JP2002111110A - 光通信モジュール - Google Patents
光通信モジュールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤボンディング長を高周波特性に悪影響
を与えない程度まで短くすることができる光通信モジュ
ールを提供する。 【解決手段】 発光素子が設けられた第１の基板と、先
端がテーパー形状となっており、その先端まで延出した
コープレーナ電極構造のデータ伝送線路が表面に形成さ
れた第２の基板とからなる光通信モジュールが示されて
いる。そして、前記テーパー形状の先端が前記発光素子
の表面上方に近接するように、前記第２の基板は前記第
１の基板に対して位置決めされ、相対的に固定されてお
り、前記テーパー形状の先端で前記データ伝送線路と前
記発光素子とがワイヤで接続されている。
を与えない程度まで短くすることができる光通信モジュ
ールを提供する。 【解決手段】 発光素子が設けられた第１の基板と、先
端がテーパー形状となっており、その先端まで延出した
コープレーナ電極構造のデータ伝送線路が表面に形成さ
れた第２の基板とからなる光通信モジュールが示されて
いる。そして、前記テーパー形状の先端が前記発光素子
の表面上方に近接するように、前記第２の基板は前記第
１の基板に対して位置決めされ、相対的に固定されてお
り、前記テーパー形状の先端で前記データ伝送線路と前
記発光素子とがワイヤで接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信システムに
用いられる光通信モジュールに関し、特に２．４Ｇｂｉ
ｔ／ｓ以上の通信速度に用いられる電界吸収型変調器付
き分布帰還型レーザダイオードを搭載した光通信モジュ
ールに関するものである。
用いられる光通信モジュールに関し、特に２．４Ｇｂｉ
ｔ／ｓ以上の通信速度に用いられる電界吸収型変調器付
き分布帰還型レーザダイオードを搭載した光通信モジュ
ールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光通信システムの小型化・高速化
にともない小型で高速性能を有する通信用光源モジュー
ルの開発に期待が集まっている。図に、データ伝送線路
にマイクロストリップラインを用いた従来例の発光素子
の平面図及び正面図を示す。ここでは、発光素子として
電界吸収型変調器付発光素子を用いた例について説明す
る。
にともない小型で高速性能を有する通信用光源モジュー
ルの開発に期待が集まっている。図に、データ伝送線路
にマイクロストリップラインを用いた従来例の発光素子
の平面図及び正面図を示す。ここでは、発光素子として
電界吸収型変調器付発光素子を用いた例について説明す
る。
【０００３】電界吸収型変調器付発光素子１１は、変調
器１２と半導体レーザ１３を集積化した高速の発光素子
である。半導体レーザ１３が共振すると、光強度一定の
放出光が導波路に沿って破線の方向に伝播する。変調器
１２が、このレーザ光導波路に垂直に高周波信号を印加
することで光の吸収と透過を行い光強度変調を得ること
ができる。
器１２と半導体レーザ１３を集積化した高速の発光素子
である。半導体レーザ１３が共振すると、光強度一定の
放出光が導波路に沿って破線の方向に伝播する。変調器
１２が、このレーザ光導波路に垂直に高周波信号を印加
することで光の吸収と透過を行い光強度変調を得ること
ができる。
【０００４】Ｓｉサブマウント２２上に形成された電界
吸収型変調器付発光素子１１には、インピーダンスマッ
チング用終端抵抗１４が設けられている。又、半導体レ
ーザ１３へのバイアス電流を印加するための配線がセラ
ミック基板上にパターニングされ裏面に半田接着用のメ
ッキが施された配線用基板２３も、図示したようにベー
ス部品２１上に半田接着されている。
吸収型変調器付発光素子１１には、インピーダンスマッ
チング用終端抵抗１４が設けられている。又、半導体レ
ーザ１３へのバイアス電流を印加するための配線がセラ
ミック基板上にパターニングされ裏面に半田接着用のメ
ッキが施された配線用基板２３も、図示したようにベー
ス部品２１上に半田接着されている。
【０００５】そして、データ伝送線路２４が、伝送線路
支持部材２５上に設けられており、変調器１２の電極ボ
ンディングパッドと、ワイヤ３１で結線されている。こ
こで、ワイヤ３１を短くするように、変調器１２の電極
ボンディングパッドと伝送線路支持部材２５上の電極ボ
ンディングパッドは同じ高さにそろえられている。
支持部材２５上に設けられており、変調器１２の電極ボ
ンディングパッドと、ワイヤ３１で結線されている。こ
こで、ワイヤ３１を短くするように、変調器１２の電極
ボンディングパッドと伝送線路支持部材２５上の電極ボ
ンディングパッドは同じ高さにそろえられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】発光素子の高速性能を
向上させるためには、発光素子の電極ボンディングパッ
ドを小さくする必要がある一方、発光素子の幅を狭くす
るにはその製造過程において限界がある。つまり、発光
素子を実装する場合には、発光素子の電極パッドとデー
タ伝送線路間を配線するワイヤボンディングを利用して
いるが、これが発光素子の幅を狭くすることの障害とな
っている。
向上させるためには、発光素子の電極ボンディングパッ
ドを小さくする必要がある一方、発光素子の幅を狭くす
るにはその製造過程において限界がある。つまり、発光
素子を実装する場合には、発光素子の電極パッドとデー
タ伝送線路間を配線するワイヤボンディングを利用して
いるが、これが発光素子の幅を狭くすることの障害とな
っている。
【０００７】即ち、ワイヤボンディングの長さは素子の
幅と電極の位置により決まり、短く配線することが困難
であり、そのインダクタンス成分が高周波特性に悪影響
を及ぼしている。このため、発光素子の高速性能が十分
に出せないでいた。
幅と電極の位置により決まり、短く配線することが困難
であり、そのインダクタンス成分が高周波特性に悪影響
を及ぼしている。このため、発光素子の高速性能が十分
に出せないでいた。
【０００８】従って、本発明は、上述の如き従来の問題
点を解決するためになされたもので、その目的は、発光
素子の幅や電極ボンディングパッドの位置によらずワイ
ヤボンディング長を高周波特性に悪影響を与えない程度
まで短くすることができる光通信モジュールを提供する
ことである。
点を解決するためになされたもので、その目的は、発光
素子の幅や電極ボンディングパッドの位置によらずワイ
ヤボンディング長を高周波特性に悪影響を与えない程度
まで短くすることができる光通信モジュールを提供する
ことである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明（請求項１）は、
発光素子が設けられた第１の基板と、先端がテーパー形
状となっており、その先端まで延出したコープレーナ電
極構造のデータ伝送線路が表面に形成された第２の基板
とからなり、前記テーパー形状の先端が前記発光素子の
表面上方に近接するように、前記第２の基板は前記第１
の基板に対して位置決めされ、相対的に固定されてお
り、前記テーパー形状の先端で前記データ伝送線路と前
記発光素子とがワイヤで接続されていることを特徴とす
る光通信モジュールを提供する。
発光素子が設けられた第１の基板と、先端がテーパー形
状となっており、その先端まで延出したコープレーナ電
極構造のデータ伝送線路が表面に形成された第２の基板
とからなり、前記テーパー形状の先端が前記発光素子の
表面上方に近接するように、前記第２の基板は前記第１
の基板に対して位置決めされ、相対的に固定されてお
り、前記テーパー形状の先端で前記データ伝送線路と前
記発光素子とがワイヤで接続されていることを特徴とす
る光通信モジュールを提供する。
【００１０】本発明（請求項２）は、上記請求項１にお
いて、前記発光素子へ電力を供給する配線が設けられて
いる第３の基板を更に有することを特徴とする光通信モ
ジュールを提供する。
いて、前記発光素子へ電力を供給する配線が設けられて
いる第３の基板を更に有することを特徴とする光通信モ
ジュールを提供する。
【００１１】本発明（請求項３）は、上記請求項１にお
いて、前記第１の基板と前記第２の基板は、段差の設け
られいるベース部品に設けられていることを特徴とする
光通信モジュールを提供する。
いて、前記第１の基板と前記第２の基板は、段差の設け
られいるベース部品に設けられていることを特徴とする
光通信モジュールを提供する。
【００１２】本発明（請求項４）は、上記請求項３にお
いて、前記ベース部品は導電性の部品であり、前記デー
タ伝送線路には接地線が設けられており、前記第２の基
板に設けられたスルーホールにより、前記接地線が前記
ベース部品に接地されていることを特徴とする光通信モ
ジュールを提供する。
いて、前記ベース部品は導電性の部品であり、前記デー
タ伝送線路には接地線が設けられており、前記第２の基
板に設けられたスルーホールにより、前記接地線が前記
ベース部品に接地されていることを特徴とする光通信モ
ジュールを提供する。
【００１３】本発明（請求項５）は、上記請求項３にお
いて、前記ベース部品は導電性の部品であり、前記デー
タ伝送線路には接地線が設けられており、前記第２の基
板の側面メタライズにより、前記接地線が前記ベース部
品に接地されていることを特徴とする光通信モジュール
を提供する。
いて、前記ベース部品は導電性の部品であり、前記デー
タ伝送線路には接地線が設けられており、前記第２の基
板の側面メタライズにより、前記接地線が前記ベース部
品に接地されていることを特徴とする光通信モジュール
を提供する。
【００１４】本発明（請求項６）は、上記請求項１にお
いて、前記発光素子は、電界吸収型変調器付き半導体レ
ーザとインピーダンスマッチング用終端抵抗とを備えて
いることを特徴とする光通信モジュールを提供する。
いて、前記発光素子は、電界吸収型変調器付き半導体レ
ーザとインピーダンスマッチング用終端抵抗とを備えて
いることを特徴とする光通信モジュールを提供する。
【００１５】本発明（請求項７）は、上記請求項３にお
いて、前記ベース部品は、高熱伝導のＣｕＷであるるこ
とを特徴とする光通信モジュールを提供する。
いて、前記ベース部品は、高熱伝導のＣｕＷであるるこ
とを特徴とする光通信モジュールを提供する。
【００１６】
【発明の実施の形態】（１）実施例１ 図１（a）、図１（b）、図１（c）は、本発明による光
通信モジュールの一実施例の平面図、正面図及び側面図
である。又、図１（d）は、本発明による光通信モジュ
ールの一実施例の光強度変調が行われている部分を示す
拡大図である。本実施例では、発光素子として電界吸収
型変調器付発光素子を用いた例について説明する。
通信モジュールの一実施例の平面図、正面図及び側面図
である。又、図１（d）は、本発明による光通信モジュ
ールの一実施例の光強度変調が行われている部分を示す
拡大図である。本実施例では、発光素子として電界吸収
型変調器付発光素子を用いた例について説明する。
【００１７】電界吸収型変調器付発光素子１０１は、変
調器１０２と半導体レーザ１０３を集積化した高速の発
光素子である。半導体レーザ１０３が共振すると、光強
度一定の放出光が導波路に沿って破線の方向に伝播す
る。変調器１０２が、このレーザ光導波路に垂直に高周
波信号を印加することで光の吸収と透過を行い光強度変
調を得ることができる。
調器１０２と半導体レーザ１０３を集積化した高速の発
光素子である。半導体レーザ１０３が共振すると、光強
度一定の放出光が導波路に沿って破線の方向に伝播す
る。変調器１０２が、このレーザ光導波路に垂直に高周
波信号を印加することで光の吸収と透過を行い光強度変
調を得ることができる。
【００１８】このため従来の半導体レーザ直接変調に比
べ放出光の光スペクトラムの広がりが抑えられ、長距離
でも数十ギガビット／秒の高速・大容量光通信か可能と
なる。
べ放出光の光スペクトラムの広がりが抑えられ、長距離
でも数十ギガビット／秒の高速・大容量光通信か可能と
なる。
【００１９】本実施例の発光素子は、ベース部品２０１
上に形成されている。ベース部品２０１は、高熱伝導を
有する金属、例えばＣｕＷからなっており、その全面
に、半田接着が可能で電気特性にも優れた導電膜が設け
られている。導電膜は、例えば、Ａｕメッキによって形
成することができる。
上に形成されている。ベース部品２０１は、高熱伝導を
有する金属、例えばＣｕＷからなっており、その全面
に、半田接着が可能で電気特性にも優れた導電膜が設け
られている。導電膜は、例えば、Ａｕメッキによって形
成することができる。
【００２０】ベース部品２０１には段差が設けられてお
り、Ｓｉサブマウント２０２が、図示したように、ベー
ス部品２０１上に半田接着されている。発光素子のサブ
マウントとしてよく用いられるのは、全面にＡｕメッキ
が施されているＳｉのバルクである。ここでも、Ｓｉサ
ブマウント２０２には、そのＳｉの全面にＡｕメッキが
施され、電界吸収型変調器付発光素子１０１とインピー
ダンスマッチング用終端抵抗１０４が設けられている。
この、インピーダンスマッチング用終端抵抗１０４は、
セラミック基板の表面に形成された例えば５０Ωの抵抗
パターンと電極パターンと、セラミック基板の裏面に形
成された半田接着用のメッキからなっている。又、半導
体レーザ１０３へのバイアス電流を印加するための配線
が表面にパターニングされ、裏面に半田接着用のメッキ
が施されたセラミック基板からなる配線用基板２０３
が、図示したように、ベース部品２０１上に半田接着さ
れている。配線用基板２０３は、発光素子へ電力を供給
する配線が設けられている。
り、Ｓｉサブマウント２０２が、図示したように、ベー
ス部品２０１上に半田接着されている。発光素子のサブ
マウントとしてよく用いられるのは、全面にＡｕメッキ
が施されているＳｉのバルクである。ここでも、Ｓｉサ
ブマウント２０２には、そのＳｉの全面にＡｕメッキが
施され、電界吸収型変調器付発光素子１０１とインピー
ダンスマッチング用終端抵抗１０４が設けられている。
この、インピーダンスマッチング用終端抵抗１０４は、
セラミック基板の表面に形成された例えば５０Ωの抵抗
パターンと電極パターンと、セラミック基板の裏面に形
成された半田接着用のメッキからなっている。又、半導
体レーザ１０３へのバイアス電流を印加するための配線
が表面にパターニングされ、裏面に半田接着用のメッキ
が施されたセラミック基板からなる配線用基板２０３
が、図示したように、ベース部品２０１上に半田接着さ
れている。配線用基板２０３は、発光素子へ電力を供給
する配線が設けられている。
【００２１】そして、コープレーナ電極構造を有し、例
えば特性インピーダンスを５０Ωとしたデータ伝送線路
２０４が、伝送線路支持部材２０５上に設けられ、マイ
クロストリップラインデータ伝送線路構造を形成してい
る。データ伝送線路２０４を支持する伝送線路支持部材
２０５は、窒化アルミニウムやアルミナ等のセラミック
基板からなり、予め一端がダイヤモンドソー等でカット
され、テーパー部２０５ａがもうけられている。このテ
ーパー部２０５ａは、ワイヤの長さを十分に短縮する効
果があれば良く、必ずしも、ここに示されているように
完全に鋭角にする必要は無い。又、データ伝送線路２０
４の両側には、１対の接地線２０６が設けられている。
接地線２０６は、伝送線路支持部材２０５の側面メタラ
イズによりベース部品に接地されている。
えば特性インピーダンスを５０Ωとしたデータ伝送線路
２０４が、伝送線路支持部材２０５上に設けられ、マイ
クロストリップラインデータ伝送線路構造を形成してい
る。データ伝送線路２０４を支持する伝送線路支持部材
２０５は、窒化アルミニウムやアルミナ等のセラミック
基板からなり、予め一端がダイヤモンドソー等でカット
され、テーパー部２０５ａがもうけられている。このテ
ーパー部２０５ａは、ワイヤの長さを十分に短縮する効
果があれば良く、必ずしも、ここに示されているように
完全に鋭角にする必要は無い。又、データ伝送線路２０
４の両側には、１対の接地線２０６が設けられている。
接地線２０６は、伝送線路支持部材２０５の側面メタラ
イズによりベース部品に接地されている。
【００２２】伝送線路支持部材２０５は、ベース部品２
０１の支持台部２０１ａに、正確に位置合わせを行って
接着されている。位置合わせは、伝送線路支持部材２０
５のテーパー部２０５ａが、変調器１０２の電極ボンデ
ィングパッドの上方にせり出して、データ伝送線路２０
４の端部が変調器１０２の電極ボンディングパッドに接
触しない程度に、最も接近するように行われる。従っ
て、変調器１０２の電極ボンディングパッドとデータ伝
送線路２０４は、極めて短いワイヤ３０１で結線するこ
とが可能となった。
０１の支持台部２０１ａに、正確に位置合わせを行って
接着されている。位置合わせは、伝送線路支持部材２０
５のテーパー部２０５ａが、変調器１０２の電極ボンデ
ィングパッドの上方にせり出して、データ伝送線路２０
４の端部が変調器１０２の電極ボンディングパッドに接
触しない程度に、最も接近するように行われる。従っ
て、変調器１０２の電極ボンディングパッドとデータ伝
送線路２０４は、極めて短いワイヤ３０１で結線するこ
とが可能となった。
【００２３】一般に、発光素子の高速動作を可能とする
ためにボンディングパッドを小さくし素子容量を小さく
することが必要となるが素子の幅は熱的にも構造的にも
限界があり、ワイヤによるインダクタンスが問題とな
る。しかし、このような構造では、ワイヤによるインダ
クタンスの問題は略回避できる。
ためにボンディングパッドを小さくし素子容量を小さく
することが必要となるが素子の幅は熱的にも構造的にも
限界があり、ワイヤによるインダクタンスが問題とな
る。しかし、このような構造では、ワイヤによるインダ
クタンスの問題は略回避できる。
【００２４】図１（ｄ）に示されているように、変調器
１０２のボンディングパッド１０２ａは、レーザ光導波
路ＬＰを横切って設けられている。しかし、ワイヤボン
ディングを行うことは、レーザ光導波路ＬＰに対して、
機械的にも熱的にもダメージを与える為、レーザ光導波
路ＬＰのすぐ上方に行うことができない。従って、実際
のワイヤボンディングは、レーザ光導波路ＬＰの上方を
避けて、その両側の位置に行うことになる。
１０２のボンディングパッド１０２ａは、レーザ光導波
路ＬＰを横切って設けられている。しかし、ワイヤボン
ディングを行うことは、レーザ光導波路ＬＰに対して、
機械的にも熱的にもダメージを与える為、レーザ光導波
路ＬＰのすぐ上方に行うことができない。従って、実際
のワイヤボンディングは、レーザ光導波路ＬＰの上方を
避けて、その両側の位置に行うことになる。
【００２５】従来は発光素子と伝送線路間のワイヤ長が
発光素子の幅役３００μｍに制約を受け約５００μｍ程
度必要であったが、本発明によれば発光素子に被さるよ
うに伝送線路が配置できると共に、伝送線路がテーパー
状であることから伝送線路の厚みによるワイヤ長の制約
を受けることがなくボンディング長を短くすることが可
能となる。
発光素子の幅役３００μｍに制約を受け約５００μｍ程
度必要であったが、本発明によれば発光素子に被さるよ
うに伝送線路が配置できると共に、伝送線路がテーパー
状であることから伝送線路の厚みによるワイヤ長の制約
を受けることがなくボンディング長を短くすることが可
能となる。
【００２６】本実施例の簡単な等価回路を図３に示す。
Ｌ１は伝送線路−発光素子間のワイヤ３０１によるイン
ダクタンス、Ｌ２は発光素子−終端抵抗間のワイヤ３０
２によるインダクタンス、Ｌ３は終端抵抗−接地間のワ
イヤ３０３によるインダクタンス、Ｒohm は変調器１０
２の内部抵抗、Ｃpnは変調器１０２の容量である。
Ｌ１は伝送線路−発光素子間のワイヤ３０１によるイン
ダクタンス、Ｌ２は発光素子−終端抵抗間のワイヤ３０
２によるインダクタンス、Ｌ３は終端抵抗−接地間のワ
イヤ３０３によるインダクタンス、Ｒohm は変調器１０
２の内部抵抗、Ｃpnは変調器１０２の容量である。
【００２７】従来例では伝送線路−発光素子間のワイヤ
の長さは５００μｍ程度必要であった。この場合、ワイ
ヤによるインダクタンス０．５ｎＨとなる。本発明によ
る実施例では１００μｍ程度までワイヤ長を短くするこ
とが可能となり、０．１ｎＨまでワイヤによるインダク
タンス０を小さくすることができる。以上の数値に加
え、その他の数値は、Ｌ２＝０．５ｎＨ、Ｌ３＝０．０
５ｎＨ、Ｒ＝５０Ω、Ｒｏｈｍ＝１０Ω、Ｃｐｎ＝０．
４ｐＦと共通の数値を用い、上記の等価回路を用いて計
算を行った。従来例の計算結果を図４に、本発明の計算
結果を図３に示す。従来例では１６．４ＧＨｚの周波数
応答特性が本発明によれば１８ＧＨｚ以上に改善される
ことがわかる。
の長さは５００μｍ程度必要であった。この場合、ワイ
ヤによるインダクタンス０．５ｎＨとなる。本発明によ
る実施例では１００μｍ程度までワイヤ長を短くするこ
とが可能となり、０．１ｎＨまでワイヤによるインダク
タンス０を小さくすることができる。以上の数値に加
え、その他の数値は、Ｌ２＝０．５ｎＨ、Ｌ３＝０．０
５ｎＨ、Ｒ＝５０Ω、Ｒｏｈｍ＝１０Ω、Ｃｐｎ＝０．
４ｐＦと共通の数値を用い、上記の等価回路を用いて計
算を行った。従来例の計算結果を図４に、本発明の計算
結果を図３に示す。従来例では１６．４ＧＨｚの周波数
応答特性が本発明によれば１８ＧＨｚ以上に改善される
ことがわかる。
【００２８】図５は、本発明による発光素子の上記実施
例の変形例を示す平面図及び正面図である。ここでは、
伝送線路支持部材２０５に空けられたスルーホール２０
５ａによって、接地線２０６が支持台部２０１に接続さ
れており、接地がより効果的に行われる。
例の変形例を示す平面図及び正面図である。ここでは、
伝送線路支持部材２０５に空けられたスルーホール２０
５ａによって、接地線２０６が支持台部２０１に接続さ
れており、接地がより効果的に行われる。
【００２９】なお、実施例では電界吸収型変調器付発光
素子を基に本発明の説明を行ったが、発光素子は直接変
調を行う半導体レーザでよく、終端抵抗は必ずしもサブ
マウント上に位置しなければいけないものでもない。
素子を基に本発明の説明を行ったが、発光素子は直接変
調を行う半導体レーザでよく、終端抵抗は必ずしもサブ
マウント上に位置しなければいけないものでもない。
【００３０】
【発明の効果】データ伝送線路をコープレーナ電極構造
を用いて発光素子側をテーパー形状とすることによりデ
ータ伝送線路の厚さを無くし、ワイヤボンディング長を
短くできる。これにより、高周波特性の改善を行うこと
が可能となる。
を用いて発光素子側をテーパー形状とすることによりデ
ータ伝送線路の厚さを無くし、ワイヤボンディング長を
短くできる。これにより、高周波特性の改善を行うこと
が可能となる。
【図１】本発明による電界吸収型変調器付発光素子を示
し、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が側面
図、（d）が光強度変調が行われている部分を示す拡大
図である。
し、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図、（ｃ）が側面
図、（d）が光強度変調が行われている部分を示す拡大
図である。
【図２】本発明による電界吸収型変調器付発光素子の簡
単な等価回路。
単な等価回路。
【図３】本発明による電界吸収型変調器付発光素子に関
する、図２の等価回路の周波数応答特性の計算結果。
する、図２の等価回路の周波数応答特性の計算結果。
【図４】従来例による電界吸収型変調器付発光素子に関
する、図２の等価回路の周波数応答特性の計算結果。
する、図２の等価回路の周波数応答特性の計算結果。
【図５】本発明による電界吸収型変調器付発光素子を示
した図である。
した図である。
【図６】従来例の電界吸収型変調器付発光素子を示した
図である。
図である。
１０１ 電界吸収型変調器付発光素子 １０２ 電界吸収型変調器付発光素子の変調器部分 １０３ 電界吸収型変調器付発光素子のレーザダイオー
ド部分 １０４ 終端抵抗 ２１、２０１ ベース部品 ２２、２０２ サブマウント ２３、２０３ 配線用基板 ２４、２０４ コープレーナ型データ伝送線路 ３０１，３０２，３０３ ボンディングワイヤ ２０５ 伝送線路支持部材
ド部分 １０４ 終端抵抗 ２１、２０１ ベース部品 ２２、２０２ サブマウント ２３、２０３ 配線用基板 ２４、２０４ コープレーナ型データ伝送線路 ３０１，３０２，３０３ ボンディングワイヤ ２０５ 伝送線路支持部材
Claims (7)
- 【請求項１】 発光素子が設けられた第１の基板と、先
端がテーパー形状となっており、その先端まで延出した
コープレーナ電極構造のデータ伝送線路が表面に形成さ
れた第２の基板とからなり、前記テーパー形状の先端が
前記発光素子の表面上方に近接するように、前記第２の
基板は前記第１の基板に対して位置決めされ、相対的に
固定されており、前記テーパー形状の先端で前記データ
伝送線路と前記発光素子とがワイヤで接続されているこ
とを特徴とする光通信モジュール。 - 【請求項２】 前記発光素子へ電力を供給する配線が設
けられている第３の基板を更に有することを特徴とする
請求項１に記載の光通信モジュール。 - 【請求項３】 前記第１の基板と前記第２の基板は、段
差の設けられいるベース部品に設けられていることを特
徴とする請求項１に記載の光通信モジュール。 - 【請求項４】 前記ベース部品は導電性の部品であり、
前記データ伝送線路には接地線が設けられており、前記
第２の基板に設けられたスルーホールにより、前記接地
線が前記ベース部品に接地されていることを特徴とする
請求項３に記載の光通信モジュール。 - 【請求項５】 前記ベース部品は導電性の部品であり、
前記データ伝送線路には接地線が設けられており、前記
第２の基板の側面メタライズにより、前記接地線が前記
ベース部品に接地されていることを特徴とする請求項３
に記載の光通信モジュール。 - 【請求項６】 前記発光素子は、電界吸収型変調器付き
半導体レーザとインピーダンスマッチング用終端抵抗と
を備えていることを特徴とする請求項１に記載の光通信
モジュール。 - 【請求項７】 前記ベース部品は、高熱伝導のＣｕＷで
あるることを特徴とする請求項３に記載の光通信モジュ
ール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000295249A JP2002111110A (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 光通信モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000295249A JP2002111110A (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 光通信モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002111110A true JP2002111110A (ja) | 2002-04-12 |
Family
ID=18777705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000295249A Pending JP2002111110A (ja) | 2000-09-27 | 2000-09-27 | 光通信モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002111110A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146777A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
| JP2018018887A (ja) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | 新光電気工業株式会社 | 光半導体装置 |
| WO2020162217A1 (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-13 | 日本電信電話株式会社 | 光送信器 |
| JP7433545B1 (ja) * | 2023-03-13 | 2024-02-19 | 三菱電機株式会社 | レーザ光出射装置及び光モジュール |
-
2000
- 2000-09-27 JP JP2000295249A patent/JP2002111110A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146777A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
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| JP2020127168A (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-20 | 日本電信電話株式会社 | 光送信器 |
| JP7124741B2 (ja) | 2019-02-06 | 2022-08-24 | 日本電信電話株式会社 | 光送信器 |
| JP7433545B1 (ja) * | 2023-03-13 | 2024-02-19 | 三菱電機株式会社 | レーザ光出射装置及び光モジュール |
| WO2024189713A1 (ja) * | 2023-03-13 | 2024-09-19 | 三菱電機株式会社 | レーザ光出射装置及び光モジュール |
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