JP2020088031A - レーザ装置用の電源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性を高めたレーザ装置を提供する。
【解決手段】高周波電源４００は、一対の放電電極２０２，２０４の容量を含む共振回路２１０に高周波電圧Ｖ_ＲＦを印加する。過電圧抑制回路５００は、共振回路２１０の両端間の過電圧を抑制する。異常検出器６００は、異常を検出すると高周波電源４００からの高周波電圧Ｖ_ＲＦの印加を停止させる。
【選択図】図２

Description

本発明は、電源装置に関する。

産業用の加工ツールとして、レーザ加工装置が広く普及している。レーザ加工装置には、ＣＯ_２レーザなどの高出力のガスレーザが使用される。図１は、レーザ装置１００Ｒのブロック図である。レーザ装置１００Ｒは、レーザ共振器２００および電源装置２５０Ｒを備える。レーザ共振器２００は、一対の放電電極２０２，２０４、全反射鏡２０６、部分反射鏡２０８を備える。

一対の放電電極２０２，２０４は、ＣＯ_２などのレーザ媒質ガスが充電されたガスチャンバ内に設けられる。一対の放電電極２０２，２０４の間には、静電容量Ｃが存在する。この静電容量Ｃと、インダクタＬ（インダクタ素子あるいは寄生インダクタ）は、共振周波数ｆ_ＲＥＳを有する共振回路２１０を形成する。

電源装置２５０Ｒは、高周波電圧Ｖ_ＲＦを共振回路２１０に印加する。高周波電圧Ｖ_ＲＦの周波数ｆ_ＲＦ（以下、同期周波数という）は、共振回路の周波数ｆ_ＲＥＳの近傍に設定される。高周波電圧Ｖ_ＲＦが印加されることにより、一対の放電電極２０２，２０４の間に放電電流が流れる。放電電流によってレーザ媒質ガスが励起され、反転分布が形成される。誘導放出光は、全反射鏡２０６と部分反射鏡２０８が形成する光共振器内を往復し、レーザ媒質ガスを通過することにより増幅される。増幅された光の一部が部分反射鏡２０８から出力として取り出される。

電源装置２５０Ｒは、安定化された直流電圧Ｖ_ＤＣを生成する直流電源３００と、直流電圧Ｖ_ＤＣを高周波電圧Ｖ_ＲＦに変換する高周波電源４００とを備える。

特開２０１８−３９０３２号公報 特開２０１５−３２７４６号公報

本発明者らは、図１のレーザ装置１００Ｒについて検討した結果、以下の課題を認識するに至った。

放電電極２０２や２０４において接触不良などが生ずると、開放状態で運転することになる。開放状態では、静電容量Ｃが非常に小さくなるため、共振回路の共振周波数が非常に高い値ｆ_ＲＥＳ’となる。この状態で、同期周波数ｆ_０（ｆ_０＜ｆ_ＲＥＳ’）の高周波電圧Ｖ_ａｃを印加し続けると、共振周波数ｆ_ＲＥＳ’において、高周波電圧Ｖ_ＲＦの振幅を超える非常に高電圧が発生する。この高電圧が高周波電源４００の内部の半導体素子（すなわちパワートランジスタ）に印加されると、信頼性が低下する。

本発明は係る状況においてなされたものであり、そのある態様の例示的な目的のひとつは、信頼性を高めたレーザ装置の提供にある。

本発明のある態様は、一対の放電電極を含むレーザ共振器を駆動する電源装置に関する。電源装置は、一対の放電電極の容量を含む共振回路に高周波電圧を印加する高周波電源と、共振回路の両端間、もしくは高周波電源の内部ノードの過電圧を抑制する過電圧抑制回路と、過電圧抑制回路と直列なスイッチと、異常を検出すると、スイッチをオンする異常検出器と、を備える。

ここでいう「異常」は、電源装置内に過電圧を発生させうる異常である。過電圧抑制回路を設けることで、共振回路の共振周波数が設計値から大きく外れた場合に、過電圧を抑制でき、高周波電源などに含まれる半導体素子を保護できる。また過電圧が生じない状況では、スイッチをオフしておくことで、過電圧抑制回路にリーク電流が流れるのを防止でき、またリーク電流に起因するノイズを抑制できる。

レーザ共振器の筐体はアース線を介して接地されてもよい。異常検出器は、アース線に流れる電流にもとづいて、異常を検出してもよい。

レーザ共振器の筐体はアース線を介して接地されており、異常検出器は、筐体の電位にもとづいて、異常を検出してもよい。

電源装置は、異常検出器が異常を検出すると、外部に通知する通知手段をさらに備えてもよい。

高周波電源は、インバータと、インバータの出力と接続される１次巻線およびレーザ共振器と接続される２次巻線を有するトランスと、を含んでもよい。過電圧抑制回路は、トランスの１次巻線と接続されてもよい。

過電圧抑制回路は、電圧サプレッサ、サージ防護デバイス、ガスアレスタ（サージアレスタ）の少なくともひとつを含んでもよい。

過電圧抑制回路は、直列に接続される複数の素子を含んでもよい。個々の素子の静電容量が大きい場合に、それらを直列に接続することで、過電圧抑制回路の静電容量を小さくできる。

過電圧抑制回路は、一対の放電電極の容量の１／１０以下のキャパシタを含んでもよい。この場合、キャパシタが負荷となるため、共振周波数が高くなりすぎるのを防止でき、過電圧を抑制できる。

過電圧抑制回路は、ＬＣＲ負荷を含んでもよい。この場合、放電電極に異常が生じて開放状態となっても、ＬＣＲ負荷によって共振周波数が高くなりすぎるのを防止でき、過電圧を抑制できる。

なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。

本発明のある態様によれば、レーザ装置の信頼性を高めることができる。

レーザ装置のブロック図である。 実施の形態に係るレーザ装置のブロック図である。 図３（ａ）、（ｂ）は、異常検出器の構成例を示す回路図である。 図４（ａ）〜（ｄ）は、過電圧抑制回路の構成例を示す回路図である。 電源装置の具体的な構成例を示す回路図である。 レーザ装置を備えるレーザ加工装置を示す図ある。 図７（ａ）、（ｂ）は、過電圧抑制回路の配置の変形例を示す図である。

以下、本発明を好適な実施の形態をもとに図面を参照しながら説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付するものとし、適宜重複した説明は省略する。また、実施の形態は、発明を限定するものではなく例示であって、実施の形態に記述されるすべての特徴やその組み合わせは、必ずしも発明の本質的なものであるとは限らない。

図２は、実施の形態に係るレーザ装置１００のブロック図である。レーザ装置１００は、レーザ共振器２００と電源装置２５０を備える。

図２において、レーザ共振器２００は等価回路として示される。一対の放電電極２０２，２０４の間には、静電容量Ｃと、抵抗成分Ｒが含まれる。静電容量Ｃは、インダクタＬとともに共振回路２１０を形成する。この共振回路２１０の共振周波数をｆ_ＲＥＳとする。インダクタＬは、インダクタ部品および配線や基板の寄生インダダクタンスの少なくとも一方を含む。

電源装置２５０は、高周波電圧Ｖ_ＲＦを共振回路２１０に印加する。高周波電圧Ｖ_ＲＦの周波数ｆ_ＲＦ（以下、同期周波数という）は、共振回路の周波数ｆ_ＲＥＳの近傍に設定される。高周波電圧Ｖ_ＲＦが印加されることにより、一対の放電電極２０２，２０４の間に放電電流が流れる。放電電流によってレーザ媒質ガスが励起され、反転分布が形成される。

電源装置２５０は、直流電源３００、高周波電源４００、過電圧抑制回路５００、スイッチＳＷ１、異常検出器６００、通知手段６１０を備える。直流電源３００は、その出力が一対のＤＣリンク３１０と接続されており、ＤＣリンク３１０に所定の電圧レベルに安定化された直流電圧（ＤＣリンク電圧ともいう）Ｖ_ＤＣを発生する。

高周波電源４００の入力は、ＤＣリンク３１０と接続されており、ＤＣリンク電圧Ｖ_ＤＣを受ける。高周波電源４００は、共振周波数ｆ_ＲＥＳと同じ周波数（同期周波数）ｆ_ＲＦを有する高周波電圧Ｖ_ＲＦを発生し、レーザ共振器２００に供給する。高周波電源４００の構成は限定されないが、直流電圧Ｖ_ＤＣを交流電圧Ｖ_ＡＣに変換するＨブリッジ回路（インバータ）４０２と、Ｈブリッジ回路４０２の出力電圧Ｖ_ＡＣを昇圧するトランス４０４と、を含むことができる。

過電圧抑制回路５００は、共振回路２１０の両端間、もしくは高周波電源の内部ノードの過電圧を抑制可能に構成される。図２において、過電圧抑制回路５００は、Ｈブリッジ回路４０２と昇圧トランス４０４の接続ノードと接続されており、昇圧トランス４０４の１次側の電圧の過電圧を抑制可能となっている。

スイッチＳＷ１は、過電圧抑制回路５００の電流経路を遮断するために、過電圧抑制回路５００と直列に設けられる。

異常検出器６００は、レーザ装置１００の異常を検出すると、異常検出信号Ｓ_ＡＢＮをアサートし、スイッチＳＷ１をオンする。ここでいう「異常」は、電源装置２５０内に過電圧を発生させうる異常、言い換えれば共振周波数を設計値よりも高くシフトさせる異常であり、たとえば放電電極２０２，２０４の接触不良、インダクタＬの外れ、それらを接続する配線の外れ、配線の断線（オープン）あるいは劣化によるインピーダンスの増加が例示される。なお電源装置２５０は、異常が発生した後に異常検出信号Ｓ_ＡＢＮをアサートしてもよいし、異常の予兆が現れた段階で異常検出信号Ｓ_ＡＢＮをアサートしてもよい。

通知手段６１０は、異常検出器６００による異常検出を外部に通知する。たとえば通知手段６１０は、ブザーやランプ、ディスプレイなど、ユーザに対する直接的な通知手段であってもよい。

あるいは通知手段６１０は、ブザー、ランプ、ディスプレイを制御するシステム側のコントローラと接続されるインタフェースであってもよい。この場合、通知手段６１０は、ユーザに対して、間接的に異常の発生を通知してもよい。この場合において、システム側のコントローラは、異常発生の通知をトリガーとして、適切なタイミングで適切な保護処置を実行できる。

以上が電源装置２５０の基本構成である。続いてその動作を説明する。

レーザ装置１００に異常（もしくはその予兆）が発生すると、異常検出器６００は異常検出信号Ｓ_ＡＢＮをアサートし、スイッチＳＷ１をオンする。これにより過電圧抑制回路５００が高周波電源４００に接続され、過電圧抑制回路５００が接続されるノード間の過電圧が抑制される。

一方、レーザ装置１００の正常状態においては、異常検出器６００が異常検出信号Ｓ_ＡＢＮをネゲートされており、スイッチＳＷ１はオフである。したがって過電圧抑制回路５００は高周波電源４００から切り離される。

以上が電源装置２５０の動作である。この電源装置２５０によれば、過電圧抑制回路５００を設けることで、共振回路２１０の共振周波数ｆ_ＲＥＳが設計値から大きく外れた場合に、過電圧を抑制でき、高周波電源４００などに含まれる半導体素子を保護できる。また過電圧が生じない状況では、スイッチＳＷ１をオフしておくことで、過電圧抑制回路５００にリーク電流が流れるのを防止でき、またリーク電流に起因するノイズを抑制できる。

本発明は、図２のブロック図や回路図として把握され、あるいは上述の説明から導かれるさまざまな装置、方法に及ぶものであり、特定の構成に限定されるものではない。以下、本発明の範囲を狭めるためではなく、発明の本質や動作の理解を助け、またそれらを明確化するために、より具体的な構成例や実施例を説明する。

・異常検出器６００について
異常検出器６００の検出速度が遅いと、スイッチＳＷ１のターンオンが遅れ、遅れ時間の間、過電圧が発生することになり好ましくない。したがって異常検出器６００には、過電圧抑制回路５００が有効に働くべきタイミング（すなわち実際に過電圧が発生するタイミング）より早く、異常検出信号Ｓ_ＡＢＮをアサートすることが要求される。そこで以下では、高速な異常検出器６００について説明する。

図３（ａ）、（ｂ）は、異常検出器６００の構成例を示す回路図である。レーザ共振器２００は、金属の筐体（ガスチャンバー）２２０で覆われており、筐体２２０は、アース線２２２を介して接地される。

図３（ａ）の異常検出器６００は、アース線２２２に流れる電流Ｉｘにもとづいて、異常の有無を判定する。より具体的には、アース線に流れる電流Ｉｘの振幅が所定のしきい値を超えると、異常と判定することができる。

図３（ｂ）の異常検出器６００は、筐体２２０の対接地電位Ｖｘにもとづいて、異常の有無を判定する。より具体的には、電位Ｖｘの振幅が所定のしきい値を超えると、異常と判定することができる。

以上が異常検出器６００の構成例である。続いて異常検出器６００の動作原理を説明する。放電電極２０２と筐体２２０の間、放電電極２０４と筐体２２０の間には寄生容量Ｃｐが存在する。レーザ共振器２００が正常であるとき、設計した共振周波数ｆ_ＲＥＳの電流がレーザ共振器２００（電極２０２，２０４間）に流れ、寄生容量Ｃｐの影響は無視することができる。このとき寄生容量Ｃｐおよびアース線２２２に流れる電流Ｉｘは実質的にゼロであり、また筐体２２０の電位Ｖｘは実質的に接地電圧と等しい。

放電電極２０２や放電電極２０４に接続される配線が断線し、あるいはインピーダンスが増大すると、共振回路２１０の共振周波数が設計値より高くなり、高周波の電流が流れる。高周波の電流は、容量値の小さい寄生容量Ｃｐを経由してアース線２２２に流れる。これにより、筐体２２０の電位Ｖｘが非ゼロとなる。

図３（ａ）、（ｂ）の異常検出器６００によれば、共振回路２１０の共振周波数のシフトを高速に検出することができ、実際に電源装置２５０の内部で過電圧が発生するより前に（あるいは発生したとしても直ちに）、スイッチＳＷ１をターンオンすることができる。

なお、異常検出器６００の異常検出の方法はこれに限定されない。応答性の低い方式を用いるかわりに、異常判定のしきい値を厳しく設定してもよい。

図４（ａ）〜（ｄ）は、過電圧抑制回路５００の構成例を示す回路図である。図４（ａ）の過電圧抑制回路５００は、ガスアレスタ５０２を含む。ガスアレスタ５０２の端子間電圧が動作開始電圧を超えると、ガスアレスタ５０２が短絡状態となり、過電圧抑制回路５００の両端間電圧ΔＶが抑制される。

ここで過電圧抑制回路５００の両端間の静電容量は、一対の放電電極の静電容量の１／５より小さいことが好ましい。なぜなら、過電圧抑制回路５００の静電容量が大きすぎると、共振回路２１０の共振周波数ｆ_ＲＥＳをシフトさせることとなり、回路動作に影響を及ぼすからである。この観点において、図４（ａ）のようにガスアレスタ５０２単体で過電圧抑制回路５００を構成すると、静電容量が大きすぎる場合がある。

このような場合には図４（ｂ）に示すように、複数の過電圧抑制素子（サージ保護素子）を直列に接続するとよい。これにより、過電圧抑制回路５００の両端間の静電容量は、複数の過電圧抑制素子それぞれの静電容量の合成容量となるため、個々の過電圧抑制素子の静電容量よりも小さくすることができる。

より詳しくは図４（ｂ）の過電圧抑制回路５００は、直列に接続されるガスアレスタ５０２とバリスタ５０４を含む。この構成では、過電圧抑制回路５００の両端間に高電圧ΔＶが印加されると、ガスアレスタ５０２の端子間電圧が動作開始電圧を超えて短絡状態となり、高電圧ΔＶがバリスタ５０４に印加される。その結果、バリスタ５０４のＩ−Ｖ特性に応じて電流が流れ、高電圧ΔＶを抑制できる。バリスタ５０４に代えて、一般的な過電圧抑制素子を用いることができ、たとえばＳＰＤ（酸化亜鉛型アレスタ）やトランゾープを用いてもよい。

図４（ａ）、（ｂ）の過電圧抑制回路５００は、過電圧に応答して動作するものであったが、その限りでなく、過電圧抑制回路５００は、レーザ共振器２００の開放異常状態における過電圧の発生を予防する回路であってもよい。より具体的には過電圧抑制回路５００は、同期周波数ｆ_ＲＦにおいては、共振回路２１０に比べて十分にハイインピーダンスであり、同期周波数ｆ_ＲＦより高い周波数においては、低いインピーダンスを有してもよい。図４（ｃ）の過電圧抑制回路５００は、キャパシタ５０６を含む。キャパシタ５０６の静電容量は、一対の放電電極２０２，２０４の静電容量の１／５以下、好ましくは１／１０以下である。開放異常が発生しても、このキャパシタ５０６が負荷として残るため、共振周波数が高くなりすぎるのを防止でき、過電圧を抑制できる。

図４（ｄ）の過電圧抑制回路５００は、ＬＣＲ負荷回路を含む。開放状態となっても、ＬＣＲ負荷によって共振周波数が高くなりすぎるのを防止でき、過電圧を抑制できる。

なお過電圧抑制回路５００を、図４（ａ）〜（ｄ）に例示した回路のいくつかを並列に接続した構成であってもよい。

図５は、電源装置２５０の具体的な構成例を示す回路図である。レーザ装置１００には、発光期間（励振期間）と停止期間を指示する制御信号（励振信号）Ｓ１が入力され、励振信号Ｓ１にもとづいて間欠動作する。たとえば励振信号Ｓ１は、数ｋＨｚ程度の繰り返し周波数、デューティ比５％程度のパルス信号である。

高周波電源４００は、Ｈブリッジ回路（フルブリッジ回路）４０２と昇圧トランス４０４とを備える。高周波電源４００は、Ｈブリッジ回路４０２と昇圧トランス４０４のセット４０１を、２系統備え、それらが並列に接続されている。もちろんこのセット４０１を１系統のみで構成してもよい。励振信号Ｓ１が励振区間を指示するレベル（たとえばハイ）の間、Ｈブリッジ回路４０２はスイッチングし、昇圧トランス４０４の１次巻線に交流電圧Ｖ_ＡＣを印加する。Ｈブリッジ回路４０２のスイッチング周波数は、同期周波数ｆ_ＲＦであり、たとえば２ＭＨｚ程度に設定される。その結果、昇圧トランス４０４の２次巻線には、交流電圧Ｖ_ＡＣを昇圧した高周波電圧Ｖ_ＲＦが発生する。

直流電源３００は、バンクコンデンサ３０２および充電回路３０４を含む。バンクコンデンサ３０２は、ＤＣリンク３０６の間に設けられる。充電回路３０４はバンクコンデンサ３０２を充電し、バンクコンデンサ３０２の電圧Ｖ_ＤＣを一定に保つ。

励振区間の間、Ｈブリッジ回路４０２がスイッチング動作することにより、バンクコンデンサ３０２に蓄えられたエネルギー（電荷）が放出され、直流電圧Ｖ_ＤＣの電圧レベルは低下する。充電回路３０４は、直流電圧Ｖ_ＤＣの電圧レベルの低下を補うように、バンクコンデンサ３０２に充電電流を供給する。すなわち、直流電源３００もまた、励振信号Ｓ１と同期して間欠動作する。

なお直流電源３００を、励振期間中も含めて定常的に動作するＤＣ／ＤＣコンバータで構成してもよい。

（用途）
続いてレーザ装置１００の用途を説明する。図６は、レーザ装置１００を備えるレーザ加工装置９００を示す図ある。レーザ加工装置９００は、対象物９０２にレーザパルス９０４を照射し、対象物９０２を加工する。対象物９０２の種類は特に限定されず、また加工の種類も、穴空け（ドリル）、切断などが例示されるが、その限りではない。

レーザ加工装置９００は、レーザ装置１００、光学系９１０、制御装置９２０、ステージ９３０を備える。対象物９０２はステージ９３０上に載置され、必要に応じて固定される。ステージ９３０は、制御装置９２０からの位置制御信号Ｓ２に応じて、対象物９０２を位置決めし、対象物９０２とレーザパルス９０４の照射位置を相対的にスキャンする。ステージ９３０は、１軸、２軸（ＸＹ）あるいは３軸（ＸＹＺ）であり得る。

レーザ装置１００は、制御装置９２０からのトリガ信号（励振信号）Ｓ１に応じて発振し、レーザパルス９０６を発生する。光学系９１０は、レーザパルス９０６を対象物９０２に照射する。光学系９１０の構成は特に限定されず、ビームを対象物９０２に導くためのミラー群、ビーム整形のためのレンズやアパーチャなどを含みうる。

制御装置９２０は、レーザ加工装置９００を統括的に制御する。具体的には制御装置９２０は、レーザ装置１００に対して間欠的に励振信号Ｓ１を出力する。また制御装置９２０は、加工処理を記述するデータ（レシピ）にしたがってステージ９３０を制御するための位置制御信号Ｓ２を生成する。

以上、本発明について、実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。以下、こうした変形例について説明する。

過電圧抑制回路の配置について、いくつかの変形例を説明する。図２では、過電圧抑制回路５００を、Ｈブリッジ回路４０２と昇圧トランス４０４の間に接続したがその限りでない。図７（ａ）、（ｂ）は、過電圧抑制回路５００の配置の変形例を示す図である。

図７（ａ）に示すように、過電圧抑制回路５００およびスイッチＳＷ１を、高周波電源４００の出力ノード、すなわち昇圧トランス４０４の２次側に設けてもよい。これにより、２次側の電圧Ｖ_ＲＦの過電圧が抑制され、ひいては１次側の過電圧を抑制することができる。

図７（ｂ）に示すように、過電圧抑制回路５００およびスイッチＳＷ１のセットを、Ｈブリッジ回路４０２を構成するスイッチ（トランジスタ）ＭＨ，ＭＬそれぞれと並列に設けてもよい。

過電圧抑制回路５００およびスイッチＳＷ１を、レーザ共振器２００側に設けてもよい。

異常検出器による異常検出方法についても、いくつかの変形例を説明する。

異常検出器は、レーザ装置の出力光の有無にもとづいて異常を判定してもよい。レーザ装置が非発光の場合（あるいは光量が低下の場合）に、異常と判定してもよい。

異常検出器は、共振周波数の電流成分にもとづいて異常を判定してもよい。負荷（共振回路）もしくは高周波電源の出力に流れる電流を監視し、検出値から共振周波数の成分を抽出し、共振周波数の電流が小さい場合には、異常と判定してもよい。

異常検出器は、共振周波数以外の電流成分にもとづいて異常を判定してもよい。負荷（共振回路）もしくは高周波電源の出力に流れる電流を監視し、検出値から共振周波数以外の成分を抽出し、共振周波数以外の電流が大きい場合には、異常と判定してもよい。

異常検出器は、ショット後の高周波電源の入力電圧の低下幅にもとづいて異常を判定してもよい。レーザが正常に発光すれば、直流電源の出力コンデンサ（バンクコンデンサ）に蓄えられた電荷が放電され、直流電圧が低下する。したがってバンクコンデンサの電圧を監視し、電圧低下が小さいときに、異常と判定できる。

異常検出器は、共振周波数より高い周波数のノイズにもとづいて異常を判定してもよい。電流が高周波となった場合、高周波の放射ノイズあるいは伝導ノイズが増加する。このノイズをアンテナで検出し、ノイズが増加した場合に異常と判定できる。

異常検出器は、一対の放電電極間の電圧にもとづいて異常を判定してもよい。高周波電圧を印加しているにもかかわらず、共振回路の両端間に十分な電圧が検出されない場合、異常と判定できる。

実施の形態にもとづき、具体的な語句を用いて本発明を説明したが、実施の形態は、本発明の原理、応用の一側面を示しているにすぎず、実施の形態には、請求の範囲に規定された本発明の思想を逸脱しない範囲において、多くの変形例や配置の変更が認められる。

１００ レーザ装置
２００ レーザ共振器
２０２，２０４ 放電電極
２０６ 全反射鏡
２０８ 部分反射鏡
２１０ 共振回路
２５０ 電源装置
３００ 直流電源
３０２ バンクコンデンサ
３０４ 充電回路
４００ 高周波電源
４０２ Ｈブリッジ回路
４０４ 昇圧トランス
５００ 過電圧抑制回路
５０２ ガスアレスタ
５０４ バリスタ
６００ 異常検出器
６１０ 通知手段

Claims (5)

1. 一対の放電電極を含むレーザ共振器を駆動する電源装置であって、
   前記一対の放電電極の容量を含む共振回路に高周波電圧を印加する高周波電源と、
   前記共振回路の両端間、もしくは前記高周波電源の内部ノードの過電圧を抑制する過電圧抑制回路と、
   前記過電圧抑制回路と直列に設けられたスイッチと、
   異常を検出すると、前記スイッチをオンする異常検出器と、
   を備えることを特徴とする電源装置。
2. 前記レーザ共振器の筐体はアース線を介して接地されており、
   前記異常検出器は、前記アース線に流れる電流にもとづいて、前記異常を検出することを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
3. 前記レーザ共振器の筐体はアース線を介して接地されており、
   前記異常検出器は、前記筐体の電位にもとづいて、前記異常を検出することを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
4. 前記異常検出器が異常を検出すると、外部に通知する通知手段をさらに備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電源装置。
5. 前記高周波電源は、
   インバータと、
   前記インバータの出力と接続される１次巻線および前記レーザ共振器と接続される２次巻線を有するトランスと、
   を含み、
   前記過電圧抑制回路は、前記トランスの１次巻線と接続されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電源装置。

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