JP2009038894A - 電源制御回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電源制御回路22に電源+Bが投入された直後において、出力電圧Voutが低く、PWM信号出力回路25がデューティ100%未満のPWM信号を出力しない期間は、過電流検出回路23並びにANDゲート15の作用によりFET1を断続的に通電してスロースタート制御を行い、出力電圧Voutの上昇に伴いPWM制御指令が上昇すると、PWM信号出力回路24がデューティ100%未満のPWM信号を出力するようになると定常的な動作状態に移行する。
【選択図】図1
Description
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、より簡単な構成でソフトスタート制御を行うことができる電源制御回路を提供することにある。
上記の状態が継続するとインダクタの通電電流が増大し、過電流検出回路により過電流検出信号が出力されるので、遅延回路により付与される遅延時間の経過後にスイッチング素子が遮断されてインダクタへの通電は停止し、過電流検出回路の検出電流はゼロになる。すると、遅延時間の経過後にスイッチング素子は再び導通し、インダクタへの通電が再開されて過電流検出回路の検出電流は上昇に転ずる。
その時点で、過電流検出回路は過電流を検出しなくなるので、論理回路はPWM信号をそのままスイッチング素子に通電信号として出力する。即ち、遅延回路と論理回路との作用により、従来よりも簡単な構成で電源投入時のスロースタート制御を実現することができる。
以下、本発明の第1実施例について図1乃至図5を参照して説明する。図1は、降圧型のDC/DCコンバータである電源制御回路の全体構成を示すものである。電源+Bとグランドとの間には、PチャネルMOSFET(半導体スイッチング素子)1,コイル(インダクタ)2,コンデンサ3の直列回路が接続されており、FET1のドレインとグランドとの間には、フリーホイールダイオード4が接続されている。
FET1のソース側には、電流検出部として抵抗素子10が配置されている。また、電流検出部は、図2に示すように、FET1に対して電流検出用のFET11を並列に接続し、そのFET11のソースに抵抗素子10を挿入して構成しても良い。
充電用電流源18が流す定電流Icと、放電用電流源21が流す定電流Idとの関係は、Ic<Idとなるように設定されており、スイッチ回路20がOFFの場合、コンデンサ19は電流源18により充電され、スイッチ回路20がONの場合、コンデンサ19は電流源21により放電されるようになっている。
すると、アナログフィルタ14は、スイッチ回路20がOFFとなり、コンデンサ19は充電されているので出力信号Vfiltはハイレベルとなる。その結果、FET1のゲートにはロウレベルの駆動信号が出力され続けてFET1はONされるため、電源制御回路22の出力電圧Voutはコイル2及びコンデンサ3のLC時定数により上昇する。
図6及び図7は本発明の第2実施例を示すものであり、第1実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第2実施例の電源制御回路31は、第1実施例の電源制御回路22に対してカウンタ(PWM信号監視手段)32,可変基準電圧回路(基準電圧出力回路)33を加えたもので構成される。
例えば、カウンタ32は、リセット状態から搬送波の出力数を10カウントすると、出力信号Qをハイレベルに変化させるようになっており、可変基準電圧回路33は、出力信号Qがハイレベルの場合は基準電圧VLIMを低いレベルに設定し、出力信号Qがロウレベルの場合は基準電圧VLIMを高いレベルに設定する。
図8は本発明の第3実施例を示すものである。第3実施例は、遅延回路としてのアナログフィルタの別の構成例を示す。図8(a)に示すアナログフィルタ34は、抵抗素子35,コンデンサ19及びバッファ17による極めて一般的なCRフィルタであり、図8(b)に示すアナログフィルタ36は、図8(a)の抵抗素子35に対して並列に、ダイオード37及び抵抗素子38の直列回路を接続したものである。すなわち、アナログフィルタ36では、充電時は抵抗素子35に対して抵抗素子38が並列となるため時定数が小さく、放電時は抵抗素子35のみが寄与するので時定数が大きくなる。したがって、第1実施例等と同様に、遅延時間tdon,tdoffに時間差を設けることができる。
遅延回路は、その他、論理ゲート(正転,反転バッファ)を複数(反転の場合は偶数)段直列に接続して構成しても良い。
電流検出部は、例えば電流トランスを使用して、その検出出力をコンパレータ13の反転入力端子に与え、比較用の基準電圧を非反転入力端子に与えるようにしても良い。
アナログフィルタを構成するシュミットトリガバッファ17を、ヒステリシス特性を有しないバッファに置き換えても良い。
Claims (2)
- スイッチング素子をPWM制御してインダクタへの通電時間を変化させることで、出力される電源の電圧を制御する電源制御回路において、
前記電源電圧と基準電圧との電位差に応じてPWM制御指令を生成するPWM指令生成回路と、
前記PWM制御指令と、搬送波の振幅レベルとを比較してPWM信号を出力するPWM信号出力回路と、
前記スイッチング素子を介して流れる電流を検出し、基準値と比較して過電流を検出すると過電流検出信号を出力する過電流検出回路と、
前記過電流検出信号に所定の遅延時間を付与する遅延回路と、
前記PWM信号と前記遅延回路より出力される信号とを論理合成することで、前記過電流検出信号が出力されていない場合に、前記PWM信号を前記スイッチング素子に対する導通制御信号として出力する論理回路とで構成されることを特徴とする電源制御回路。 - 前記過電流検出回路に対し、前記基準値となる電圧信号を出力する基準電圧出力回路と、
前記PWM信号が通常の状態で出力されているか否かを監視するPWM信号監視手段とを備え、
前記基準電圧出力回路は、前記PWM信号監視手段によって前記PWM信号が通常状態で出力されていないと判断されると、前記電圧信号のレベルを低く設定し、前記PWM信号が通常状態で出力されていると判断されると、前記電圧信号のレベルを高く設定するように構成されていることを特徴とする請求項1記載の電源制御回路。
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