KR830006818A - 반도체재료의 연속 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도면은 본 발명에 따른 연속공정을 실행하는데 있어서 기체막이 연속화학증착실의 벽면을 따라 제공되는 본 발명의 실행에 사용된 장치의 입체구조도
Claims (28)
- 본문에 설명하고 도면에 예시된 바와같이, 반도체물질의 몸체를 준비하기 위한 연속공정에 있어서,(a) 씨결정과 용융된 반도체 물질원료의 반응으로부터 인상실내에 생성된 순수세봉을 끌어당기는 단계와,(b) 세봉에 증착시키기 위해 적합한 반도체물질을 함유하는 기체화합물의 분해온도에서 세봉을 가열하는 단계와,(c) 세봉이 화학증착실을 거쳐 이송되는 동안 세봉이 분해가능의 기체화합물과 접촉하는 동안 세봉을 기체화합물을 분해시키기에 충분한 온도로 유지하는 단계와,(e) 실제적으로 기체화합물이 벽에 도달하는 것을 막는 기체막을 화학중착실 내벽을 따라 만드는 단게와,(f) 기체화합물의 연분해결과로서 세봉을 증식시키는 단계와,(g) 결과증식 된 반도체 몸체를 증착실로부터 끌어내는 단계를 포함하는 반도체몸체의 기체막연속화학 증착제조.
- 제1항에 따른 연속공정에 있어서, 세봉이 화학증착실로 들어갈 때 그리고 실을 통하여 이송될 때 기하학적인 촛점 가열장치에 의해 집중적이고 균일하게 가열되는 반도체몸체의 기체막 연속화학증착제조.
- 제2항에 따른 연속공정에 있어서, 가열장치가 실을 에워싸는 방사열용광로로 구성되고, 실의 투명벽을 통하여 세봉에 열을 집중시키는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제2항에 따른 연속 공정에 있어서, 세봉이 집중 가열장치와 분해가능 기체화합물에 동시에 노출되는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제1항에 따른 연속공정에 있어서, 기체막이 수소, 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤, 네세논, 라돈으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 반도체몸체의 기체막 연속화학증착제조.
- 제1항에 따른 연속공정에 있어서, 기체막이 수소막으로 구성되며 막이 분해가능기체 화합물에 대해 역류인 반도체몸체의 기체막연속화학제조.
- 제1항에 따른 연속공정에 있어서, 인상실로부터 화학증착실로 기체흐름을 초래하는 정압이 선봉인상실과 화학증착실 사이에 유지되는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제1항에 따른 연속공정에 있어서, 연속반도체물질 원료가 인상실에 제공되므로써 화학증착실에 연속적인 세봉을 제공하는 반도체몸체의 기체막 연속화학증착 제조.
- 제1항에 따른 연속공정에 있어서, 선봉의 연속이동이 분해가능 기체ㅗ하학물의 흐름에 대하여 역류인 반도체몸체의 기체막연소고하학증착제조.
- 제1항에 따른 연속공정에 있어서, 결과증식된 반도체몸체가 대기권저장영역으로 들어가기 전에 반도체몸체의 냉각을 제공하는 출구장치를 통하여 화학증착실을 나가는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제1항에 따른 연속공정에 있어서 증식된 반도체몸체가 화학증착실로부터 화화학증착실과 소통하는 팽창가능의 실영역으로 나가는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 반도체물질의 몸체를 준비하기 위한 연속공정에 있어서,(a) 씨결정과 연속적으로 공급되는 용융된 반도체물질의 녹아쯔ㄴ 영역의 반응으로부터 인상실내에 생성된 순수세봉을 끌어올리는 단계와,(b) 세봉에 증착시키기 위하여 적당한 반도체 물질을 함유하는 기체화합물의 분해온도까지 세봉을 가열시키는 단계와,(c) 인상실과 하학중착실 사이의 소통대를 통하여 가열된 세봉을 통과시키는 단계와,(d) 분해가능기체화합물과 이에 역류하는 봉이 접촉하는 동안 집중된 방사열 용광로를 통하여 기체화합물을 분해시키기에 충분한 온도에 세봉을 유지시키는 단계와,(e) 실제적으로 기체화합물이 벽에 도달하는 것을 막는 기체막을 화학증착실의 내부벽에 따라 만드는 기체와,(f) 기체화합물을 열분해시킴으로써 세봉의 직경을 증가시키는 단계와,(g) 결과증식된 반도체몸체를 기체록과 냉각 장치를 통하여 분해실로부터 끌어당기는 단계를 포함하는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 단결정실리콘 몸체를 준비하기 위한 연속공정에 있어서,(a) 씨결정과 연속적 용융된 실리콘 원료의 반응으로부터 인상실내에 생성된 단결정 실리콘의 세봉을 끌어올리는 단계와,(b) 사열된 세봉에 열분해가능 기체실리콘 화합물의 분해온도로 세봉을 가열하는 단계와,(c) 가열된 세봉을 화학증착실내로 통과시키는 단계와,(d) 가열촛점장치를 통하여 봉의 표면온도를 약 1000℃ 내지 1300℃로 유지하는 단계와,(e) 봉표면과 SiRHmXn(여기서 k는 1 내지 2의 숫자, n은 0 내지 6의 숫자, n은 0내지 6의 숫자, X는 할로겐)형태식의 기체와 접촉시키는 단계와,(f) 실제적으로 기체화합물이 벽에 도달하는 것을 칵는 기체막을 화학증착실의 내부벽에 따라 만드는 단계와,(g) 봉이 화학증착실을 통하여 이동될 때 단결정봉표면에 실리콘을 증착시키는 단계와,(h) 결과증식된 단결정실리콘몸체를 화학증기 증착실로부터 제거하는 단계를 포함하는 반도체 몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제13항에 따른 연속공정에 있어서, 단결정구조를 형성하는 단결정씨봉에 열분해실리콘을 증착시키는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제13항에 따른 연속공정에 있어서 육각 표면을 갖는 단결정구조를 형성하는 단결정씨봉에 열분해실리콘을 증착시키는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제13항에 다른 연속공정에 있어서, 가열된 세봉이 화학증착실내로 주입되고 씨봉의 결정격자구조 및 방향성을 갖는 단결정실리콘의 분해로써 초래되는 실리콘함유화합물의 열분해가능기체들과 촛점된 가열에 동시 노출되는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제13항에 따른 연속공정에 있어서, 기체막이 수소막으로 구성되며 막이 분해가능 기체 화합물에 대해 역류인 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제13항에 따른 연속공정에 있어서 인상실과 화학증착실 사이에 정압이 존재하므로써 인상실로부터 화학증착실로 정방향의 기체흐름이 초래되는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제18항에 따른 연속공정에 있어서, 인상실로부터 화학증착실로의 정압을 형성하는 기체가 수소, 헬륨, 네온, 아르곤, 크립통, 크세논, 라돈으로 구성되는 그룹으로 부터 선택되는 반도체몸체의 기체막연속 화학증착제조.
- 제13항에 따른 연속공정에 있어서, 용융된 실리콘 원료가 녹아뜬 영역방법을 통하여 계속 공급되는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제13항에 따른 연속공정에 있어서, 용융된 실리콘 원료가 ㅉㅛ크랑스키 방법을 통하여 연속적으로 공급되는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제13항에 따른 연속공정에 있어서, 기체화합물을 함유하는 열분해가능의 실리콘이 트리클로로 실란으로 구성되는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 다수 실리콘의 몸체를 준비하기 위한 연속공정에 있어서,(a) 하나 또는 그 이상의 씨결정들과 연속적인 용융된 실리콘원료의 반응으로부터 인상실내에 생성된 하나 또는 그 이상의 순수세봉을 끌어당기는 단계와,(b) 실리콘세봉을 예열시켜 화학증착실내로 주입시키는 단계와,(c) 주입된 세봉들을 실리콘을 함유한 기체화합물을 분해온도까지 동시가열하고 접촉시키는 단계와,(d) 세봉들이 화학증착실을 통과하는 동안, 실리콘을 함유한 기체화합물을 분해시키기에 충분한 온도로 세봉을 유지하는 단계와,(e) 실제적으로 기체화합물이 벽에 도달하는 것을 막는 기체막을 화학증착실의 내부벽에 따라 만드는 단계와,(f) 실리콘을 함유한 기체화합물의 열분해 결과로써 세봉의 직경을 증식시키는 단계와,(g) 결과 증식된 다수실리콘몸체를 화학증착실로부터 끌어올리는 단계를 포함하는 반도체몸체의 기체막 연속화학증착제조.
- 반도체물질 몸체를 연속성장시키기 위한 장치에 있어서,(a) 접촉함이 없이 성장실로부터 화학증착실로 세봉의 통과를 허여하기에 충분한 직경을 갖는 좁혀진 통로를 통하여 화학증착실 하단부와 소통하는 상단부를 갖는 세봉 성장실과,(b) 화학증착실을 통하여 성장시로 연장하는 회수할 수 있는 인상장치와,(c) 성장실의 세봉 가열장치와,(d) 촛점된 열에 대하여 투명한 화학증착실벽을 에워싸는 기하학적인 촛점방사용광로와,(e) 성장실로 들어가는 기체압력공급원장치와,(f) 화학증착실로 출입하는 반응기체의 출입장치와,(g) 실제적으로 기체화합물이 벽에 도달하는 것을 막는 기체막을 화학증착실내벽에 따라 제공하는 유입기체흐르유도장치와,(h) 기체봉합장치로 구성된 화학증착실상단부로부터의 출구장치를 포함하는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제24항내에 포함된 장치에 있어서, 성장실과 화학증착실 사이의 소통을 제공하는 좁혀진 영역이 석영슬리브로 구성되는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제24항에 따른 장치에 있어서, 성장실레 세봉가열장치가 저항성 가열물질로 구성되는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제24항에 따른 장치에 있어서, 반도체 물질 몸체가 화학증착실로부터 위쪽으로 끌어올려지는 것을 허여하는 팽창부재로 화학증착실의 상단부가 구성되는 반도체몸체의 기체막연속화학증착제조.
- 제24항에 따른 장치에 있어서, 기체막이 반도체몸체에 따라 실중앙흐름을 제공하는 반응가스유입에 역류인 적어도 하나의 유입유도장치를 통하여 화학증착실내로 주입되는 반도체 몸체의 기체막 연속화학증착제조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Legal Events
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Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 19860317 |
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| PC1904 | Unpaid initial registration fee |