HK1165141B - Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same - Google Patents

Claims (20)

1. Dispositif électroluminescent semi-conducteur comprenant :

   une puce électroluminescente (5) comprenant :

   une couche semi-conductrice (15) comprenant une couche électroluminescente (12),

   une première surface majeure (15a), et une deuxième surface majeure opposée à la première surface majeure (15a) ;

   une première électrode (16) prévue sur la deuxième surface majeure dans une région comprenant la couche électroluminescente (12) ;

   une deuxième électrode (17) prévue sur la deuxième surface majeure ;

   une couche isolante (18) prévue sur le côté de deuxième surface majeure de la couche semi-conductrice (15) ;

   une première couche d'interconnexion (21) prévue dans une première ouverture (18a) et sur une face de la couche isolante (18) sur un côté opposé à la couche semi-conductrice (15) pour se connecter à la première électrode (16), la première ouverture (18a) étant formée pour atteindre la première électrode (16) ;

   une deuxième couche d'interconnexion (22) prévue dans une deuxième ouverture (18b) et sur une face de la couche isolante (18) sur le côté opposé à la couche semi-conductrice (15) pour se connecter à la deuxième électrode (17), la deuxième ouverture (18b) étant formée pour atteindre la deuxième électrode (17) ;

   un premier pilier métallique (23) prévu sur une face de la première couche d'interconnexion (21) sur un côté opposé à la première électrode (16) ;

   un deuxième pilier métallique (24) prévu sur la face de la deuxième couche d'interconnexion (22) sur le côté opposé à la deuxième électrode (17) ; et

   une couche de résine (25) prévue entre le premier pilier métallique (23) et le deuxième pilier métallique (24) ; et

   une couche de matière fluorescente (28, 29, 65) prévue sur la première surface majeure (15a) et ayant une taille de plan plus grande que celle de la puce électroluminescente (5).
2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel une partie de la couche de matière fluorescente (28, 29, 65) sur un côté de surface extérieure de la puce électroluminescente (5) dans une direction fait saillie de la première surface majeure (15a) vers le côté de couche isolante (18).
3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, dans lequel la couche isolante (18) couvre une face latérale de la couche semi-conductrice (15).
4. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel une portion de la couche de matière fluorescente (28, 29, 65) couvre une face latérale de la couche semi-conductrice (15).
5. Dispositif selon la revendication 3, dans lequel une partie de la couche de matière fluorescente (28, 29, 65) couvre la face latérale de la couche semi-conductrice (15) par l'intermédiaire de la couche isolante (18).
6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel la couche de matière fluorescente (29) a une structure empilée d'une pluralité de couches de matière fluorescente (29a, 29b) ayant des longueurs d'onde de pic de fluorescence mutuellement différentes.
7. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel parmi la pluralité de couches de matière fluorescente, une couche de matière fluorescente prévue plus près du côté de première surface majeure (15a) a une longueur d'onde de pic de fluorescence relativement plus longue.
8. Dispositif selon la revendication 6 ou 7, dans lequel la pluralité de couches de matière fluorescente comprend :

   une première couche de matière fluorescente (29a) prévue sur la première surface majeure (15a) et comportant une portion faisant saillie (62) sur un côté opposé à la première surface majeure (15a) ; et

   une deuxième couche de matière fluorescente (29b) prévue sur la première couche de matière fluorescente (29a) et recouvrant une surface supérieure et une face latérale (63) de la portion faisant saillie (62).
9. Dispositif selon la revendication 8, dans lequel la face latérale (63) de la portion faisant saillie (62) est prévue à l'extérieur d'une face latérale de la puce électroluminescente (5).
10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans lequel une surface de la première électrode (16) est supérieure à une surface de la deuxième électrode (17).
11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel une surface de contact entre la deuxième couche d'interconnexion (22) et le deuxième pilier métallique (24) est supérieure à une surface de contact entre la deuxième couche d'interconnexion (22) et la deuxième électrode (17).
12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, dans lequel une portion de la deuxième couche d'interconnexion (22) s'étend sur la couche isolante (18) jusqu'à une position pour recouvrir la couche électroluminescente (12).
13. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, dans lequel chacune d'une épaisseur du premier pilier métallique (23) et d'une épaisseur du deuxième pilier métallique (24) est supérieure à une épaisseur d'un corps empilé comprenant la couche semi-conductrice (15), la première électrode (16), la deuxième électrode (17), et la couche isolante (18).
14. Procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent semi-conducteur, comprenant :

    la formation d'une couche semi-conductrice (15) sur un substrat (10), la couche semi-conductrice (15) comprenant une couche électroluminescente (12), une première surface majeure (15a), et une deuxième surface majeure formée sur un côté opposé à la première surface majeure (15a) ;

    la formation d'une tranchée de séparation (14) pour séparer la couche semi-conductrice (15) en morceaux sur le substrat (10) ;

    la formation d'une première électrode (16) sur la deuxième surface majeure dans une région comprenant la couche électroluminescente (12), la deuxième surface majeure étant sur un côté opposé au substrat (10) ;

    la formation d'une deuxième électrode (17) sur la deuxième surface majeure ;

    la formation d'une couche isolante (18) sur le côté de deuxième surface majeure de la couche semi-conductrice (15) pour recouvrir la première électrode (16) et la deuxième électrode (17) ;

    la formation d'une première ouverture (18a) et d'une deuxième ouverture (18b) dans la couche isolante (18), la première ouverture (18a) atteignant la première électrode (16), la deuxième ouverture (18b) atteignant la deuxième électrode (17) ;

    la formation d'une première couche d'interconnexion (21) dans la première ouverture (18a) et sur une surface de la couche isolante (18) sur un côté opposé à la couche semi-conductrice (15) ;

    la formation d'une deuxième couche d'interconnexion (22) dans la deuxième ouverture (18b) et sur la surface de la couche isolante (18) sur le côté opposé à la couche semi-conductrice (15) ;

    la formation d'un premier pilier métallique (23) sur une face de la première couche d'interconnexion (21) sur un côté opposé à la première électrode (16) ;

    la formation d'un deuxième pilier métallique (24) sur la face de la deuxième couche d'interconnexion (22) sur le côté opposé à la deuxième électrode (17) ;

    la formation d'une couche de résine (25) entre une face latérale du premier pilier métallique (23) et une face latérale du deuxième pilier métallique (24) ;

    l'enlèvement du substrat (10) ;

    le découpage de la couche isolante (18) et de la couche de résine (25) à une position de la tranchée de séparation (14) pour fournir une pluralité de puces électroluminescentes (5), les puces électroluminescentes (5) comprenant la couche semi-conductrice (15), la première électrode (16), la deuxième électrode (17), la couche isolante (18), la première couche d'interconnexion (21), la deuxième couche d'interconnexion (22), le premier pilier métallique (23), le deuxième pilier métallique (24), et la couche de résine (25) ;

    le placement de la pluralité de puces électroluminescentes (5) sur une couche de matière fluorescente (28, 29, 65) à un deuxième pas avec la première surface majeure (15a) faisant face à la couche de matière fluorescente (28, 29, 65), le deuxième pas étant supérieur à un premier pas sur le substrat (10) ; et

    le découpage d'une portion de la couche de matière fluorescente (28, 29, 65) entre la pluralité de puces électroluminescentes (5).
15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel une largeur de découpage d'une tranchée (71, 72, 73) formée par découpage de la couche de matière fluorescente (28, 29, 65) est inférieure à la largeur d'un espacement (55) entre des puces électroluminescentes (5) adjacentes.
16. Procédé selon la revendication 14 ou 15, dans lequel le placement de la pluralité de puces électroluminescentes (5) sur la couche de matière fluorescente (28, 29) comprend :

    l'attachement de la pluralité de puces électroluminescentes (5) placées au premier pas sur un ruban extensible (51) ;

    l'étirement du ruban (51) pour élargir un pas entre la pluralité de puces électroluminescentes (5) du premier pas au deuxième pas ; et

    la formation de la couche de matière fluorescente (28, 29) sur le côté de première surface majeure (15a) de chacune de la pluralité de puces électroluminescentes (5) placées au deuxième pas afin d'être connectée entre la pluralité de puces électroluminescentes (5).
17. Procédé selon la revendication 16, dans lequel la couche de matière fluorescente (28, 29) sous forme de film est attachée à la pluralité de puces électroluminescentes (5) placées au deuxième pas.
18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel la formation de la couche de matière fluorescente (29) comprend :

    l'attachement d'une première couche de matière fluorescente (29a) sous forme de film sur la première surface majeure (15a) ; et

    la formation d'une deuxième couche de matière fluorescente (29b) sur la première couche de matière fluorescente (29a), la deuxième couche de matière fluorescente (29b) ayant une longueur d'onde de pic de fluorescence différente d'une longueur d'onde de pic de fluorescence de la première couche de matière fluorescente (29a).
19. Procédé selon la revendication 18, comprenant en outre :

    la formation d'une portion évidée (61) dans une portion de la première couche de matière fluorescente (29a) entre la pluralité de puces électroluminescentes (5),

    la deuxième couche de matière fluorescente (29b) étant formée sur la première couche de matière fluorescente (29a) afin d'être remplie dans la portion évidée (61).
20. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 19, dans lequel la formation de la couche de matière fluorescente (65) comprend :

    la fourniture d'une résine transparente liquide sur la première surface majeure (15a) de chacune de la pluralité de puces électroluminescentes (5) placées au deuxième pas et dans une portion entre la pluralité de puces électroluminescentes (5), les matières fluorescentes étant dispersées dans la résine transparente ; et

    le séchage de la résine transparente après la fourniture de la résine transparente.