JP2013033964A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、前記開口を開閉するドアと、前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む。
【選択図】図５

Description

本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関し、より詳細には、超臨界工程を遂行する基板処理装置及び基板処理方法に関する。

半導体素子はフォトリソグラフィー工程（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を含む多様な工程を通じて基板の上に回路パタ−ンを形成して製造される。このような製造過程の中ではパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）、有機汚染物、金属不純物等が発生し、このような異物質は基板に欠陥を誘発して半導体素子の収率に直接的な影響を及ぶ要因として作用する。したがって、半導体製造工程には基板から異物質を除去するための洗浄工程が必須的に伴われる。

一般的に洗浄工程は洗浄剤で基板の上の異物質を除去し、純水（ＤＩ−ｗａｔｅｒ：ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）で基板を洗浄した後、表面張力小さいイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ：ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）のような有機溶剤で純水を置換した後、これを蒸発させて基板を乾燥させる順序に進行される。しかし、このような既存の乾燥方式は回路パターンが微細な半導体素子の場合にその乾燥効率が低いことでなく、乾燥過程の中で比較的弱い有機溶媒の表面張力によっても回路パタ−ンを損傷される崩壊現像（ｐａｔｔｅｒｎ ｃｏｌｌａｐｓｅ）が頻繁に発生する。

これによって線幅３０ｎｍ以下の半導体素子に対しては超臨界流体を利用して基板を乾燥させる超臨界乾燥工程（ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｒｙｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）がだんだん既存の乾燥工程を代替している。超臨界流体とは、臨界温度と臨界圧力との以上で気体と液体との性質を同時に有する流体として、拡散力と浸透力とが優れ、溶解力が高く、表面張力が概ね無いので、基板の乾燥に非常に有用に使用され得る。

しかし、このような超臨界工程を遂行する工程チャンバーは高圧の超臨界状態を維持するためにそのフットプリント（ｆｏｏｔ ｐｒｉｎｔ）が増加して基板処理率（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）が低下される問題点を有している。

韓国特許公開第１０−２００４−００５８２０７号公報

本発明の一課題は超臨界工程を遂行する工程チャンバーの空間効率が向上される基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。

本発明の他の課題は高圧環境を耐えられる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。

本発明が解決しようとする課題が上述した課題に限定されることではなく、言及されなかった課題は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解できる。

本発明は基板処理装置を提供する。

本発明による基板処理装置の一実施形態は、一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、前記開口を開閉するドアと、前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む。

前記基板処理装置は、前記ドアを移動させるドア駆動器と、一端が前記ハウジングに結合され、他端が前記ドアに結合され、前記ドアの移動を案内するリンクと、をさらに包含できる。

前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合され得る。

前記リンクは、前記ドアが前記一端を中心に回転するように案内できる。

前記リンクは、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々１つずつ結合され得る。

前記ハウジングで前記一面と前記ドアで前記開口を開閉する面とは、互に対応される曲面であり得る。

前記リンクは、前記ハウジングの一面と前記ドアの密着される面とが平行な状態を維持しながら、前記ドアが乗降するように案内できる。

前記リンクは、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々複数個結合され得る。

前記加圧部材は、前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する加圧板、駆動力を発生するシリンダー、及び前記シリンダーへの駆動力をその端部に結合された前記加圧板へ伝達するロードを包含できる。

前記ドアの上面又は下面には、溝が形成され、前記ドアが乗降すれば、前記ロードが前記溝に挿入され、前記加圧板が前記ドアの前記反対面に位置され得る。

前記基板処理装置は、前記ハウジング内部を加熱する加熱部材と、前記ハウジングへ超臨界流体を供給する供給ポートと、前記ハウジングから前記超臨界流体を排気する排気ポートと、をさらに包含して超臨界工程を遂行できる。

前記供給ポートは、前記ハウジングの上面に形成される上部供給ポート及び前記ハウジングの下面に形成される下部供給ポートを包含できる。

本発明による基板処理装置の他の実施形態は、基板を移送する移送チャンバーと、一面に前記基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材、前記開口を開閉するドア、及び前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材を含み、工程チャンバーと、を含み、前記移送チャンバーの一側面と前記ハウジングの一面とが互に対向する。

前記工程チャンバーは、前記ドアを移動させるドア駆動器及び一端が前記ハウジングに結合され、他端が前記ドアに結合され、前記ドアの移動を案内するリンクをさらに包含できる。

前記リンクは、前記ドアが前記一端を中心に回転するように案内できる。

前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合され、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々１つずつ提供され、前記ハウジングで前記一面と前記ドアで前記開口を開閉する面とは、互に対応される曲面であり得る。

前記リンクは、前記ハウジングの一面と前記ドアの密着される面とが平行な状態を維持しながら、前記ドアが乗降するように案内できる。

前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合され、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々複数個提供され得る。

前記加圧部材は、前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する加圧板、駆動力を発生するシリンダー、及び前記シリンダーへの駆動力をその端部に結合された前記加圧板へ伝達するロードを包含できる。

前記ドアの上面又は下面には、溝が形成され、前記ドアが乗降すれば、前記ロードが前記溝に挿入され、前記加圧板が前記ドアの前記反対面に位置され得る。

前記工程チャンバーは、複数であり、前記複数の工程チャンバーは、鉛直方向に積層されて配置され得る。

本発明は基板処理方法を提供する。

本発明による基板処理方法の一実施形態は、開口を通じてハウジング内部に基板が搬入される段階と、ドアが前記開口を閉鎖する段階と、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する段階と、前記密閉されたハウジング内で前記基板に対して工程を遂行する段階と、を含む。
前記ドアを閉鎖する段階は、前記ドアが前記開口に対して乗降して遂行できる。

本発明によると、工程チャンバーがドアがスライディングされる構造に提供されることによって上下方向に少ない空間を占める。

本発明によると、工程チャンバーが鉛直方向に積層されて同一なフットプリントでより多い工程チャンバーを配置でき、これによって基板処理率が向上される。

本発明によると、加圧板によってドアを加圧して工程進行の時、その内部を密閉することができる。

本発明の効果が上述した効果に限定されることではなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解できる。

図１は二酸化炭素の相変化に関するグラフである。 図２は基板処理装置の一実施形態の平面図である。 図３は基板処理装置の一実施形態の断面図である。 図４は図２の第１工程チャンバーの断面図である。 図２の第２工程チャンバーの一実施形態の斜視図である。 図２の第２工程チャンバーの一実施形態の斜視図である。 図２の第２工程チャンバーの一実施形態の断面図である。 図２の第２工程チャンバーの一実施形態の断面図である。 図２の第２工程チャンバーの一実施形態の断面図である。 第２工程チャンバーの他の実施形態の斜視図である。 第２工程チャンバーの他の実施形態の斜視図である。 図２の第２工程チャンバーが積層されて配置されることを示した図面である。 基板処理方法の一実施形態の順序図である。 基板処理方法の他の実施形態の順序図である。

本明細書で使用される用語と添付された図面は本発明を容易に説明するためのものであるので、本発明が用語と図面とによって限定されることではない。

本発明に利用される技術の中で本発明の思想と密接な関連がない公知の技術に関する詳細な説明は省略する。

以下では本発明による基板処理装置１００に関して説明する。
基板処理装置１００は超臨界流体を工程流体として利用して基板Ｓを処理する超臨界工程を遂行できる。

ここで、基板Ｓは半導体素子や平板ディスプレイ（ＦＰＤ：ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）及びその他に薄膜で回路パターンが形成された物の製造に利用される基板を全て含む包括的な概念である。このような基板Ｓの例としては、シリコンウエハーを含む多様なウエハー、ガラス基板、有機基板等がある。

超臨界流体とは、臨界温度と臨界圧力を超過した超臨界状態に到達すれば、形成される気体と液体との性質を同時に有する相（ｐｈａｓｅ）を意味する。超臨界流体は分子密度は液体に近いし、粘性度は気体に近い性質を有し、これによって拡散力、浸透力、溶解力が非常に優れ、化学反応に有利であり、表面張力概ね無いので、微細構造に界面張力を加えない特性を有する。

超臨界工程はこのような超臨界流体の特性を利用して遂行されるが、その代表的な例としては、超臨界乾燥工程と超臨界蝕刻工程とがある。以下では超臨界工程に関して超臨界乾燥工程を基準に説明する。但し、これは説明を容易にするためのことに過ぎないので、基板処理装置１００は超臨界乾燥工程以外の他の超臨界工程を遂行できる。

超臨界乾燥工程は超臨界流体で基板Ｓの回路パターンに残留する有機溶剤を溶解して基板Ｓを乾燥させる方式に遂行され得り、乾燥効率が優れるだけでなく、崩壊現像を防止できる長所がある。超臨界乾燥工程に利用される超臨界流体としては有機溶剤との混和性がある物質を使用することができる。例えば、超臨界二酸化炭素（ｓｃＣＯ_２：ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ ｃａｒｂｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ）が超臨界流体として使用され得る。

図１は二酸化炭素の相変化に関するグラフである。

二酸化炭素は臨界温度が３１．１℃であり、臨界圧力が７．３８Ｍｐａで比較的に低いので、超臨界状態に変化させやすく、温度と圧力とを調節して相変化を制御する容易である価額が低廉な長所がある。また、二酸化炭素は毒性が無いので、人体に無害であり、不燃性、非活性の特性を有し、超臨界二酸化炭素は水やその他の有機溶剤に比べて１０〜１００倍ぐらい拡散係数（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）が高く、浸透が速く、有機溶剤の置換が速く、表面張力が概ねないので、微細な回路パタ−ンを有する基板Ｓの乾燥に利用するのが有利である物性を有する。これだけでなく、二酸化炭素は多様な化学反応の部産物として生成されることを再活用できる同時に超臨界乾燥工程に使用した後、これを気体に転換させて有機溶剤を分離して再使用することができので、環境汚染の側面でも負担が少ない。

以下では本発明による基板処理装置１００の一実施形態に関して説明する。本発明の一実施形態による基板処理装置１００は超臨界乾燥工程を含んで洗浄工程を遂行できる。

図２は基板処理装置１００の一実施形態の平面図であり、図３は基板処理装置１００の一実施形態の断面図である。

図２及び図３を参照すれば、基板処理装置１００はインデックスモジュール１０００及び工程モジュール２０００を含む。
インデックスモジュール１０００は外部から基板Ｓが搬送されて工程モジュール２０００に基板Ｓを搬送し、工程モジュール２０００は超臨界乾燥工程を遂行できる。

インデックスモジュール１０００は設備前方端部モジュール（ＥＦＥＭ：ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ）として、ロードポート１１００及び移送フレーム１２００を含む。
ロードポート１１００には基板Ｓが収容される容器Ｃが置かれる。容器Ｃには前面開放一体形ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）が使用され得る。容器Ｃはオーバーヘッドトランスファー（ＯＨＴ：ｏｖｅｒｈｅａｄ ｔｒａｎｓｆｅｒ）によって外部からロードポート１１００に搬入されるか、或いはロードポート１１００から外部へ搬出され得る。

移送フレーム１２００はロードポート１１００に置かれる容器Ｃと工程モジュール２０００との間に基板Ｓを搬送する。移送フレーム１２００はインデックスロボット１２１０及びインデックスレール１２２０を含む。インデックスロボット１２１０はインデックスレール１２２０の上で移動し、基板Ｓを搬送することができる。

工程モジュール２０００は実際に工程を遂行するモジュールであって、バッファチャンバー２１００、移送チャンバー２２００、第１工程チャンバー３０００、及び第２工程チャンバー４０００を含む。

バッファチャンバー２１００はインデックスモジュール１０００と工程モジュール２０００との間に搬送される基板Ｓが臨時的に留まる空間を提供する。バッファチャンバー２１００には基板Ｓが置かれるバッファスロットが提供され得る。例えば、インデックスロボット１２１０は基板Ｓを容器Ｃから引き出してバッファスロットに置かれ、移送チャンバー２２００の移送ロボット２２１０はバッファスロットに置かれる基板Ｓを引き出してこれを第１工程チャンバー３０００や第２工程チャンバー４０００へ搬送することができる。バッファチャンバー２１００には複数のバッファスロットが提供されて複数の基板Ｓが置かれ得る。

移送チャンバー２２００はその周囲に配置されたバッファチャンバー２１００、第１工程チャンバー３０００、及び第２工程チャンバー４０００の間に基板Ｓを搬送する。移送チャンバー２２００は移送ロボット２２１０及び移送レール２２２０を包含できる。移送ロボット２２１０は移送レール２２２０の上で移動し、基板Ｓを搬送することができる。

第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００とは洗浄工程を遂行できる。この時、洗浄工程は第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００とで順次的に遂行できる。例えば、第１工程チャンバー３０００では洗浄工程の中でケミカル工程、リンス工程、及び有機溶剤工程が遂行され、続いて第２工程チャンバー４０００では超臨界乾燥工程が遂行できる。

このような第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００とは移送チャンバー２２００の側面に配置される。例えば、第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００とは移送チャンバー２２００の他の側面に互に対向するように配置され得る。

また、工程モジュール２０００には第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００とが複数に提供され得る。複数の工程チャンバー３０００、４０００は移送チャンバー２２００の側面に一列に配置されるか、又は鉛直方向に積層されて配置されるか、又はこれらの組合によって配置され得る。

勿論、第１工程チャンバー３０００と第２工程チャンバー４０００との配置は上述した例に限定されなく、基板処理装置１００のフットプリントや工程効率等のような多様な要素を考慮して適切に変更できる。

以下では第１工程チャンバー３０００に関して説明する。

図４は図２の第１工程チャンバー３０００の断面図である。

第１工程チャンバー３０００はケミカル工程、リンス工程、及び有機溶剤工程を遂行できる。勿論、第１工程チャンバー３０００はこれらの工程の中で一部の工程のみを選択的に遂行することもあり得る。ここで、ケミカル工程は基板Ｓへ洗浄剤を提供して基板Ｓの上の異物質を除去する工程であり、リンス工程は基板へリンス剤を提供して基板Ｓの上に残留する洗浄剤を洗浄する工程であり、有機溶剤工程は基板Ｓへ有機溶剤を提供して基板Ｓの回路パターンの間に残留するリンス剤を表面張力低い有機溶剤で置換する工程である。

図４を参照すれば、第１工程チャンバー３０００は支持部材３１００、ノズル部材３２００、及び回収部材３３００を含む。

支持部材３１００は基板Ｓを支持し、支持された基板Ｓを回転させ得る。支持部材３１００は支持プレート３１１０、支持ピン３１１１、チャッキングピン３１１２、回転軸３１２０、及び回転駆動器３１３０を包含できる。

支持プレート３１１０は基板Ｓと同一又は類似な形状の上面を有し、支持プレート３１１０の上面には支持ピン３１１１とチャッキングピン３１１２とが形成される。支持ピン３１１１は基板Ｓを支持し、チャッキングピン３１１２は支持された基板Ｓを固定することができる。

支持プレート３１１０の下部には回転軸３１２０が連結される。回転軸３１２０は回転駆動器３１３０から回転力が伝達されて支持プレート３１１０を回転させる。これによって、支持プレート３１１０に安着された基板Ｓが回転できる。この時、チャッキングピン３１１２は基板Ｓが正位置を離脱することを防止することができる。

ノズル部材３２００は基板Ｓへ薬剤を噴射する。ノズル部材３２００はノズル３２１０、ノズルバー３２２０、ノズル軸３２３０、及びノズル軸駆動器３２４０を含む。

ノズル３２１０は支持プレート３１１０に安着された基板Ｓへ薬剤を噴射する。薬剤は洗浄剤、リンス剤、又は有機溶剤であり得る。ここで、洗浄剤では過酸化水素Ｈ_２Ｏ２溶液や過酸化水素溶液にアンモニアＮＨ_４ＯＨ、塩酸ＨＣｌ又は硫酸Ｈ_２ＳＯ_４を混合した溶液又はブッ酸ＨＦ溶液等が使用され得る。また、リンス剤としては純水が使用され得る。又、有機溶剤としてはイソプロパノールアルコールを含めてエチルグリコール（ｅｔｈｙｌｇｌｙｃｏｌ）、１−プロパノール（ｐｒｏｐａｎｏｌ）、テトラハイドロリックフラン（ｔｅｔｒａ ｈｙｄｒａｕｌｉｃ ｆｒａｎｃ）、４−ヒドロキシル（ｈｙｄｒｏｘｙｌ）、４−メチル（ｍｅｔｈｙｌ）、２−ペンタノン（ｐｅｎｔａｎｏｎｅ）、１−ブタノール（ｂｕｔａｎｏｌ）、２−ブタノール、メタノール（ｍｅｔｈａｎｏｌ）、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）、ｎ−プロピルアルコール（ｎ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、ジメチルエチル（ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）の溶液やガスが使用され得る。

このようなノズル３２１０はノズルバー３２２０の一端の底面に形成される。ノズルバー３２２０はノズル軸３２３０へ結合され、ノズル軸３２３０は乗降又は回転できるように提供される。ノズル軸駆動器３２４０はノズル軸３２３０を乗降又は回転させてノズル３２１０の位置を調節することができる。

回収部材３３００は基板Ｓへ供給された薬剤を回収する。ノズル部材３２００によって基板Ｓへ薬剤が供給されれば、支持部材３１００は基板Ｓを回転させて基板Ｓの全領域に薬剤が均一に供給されるようにすることができる。基板Ｓが回転すれば基板Ｓから薬剤が飛散するが、飛散する薬剤は回収部材３３００によって回収され得る。

回収部材３３００は回収筒３３１０、回収ライン３３２０、乗降バー３３３０、及び乗降駆動器３３４０を包含できる。

回収筒３３１０は支持プレート３１１０を囲む環形リング形状に提供される。回収筒３３１０は複数であり、複数の回収筒３３１０は上部から見る時、順に支持プレート３１１０から遠くなるリング形状に提供され、支持プレート３１１０から遠い距離にある回収筒３３１０であるほど、その高さが高くなるように提供される。これによって、回収筒３３１０の間の空間に基板Ｓから飛散される薬剤が流入される回収口３３１１が形成される。

回収筒３３１０の下面には回収ライン３３２０が形成される。回収ライン３３２０は回収筒３３１０へ回収された薬剤を再生する薬剤再生システム（図示せず）へ供給する。

乗降バー３３３０は回収筒３３１０に連結されて乗降駆動器３３４０から動力が伝達されて回収筒３３１０を上下へ移動させる。乗降バー３３３０は回収筒３３１０が複数である場合、最外殻に配置された回収筒３３１０に連結され得る。乗降駆動器３３４０は乗降バー３３３０を通じて回収筒３３１０を乗降させて複数の回収口３３１１の中で飛散する薬剤が流入される回収口３３１１を調節することができる。

以下では第２工程チャンバー４０００に関して説明する。

第２工程チャンバー４０００は超臨界流体を利用して超臨界乾燥工程を遂行できる。勿論、上述したように、第２工程チャンバー４０００で遂行される工程は超臨界乾燥工程の以外に他の超臨界工程であり得り、さらに、第２工程チャンバー４０００は超臨界流体の代わりに他の工程流体を利用して工程を遂行することもあり得る。

このような第２工程チャンバー４０００は上述したように、移送チャンバー２２００の一側面に配置され得る。第２工程チャンバー４０００が複数である場合には移送チャンバー２２００の一側面に一列に配置されるか、或いは上下に積層されて配置されるか、又はこれらの組合によって配置され得る。基板処理装置１００ではロードポート１１００、移送フレーム１２００、バッファチャンバー２１００、移送モジュール２２００が順次的に配置できるが、第２工程チャンバー４０００はこれと同一な方向に移送チャンバー２２００の一側面に一列に配置され得る。

以下では第２工程チャンバー４０００の一実施形態に関して説明する。

図５及び図６は図２の第２工程チャンバー４０００の一実施形態の斜視図であり、図７乃至図９は図２の第２工程チャンバー４０００の一実施形態の断面図である。

図５乃至図９を参照すれば、第２工程チャンバー４０００はハウジング４１００、ドア４１５０、ドア駆動器４７００、ドアリンク４７５０、加圧部材４２００、支持部材４３００、加熱部材４４００、供給ポート４５００、及び排気ポート４６００を包含できる。

ハウジング４１００は超臨界乾燥工程が遂行される空間を提供する。ハウジング４１００は超臨界乾燥工程が遂行される空間を提供する。ハウジング４１００は臨界圧力以上の高圧を耐えられる材質で提供される。

ハウジング４１００の一面には開口４１１０が形成される。基板Ｓは開口４１１０を通じてハウジング４１００へ搬入されるか、或いはハウジング４１００から搬出され得る。ここで、基板Ｓは第１工程チャンバー３０００で有機溶剤工程を経て有機溶剤が残留する状態に基板Ｓへ搬入され得る。

開口４１１０が形成されるハウジング４１００の一面は移送チャンバー２０００の第２工程チャンバー４０００が配置される一側面と互に対向する面であり得る。これによって、移送チャンバー２２００の移送ロボット２２１０が開口４１１０を通じてハウジング４１００の内部へ移動して基板Ｓを搬入させ得る。

ドア４１５０は開口４１１０を開閉することができる。ドア４１５０は下降して開口４１１０を開放するか、或いは上昇して開口４１１０を閉鎖できる。勿論、これと反対に下降して開口４１１０を閉鎖するか、或いは上昇して開口４１１０を開放することもあり得る。また、ドア４１５０が必ず乗降することではなく、水平方向へ移動するすることも可能である。このように、ドア４１５０はハウジング４１００の開口４１１０が形成された側面に対して相対的に移動して開口４１１０が形成された面で離隔されてハウジング４１００を開放するか、或いは密着してハウジング４１００を密閉することができる。

ドアリンク４７５０はこのようなドア４１５０の移動を案内する。ドアリンク４７５０は一端がハウジング４１００の開口４１１０が形成された面の側面に結合され、他端がドア４１５０の開口を開閉する面、即ちハウジング４１００と対向する面の側面に結合され得る。このようなドアリンク４７５０によって、ドア４１５０はドアリンク４７５０のハウジング４１００へ結合された一端を中心に回転しながら、開口４１１０に対して乗降できる。

ドア駆動器４７００はドア４１５０を移動させる。このようなドア駆動器４７００はドアリンク４７５０のハウジング４１００と結合される一端に設置されてドアリンク４７５０を回転させ得る。ドア駆動器４７００によってドアリンク４７５０が回転すれば、それにしたがって、ドア４１５０が乗降できる。勿論、ドア駆動器４７００が必ずドアリンク４７５０のみに設置されることではなく、ドア４１５０へ結合されて直接ドア４１５０へ力が伝達することもあり得る。

ここで、ハウジング４１００とドア４１５０とで互に接する面は互に対応される形状に提供され得る。例えば、ハウジング４１００の開口４１１０が形成された面は膨らんでいる曲面で提供され、ドア４１５０でハウジング４１００の開口４１１０が形成された面と接する面はそれに対応される凹んだ曲線で提供され得る。これによって、ドア４１５０がハウジング４１００と接しながら、回転移動することができる。

加圧部材４２００はドア４１５０のハウジング４１００と接する面の反対面、即ち開口４１５０を開閉する面の反対面へ圧力を加えられる。加圧部材４２００はこれによって、ドア４１５０が開口４１１０と密着してハウジング４１００を密閉され得る。特に、加圧部材４２００は超臨界乾燥工程の中にドア４１５０へ開口４１１０に向かう方向へ力を加えてハウジング４１００を密閉することができる。超臨界乾燥工程は超臨界状態の高圧で進行されるので、工程が進行されれば、ハウジング４１００の内部と外部との圧力差によってドア４１５０へ開口４１１０から遠くなる方向へ力が作用され、それによって、ドア４１５０は加圧部材４１００からその反対方向にそれより強い力が伝達されて超臨界乾燥工程の中にハウジング４１００が開放されないように密閉することができる。

加圧部材４２００は加圧シリンダー４２１０、加圧ロード４２２０、及び加圧板４２３０を包含できる。加圧シリンダー４２１０は駆動力を発生させる。加圧ロード４２２０は加圧シリンダー４２１０に連結され、加圧シリンダー４２１０から力が伝達されて加圧板４２３０へ伝達することができる。加圧板４２３０は加圧ロード４２２０の一端に形成されてドア４１５０へ圧力を加えられる。

例えば、加圧シリンダー４２１０はハウジング４１００の両側に設置され、加圧ロード４２２０はハウジング４１００を貫通でき、加圧板４２３０はドア４１５０の開口４１１０と対向する面の反対面に接してドア４１５０へハウジング４１００の方向へ力を加えられる。

ここで、ドア４１５０の上部にはハウジング４１００を貫通した加圧ロード４２２０が挿入される溝４１５１が形成され得る。この時、溝４１５１は加圧ロード４２２０は溝４１５１へ挿入され、加圧板４２３０は溝４１５１を通過できない形状に提供される。ドア４１５０が乗降すれば、加圧ロード４２２０が溝４１５１へ挿入される。これによって、ドア４１５０が加圧部材４２００と干渉されなく、開口４１１０を開閉するように移動することができる。加圧ロード４２２０がドア４１５０の溝４１５１へ挿入されれば、加圧板４２３０はドア４１５０のハウジング４１００を対向する面の反対面に位置されることになる。これによって、ドア４１５０がハウジング４１００を密閉した状態で加圧部材４２００がドア４１５０へ圧力を加えられる。

支持部材４３００は基板Ｓを支持する。支持部材４３００は基板Ｓの縁領域を支持することができる。例えば、支持部材４３００にはその内部に基板Ｓと同一又は類似な形状に基板Ｓの面積より小さいホール４３１０が形成されたプレートの形状に提供され得る。又は、支持部材４３００は基板Ｓの縁領域のみを支持するスロットタイプに提供され得る。このような形態の支持部材４３００に安着された基板Ｓはその上面及び下面の大部分の領域が露出される。したがって、第２工程チャンバー４０００で超臨界乾燥工程進行される間に基板Ｓはその全領域が超臨界流体に露出され乾燥され得る。

このような支持部材４３００はハウジング４１００の内部に設置され得る。支持部材４３００はハウジング４１００の下部壁から鉛直上方に延長されてその上端で水平方向に折曲される形態に提供され得る。又は、支持部材４３００はハウジング４１００の両側側壁で突出されるスロット形態に提供され得る。

加熱部材４４００はハウジング４１００の内部を加熱する。加熱部材４４００は第２工程チャンバー４０００の内部へ供給された超臨界流体を臨界温度以上に加熱して超臨界流体の相に維持するか、又は液化された場合に再び超臨界流体になるようにすることができる。加熱部材４４００はハウジング４１００の壁内に埋め込まれて設置され得る。このような加熱部材４４００は例えば、外部から電源を受けて熱を発生させるヒーターとして提供され得る。

供給ポート４５００は第２工程チャンバー４０００へ超臨界流体を供給する。供給ポート４５００は超臨界流体を供給する供給ライン４５５０に連結され得る。この時、供給ポート４５００には供給ライン４５５０から供給される超臨界流体の流量を調節するバルブが設置され得る。

供給ポート４５００は上部供給ポート４５１０及び下部供給ポート４５２０を包含できる。上部供給ポート４５１０はハウジング４１００の上部壁に形成されて支持部材４３００によって支持される基板Ｓの上面に超臨界流体を供給する。下部供給ポート４５２０はハウジング４１００の下部壁に形成されて支持部材４３００によって支持される基板Ｓの下面へ超臨界流体を供給する。ここで、基板Ｓはその上面がパターン面であり、下面が非パターン面になるように支持部材４３００に安着され得る。

供給ポート４５００は基板Ｓの中央領域に超臨界流体を噴射することができる。例えば、上部供給ポート４５１０は支持部材４３００によって支持される基板Ｓの中央から鉛直上方に位置することができる。なお、下部供給ポート４５２０は支持部材４３００によって支持される基板Ｓの中央から鉛直下方に位置することができる。これによって、供給ポート４５００へ噴射される超臨界流体が基板Ｓの中央領域に到達して縁領域に広げながら、基板Ｓの全領域に均一に提供され得る。

また、上部供給ポート４５１０と下部供給ポート４５２０とでは先に下部供給ポート４５２０が超臨界流体を供給し、後に上部供給ポート４５１０が超臨界流体を供給することができる。超臨界乾燥工程は初期に第２工程チャンバー４０００の内部が臨界圧力に未達する状態で進行されるので、第２工程チャンバー４０００の内部へ供給される超臨界流体は液化され得る。したがって、超臨界乾燥工程の初期に上部供給ポート４５１０へ超臨界流体が供給される場合には超臨界流体が液化されて重力によって基板Ｓへ落下して基板Ｓを損傷させ得る。上部供給ポート４５１０は下部供給ポート４５２０を通じて第２工程チャンバー４０００に超臨界流体が供給されて第２工程チャンバー４０００の内部圧力が臨界圧力に到達すれば、超臨界流体の供給を開始することによって供給される超臨界流体が液化されて基板Ｓへ落下することを防止することができる。

排気ポート４６００は第２工程チャンバー４０００から超臨界流体を排気する。排気ポート４６００は超臨界流体を排気する排気ライン４６５０に連結され得る。この時、排気ポート４６００には排気ライン４６５０へ排気する超臨界流体の流量を調節するバルブが設置され得る。排気ライン４６５０を通じて排気される超臨界流体は大気の中へ放出されるか、又は超臨界流体を再生する超臨界流体再生システム（図示せず）へ供給され得る。

排気ポート４６００はハウジング４１００の下部壁に形成され得る。超臨界乾燥工程の後期には第２工程チャンバー４０００から超臨界流体が排気されてその内部圧力が臨界圧力以下に降圧されて超臨界流体が液化され得る。液化された超臨界流体は重力によってハウジング４１００の下部壁に形成された排気ポート４６００を通じて排出され得る。

以下では第２工程チャンバー４０００の他の実施形態に関して説明する。

図１０及び図１１は第２工程チャンバー４０００の他の実施形態の斜視図である。
第２工程チャンバー４０００の他の実施形態はその一実施形態と比較してドア４１５０が駆動される方式に差異があるので、これを中心に説明する。

図１０及び図１１を参照すれば、ハウジング４１００の開口４１１０が形成された面とドア４１５０の開口４１１０を開閉する面とは平面に提供され得る。

ドアリンク４７５０はハウジング４１００とドア４１５０の両側面とに複数に提供され得る。例えば、ドアリンク４７５０はハウジング４１００とドア４１５０の両側面とに各々２つずつ提供され得る。

このようなドアリンク４７５０はドア４１５０がハウジング４１００とドア４１５０の対向する面が互に平行になるように維持しながら、移動するように案内できる。

ドア駆動器４７００は駆動力を発生させるドアシリンダー４７１０と、一端がドア４１５０へ結合され、ドアシリンダー４７１０から駆動力が伝達されてドア４１５０に上下方向の力を加えるドアロード４７２０とを包含できる。

ドア４１５０はドア駆動器４７００によって、上下方向の成分を有する力が加えられ、ドアリンク４７５０によってハウジング４１００の開口４１１０が形成された面に対してドア４１５０の密着される面が平行な姿勢を維持しながら、乗降又は下降して開口４１１０を開閉することができる。

このようなドア４１５０のハウジング４１００を対向する面で中央部分が開口４１１０に密着され、両縁部分にはドアロード４７２０が結合され得る。この時には縁部分より中央部分の厚さが薄く提供され得る。これによって、ドア４１５０が上下方向へ移動する幅が狭くても、効果的に開口４１１０を開閉することができる。ここで、溝４１５１はドア４１５０の下部から中央部まで形成されるか、又は中央部に形成され得る。

上述した第２工程チャンバー４０００は基板処理装置１００に複数に提供され得る。この時、第２工程チャンバー４０００は互に積層されて配置され得る。

図１２は図２の第２工程チャンバー４０００が積層されて配置されることを示した図面である。

図１２を参照すれば、４つの第２工程チャンバー４０００ａ、４０００ｂ、４０００ｃ、４０００ｄが上下方向に積層されて提供される。勿論、積層される第２工程チャンバー４０００の数は必要によって加減され得る。第２工程チャンバー４０００ではドア４１５０が開口４１１０を開放された状態で開口４１１０を通じて基板Ｓがスライディングして側面方向にハウジング４１００の内へ搬入されるので、上下に少ない高さを有するように提供され得る。また、このような構造にしたがって開口４１１０の面積が小さいので、超臨界乾燥工程の中で開口４１１０を密閉するために比較的弱い力が必要とし、ハウジング４１００を密閉するための加圧部材４２００の駆動力が弱くてもよいので、加圧部材４２００の大きさも小さくなり得る。結果的に第２工程チャンバー４０００は既存の超臨界工程を遂行する工程チャンバーに比べて全体的に大きさが小さくて、特に上下方向にその高さが小さく製作できるので、多数の第２工程チャンバー４０００を積層して配置するのが容易である。

以上では本発明による基板処理装置１００が基板Ｓへ超臨界流体を供給して基板を処理することと説明したが、本発明による基板処理装置１００が必ずこのような超臨界工程を遂行することに限定されることではない。したがって、基板処理装置１００の第２工程チャンバー４０００は供給ポート４５００に超臨界流体をの代わりに他の工程流体を供給して基板Ｓを処理することもあり得る。このような場合には、工程流体として超臨界流体の代わりに有機溶剤やその他の多様な成分のガス、プラズマガス、不活性ガス等が使用され得る。

また、基板処理装置１００はその構成要素を制御する制御器をさらに包含できる。例えば、制御器は加熱部材４４００を制御してハウジング４１００の内部温度を調節することができる。他の例としては、制御器はノズル部材２３２０、供給ライン４５５０や排気ライン４６５０に設置されたバルブを制御して薬剤や超臨界流体の流量を調節することができる。その他の例としては、制御器はドア駆動器４７００や加圧部材４２００を制御してハウジング４１００を開放するか、或いは密閉することができる。その他の例としては、制御器は上部供給ポート４１１０と下部供給ポート４１２０との中でいずれか１つが先に超臨界流体の供給を開始した後、第２工程チャンバー４０００の内部圧力が予め設定された圧力に到達すれば、他の１つが超臨界流体の供給を開始するように制御することもあり得る。

このような制御器はハードウェア、ソフトウェア、又はこれらの組合を利用してコンピューター又はこれと類似な装置で具現され得る。

ハードウェア的に制御器はＡＳＩＣｓ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔｓ）、ＤＳＰｓ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）、ＤＳＰＤｓ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ）、ＰＬＤｓ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｄｅｖｉｃｅｓ）、ＦＰＧＡｓ（ｆｉｅｌｄ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙｓ）、プロセッサー（ｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）、マイクロコントローラ（ｍｉｃｒｏ−ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒｓ）、マイクロプロセッサー（ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）やこれらと類似な制御機能を遂行する電気的な装置で具現され得る。

又、ソフトウェア的に制御器は１つ以上のプログラム言語で作成されたソフトウェアコード又はソフトウェアアプリケーションによって具現され得る。ソフトウェアはハードウェア的に具現された制御部によって実行され得る。尚、ソフトウェアはサーバー等の外部機器から上述したハードウェア的な構成に送信されることによって設置され得る。

以下では本発明による基板処理方法に関して上述した基板処理装置１００を利用して説明する。但し、これは説明を容易にするためのことに過ぎないので、基板処理方法は上述した基板処理装置１００以外にもこれと同一又は類似な他の装置を利用して遂行できる。また、本発明による基板処理方法は、これを遂行するコード又はプログラムの形態にコンピューター読出し可能記録媒体に格納され得る。

以下では基板処理方法の一実施形態に関して説明する。基板処理方法の一実施形態は洗浄工程全般に関する。

図１３は基板処理方法の一実施形態の順序図である。

図１３を参照すれば、基板処理方法の一実施形態は第１工程チャンバー３０００へ基板Ｓを搬入する段階（Ｓ１１０）、ケミカル工程を遂行する段階（Ｓ１２０）、リンス工程を遂行する段階（Ｓ１３０）、有機溶剤工程を遂行する段階（Ｓ１４０）、第２工程チャンバー４０００へ基板Ｓを搬入する段階（Ｓ１５０）、超臨界乾燥工程を遂行する段階（Ｓ１６０）、及びロードポート１１００に置かれる容器Ｃに基板Ｓを収納する段階（Ｓ１７０）を含む。一方、上述した段階は必ず説明された順に実行されなければならないことではなく、後に説明された段階が先に説明された段階の前に遂行されることもできる。これは後述する基板処理方法の他の実施形態でも同様である。以下では各段階に関して説明する。

第１工程チャンバー３０００へ基板Ｓを搬入する（Ｓ１１０）。先ずオーバーヘッドトランスファー等の搬送装置等が基板Ｓが収納された容器Ｃをロードポート１１００に置く。容器Ｃが置かれれば、インデックスロボット１２１０が容器Ｃから基板Ｓを引き出してこれをバッファスロットに積載する。バッファスロットに積載された基板Ｓは移送ロボット２２１０によって引き出されて第１工程チャンバー３０００へ搬入され、支持プレート３１１０に安着される。

第１工程チャンバー３０００へ基板Ｓが搬入されれば、ケミカル工程を遂行する（Ｓ１２０）。支持プレート３１１０に基板Ｓが置かれれば、ノズル軸駆動器３２４０によってノズル軸３２３０が移動及び回転してノズル３２１０が基板Ｓの上部に位置される。ノズル３２１０は基板Ｓの上面へ洗浄剤を噴射する。洗浄剤が噴射されれば、基板Ｓから異物質が除去される。この時、回転駆動器３１３０は回転軸３１２０を回転させて基板Ｓを回転させ得る。基板Ｓが回転されれば、洗浄剤が基板Ｓへ均一に供給され、また基板Ｓから飛散される。飛散される洗浄剤は回収筒３３１０へ流入され、回収ライン３３２０を通じて流体再生システム（図示せず）へ送られる。この時、乗降駆動器３３４０は乗降バー３３３０を通じて複数の回収筒３３１０の中でいずれか１つへ飛散される洗浄剤が流入されるように回収筒３３１０を乗降させる。

基板Ｓ上の異物質が十分に除去されれば、リンス工程を遂行する（Ｓ１３０）。ケミカル工程が終了されれば、基板Ｓには異物質が除去され、洗浄剤が残留される。複数のノズル３２１０の中で洗浄剤を噴射したノズル３２１０は基板Ｓの上部から離脱し、他のノズル３２１０が基板Ｓの上部へ移動して基板Ｓの上面へリンス剤を噴射する。基板Ｓへリンス剤が供給されれば、基板Ｓに残留する洗浄剤が洗浄される。リンス工程の中にも基板Ｓの回転と薬剤の回収が行われ得る。乗降駆動器３３４０は洗浄剤を回収した回収筒３３１０と他の回収筒３３１０へリンス剤が流入されるように回収筒３３１０との高さを調節する。

基板Ｓが十分に洗浄されれば、有機溶剤工程を遂行する（Ｓ１４０）。リンス工程が終了されれば、その他のノズル３２１０が基板Ｓの上部へ移動して有機溶剤を噴射する。有機溶剤が供給されれば、基板Ｓ上のリンス剤が有機溶剤で置換される。一方、有機溶剤工程の中にはは基板Ｓを回転させないか、或いは低速に回転させ得る。基板Ｓの上で有機溶剤が直ちに蒸発されれば、有機溶剤の表面張力によって回路パターンに界面張力が作用して回路パターンが崩壊されることがあるためである。

第１工程チャンバー３０００で有機溶剤工程が終了されれば、第２工程チャンバー４０００へ基板Ｓを搬入し（Ｓ１５０）、第２工程チャンバー４０００が超臨界乾燥工程を遂行する（Ｓ１６０）。段階Ｓ１５０と段階Ｓ１６０とに対しては後述する基板処理方法の他の実施形態で詳細に説明する。

超臨界乾燥工程が終了されれば、基板Ｓをロードポート１１００に置かれる容器Ｃに収納する（Ｓ１７０）。第２工程チャンバー４０００が開放されれば、移送ロボット２２１０が基板Ｓを引き出す。基板Ｓはバッファチャンバー２１００へ移動し、インデックスロボット１１１０によってバッファチャンバー２１００から引き出されて容器Ｃに収納され得る。

以下では基板処理方法の他の実施形態に関して説明する。基板処理方法の他の実施形態は第２工程チャンバー４０００が超臨界乾燥工程を遂行する方法に関する。

図１４は基板処理方法の他の実施形態の順序図である。

図１４を参照すれば、基板処理方法の他の実施形態は基板Ｓを搬入する段階（Ｓ２１０）、ハウジング４１００を密閉する段階（Ｓ２２０）、ドア４１５０を加圧する段階（Ｓ２３０）、超臨界流体を供給する段階（Ｓ２４０）、超臨界流体を排気する段階（Ｓ２５０）、ハウジング４１００を開放する段階（Ｓ２６０）、及び基板Ｓを搬出する段階（Ｓ２７０）と、を含む。以下では各段階に関して説明する。

第２工程チャンバー４０００へ基板を搬入する（Ｓ２１０）。ここで、第２工程チャンバー４０００はハウジング４１００とドア４１５０とが互に離隔されてドア４１５０が開放されている状態である。したがって、移送ロボット２２１０は開口４１１０を通じて基板Ｓを側面方向へスライディングさせてハウジング４１００の内部へ搬入することができる。ここで、移送ロボット２２１０は第１工程チャンバー３０００から有機溶剤が残留する状態に基板Ｓを引き出してハウジング４１００内部の支持部材４３００に安着させ得る。

基板Ｓが搬入されれば、ハウジング４１００を密閉する（Ｓ２２０）。ドア駆動器４７００はドア４１５０へ駆動力を伝達し、ドア４１５０はドアリンク４７５０が案内する経路にしたがって移動する。ドア４１５０はドアリンク４７５０のハウジング４１００へ結合された一端を基準に回転するか、又はドアリンク４７５０によってハウジング４１００の開口４１１０が形成された面と平行を維持しながら、乗降して開口４１１０を閉鎖できる。ドア４１５０と開口４１１０とが密着されれば、ハウジング４１００の内部が密閉される。一方、ここで、ドア駆動器４７００がドア４１５０を開口４１１０へ近くに移動させ、加圧部材４２００がドア４１５０へハウジング４１００方向に圧力を加えてドア４１５０をハウジング４１００に密着させることもあり得る。

ドア４１５０がハウジング４１００の開口４１１０が形成された面に密着されるか、又は近くに位置されれば、ドア４１５０を加圧する（Ｓ２３０）。ドア４１５０がドアリンク４７５０によってハウジング４１００の開口４１１０が形成された面に密着されるか、又は近くに位置されれば、ドア４１５０に形成された溝４１５１へ加圧ロード４２２０が挿入され、加圧板４２３０がドア４１５０のハウジング４１００と対向する面の反対面に位置される。加圧シリンダー４２１０は加圧ロード４２２０へドア４１５０からハウジング４１００を向かう方向へ力を加え、これによって加圧ロード４２２０の端部に結合され、ドア４１５０の反対面に密着された加圧板４２３０がドア４１５０へドア４１５０からハウジング４１００方向へ力を加える。加圧板４２３０から受ける圧力によってドア４１５０はハウジング４１００を堅固に密閉することができる。

ハウジング４１００が密閉されれば、超臨界流体を供給する（Ｓ２４０）。供給ポート４５００は超臨界流体をハウジング４１００内部へ噴射することができる。このような過程でハウジング４１００内部を超臨界雰囲気に維持するために加熱部材４３００がハウジング４１００の内部を加熱できる。噴射される超臨界流体は基板Ｓへ提供されて基板Ｓに残留する有機溶剤を溶解させて基板Ｓを乾燥させ得る。

超臨界流体は上部供給ポート４５１０と下部供給ポート４５２０とを通じて供給され得る。この時、支持部材４１００はハウジング４１００の下部壁より上部壁に近いように設置され得る。基板Ｓは上面がパターン面であり、下面が非パターン面である場合、支持部材４１００が上部壁により近くに提供されれば、上部供給ポート４５１０から噴射される超臨界流体が基板Ｓにより良く伝達され得る。これによって、基板Ｓのパターン面の乾燥、即ち回路パターンの間に残留する有機溶剤の乾燥が効果的に遂行できる。

ここで、先に下部供給ポート４５２０へ超臨界流体を供給した（Ｓ２４１）後に上部供給ポート４５１０へ超臨界流体の供給を開始する（Ｓ２４２）。超臨界流体が初めに流入される時にはハウジング４１００内部の圧力が未だ臨界圧力以下である状態であるので、超臨界流体が液化され得る。基板Ｓの上部へ超臨界流体が供給される場合には超臨界流体が液化されて重力によって基板Ｓの上部に落下でき、これによって、基板Ｓに損傷が発生し得る。したがって、先に下部供給ポート４５２０を通じて超臨界流体を供給し、後に上部供給ポート４５１０を通じて超臨界流体を供給することができる。

下部供給ポート４５１０を通じて超臨界流体が持続的に流入されれば、ハウジング４１００内部圧力が臨界圧力以上に上昇し、加熱部材４２００によってハウジング４１００内部が加熱されれば、ハウジング４１００の内部温度が臨界温度以上に上昇してハウジング４１００の内部に超臨界雰囲気が形成され得る。上部供給ポート４５１０はハウジング４１００内部が超臨界状態になった時に超臨界流体の供給を開始できる。即ち、制御器はハウジング４１００の内部圧力が臨界圧力以上になった時に上部供給ポート４５１０を通じて超臨界流体を供給することができる。

一方、このように超臨界流体を供給して超臨界乾燥工程が遂行される間に、ハウジング４１００の内部は超臨界状態に維持され、超臨界状態ではハウジング４１００の内部圧力が臨界圧力を超過した高圧状態になる。したがって、ハウジング４１００の外部と内部との圧力の差異によってドア４１５０の開口４１１０と密着された面にドア４１５０をハウジング４１００から離隔させる方向へ力が作用される。段階Ｓ２３０にしたがって加圧部材４２００はこのようにドア４１５０の開口４１１０と対向する反対面に圧力差によって発生された力より大きい力を加えて工程の間にハウジング４１００を密閉することができる。

超臨界流体によって、基板Ｓに残留する有機溶剤が溶解されて基板Ｓが十分に乾燥されれば、超臨界流体を排気する（Ｓ２５０）。排気ポート４６００が超臨界流体を第２工程チャンバー４０００から排気する。一方、上述した超臨界流体の供給及び排気は制御器が各供給ライン４５５０及び排気ライン４６５０に設置されたバルブを制御してその流量を調節することによって遂行できる。排気される超臨界流体は排気ライン４６５０を通じて大気の中へ放出されるか、或いは超臨界流体再生システム（図示せず）へ提供され得る。

排気を通じて第２工程チャンバー４０００の内部圧力が十分に低くなれば、例えば常圧になれば、ハウジング４１００を開放する（Ｓ２６０）。加圧部材４２００はドア４１５０へ加えた圧力を解除し、ドア駆動器４７００はドア１５０を開口４１１０で離隔されるように移動させる。

ドア４１５０が開口４１１０から離隔されてハウジング４１００が開放されれば、基板Ｓを搬出する（Ｓ２７０）。移送ロボット２２１０はハウジング４１００内の支持部材４３００に安着された基板Ｓを保持して第２工程チャンバー４０００から基板Ｓを搬出することができる。

以上で言及された本発明の実施形態は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に本発明に対する理解を助けるために記載されたことであるので、本発明が上述した実施形態によって限定されることではない。

したがって、本発明は上述した実施形態及びその構成要素を選択的に組合するか、公知の技術を加えて具現でき、さらに本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で修正、置換及び変更が加えて修正形態、変形形態を全て含む。

また、本発明の保護範囲は下の特許請求の範囲によって解釈されなければならないし、それと均等な範囲内にある発明は全て権利範囲に含まれることとして解釈されなければならない。

１００・・・基板処理装置
１０００・・・インデックスモジュール
１１００・・・ロードポート
１２００・・・移送フレーム
１２１０・・・インデックスロボット
１２２０・・・インデックスレール
２０００・・・工程モジュール
２１００・・・バッファチャンバー
２２００・・・移送チャンバー
２２１０・・・移送ロボット
２２２０・・・移送レール
３０００・・・第１工程チャンバー
３１００・・・支持部材
３１１０・・・支持プレート
３１１１・・・支持ピン
３１１２・・・チャッキングピン
３１２０・・・回転軸
３１３０・・・回転駆動器
３２００・・・ノズル部材
３２１０・・・ノズル
３２２０・・・ノズルバー
３２３０・・・ノズル軸
３２４０・・・ノズル軸駆動器
３３００・・・回収部材
３３１０・・・回収筒
３３１１・・・回収口
３３２０・・・回収ライン
３３３０・・・乗降バー
３３４０・・・乗降駆動器
４０００・・・第２工程チャンバー
４１００・・・ハウジング
４１１０・・・開口
４１５０・・・ドア
４１５１・・・溝
４２００・・・加圧部材
４２１０・・・加圧シリンダー
４２２０・・・加圧ロード
４２３０・・・加圧板
４３００・・・支持部材
４４００・・・加熱部材
４５００・・・供給ポート
４５５０・・・供給ライン
４５１０・・・上部供給ポート
４５２０・・・下部供給ポート
４６００・・・排気ポート
４６５０・・・排気ライン
４７００・・・ドア駆動器
４７１０・・・ドアシリンダー
４７２０・・・ドアロード
４７５０・・・ドアリンク
Ｃ・・・容器
Ｓ・・・基板

Claims (23)

1. 一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、
   前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、
   前記開口を開閉するドアと、
   前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む基板処理装置。
2. 前記ドアを移動させるドア駆動器と、
   一端が前記ハウジングに結合され、他端が前記ドアに結合され、前記ドアの移動を案内するリンクと、をさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合される請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記リンクは、前記ドアが前記一端を中心に回転するように案内する請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記リンクは、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々１つずつ結合される請求項４に記載の基板処理装置。
6. 前記ハウジングで前記一面と前記ドアで前記開口を開閉する面とは、互に対応される曲面である請求項４に記載の基板処理装置。
7. 前記リンクは、前記ハウジングの一面と前記ドアの密着される面とが平行な状態を維持しながら、前記ドアが乗降するように案内する請求項３に記載の基板処理装置。
8. 前記リンクは、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々複数個結合される請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記加圧部材は、前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する加圧板、駆動力を発生するシリンダー、及び前記シリンダーへの駆動力をその端部に結合された前記加圧板へ伝達するロードを含む請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の基板処理装置。
10. 前記ドアの上面又は下面には、溝が形成され、
    前記ドアが乗降すれば、前記ロードが前記溝に挿入され、前記加圧板が前記ドアの前記反対面に位置される請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記ハウジング内部を加熱する加熱部材と、
    前記ハウジングへ超臨界流体を供給する供給ポートと、
    前記ハウジングから前記超臨界流体を排気する排気ポートと、をさらに包含して超臨界工程を遂行する請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の基板処理装置。
12. 前記供給ポートは、前記ハウジングの上面に形成される上部供給ポート及び前記ハウジングの下面に形成される下部供給ポートを含む請求項１１に記載の基板処理装置。
13. 基板を移送する移送チャンバーと、
    一面に前記基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材、前記開口を開閉するドア、及び前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材を含み、工程チャンバーと、を含み、
    前記移送チャンバーの一側面と前記ハウジングの一面とが互に対向する基板処理装置。
14. 前記工程チャンバーは、前記ドアを移動させるドア駆動器、及び一端が前記ハウジングに結合され、他端が前記ドアに結合され、前記ドアの移動を案内するリンクをさらに含む請求項１３に記載の基板処理装置。
15. 前記リンクは、前記ドアが前記一端を中心に回転するように案内する請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合され、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々１つずつ提供され、
    前記ハウジングで前記一面と前記ドアで前記開口を開閉する面とは互に対応される曲面である請求項１５に記載の基板処理装置。
17. 前記リンクは、前記ハウジングの一面と前記ドアの密着される面とが平行な状態を維持しながら、前記ドアが乗降するように案内する請求項１４に記載の基板処理装置。
18. 前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合され、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々複数個提供される請求項１７に記載の基板処理装置。
19. 前記加圧部材は、前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する加圧板、駆動力を発生するシリンダー、及び前記シリンダーへの駆動力をその端部に結合された前記加圧板へ伝達するロードを含む請求項１３乃至請求項１８のいずれかに記載の基板処理装置。
20. 前記ドアの上面又は下面には、溝が形成され、
    前記ドアが乗降すれば、前記ロードが前記溝に挿入され、前記加圧板が前記ドアの前記反対面に位置される請求項１９に記載の基板処理装置。
21. 前記工程チャンバーは、複数であり、
    前記複数の工程チャンバーは、鉛直方向に積層されて配置される請求項１３乃至請求項１８のいずれかに記載の基板処理装置。
22. 開口を通じてハウジングの内部へ基板が搬入される段階と、
    ドアが前記開口を閉鎖する段階と、
    前記ハウジングが密閉されるように前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する段階と、
    前記密閉されたハウジング内で前記基板に対して工程を遂行する段階と、を含む基板処理方法。
23. 前記ドアを閉鎖する段階は、前記ドアが前記開口に対して乗降して遂行される請求項２２に記載の基板処理方法。

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