JP2008140991A - Information processing apparatus and exposure apparatus - Google Patents
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Abstract
【課題】計測精度と計測時間とが設定された要求を満たすサンプルショットセットを決定する。
【解決手段】本発明は、基板に形成された複数のショットのそれぞれを露光する装置において計測の対象となるサンプルショットセットを決定する情報処理装置であって、入出力部と処理部とを備える。処理部は、入出力部から入力された複数のショットの配列に関する情報に基づき、複数のショットから複数のサンプルショットセットを生成する。処理部は、また、複数のサンプルショットセットの中から計測精度と計測時間とが設定された要求を満たすサンプルショットセットを決定する。
【選択図】図3A sample shot set that satisfies requirements for which measurement accuracy and measurement time are set is determined.
An information processing apparatus for determining a sample shot set to be measured in an apparatus that exposes each of a plurality of shots formed on a substrate, and includes an input / output unit and a processing unit. . The processing unit generates a plurality of sample shot sets from the plurality of shots based on the information regarding the arrangement of the plurality of shots input from the input / output unit. The processing unit also determines a sample shot set that satisfies a requirement in which measurement accuracy and measurement time are set from a plurality of sample shot sets.
[Selection] Figure 3
Description
本発明は、例えば、露光装置において計測の対象となるサンプルショットセットを決定する情報処理装置に関する。 The present invention relates to an information processing apparatus that determines a sample shot set to be measured in an exposure apparatus, for example.
従来、半導体露光装置で露光される基板上で位置決めされる各ショットのレイアウトは、基板の大きさ、レチクルパターン領域、ショットサイズ、チップサイズ等のプロセス条件を考慮して作成されうる。そしてアライメント、フォーカスレベリング合わせ、露光等、露光装置におけるすべての動作は、このレイアウトに基づいて行われている。 Conventionally, the layout of each shot positioned on a substrate exposed by a semiconductor exposure apparatus can be created in consideration of process conditions such as the size of the substrate, the reticle pattern region, the shot size, and the chip size. All operations in the exposure apparatus such as alignment, focus leveling, and exposure are performed based on this layout.
例えば、基板の各ショット領域上に重ね合せ露光を行う場合、レチクルのパターンと、各ショット領域内のチップパターンとのアライメントを行う。アライメントの方法としては、従来、生産性と計測精度との兼ねあいから、グローバルアライメントが用いられてきた。グローバルアライメントは、基板内の数個のショット(サンプルショット)の計測値から基板内のショットの配列位置を求め、これに基づいて基板内全ショットのアライメントを行う方法である。ここでは、アライメントに使用する複数のサンプルショットセットを以下「サンプルショットセット」と呼ぶこととする。露光装置は、アライメント用やフォーカスレベリング合わせ用に最適と推奨するサンプルショットセットを選定する、専用の1つのサンプルショットセット自動選定手段を有する。 For example, when overlay exposure is performed on each shot area of the substrate, alignment between the reticle pattern and the chip pattern in each shot area is performed. Conventionally, global alignment has been used as an alignment method because of the balance between productivity and measurement accuracy. The global alignment is a method for obtaining an arrangement position of shots in the substrate from the measurement values of several shots (sample shots) in the substrate, and performing alignment of all shots in the substrate based on this. Here, a plurality of sample shot sets used for alignment are hereinafter referred to as “sample shot sets”. The exposure apparatus has one dedicated sample shot set automatic selection means for selecting a sample shot set that is recommended and optimal for alignment and focus leveling.
従来最適とされたサンプルショットセットの選定アルゴリズムの一例は、サンプルショットが、基板中心からほぼ対称に円周をほぼ均等に分布するように、かつ基板外周辺を除きなるべく外側に配置されるように選定するものである。この選定アルゴリズムに従い、従来使用されているサンプルショットセット自動選定手段を用いてアライメントを行うとする。図1aに示すように、φ8インチ(200mm)の基板W1について、26×33mmの露光サイズのレイアウトを考える。基板外周辺のショットをサンプルショットとすると、基板W1上の感光材(レジスト)の膜厚ばらつきや基板W1の歪み等の影響により、アライメントに用いる計測値に誤差を生じやすい。そのため、上述したように、サンプルショットセットの選定には「基板外周辺を除き」という条件が加えられ、サンプルショットS1〜S4は基板W1の中心付近に寄って配列されることになる。このように配置したサンプルショットセットを用いてグローバルアライメントを行うと、基板W1の中心近傍で測定する各サンプルショット間のスパンが短い。そのため、基板W1内のショット配列の倍率や回転といった計測値の精度劣化が生じる。 An example of a conventional algorithm for selecting a sample shot set that has been optimized is that the sample shots are arranged so as to be distributed as far as possible except for the outer periphery of the substrate so that the circumference of the sample shots is substantially symmetrically distributed from the center of the substrate. It is to be selected. According to this selection algorithm, it is assumed that alignment is performed using a sample shot set automatic selection unit that has been conventionally used. As shown in FIG. 1a, consider a 26 × 33 mm exposure size layout for a substrate W1 of φ8 inches (200 mm). If a shot around the periphery of the substrate is a sample shot, an error is likely to occur in the measurement value used for alignment due to the influence of film thickness variation of the photosensitive material (resist) on the substrate W1, distortion of the substrate W1, and the like. Therefore, as described above, the condition of “excluding the periphery outside the substrate” is added to the selection of the sample shot set, and the sample shots S1 to S4 are arranged near the center of the substrate W1. When global alignment is performed using the sample shot set arranged in this way, the span between sample shots measured in the vicinity of the center of the substrate W1 is short. For this reason, the accuracy of measurement values such as the magnification and rotation of the shot arrangement in the substrate W1 is degraded.
ところが近年においては、φ8インチの基板の場合、基板上のレジストの膜厚ばらつきや基板の歪み等が少なく、基板外周辺のショットをサンプルショットに用いることが可能な状況も少なくない。そのような状況の場合、図1b、cに示すように、オペレータが手動で基板外周辺のショットをサンプルショットに選定してサンプルショットのスパンを大きくし、計測値の誤差を小さくすることができる。 However, in recent years, in the case of a φ8-inch substrate, there are few variations in resist film thickness on the substrate, distortion of the substrate, and the like, and there are not many situations in which shots around the substrate can be used as sample shots. In such a situation, as shown in FIGS. 1b and 1c, the operator can manually select shots around the substrate as sample shots to increase the sample shot span and reduce the measurement error. .
φ12インチ(300mm)の基板による半導体製造も近年増加の傾向を示している。φ12インチ(300mm)の基板に対して26×33mmの露光サイズのレイアウトを考えると、図1dに示すように、基板W2上ではサンプルショットのスパンは大きくなる。しかし、φ12インチ(300mm)の基板W2は大きいため、基板W2上の感光材の膜厚ばらつきや基板W2の歪み等の影響を無視しえない状況が少なくない。このため、基板W2外周辺のショットをアライメントやフォーカスレベリングのためのサンプルショットに用いると、計測値に誤差が生じやすい。φ12インチ(300mm)の基板W2に対して基板外周辺のショットをアライメント用のサンプルショットとする自動選定手段を用いると、従来通り、基板W2内のショット配列の倍率や回転等計測値の精度劣化が生じる。したがって、φ12インチ(300mm)の基板W2に対して、従来通り、基板外周辺のショットをアライメントやフォーカスレベリング用のサンプルショットとして選定しないことが望ましい。
従来技術では、サンプルショットセットの選定アルゴリズムは、基本的には、計測精度のよさに重点が置かれていたため、なるべく基板外周のサンプルショットを選定していた。しかし、基板外周のサンプルショットを選定するとアライメント計測時の移動距離が増大する。そのため、プロセスが必要とする以上の精度を与えるサンプルショットが選ばれ、その分だけスループットが低下するといった課題があった。 In the prior art, the sample shot set selection algorithm basically focused on good measurement accuracy, and therefore, sample shots on the outer periphery of the substrate were selected as much as possible. However, if a sample shot on the outer periphery of the substrate is selected, the moving distance during alignment measurement increases. Therefore, there is a problem that a sample shot that gives an accuracy higher than that required by the process is selected, and the throughput decreases accordingly.
本発明の例示的目的は、上述のような課題に鑑み、計測精度と計測時間とが設定された要求を満たすサンプルショットセットを決定することにある。 An exemplary object of the present invention is to determine a sample shot set that satisfies requirements for which measurement accuracy and measurement time are set in view of the above-described problems.
本発明は、基板に形成された複数のショットのそれぞれを露光する装置において計測の対象となるサンプルショットセットを決定する情報処理装置であって、入出力部と、入出力部から入力された複数のショットの配列に関する情報に基づき、複数のショットから複数のサンプルショットセットを生成し、かつ複数のサンプルショットセットの中から計測精度と計測時間とが設定された要求を満たすサンプルショットセットを決定する処理部とを備えることを特徴とする。 The present invention is an information processing apparatus that determines a sample shot set to be measured in an apparatus that exposes each of a plurality of shots formed on a substrate, and includes an input / output unit and a plurality of input from the input / output unit Based on information on the arrangement of shots, a plurality of sample shot sets are generated from a plurality of shots, and a sample shot set satisfying a requirement in which measurement accuracy and measurement time are set is determined from the plurality of sample shot sets. And a processing unit.
本発明の実施形態によれば、処理部は、計測時間として、サンプルショットセットに関して計測を行うために基板を移動させる時間を用いることが好ましい。 According to the embodiment of the present invention, it is preferable that the processing unit uses a time for moving the substrate to perform measurement on the sample shot set as the measurement time.
本発明の実施形態によれば、処理部は、最適化手法を用いて、生成された複数のサンプルショットセットを変更することが好ましい。最適化手法は遺伝的アルゴリズムを含むものが好ましい。 According to the embodiment of the present invention, it is preferable that the processing unit changes the plurality of generated sample shot sets using an optimization method. The optimization method preferably includes a genetic algorithm.
本発明の実施形態によれば、処理部は、サンプルショットセットの生成とサンプルショットセットの変更との少なくとも一方において、各サンプルショットセットについて、基板の移動時間が最小となる移動順序を選定し、かつ移動順序に基づいて算出された基板の移動時間を計測時間として用いることが好ましい。 According to the embodiment of the present invention, the processing unit selects a moving order that minimizes the moving time of the substrate for each sample shot set in at least one of generating the sample shot set and changing the sample shot set, In addition, it is preferable to use the movement time of the substrate calculated based on the movement order as the measurement time.
本発明によれば、例えば、計測精度と計測時間とが設定された要求を満たすサンプルショットセットを決定することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to determine a sample shot set that satisfies a requirement in which measurement accuracy and measurement time are set.
本発明では、サンプルショットセットに対して数式(1)に示す評価値Sを定義する。S=(ka・Sa)+(kt・St) ・・・・・・・・・・・・(1)
ここでSaは計測精度を示す評価値であり、Stは計測時間を示す評価値である。Stはスループットを示す評価値であるということもできる。ka、ktは、それぞれSa、Stへの重み係数である。
In the present invention, an evaluation value S shown in Equation (1) is defined for a sample shot set. S = (k a · S a ) + (k t · S t ) (1)
Where S a is an evaluation value indicating the measurement accuracy, the S t is an evaluation value indicating a measurement time. S t can be said that an evaluation value indicating a throughput. k a, k t is the weighting factor for S a, S t respectively.
評価値Sが大きくなればなるほど精度及び計測時間が最適化されたサンプルショットセットとなる。 The larger the evaluation value S is, the more the sample shot set is optimized in accuracy and measurement time.
Saは数式(2)のように表される。
Sa=E (0≦E≦Elimit)
Sa=-E+kE・Elimit (E>Elimit) ・・・・・・・・(2)
ここでEはサンプルショットの広がりを数式化したものであり、kEはElimitへの重み定数である。
Sa is expressed as Equation (2).
S a = E (0 ≦ E ≦ E limit )
S a = −E + k E · E limit (E> E limit ) (2)
Here, E is a mathematical expression of the spread of the sample shot, and k E is a weight constant for E limit .
Eは数式(3)のように表される。 E is expressed as Equation (3).
・・・・・・・・・・・・・・・(3)
x,y,X,Y,Zは、i番目のサンプルショットの位置座標を(sxi,syi)、サンプルショットの数をn、基板半径をwとすると数式(4)のように表される。
(3)
x, y, X, Y, and Z are expressed as Equation (4) where the position coordinate of the i-th sample shot is (sx i , sy i ), the number of sample shots is n, and the substrate radius is w. The
・・・・・・・・・・・・・・・(4)
Elimitは、プロセスが要求する必要精度Dを用いて数式(5)のように表される。
Elimit=kD・D+CD ・・・・・・・・・・・(5)
ここでkD,CDは定数である。
(4)
E limit is expressed as Equation (5) using the required accuracy D required by the process.
E limit = k D・ D + C D・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ (5)
Here, k D and CD are constants.
計測時間を示す評価値Stは、計測開始地点から各サンプルショットを計測し、計測終了地点まで到達した時の移動時間であり、数式(6)のように表される。 Evaluation value S t indicating the measured time, each sample shot measured from the measurement start point, a movement time when reaching to the measurement end point is represented by the equation (6).
・・・・・・・・・・・・・・・・・・(6)
ここでVmaxは装置ステージの最高速度、Aは装置ステージの加速度である。strokeSは計測開始位置から第一計測サンプルショットまでの距離である。strokeiは第(i-1)番目のサンプルショット第(i)番目のサンプルショットまでの距離である。strokeEは計測終了位置から最終計測サンプルショットまでの距離である。
(6)
Here, V max is the maximum speed of the device stage, and A is the acceleration of the device stage. stroke S is the distance from the measurement start position to the first measurement sample shot. stroke i is the distance to the (i-1) th sample shot and the (i) th sample shot. stroke E is the distance from the measurement end position to the final measurement sample shot.
次に、サンプルショットセットの評価値Sを用いて、Sが最大であるサンプルショットセットを探索する。しかし、サンプルショットセットは、サンプルショット数を考えると非常に多い。そこで、一般的に最適化手法と呼ばれるアルゴリズム(線形計画法、動的計画法、遺伝的アルゴリズム、焼きなまし法)を使用し、最適なサンプルショットセットを探索する。探索して得られた最適なサンプルショットセットを計測におけるサンプルショットセットとして決定する。最適なサンプルショットセットを探索する過程で、計測時間が最小となる移動順序すなわち最適な移動シーケンスを決定する。 Next, the sample shot set having the maximum S is searched using the evaluation value S of the sample shot set. However, the number of sample shot sets is very large considering the number of sample shots. Therefore, an optimal sample shot set is searched by using an algorithm generally called an optimization method (linear programming, dynamic programming, genetic algorithm, annealing method). The optimum sample shot set obtained by searching is determined as a sample shot set in measurement. In the process of searching for an optimal sample shot set, a movement order that minimizes the measurement time, that is, an optimal movement sequence is determined.
本発明では、サンプルショットセットの評価値として、計測計測精度を考慮した評価値と計測時間を考慮した評価値とを使用する。それにより、要求精度を満たし、かつ計測時間が最小すなわちスループットが最大のサンプルショットセットを選定することができる。 In the present invention, an evaluation value in consideration of measurement measurement accuracy and an evaluation value in consideration of measurement time are used as the evaluation values of the sample shot set. Thereby, a sample shot set that satisfies the required accuracy and has the minimum measurement time, that is, the maximum throughput can be selected.
以下、本発明を実施形態によって説明する。
[サンプルショットセットの決定についての実施形態]
図1a〜dは、走査型半導体露光装置において露光されるショットのレイアウトを示す平面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
[Embodiment for determining sample shot set]
1a to 1d are plan views showing layouts of shots exposed in a scanning semiconductor exposure apparatus.
図1cはφ8インチの基板を露光するときのショットのレイアウトを示す。1回の露光の画面サイズは、静止露光を行う半導体露光装置(ステッパ)では22×22mmであるのに対して、走査型半導体露光装置では26×33mmと大きい。図1c中、S1〜S4(4個のショット)のそれぞれは走査型半導体露光装置の露光画面サイズのレイアウトにおけるアライメント又はグローバルレベリングのためのサンプルショットである。サンプルショットS1〜S4のセットは1つのサンプルショットセットを構成する。 FIG. 1c shows a shot layout when a φ8 inch substrate is exposed. The screen size of one exposure is 22 × 22 mm in a semiconductor exposure apparatus (stepper) for performing static exposure, whereas it is as large as 26 × 33 mm in a scanning semiconductor exposure apparatus. In FIG. 1c, each of S1 to S4 (four shots) is a sample shot for alignment or global leveling in the exposure screen size layout of the scanning semiconductor exposure apparatus. The set of sample shots S1 to S4 constitutes one sample shot set.
このレイアウトにおいてサンプルショットセットを選定する場合、従来は、計測精度を重視して、図1bに示すように、ショット間のスパンが大きくなる最外周のショットをサンプルショットとして選定した。しかし、本発明では、要求される計測精度に応じ、計測時間が最適化されたサンプルショットセットを選定する。 When selecting a sample shot set in this layout, conventionally, with the emphasis on measurement accuracy, as shown in FIG. 1b, the outermost shot in which the span between shots is large is selected as the sample shot. However, in the present invention, a sample shot set in which the measurement time is optimized is selected according to the required measurement accuracy.
図3は本実施形態におけるサンプルショットセット選定動作の一例を示すフローチャートである。図2はこの選定動作を行うためのシステムの機能的な構成を示すブロック図である。本実施形態では、図1cに示すような基板W1上のサンプルショットセットを選定するとする。また、サンプルショットセット評価値として数式(1)を用い、サンプルショットセットの少なくとも一部を変更する際に使用する最適化手法として遺伝的アルゴリズムを用いるものを使用する。 FIG. 3 is a flowchart showing an example of the sample shot set selection operation in the present embodiment. FIG. 2 is a block diagram showing a functional configuration of a system for performing this selection operation. In this embodiment, it is assumed that a sample shot set on the substrate W1 as shown in FIG. 1c is selected. In addition, Formula (1) is used as the sample shot set evaluation value, and a genetic algorithm is used as an optimization method used when changing at least a part of the sample shot set.
サンプルショットセット選定動作を開始すると、まず、ステップ301において、処理装置(処理部)2は、オペレータが入出力装置(入出力部)1を操作して入力した半導体プロセス情報31を記憶部3に記憶する。処理装置2と入出力装置1とで、露光装置において計測の対象となるサンプルショットを決定する情報処理装置が構成される。半導体プロセス情報31は、複数のショットの配列に関する情報を含んでいる。半導体プロセス情報31は、図4で示されるような、基板W1直径dW、無効露光領域iW、X方向ステップサイズXS、Y方向ステップサイズYS、要求計測精度D等に関する情報で構成される。
When the sample shot set selection operation is started, first, in
ステップ301において半導体プロセス情報31が入力されると、処理装置2はステップ302から最適のサンプルショットセットを自動的に選定する動作を開始する。複数のショットのうち少なくとも2つのショットで構成されるサンプルショットセットを自動的に生成する動作は処理装置2の生成部4によって実行される。生成部4は、半導体プロセス情報31及び露光装置情報32から数式(1)及び最適化手法として使用する遺伝的アルゴリズムによって最適なサンプルショットセットを生成する。露光装置情報32は、予め不図示の露光装置情報入力部より処理装置2に対して入力され、記憶部3に記憶されている。露光装置情報32は、図7に示されるような、ステージ最高速度Vmax,ステージ加速度A,ka,kt,ke,kd,Cd等の定数に関する情報で構成される。
When the
ステップ302において、処理装置2の生成部4が遺伝的アルゴリズムにおける初期個体であるサンプルショットセットを複数生成する。生成部4は、生成個体がさまざまなものに分布するように生成個体を生成させる。ステップ303において、生成部4は生成された初期個体の改善を行う。初期個体の改善は、図5に示すサンプルショットセットの個体表現のうち、移動シーケンス情報部分を最適化する、すなわち、計測時間が最小となる移動順序を求めることである。初期個体の改善は、探索時の解の収束速度を高める。
In
ステップ304において、生成部4は改善された初期固体のそれぞれの評価値Sを算出する。ステップ302〜304は一般的な遺伝的アルゴリズムにおける初期個体生成部分にあたる。ステップ305から、制御装置の変更部5は一般的な遺伝的アルゴリズムにおける世代交代を繰り返し、生成部4で生成された複数のサンプルショットセットの少なくとも一部を変更する。
In
ステップ305において、変更部5は、個体の淘汰を行い、個体の評価値Sがある一定の値に満たない個体(サンプルショットセット)を淘汰し削除する。
In
ステップ306以降で、変更部5は、淘汰により削除された個体を補充するために、生存した個体を親として新しい個体を生成させる。ステップ306において、変更部5は、新しい個体を生成するための親個体の組み合わせを複数選択する。一部の個体のみに偏りがでないようルーレットルールを用いて、なるべく全ての生存個体が親個体として役割を果たせるように、親個体の組み合わせが選択される。
After
ステップ307において、変更部5は、ステップ306で選択された親個体の組み合わせで交叉を行い、新しい個体を生成させる。
In
ステップ308において、変更部5は、ステップ307で生成された新個体中の一部の個体に対して遺伝子情報を一部改変し、変異を起こさせる。これは、最終的なサンプルショットセットの探索において局所解に陥らないようにするためである。
In
ステップ309において、変更部5は、ステップ307で生成された新個体に対してステップ303と同様に個体自身の改善を行う。
In
ステップ310において、変更部5は改善された固体のそれぞれの評価値Sを算出する。
In
ステップ311において、変更部5は、現状生存している個体(ステップ305で淘汰されなかった個体、及びステップ307において新たに生成された個体)のそれぞれの評価値Sの統計処理を施す。Sのばらつきが十分小さい場合、個体集団として優秀なものになったものとしステップ312に進む。Sのばらつきが十分小さくない場合、ステップ305〜310を再度繰り返し、個体評価値Sの改善(移動シーケンス情報の最適化)を行う。
In
ステップ312において、決定部6は、優秀とされたサンプルショットセット個体の集団において、最も優秀な個体つまり個体の評価値Sが最大のものを計測に用いるサンプルショットセットとして決定する。
In
ステップ313において、決定された最適のサンプルショットセットが露光装置の計測に反映される。
In
図6は、本実施形態を用いてサンプルショットセットを選定した場合の結果例である。図6aは、計測精度の要求値D1で最適化した結果であり、図6bは、計測精度の他の要求値D2で最適化した結果である。D1とD2とではD1の方が厳しい要求値である。 FIG. 6 is a result example when a sample shot set is selected using the present embodiment. FIG. 6a shows the result of optimization with the required value D1 of measurement accuracy, and FIG. 6b shows the result of optimization with another required value D2 of measurement accuracy. D1 and D2 are more demanding values than D1.
従来技術を示す図1cのサンプルショットセットに比べると、図6aのサンプルショットセットは、サンプルショットが若干内周よりに配置され、スループットが若干向上する。図6bのサンプルショットセットは、計測精度の要求値がそれほど厳しくないため、サンプルショット数が従来に比べて減少している。したがって、図6bのサンプルショットセットは、移動シーケンスが最適化されるので、図1c、図6aのサンプルショットセットと比べてスループットの向上が著しい。 Compared to the sample shot set of FIG. 1c showing the prior art, the sample shot set of FIG. 6a has the sample shots arranged slightly from the inner periphery, and the throughput is slightly improved. In the sample shot set of FIG. 6b, since the required value of measurement accuracy is not so strict, the number of sample shots is reduced compared to the conventional example. Therefore, the sample shot set of FIG. 6b has a significant improvement in throughput as compared to the sample shot set of FIGS. 1c and 6a because the movement sequence is optimized.
本実施形態では、サンプルショットセットの最適化手法として遺伝的アルゴリズムを使用した。しかし、本発明は、サンプルショットセットの最適化手法として線形計画法、動的計画法、焼きなまし法等、遺伝的アルゴリズム以外の他の最適化手法を使用することができる。 In this embodiment, a genetic algorithm is used as an optimization method for the sample shot set. However, the present invention can use other optimization methods other than the genetic algorithm, such as linear programming, dynamic programming, and annealing, as a sample shot set optimization method.
本実施形態では、露光前のプロセスレシピ決定の際に露光装置上でサンプルショットセットを選定した。しかし、本発明は、露光装置外の外部装置において予めサンプルショットを選定し、その決定結果をオンラインで露光装置に反映させるようにすることもできる。 In the present embodiment, the sample shot set is selected on the exposure apparatus when determining the process recipe before exposure. However, according to the present invention, a sample shot can be selected in advance in an external apparatus outside the exposure apparatus, and the determination result can be reflected on the exposure apparatus online.
また本実施形態では、計測用のサンプルショットセットを選定した。しかし、サンプルショットセットの選定を必要とする処理が他にあれば、その場合のサンプルショットセットの選定についても本発明を適用することができる。
[露光装置の実施形態]
露光装置は図8に示すように、照明装置101、レチクルを搭載したレチクルステージ102、投影光学系103、基板を搭載した基板ステージ104とを有する。露光装置は、レチクルに形成された回路パターンを基板に投影露光するものであり、ステップアンドスキャン投影露光方式であることが好ましい。
In this embodiment, a sample shot set for measurement is selected. However, if there are other processes that require the selection of the sample shot set, the present invention can also be applied to the selection of the sample shot set in that case.
[Embodiment of exposure apparatus]
As shown in FIG. 8, the exposure apparatus includes an illumination device 101, a reticle stage 102 on which a reticle is mounted, a projection optical system 103, and a substrate stage 104 on which a substrate is mounted. The exposure apparatus projects and exposes the circuit pattern formed on the reticle onto the substrate, and is preferably a step-and-scan projection exposure system.
照明装置101は回路パターンが形成されたレチクルを照明し、光源部と照明光学系とを有する。光源部は、例えば、光源としてレーザを使用する。レーザは、波長約193nmのArFエキシマレーザ、波長約248nmのKrFエキシマレーザ、波長約153nmのF2エキシマレーザなどを使用することができる。レーザの種類はエキシマレーザに限定されず、例えば、YAGレーザを使用してもよいし、そのレーザの個数も限定されない。光源にレーザが使用される場合、レーザ光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザ光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部に使用可能な光源はレーザに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。 The illumination device 101 illuminates a reticle on which a circuit pattern is formed, and includes a light source unit and an illumination optical system. The light source unit uses, for example, a laser as a light source. As the laser, an ArF excimer laser with a wavelength of about 193 nm, a KrF excimer laser with a wavelength of about 248 nm, an F2 excimer laser with a wavelength of about 153 nm, or the like can be used. The type of laser is not limited to an excimer laser, for example, a YAG laser may be used, and the number of lasers is not limited. When a laser is used as the light source, it is preferable to use a light beam shaping optical system that shapes the parallel light beam from the laser light source into a desired beam shape and an incoherent optical system that makes the coherent laser light beam incoherent. The light source that can be used for the light source unit is not limited to the laser, and one or a plurality of lamps such as a mercury lamp and a xenon lamp can be used.
照明光学系はマスクを照明する光学系であり、レンズ、ミラー、ライトインテグレーター、絞り等を含む。 The illumination optical system is an optical system that illuminates the mask, and includes a lens, a mirror, a light integrator, a diaphragm, and the like.
投影光学系103は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡又は回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。 As the projection optical system 103, an optical system including only a plurality of lens elements, an optical system having a plurality of lens elements and at least one concave mirror or diffractive optical element, an all-mirror optical system, and the like can be used.
レチクルステージ102および基板ステージ104は、たとえばリニアモータによって移動可能である。ステップアンドスキャン投影露光方式の場合、それぞれのステージは同期して移動する。また、レチクルのパターンを基板上に位置合わせするために基板ステージおよびレチクルステージの少なくともいずれかに別途アクチュエータを備える。 The reticle stage 102 and the substrate stage 104 can be moved by, for example, a linear motor. In the case of the step-and-scan projection exposure method, each stage moves in synchronization. Further, in order to align the reticle pattern on the substrate, an actuator is separately provided on at least one of the substrate stage and the reticle stage.
このような露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造に利用されうる。
[デバイス製造の実施形態]
次に、図9及び図10を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図9は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
Such an exposure apparatus can be used for manufacturing a semiconductor device such as a semiconductor integrated circuit or a device on which a fine pattern such as a micromachine or a thin film magnetic head is formed.
[Device Manufacturing Embodiment]
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a flowchart for explaining how to fabricate devices (ie, semiconductor chips such as IC and LSI, LCDs, CCDs, and the like). Here, a semiconductor chip manufacturing method will be described as an example.
ステップS1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップS2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップS3(基板製造)ではシリコン等の材料を用いて基板を製造する。ステップS4(基板プロセス)は前工程と呼ばれ、マスクと基板を用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用して基板上に実際の回路を形成する。ステップS5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップS4によって作製された基板を用いて半導体チップ化する工程である。この工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップS6(検査)では、ステップS5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップS7)される。 In step S1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed. In step S2 (mask production), a mask is produced based on the designed circuit pattern. In step S3 (substrate manufacture), a substrate is manufactured using a material such as silicon. Step S4 (substrate process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the substrate using the mask and the substrate by the above exposure apparatus using the lithography technique. Step S5 (assembly) is called a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the substrate manufactured in step S4. This process includes assembly processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). In step S6 (inspection), inspections such as an operation check test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step S5 are performed. Through these steps, the semiconductor device is completed and shipped (step S7).
図10は、ステップ4の基板プロセスの詳細なフローチャートである。ステップS11(酸化)では、基板の表面を酸化させる。ステップS12(CVD)では、基板の表面に絶縁膜を形成する。ステップS13(電極形成)では、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS14(イオン打ち込み)では、基板にイオンを打ち込む。ステップS15(レジスト処理)では、基板に感光剤を塗布する。ステップS16(露光)では、露光装置によってマスクの回路パターンを基板に露光する。露光工程中の計測に用いるサンプルショットセットは、[サンプルショットセットの実施形態]で示した手法で決定されたものを使用する。ステップS17(現像)では、露光した基板を現像する。ステップS18(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップS19(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって基板上に多重に回路パターンが形成される。
FIG. 10 is a detailed flowchart of the substrate process in
S1〜S4:サンプルショット
SHOT:ショット
W1:φ8インチの基板
W2:φ12インチの基板
1:入出力装置
2:処理装置
3:記憶部
31:半導体プロセス情報
32:露光装置情報
4:生成部
5:選定部
501:照明系ユニット
502:レチクルステージ
503:投影光学系
504:基板ステージ
505:露光装置本体
S1 to S4: Sample shot SHOT: Shot W1: φ8 inch substrate W2: φ12 inch substrate 1: Input / output device 2: Processing device 3: Storage unit 31: Semiconductor process information 32: Exposure device information 4: Generation unit 5: Selection unit 501: illumination system unit 502: reticle stage 503: projection optical system 504: substrate stage 505: exposure apparatus main body
Claims (7)
入出力部と、
前記入出力部から入力された該複数のショットの配列に関する情報に基づき、該複数のショットから複数のサンプルショットセットを生成し、かつ該複数のサンプルショットセットの中から計測精度と計測時間とが設定された要求を満たすサンプルショットセットを決定する処理部とを備えることを特徴とする情報処理装置。 An information processing apparatus for determining a sample shot set to be measured in an apparatus that exposes each of a plurality of shots formed on a substrate,
An input / output unit;
Based on the information regarding the arrangement of the plurality of shots input from the input / output unit, a plurality of sample shot sets are generated from the plurality of shots, and measurement accuracy and measurement time are determined from the plurality of sample shot sets. An information processing apparatus comprising: a processing unit that determines a sample shot set that satisfies a set request.
該露光された基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure apparatus according to claim 6;
And a step of developing the exposed substrate.
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