кремниевой структурой или кремнийсодержащую смесь для замещения плазмы предварительно обработанного газа химически активным газом, при этом продолжая нагревать основу и поддерживать указанную регулируемую температуру, причем различные слои образуют посредством изменения мощности микроволнового генератора и/или частоты и/или напряжения низкочастотного генератора;
6) необязательно осаждают в активной зоне функционально поверхностный слой путем введения другого химически активного газа для замещения плазмы газа для получения многослойной структуры плазмой химически активного газа, при этом продолжая нагревать основу и поддерживать указанную регулируемую температуру; и
7) прекращают введение химически активного газа на этапе 5) или этапе 6) после окончания заданного времени введения газа, соответствующего получению требуемой толщины функционального поверхностного слоя, и охлаждают основу, при этом величина первичного вакуума, созданного в камере, соответствует давлению от 0,13 до 133,3 Па (от 10-3 до 1 торр), предпочтительно, от 0,13 до 66,7 Па (от 10-3 до 0,5 торр).
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что предварительно обработанный газ содержит азот, и/или углерод, и/или водород, и/или кремний.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что предварительно обработанный газ содержит не более, около 20% азота и/или метана, смешанных с аргоном.
19. Способ по любому из пп.16-18, отличающийся тем, что химически активный газ на этапе 5) содержит тетраметилсилан или тетраэтилсилан, сами по себе или в виде смеси, или смесь предшественников углеводородов и/или кремнийсодержащих соединений.
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что химически активный газ также содержит водород и/или аргон.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0600829 | 2006-01-30 | ||
| FR0600829A FR2896807B1 (fr) | 2006-01-30 | 2006-01-30 | Structure multicouche mince, piece la comprenant et son procede de depot |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008135371A true RU2008135371A (ru) | 2010-03-10 |
| RU2418883C2 RU2418883C2 (ru) | 2011-05-20 |
Family
ID=36954446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008135371/02A RU2418883C2 (ru) | 2006-01-30 | 2007-01-30 | Тонкопленочная многослойная структура, компонент, включающий такую структуру, и способ ее осаждения |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090081433A1 (ru) |
| EP (1) | EP1979505B1 (ru) |
| JP (1) | JP2009525397A (ru) |
| CN (1) | CN101360845A (ru) |
| DE (1) | DE602007006626D1 (ru) |
| ES (1) | ES2345910T3 (ru) |
| FR (1) | FR2896807B1 (ru) |
| RU (1) | RU2418883C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007085494A1 (ru) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101736325B (zh) * | 2010-01-05 | 2012-07-04 | 青岛科技大学 | 一种超硬氮铝化钛薄膜的微波等离子体制备方法 |
| CN102358940B (zh) * | 2011-10-12 | 2014-06-04 | 湖北久之洋红外系统股份有限公司 | 一种在物件基底上沉积抗腐蚀类金刚石薄膜的方法 |
| WO2013166429A1 (en) * | 2012-05-03 | 2013-11-07 | Magna International Inc. | Automotive components formed of sheet metal coated with a non-metallic coating |
| DE102013109646B4 (de) | 2013-09-04 | 2021-12-02 | Pictiva Displays International Limited | Organisches optoelektronisches Bauelement |
| US10418243B2 (en) * | 2015-10-09 | 2019-09-17 | Applied Materials, Inc. | Ultra-high modulus and etch selectivity boron-carbon hardmask films |
| FR3075231B1 (fr) * | 2017-12-18 | 2019-11-15 | Compagnie Generale Des Etablissements Michelin | Sol et dispositif et procedes associes |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6067901A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-18 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素化及び弗素化した非晶質炭化ケイ素薄膜を用いた光学素子 |
| JPS60184681A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-20 | Sharp Corp | コーティング用非晶質炭化珪素膜の形成方法 |
| US5122431A (en) * | 1988-09-14 | 1992-06-16 | Fujitsu Limited | Thin film formation apparatus |
| JP2761253B2 (ja) * | 1989-08-11 | 1998-06-04 | シャープ株式会社 | 光書込み形液晶表示装置 |
| US5249554A (en) * | 1993-01-08 | 1993-10-05 | Ford Motor Company | Powertrain component with adherent film having a graded composition |
| RU2089664C1 (ru) * | 1994-06-02 | 1997-09-10 | Анатолий Адамович Уэльский | Способ нанесения многослойного металлического покрытия для восстановления изношенных деталей и его вариант |
| FR2736361B1 (fr) * | 1995-07-03 | 1997-09-19 | Aerospatiale | Couche mince complexe, piece a faible coefficient de frottement revetue d'une telle couche et procede de realisation d'une telle piece |
| RU2192504C1 (ru) * | 2001-04-23 | 2002-11-10 | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | Устройство для нанесения защитных покрытий на малогабаритные изделия |
| FR2856078B1 (fr) * | 2003-06-16 | 2006-11-17 | Commissariat Energie Atomique | Revetement pour une piece mecanique comprenant au moins du carbone amorphe hydrogene et procede de depot d'un tel revetement. |
| JP2005076099A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜の製造方法とそれにより造られた薄膜、積層薄膜、透明プラスチックフィルム、及び積層薄膜付き有機ｅｌ素子 |
-
2006
- 2006-01-30 FR FR0600829A patent/FR2896807B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-30 US US12/162,377 patent/US20090081433A1/en not_active Abandoned
- 2007-01-30 RU RU2008135371/02A patent/RU2418883C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-01-30 JP JP2008551733A patent/JP2009525397A/ja active Pending
- 2007-01-30 WO PCT/EP2007/000779 patent/WO2007085494A1/en not_active Ceased
- 2007-01-30 DE DE602007006626T patent/DE602007006626D1/de active Active
- 2007-01-30 EP EP07703133A patent/EP1979505B1/en not_active Not-in-force
- 2007-01-30 CN CNA2007800014638A patent/CN101360845A/zh active Pending
- 2007-01-30 ES ES07703133T patent/ES2345910T3/es active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1979505A1 (en) | 2008-10-15 |
| CN101360845A (zh) | 2009-02-04 |
| ES2345910T3 (es) | 2010-10-05 |
| FR2896807A1 (fr) | 2007-08-03 |
| JP2009525397A (ja) | 2009-07-09 |
| EP1979505B1 (en) | 2010-05-19 |
| FR2896807B1 (fr) | 2008-03-14 |
| DE602007006626D1 (de) | 2010-07-01 |
| RU2418883C2 (ru) | 2011-05-20 |
| WO2007085494A1 (en) | 2007-08-02 |
| US20090081433A1 (en) | 2009-03-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Erdemir et al. | Tribological properties of nanocrystalline diamond films | |
| US5786038A (en) | Synthetic diamond layers having wear resistant coatings formed in situ and methods of applying such coatings | |
| US8007910B2 (en) | Ultrahard multilayer coating comprising nanocrystalline diamond and nanocrystalline cubic boron nitride | |
| JP5703017B2 (ja) | 炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法 | |
| RU2008135371A (ru) | Тонкопленочная многослойная структура, компонент, включающий такую структуру, и способ ее осаждения | |
| Zhang et al. | Towards high adherent and tough aC coatings | |
| JP2004010923A (ja) | 摺動部材及びその製造方法 | |
| Xu et al. | Structural properties of hydrogenated Al-doped diamond-like carbon films fabricated by a hybrid plasma system | |
| Yuan et al. | Improvement in the universality of high-performance CVD diamond coatings on different WC-Co substrates by introducing multilayered diamond/β-SiC composite | |
| De Barros et al. | Plasma-assisted chemical vapor deposition process for depositing smooth diamond coatings on titanium alloys at moderate temperature | |
| Xu et al. | Effects of bias voltage on the microstructure and properties of Al-doped hydrogenated amorphous carbon films synthesized by a hybrid deposition technique | |
| Robertson | Classification of diamond-like carbons | |
| Fu et al. | Effects of pre-treatments and interlayers on the nucleation and growth of diamond coatings on titanium substrates | |
| JP2003336542A (ja) | 高耐摩耗性および高耐焼付き性摺動部材およびその製造方法 | |
| US20030143402A1 (en) | Superior toughness and adhesive strength ceramic coating of titanium aluminum carbon nitride-amorphous carbon nanocomposite | |
| Fu et al. | From diamond to crystalline silicon carbonitride: effect of introduction of nitrogen in CH4/H2 gas mixture using MW-PECVD | |
| Zhou et al. | Surface roughness, mechanical properties and bonding structure of silicon carbon nitride films grown by dual ion beam sputtering | |
| JP2009035584A (ja) | 摺動部材 | |
| CN1782123A (zh) | 类金刚石碳膜及其制备方法 | |
| Rao et al. | Sputtered DLC-TiB2 multilayer films for tribological applications | |
| Nakao et al. | Characterization of diamond-like carbon films prepared using various source gases by plasma-based ion implantation and deposition | |
| JP5724197B2 (ja) | 被覆部材およびその製造方法 | |
| JPH0649645A (ja) | 硬質多層膜形成体およびその製造方法 | |
| Lattemann et al. | Characterisation of silicon carbide and silicon nitride thin films and Si3N4/SiC multilayers | |
| JP5492090B2 (ja) | 水素化非晶質炭素コーティングを生成する方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20120131 |