DE3914407A1 - Strahlungsempfindliche polymere und positiv arbeitendes aufzeichnungsmaterial - Google Patents
Strahlungsempfindliche polymere und positiv arbeitendes aufzeichnungsmaterialInfo
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Description
Die Erfindung betrifft strahlungsempfindliche Polymere, die säurelabile
Gruppen und Oniumsalze in der Polymerhauptkette enthalten, die durch
Einwirkung von Licht und anschließende thermische Behandlung zu niedermolekularen
Produkten abgebaut werden, die im Vakuum oder durch Behandlung
mit alkalischen oder polaren Lösungsmitteln entfernt werden können, so daß
sie sich für Photoresists eignen.
Strahlungsempfindliche, positiv arbeitende Polymere sind bekannt. So werden
besonders Poly-(alkyl-methacrylate) als Photoresists eingesetzt, da
sie unter der Einwirkung von Licht einen Abbau des Molekulargewichts erleiden
und dadurch eine höhere Löslichkeit als die hochmolekularen, nicht
belichteten Bereiche aufweisen.
Als weitere Klasse sind Poly-(olefinsulfone) zu nennen, die bei Bestrahlung
ebenfalls abbauen und Schwefeldioxid freisetzen.
Auch eine Reihe von polymergebundenen Sulfoniumsalzen, wie z. B.
(vgl. Polymer, 27, 1709 (1986))
(vgl. EP-A 246 931)
(vgl. EP-A 246 931 und Polym. Commun. 26, 362 (1985))
worin
R, R′, R″ = Alkyl
X = Halogen
n <5 sind,
sind bereits beschrieben worden.
worin
R, R′, R″ = Alkyl
X = Halogen
n <5 sind,
sind bereits beschrieben worden.
Weiterhin sind strahlungsempfindliche Polymere bekannt, welche Sulfonium-
Salzeinheiten in der Polymerseitenkette (vgl. H. Tagoshi und T.
Endo, J. Polym. Sci., Part C: Polym. Lett., Vol. 26, 77-81 (1988); jedoch
enthalten diese Polymeren keine säurelabilen Gruppen, sondern Spiroorthoester,
die unter der Einwirkung von Licht vernetzen.
Ebenfalls sind photosensitive Polymere bekannt, die Aryl-Onium-Salze, wie
Iodonium- oder Sulfoniumsalze, in der Polymerhauptkette enthalten (vgl.
J.V. Crivello, and J.H.W. Lam, J. Polym. Sci., Chem. Ed., 17, 3845-3858
(1979) und J.V. Crivello, J.L. Lee and C.A. Conlon, Makromol. Chem.,
Macromol, Symp. 13/14, 145-160 (1988)). Diese Oniumsalze sind in Polyimidketten
eingebaut und spalten bei Belichtung an der Oniumeinheit, so daß
eine Reduktion des Molekulargewichts erreicht wird. Da die Quantenausbeute
der Oniumsalze <1 ist, ist die erreichbare Empfindlichkeit relativ gering.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, Photoresistmaterialien zur Vefügung
zu stellen, die eine homogene Verteilung der photoaktiven Gruppen
in der Resistschicht gewährleisten, hohe Empfindlichkeit zeigen und gegebenenfalls
trocken, d. h. ohne Anwendung von Lösungsmitteln entwickelbar
sind.
Diese Aufgabe läßt sich überraschenderweise durch die erfindungsgemäßen
strahlungsempfindlichen Polymeren lösen, die in der Polymerhauptkette
sowohl säurelabile, insbesondere Carbonatgruppierungen als auch Oniumsalzgruppen,
insbesondere Sulfoniumsalzgruppen, mit nichtnucleophilen
Gegenionen enthalten.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind strahlungsempfindliche Polymere,
die dadurch gekennzeichnet sind, daß sie in der Polymerhauptkette
sowohl säurelabile Gruppen, als auch Oniumsalzgruppierungen, insbesondere
Sulfoniumsalzgruppierungen mit nichtnucleophilen Gegenionen enthalten.
Die erfindungsgemäßen Strahlungsempfindlichen Polymeren enthalten vorzugsweise
Einheiten der allgemeinen Formel (I) und (III) oder (II) und (III)
enthalten, worin
R¹ und R² untereinander gleich oder verschieden sind und Alkylen, beispielsweise mit 1 bis 9 Kohlenstoffatomen, wie -CH₂-CH₂- oder -CH₂-CH₂-CH₂- Phenylen, Naphthylen oder substituiertes Phenylen, wie z. B.
R¹ und R² untereinander gleich oder verschieden sind und Alkylen, beispielsweise mit 1 bis 9 Kohlenstoffatomen, wie -CH₂-CH₂- oder -CH₂-CH₂-CH₂- Phenylen, Naphthylen oder substituiertes Phenylen, wie z. B.
bedeuten,
R³ Alkyl, beispielsweise mit 1 bis 9 Kohlenstoffatomen, wie z. B. Methyl, Ethyl, Cyclohexyl, Phenyl, Naphthyl oder subst. Phenyl, wie z. B. 4-tert.-Butylphenyl, 4-Methyl-phenyl oder 4-Methoxyphenyl,
R⁴ dreibindiger aliphatischer oder aromatischer Kohlenwasserstoffrest, wie z. B.
R³ Alkyl, beispielsweise mit 1 bis 9 Kohlenstoffatomen, wie z. B. Methyl, Ethyl, Cyclohexyl, Phenyl, Naphthyl oder subst. Phenyl, wie z. B. 4-tert.-Butylphenyl, 4-Methyl-phenyl oder 4-Methoxyphenyl,
R⁴ dreibindiger aliphatischer oder aromatischer Kohlenwasserstoffrest, wie z. B.
R⁵ und R⁶ untereinander gleich oder verschieden sind und Alkyl oder
Phenyl bedeuten oder R⁵ und R⁶ miteinander zu einem 5- oder
6-gliedrigen Ring geschlossen sind, wie z. B. Methyl, Phenyl,
4-Methylphenyl- oder -CH₂-CH₂-CH₂-CH₂-,
R⁷ Alkylen, beispielsweise mit 2 bis 10 Kohlenstoffatomen, Phenylen oder 1,4-Phenylendialkylen, wie z. B.
R⁷ Alkylen, beispielsweise mit 2 bis 10 Kohlenstoffatomen, Phenylen oder 1,4-Phenylendialkylen, wie z. B.
wobei zweiwertige Reste mit Verzweigungen, wie z. B.
bevorzugt sind, oder zweiwertige, Silicium enthaltende
Reste, wie z. B.
und
X Halogen, wie z. B. I, Br, ClO₄, F-SO₃, CF₃-SO₃, BF₄, PF₆, AsF₆ oder SbF₆
sein kann.
X Halogen, wie z. B. I, Br, ClO₄, F-SO₃, CF₃-SO₃, BF₄, PF₆, AsF₆ oder SbF₆
sein kann.
Die erfindungsgemäßen strahlungsempfindlichen Polymeren enthalten im
allgemeinen zwischen 2 und 50, vorzugsweise zwischen 5 und 25 Mol.%
Monomereinheiten mit Sulfoniumsalzgruppierungen einkondensiert.
Sie bestehen vorzugsweise aus kondensierten Einheiten,
mindestens einer der unter (I) angegebenen Einheiten mit
mindestens einer der unter (III) angegebenen Einheiten
oder
mindestens einer der unter (II) angegebenen Einheiten mit
mindestens einer der unter (III) angegebenen Einheiten
mindestens einer der unter (I) angegebenen Einheiten mit
mindestens einer der unter (III) angegebenen Einheiten
oder
mindestens einer der unter (II) angegebenen Einheiten mit
mindestens einer der unter (III) angegebenen Einheiten
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist auch ein positiv arbeitendes
Aufzeichnungsmaterial, bei dem die belichteten Bereiche mit einem alkalischen
Entwickler oder polaren Lösungsmittel oder im Vakuum entfernt
werden, wobei strahlungsempfindliche Polymere gemäß einem der vorhergehenden
Ansprüche eingesetzt werden.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist außerdem ein Verfahren zur
Herstellung von Halbleiterbauelementen, wobei ein erfindungsgemäßes strahlungsempfindliches
Polymer auf ein, ein Halbleitermaterial enthaltendes
Substrat aufgebracht, die strahlungsempfindliche Schicht in einem
gewünschten Muster mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlt, gegebenenfalls
auf Temperaturen von 60°C bis 120°C aufgeheizt, das Muster
entwickelt und die Herstellung des Halbleiterbauelementes in üblicher
Weise zu Ende geführt wird.
Zu den Aufbaukomponenten des erfindungsgemäßen Polymeren ist folgendes auszuführen:
Werden die erfindungsgemäßen Polymeren durch Polykondensationsreaktionen
aufgebaut, so können die Sulfoniumsalzeinheiten der allgemeinen Formel (I)
über die Hydroxylgruppen in das Polykondensat eingebaut werden. Beispiele
für solche Sulfoniumsalze sind:
R⁸ = H, Alkyl, Halogen, Alkoxy (C₁-C₆)
R⁹ = H, Alkyl, Halogen, Alkoxy (C₁-C₆).
R⁹ = H, Alkyl, Halogen, Alkoxy (C₁-C₆).
Obwohl diese Sulfoniumsalze bevorzugt sind, können auch solche
Monomerbausteine verwendet werden, bei denen die einkondensierbaren
Gruppen an einem Phenylrest lokalisiert sind. Beispiele derartiger
geeigneter Sulfoniumsalze sind:
X⊖ = Br⊖, Cl⊖, ClO₄⊖, FSO₃⊖, CF₃SO₃⊖, BF₄⊖, PF₆⊖, AsF₆⊖, SbF₆⊖
Im Sinne der Erfindung werden in das Copolymerisat solche Gruppierungen
eingebaut, welche durch Säure leicht spaltbar sind. Beispiele solcher
Gruppierungen sind Ether, Acetale, Orthoester, Carbonate und andere.
Bevorzugt werden als säurelabile Gruppe Carbonatgruppierungen erzeugt, so
daß als Cokondensationskomponenten aliphatische oder aromatische Diole in
Frage kommen. Beispiele für derartige Diole sind:
Die Polykondensationsreaktionen können nach bekannten Methoden durchgeführt
werden, indem mit Hilfe von Kohlensäurederivaten, wie Phosgen,
Carbonyl-bis-imidazol oder anderen geeigneten Derivaten kondensiert wird.
In speziellen Fällen erweist es sich als günstig, die Diolkomponenten mit
Kohlensäurederivaten vor der eigentlichen Kondensationsreaktion zu aktiven
Esterverbindungen folgender Struktur umzusetzen:
Weiterhin kommen auch eine Reihe von hydroxylterminierten Siloxanen
folgender Strukturformeln in Betracht:
n = 1-100.
Die Polykondensationsreaktionen lassen sich nach bekannten Methoden zur
Synthese von Polycarbonaten mit Phosgen (vgl. D. Braun, H. Cherdron und
W. Kern, Praktikum der makromolekularen organischen Chemie, S. 257),
Carbonyl-bis-imidazol (vgl. H. Staab, Angew. Chem., 74, 407, (1962) bzw.
aktiven Estern, wie 4-Nitrophenyl-carbonaten (vgl. J. Frechet, Makromol.
Chem., Rapid Comm. 7, 121-126 (1986), durchführen. Dabei werden die
hydroxyfunktionellen Sulfoniumsalze in entsprechenden Mengen mit den
entsprechenden Diolen bzw. den aktiven Esterderivaten in einem geeigneten
Lösungsmittel kondensiert.
Eine weitere Möglichkeit der Synthese der erfindungsgemäßen strahlungsempfindlichen
Polymeren ist die Herstellung eines Polykondensats, welches
Schwefelatome in der Hauptkette enthält und anschließend mit einem
Iodoniumsalz gemäß folgender Gleichung umgesetzt wird:
Zur Synthese von Sulfoniumsalzen über Iodoniumsalze vgl. J. Crivello,
Advances in Polymer Science 62, Springer Verlag Heidelberg 1984, S. 9 und
darin angegebene Literatur.
Die Molekulargewichte der erfindungsgemäßen Polymeren liegen im
allgemeinen zwischen 5 000 und 200 000, vorzugsweise zwischen 10 000 und
80 000 (Molekulargewicht ermittelt nach Lichtstreuung).
Für die Weiterverarbeitung und Verwendung werden die erfindungsgemäßen
Polymeren im allgemeinen in einem geeigneten Lösungsmittel, z. B.
Cyclohexanon, Ethylenglykol-ethylether-acetat oder Methylpropylen-
glykolacetat gelöst, als dünner Film von ca. 1 bis 2 µm auf ein Substrat,
beispielsweise einen Siliziumwafer aufgebracht, unter kontrollierten
Bedingungen z. B. zwischen 60°C und 120°C ausgeheizt, bildmäßig belichtet
und nochmals unter kontrollierten Bedingungen, zwischen 40°C und 120°C
ausgeheizt. Danach können die belichteten Bereiche mit einem alkalischen
oder polaren Lösungsmittel entfernt werden. Gegebenenfalls können die in
die Monomerbausteine zerfallenen belichteten Bereiche auch im Vakuum
entfernt und, gegebenenfalls mit Hilfe eines kurzen Nachspülvorganges mit
einem polaren Lösungsmittel, somit sauber ausgebildete Strukturen erzeugt
werden.
Geeignete Entwickler sind alkalische Lösungen im pH-Wertbereich oberhalb
11, z. B. wäßrige Lösungen von Alkalihydroxiden, Tetraalkylammoniumhydroxiden
oder Aminen, oder polare Lösungsmittel wie beispielsweise
Isopropanol.
Die erfindungsgemäßen Polymeren eignen sich für die Belichtung im
kurzwelligen UV-Bereich unterhalb 300 nm, mit Röntgen- und Elektronenstrahlen
sowie bei geeigneter Wahl der Monomerbausteine, d. h., solche die
im längerwelligen UV-Bereich absorbieren, oder bei Zusatz von
Sensibilisatoren, wie Phenothiazin oder Perylen, auch für die Belichtung
im nahen UV-Bereich oberhalb 300 nm.
Die erfindungsgemäßen strahlungsempfindlichen Polymeren eignen sich zur
Herstellung von Photoresists, insbesondere zur Herstellung von Resists für
die Mikrolithographie sowie als Leiterplattenresiste. Sie zeichnen sich
insbesondere durch hohe Empfindlichkeit, hohe Auflösung, gute
Ätzstabilität, hohe Beständigkeit gegen Plasmen, insbesondere Sauerstoffplasmen
bei Verwendung von Siloxanen in der Polymerkette sowie gegebenenfalls
Trockenentwickelbarkeit aus.
Die Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Verwendung
der erfindungsgemäßen strahlungsempfindlichen Polymeren erfolgt in üblicher
Weise mit Hilfe der Photolithographietechnik, wie sie beispielsweise in
"Peter Kästner, Halbleitertechnologie", Vogel-Verlag, Würzburg 1980,
Seiten 75 bis 117 beschrieben ist.
Die in den Beispielen genannten Teile und Prozente sind, soweit nicht
anders angegeben, Gewichtsteile bzw. Gewichtsprozente.
Es wird ein Polycarbonat analog der Vorschrift in D. Braun, H. Cherdron
und W. Kern, Praktikum der makromolekularen organischen Chemie,
Hüthig-Verlag, S. 257, dargestellt, indem anstatt Bisphenol A die analoge
Schwefelverbindung Bis-(hydroxyphenyl)-sulfid eingesetzt wird.
2,44 Teile dieses Polycarbonats (Poly-oxycarbonyloxy-1,4-phenylenthio-
1,4-phenylen), 4,7 Teile Diphenyliodonium-hexafluorarsenat und 0,2 Teile
Kupfer(II)acetat werden in einem Kolben zusammengegeben und 3 Stunden bei
120°C gerührt. Das Reaktionsgemisch wird in ein Becherglas gegeben und
dreimal mit Ether extrahiert. Es sind 3,0 Teile eines strahlungsempfindlichen
Polymeren entstanden, welches Carbonat (IR: 1730 cm-1) und
Sulfoniumhexafluorarsenat-gruppierungen (IR: 700 cm-1) enthält.
Elementaranalyse: C: 48,8 H: 3,9 S: 6,4 As: 12,1 F: 18,7 J: <0,5
Elementaranalyse: C: 48,8 H: 3,9 S: 6,4 As: 12,1 F: 18,7 J: <0,5
2,0 Teile dieses Polymeren werden in 8,0 Teilen Cyclohexanon gelöst, durch
ein Teflonfilter mit der Porenweite 0,2 µm filtriert und in einer
Schichtdicke von ca. 1,0 µm auf Siliziumwafer aufgeschleudert, die vorher
mit Hexamethyldisilazan als Haftvermittler behandelt wurden. Die
beschichteten Wafer wurden 5 Minuten bei 90°C auf einer Heizplatte
ausgeheizt. Die Wafer wurden dann in einem "Süss MA56 Kontakt/Proximity-
Belichter" im Kontaktverfahren mit Excimer-Laserlicht der Wellenlänge
248 nm durch eine chrombeschichtete Quarzmaske bildmäßig belichtet.
Optimale Belichtungszeiten liegen zwischen 5 und 10 Sekunden. Nach der
Belichtung werden die Wafer 1 Minute bei 90°C auf einer Heizplatte
ausgeheizt und anschließend entwickelt, indem sie 1 Minute in eine wäßrig
alkalische Lösung, z. B. Microposit® MF 319 (Shipley), getaucht werden. Es
werden sauber entwickelte Strukturen mit einer Auflösung von 1 µm
erhalten.
Es wird wie in Beispiel 1 verfahren, jedoch wird anstatt des
Polycarbonates aus reinem Bis-(hydroxyphenyl)sulfid ein Polycarbonat aus
einer 1 : 1 Mischung Bisphenol A und Bis-(hydroxyphenyl)-sulfid eingesetzt.
Die Belichtungszeiten liegen zwischen 10 und 20 Sekunden, ansonsten wird
wie in Beispiel 1 verfahren und man erhält ebenfalls sauber ausentwickelte
1 µm Strukturen.
Es wird wie in Beispiel 1 verfahren, jedoch wird das Polycarbonat aus
Beispiel 2 mit Diphenyliodonium-hexafluorophosphat anstatt dem Arsenat
umgesetzt. Die Lichtempfindlichkeit dieses Polymeren ist wesentlich
geringer, es werden Belichtungszeiten von ca. 50 Sekunden benötigt.
Als Ausgangsverbindungen für die Polykondensationsreaktion werden
Phenyl-bis-(4-hydroxiphenyl-)sulfoniumhexafluorarsenat gemäß Beispiel 2
in DE-OS-37 21 740 und Bis-(4-nitrophenyl)-1,1,4,4-tetramethyltetramethylen-
dicarbonat gemäß Vorschrift in Makromol. Chem., Rapid Comm. 7,
123 (1986) synthetisiert.
Ein strahlungsempfindliches Polymer wird durch Kondensation von
4,84 Teilen Phenyl-bis-(hydroxyphenyl)sulfoniumhexafluorarsenat mit
4,76 Teilen Bis-(4-nitrophenyl)-1,1,4,4-tetramethyltetramethylendicarbonat
in Gegenwart von 12 Teilen trockenem Kaliumcarbonat, 1,2 Teilen
Kronenether 18-crown-6 und 40 Teilen Dichlormethan durch Erhitzen am
Rückfluß während einer Reaktionszeit von 72 Stunden erhalten. Die Ausbeute
an rein weißem Polymer beträgt: 2,8 Teile. Die spektroskopische Anlyse
stimmt mit der erwarteten Struktur überein.
Molekulargewicht (LS): 57 500 g/mol
Molekulargewicht (LS): 57 500 g/mol
Die lithographischen Untersuchungen werden wie in Beispiel 1 durchgeführt.
Es resultieren Belichtungszeiten zwischen 0,5 und 1,5 Sekunden bei
ebenfalls sauber ausentwickelten 1 µm Strukturen.
Es wird wie in Beispiel 4 verfahren, jedoch wird anstatt Bis-(4-nitro-
phenyl)-1,1,4,4-tetramethyltetramethylen-dicarbonat Bis-(4-nitro-
phenyl)-1,4-phenylendiethyliden-dicarbonat verwendet. Ausbeute: 46%.
Testergebnis: die Untersuchungen werden wie in Beispiel 1 durchgeführt.
Bei einer Belichtungszeit von 25 Sekunden werden ausentwickelte Strukturen
enthalten.
Es wird wie in Beispiel 5 verfahren, jedoch wird anstatt Phenyl-bis-
(hydroxyphenyl)sulfoniumhexafluoroarsenat Phenyl-methyl-2,5-dihydroxy-
phenyl-sulfoniumhexafluorophosphat verwendet. Ausbeute: 23%.
Testergebnis: Die lithographischen Untersuchungen werden wie in Beispiel 1
durchgeführt und es resultieren ebenfalls sauber entwickelte Strukturen,
wenn man 10 Sekunden belichtet.
Claims (8)
1. Strahlungsempfindliche Polymere, dadurch gekennzeichnet, daß sie in
der Polymerhauptkette sowohl säurelabile Gruppen, als auch Oniumsalzgruppierungen
mit nichtnucleophilen Gegenionen enthalten.
2. Strahlungsempfindliche Polymere nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß sie als Oniumsalzgruppen Sulfoniumsalzgruppen enthalten.
3. Strahlungsempfindliche Polymere nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß sie Einheiten der allgemeinen Formel (I) und (III)
oder (II) und (III)
enthalten, worin
R¹ und R² untereinander gleich oder verschieden sind und Alkylen, Phenylen, substituiertes Phenylen oder Naphthylen bedeuten,
R³ = Alkyl, Phenyl, substituiertes Phenyl oder Naphthyl-,
R⁴ = dreibindiger aliphatischer oder aromatischer Kohlenwasserstoffrest,
R⁵ und R⁶ untereinander gleich oder verschieden sind und Alkyl oder Phenyl bedeuten oder R⁵ und R⁶ miteinander zu einem 5- oder 6-gliedrigen Ring geschlossen sind,
R⁷ = Alkylen, Phenylen, 1,4-Phenylen-dialkylen, oder zweiwertige Si-enthaltende Reste
und
X = Halogen, ClO₄, F-SO₃, CF₃-SO₃, BF₄, PF₆, AsF₆ oder SbF₆
sein kann.
R¹ und R² untereinander gleich oder verschieden sind und Alkylen, Phenylen, substituiertes Phenylen oder Naphthylen bedeuten,
R³ = Alkyl, Phenyl, substituiertes Phenyl oder Naphthyl-,
R⁴ = dreibindiger aliphatischer oder aromatischer Kohlenwasserstoffrest,
R⁵ und R⁶ untereinander gleich oder verschieden sind und Alkyl oder Phenyl bedeuten oder R⁵ und R⁶ miteinander zu einem 5- oder 6-gliedrigen Ring geschlossen sind,
R⁷ = Alkylen, Phenylen, 1,4-Phenylen-dialkylen, oder zweiwertige Si-enthaltende Reste
und
X = Halogen, ClO₄, F-SO₃, CF₃-SO₃, BF₄, PF₆, AsF₆ oder SbF₆
sein kann.
4. Strahlungsempfindliche Polymere nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß sie als säurelabile Gruppen Carbonatgruppen
enthalten.
5. Strahlungsempfindliche Polymere nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß sie zwischen 2 und 50 mol% Monomereinheiten
mit Sulfoniumsalzgruppierungen einkondensiert enthalten.
6. Strahlungsempfindliche Polymere nach einem der Ansprüche 3 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß sie aus kondensierten Einheiten mindestens
einer der unter (I) angegebenen Einheiten mit mindestens einer der
unter (III) angegebenen Einheiten oder mindestens einer der unter (II)
angegebenen Einheiten mit mindestens einer der unter (III) angegebenen
Einheiten
bestehen.
7. Positiv arbeitendes Aufzeichnungsmaterial, bei dem die belichteten
Bereiche mit einem alkalischen Entwickler oder polaren Lösungsmittel
oder im Vakuum entfernt werden, dadurch gekennzeichnet, daß
strahlungsempfindliche Polymere gemäß einem der vorhergehenden
Ansprüche eingesetzt werden.
8. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, dadurch
gekennzeichnet, daß man ein strahlungsempfindliches Polymer gemäß
einem der Ansprüche 1 bis 6 auf ein Halbleitermaterial enthaltendes
Substrat aufbringt, die strahlungsempfindliche Schicht in einem
gewünschten Muster mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlt,
gegebenenfalls auf Temperaturen von 60°C bis 120°C aufheizt, das
Muster entwickelt und die Herstellung des Halbleiterbauelementes in
üblicher Weise zu Ende führt.
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|---|---|---|---|
| DE3914407A DE3914407A1 (de) | 1989-04-29 | 1989-04-29 | Strahlungsempfindliche polymere und positiv arbeitendes aufzeichnungsmaterial |
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| EP90107724A EP0395992B1 (de) | 1989-04-29 | 1990-04-24 | Strahlungsempfindliche Polymere und positiv arbeitendes Aufzeichnungsmaterial |
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| DE (2) | DE3914407A1 (de) |
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