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DE1203835B - Circuit arrangement for frequency division and frequency multiplication - Google Patents

Circuit arrangement for frequency division and frequency multiplication

Info

Publication number
DE1203835B
DE1203835B DES86417A DES0086417A DE1203835B DE 1203835 B DE1203835 B DE 1203835B DE S86417 A DES86417 A DE S86417A DE S0086417 A DES0086417 A DE S0086417A DE 1203835 B DE1203835 B DE 1203835B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
frequency
feedback
circuit arrangement
division
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES86417A
Other languages
German (de)
Inventor
Josef Doemer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES86417A priority Critical patent/DE1203835B/en
Priority to SE9167/64A priority patent/SE313349B/xx
Publication of DE1203835B publication Critical patent/DE1203835B/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B19/00Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
    • H03B19/06Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes
    • H03B19/14Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source by means of discharge device or semiconductor device with more than two electrodes by means of a semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B21/00Generation of oscillations by combining unmodulated signals of different frequencies
    • H03B21/01Generation of oscillations by combining unmodulated signals of different frequencies by beating unmodulated signals of different frequencies
    • H03B21/02Generation of oscillations by combining unmodulated signals of different frequencies by beating unmodulated signals of different frequencies by plural beating, i.e. for frequency synthesis ; Beating in combination with multiplication or division of frequency

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Description

Schaltungsanordnung zur Frequenzteilung und Frequenzvervielfachung Zusatz zum Patent: 1168 508 Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Teilung und Vervielfachung einer Frequenz nf in einem vorgegebenen, rationalen Teilungsverhältnis n gleich oder größer 3 unter Verwendung eines mitgezogenen Oszillators mit Mehrfachrückkopplung mittels in Reihe geschalteter Schwingkreise im Ausgangskreis des Oszillators und einer Reihenschaltung der den einzelnen Schwingkreisen zugehörigen Kopplungswicklungen im Rückkopplungskreis des Oszillators, der nach dem Hauptpatent so ausgebildet ist, daß bei Teilungsverhältnissen die sich in q-Faktoren PI, p2 ... p" zerlegen lassen, q-Rückkopplungswege bestehen, die auf die Frequenzen abgestimmt und so bemessen sind, daß sich die Schwingungen in der Reihenfolge von hohen zu tiefen Frequenzen erregen, daß bei anderen Teilungsverhältnissen zwei Rückkopplungswege bestehen, die auf die Frequenzen (n-1) f und f abgestimmt und so bemessen sind, daß sich die Schwingung mit der tieferen Frequenz zuerst erregt, daß jeder in einem Rückkopplungsweg liegende Schwingkreis einen Amplitudenbegrenzer enthält und daß eine während des Betriebs dauernd am Oszillatoreingang liegende Vorspannung den Teilungsvorgang unterbricht, wenn die absolute Größe der Eingangsspannung mit der zu teilenden Frequenz nf kleiner ist als die absolute Größe der Vorspannung.Circuit arrangement for frequency division and frequency multiplication Addendum to patent: 1168 508 The invention relates to a circuit arrangement for division and multiplication of a frequency nf in a given, rational division ratio n equal to or greater than 3 using a dragged oscillator with multiple feedback by means of resonant circuits connected in series in the output circuit of the oscillator and a series connection of the coupling windings associated with the individual resonant circuits in the feedback circuit of the oscillator, which is designed according to the main patent so that in the case of division ratios that can be broken down into q-factors PI, p2 ... p ", there are q-feedback paths that lead to the Frequencies are matched and dimensioned so that the vibrations are excited in the order from high to low frequencies, that with other division ratios there are two feedback paths that are matched to the frequencies (n-1) f and f and dimensioned so that the oscillation with the lower frequency first excited that each resonant circuit lying in a feedback path contains an amplitude limiter and that a bias voltage continuously applied to the oscillator input during operation interrupts the division process if the absolute value of the input voltage with the frequency to be divided nf is smaller than the absolute value the preload.

Zur weiteren Vervollkommnung der Schaltungsanordnung nach dem Hauptpatent werden gemäß der Erfindung die Amplitudenbegrenzer derart ausgebildet, daß sie nur eine Halbwelle der jeweiligen Schwingkreisspannung begrenzen. Ferner wird im Emitterkreis des- jeweiligen Transistors eine aus ohmschem Widerstand und Kapazität bestehende Parallelschaltung zur Gleichstromgegenkopplung angeschaltet. Der ohmsche Widerstand dieser Parallelschaltung kann vorteilhaft zugleich in den zur Erzeugung der Transistorvorspannung angeschalteten Spannungsteiler einbezogen sein. Bei mehreren gleichartigen, unmittelbar hintereinandergeschalteten Teilerstufen erfolgt die Aussteuerung der nachfolgenden Stufe mit der nichtbegrenzten Halbwelle der vorhergehenden Stufe.To further perfect the circuit arrangement according to the main patent are formed according to the invention, the amplitude limiter such that they only limit a half-wave of the respective resonant circuit voltage. Furthermore, in the emitter circuit of the respective transistor consists of an ohmic resistance and capacitance Connected in parallel to direct current negative feedback. The ohmic resistance this parallel connection can advantageously be used at the same time to generate the transistor bias connected voltage divider must be included. If there are several similar, immediately successive divider stages are used to control the following Stage with the unlimited half-wave of the previous stage.

Durch diese Maßnahmen wird eine Einsparung von Bauteilen, insbesondere von Halbleiterdioden und Kondensatoren, erreicht. Die Einbeziehung des RC-Gliedes, das der Gleichstromgegenkopplung dient, in den zur Startpunkteinstellung vorgesehenen Spannungsteiler ermöglicht ferner eine Erniedrigung des Gleichstromverbrauchs gegenüber bisher bekannten Frequenzteilerschaltungen, da der Gleichstromgegenkopplungswiderstand größer gewählt werden kann als der bei den bekannten Schaltungen benötigte Wechselstromgegenkopplungswiderstand. Bei unmittelbarer Hintereinanderschaltung gleichartiger Frequenzteilerstufen werden die gleichen günstigen Eigenschaften der Schaltung wie bei sinusförmiger Aussteuerung erreicht, da jeweils nur die nicht verzerrte Halbwelle der Ausgangsspannung der Vorstufe zur Aussteuerung der nachfolgenden Stufe verwendet wird.These measures result in a saving of components, in particular of semiconductor diodes and capacitors. The inclusion of the RC element, which is used for direct current negative feedback, in the ones provided for setting the starting point Voltage divider also enables the direct current consumption to be reduced previously known frequency divider circuits, since the DC negative feedback resistance can be selected to be greater than the AC negative feedback resistance required in the known circuits. When similar frequency divider stages are connected directly in series the same favorable properties of the circuit as with sinusoidal modulation achieved, since only the undistorted half-wave of the output voltage of the Pre-stage is used to control the subsequent stage.

An Hand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles wird die Erfindung näher erläutert.On the basis of the embodiment shown in the drawing the invention explained in more detail.

Es wird eine Schaltungsanordnung gezeigt, bei der zwei gleichartige Frequenzteilerstufen in Reihe geschaltet sind. Die Temperaturkompensation für diese Stufen erfolgt zentral mit Hilfe des zwischen den Basen der beiden Transistoren 1 und 2 und dem positiven Pol der Gleichspannungsquelle 3 geschalteten Thernewiden 4, des zu ihm parallelliegenden kapazitiven Widerstandes 5 sowie des zwischen dem Verbindungspunkt dieser Parallelschaltung und dem negativen Pol der Spannungsquelle 3 liegenden ohmschen Widerstandes 6. Das Teilungsverhältnis der beiden Frequenzteilerstufen beträgt jeweils 4:1. Die Eingangsspannung mit der zu teilenden Frequenz 41 wird über die Basis des Transistors 1 angekoppelt. In Reihe zur Sekundärwicklung 8 des Eingangsübertragers 7 liegen die zu den im Kollektorkreis des Transistors 1 angeschalteten Resonanzübertragern 9 und 10 gehörigen Rückkopplungswicklungen 11 und 12. Der Resonanzübertrager 9 ist mittels der Kapazitäten 13 auf die Frequenz 2 f und der Resonanzübertrager 10 ist mittels der Kapazität 14 auf die Frequenz f abgestimmt. Dem Kollektor wird eine negative Spannung über die Primärwicklungen der Resonanzübertrager 9 und 10 zugeleitet. Der Emitter ist über den Gleichstromgegenkopplungswiderstand 15, der durch eine Kapazität 16 wechselstrommäßig überbrückt ist, sowie über den zum Spannungsteiler für die Starteinstellung der Teilerstufe gehörigen Widerstand 17 mit dem positiven Pol der Versorgungsspannungsquelle 3 verbunden. Zwischen Emitter und negativem Pol der Gleichspannungsquelle liegt der ebenfalls zum Spannungsteiler für die Starteinstellung gehörige ohmsche Widerstand 18. Die Spannungsbegrenzung der an den Resonanzübertragern entstehenden Spannungen erfolgt mittels der induktiv an die Resonanzübertrager angekoppelten Halbleiterdioden 19 und 20. Die Begrenzerdioden sind so geschaltet, daß in der Kollektorstrom führenden Phase die jeweilige Schwingkreisspannung begrenzt wird. Die 2. Stufe der Teileranordnung ist genauso aufgebaut wie die bereits beschriebene Teilerstufe 1.A circuit arrangement is shown in which two frequency divider stages of the same type are connected in series. The temperature compensation for these stages takes place centrally with the help of the Thernewiden 4 connected between the bases of the two transistors 1 and 2 and the positive pole of the DC voltage source 3, the capacitive resistor 5 parallel to it and the one between the connection point of this parallel connection and the negative pole of the voltage source 3 lying ohmic resistance 6. The division ratio of the two frequency divider stages is 4: 1 each. The input voltage with the frequency 41 to be divided is coupled via the base of the transistor 1. In series with the secondary winding 8 of the input transformer 7 to the turned in the collector circuit of the transistor 1 Resonanzübertragern 9 and 10 associated feedback windings 11 are located and 12. The resonance transformer 9 is f by means of the capacitors 13 to the frequency 2 and the resonance transformer 10 is by means of the capacitance 14 tuned to the frequency f. A negative voltage is fed to the collector via the primary windings of the resonance transformers 9 and 10. The emitter is connected to the positive pole of the supply voltage source 3 via the direct current negative feedback resistor 15, which is alternately bridged by a capacitance 16 , and via the resistor 17 belonging to the voltage divider for the start setting of the divider stage. Between the emitter and the negative pole of the DC voltage source which is also the voltage divider corresponding to the initial setting ohmic resistance is 18. The voltage limiting of the resultant to the Resonanzübertragern voltages is effected by means of inductively coupled to the resonant transformer semiconductor diodes 19 and 20. The limiter diodes are connected so that in the Collector current carrying phase the respective resonant circuit voltage is limited. The 2nd stage of the divider arrangement is constructed in exactly the same way as divider stage 1 already described.

Die zu teilende Frequenz 4 f wird dem Eingangskreis der 1. Teilerstufe zugeführt. Durch die spezielle Dimensionierung der im Kollektorkreis liegenden Schwingkreise beginnt zuerst der auf 2 f abgestimmte Schwingkreis anzuschwingen. Durch Rückkopplung der Frequenz 2 f und Mischung mit der Eingangsfrequenz 4 f im Transistor 1 entsteht eine stabile Frequenz von 2f. Etwas später schwingt der auf die Frequenz f abgestimmte Schwingkreis an, und durch Mischung mit der Frequenz 2 f im Transistor 1 entsteht schließlich die gewünschte geteilte Ausgangsfrequenz f. Um bei einer derartigen Mehrfachrückkopplung die Unterdrückung von Schwingungen verschiedener Frequenz durch jeweils eine Schwingung einer bestimmten Frequenz zu vermeiden, sind Amplitudenbegrenzer zur Begrenzung der Spannungen der jeweils angelegten Frequenzen für jeden Schwingkreis vorgesehen. Beim Ausführungsbeispiel wird jeweils nur eine Halbwelle der entstehenden Schwingungen begrenzt. Das Anschwingen des Frequenzteilers erfolgt beim eingestellten Schwellwert. Die Einstellung dieses Schwellwertes wird mittels des aus den Widerständen 18, 17 und 15 bestehenden Spannungsteilers dadurch vorgenommen, daß am Emitter eine negative Vorspannung entsteht, die erst durch die Eingangsspannung mit der zu teilenden Frequenz überwunden werden muß. Die Ausgangsfrequenz f wird dann einer zweiten Teilerstufe zugeführt, in der eine weitere Teilung 4:1 erfolgt. Zur Temperaturkompensation, die bei diesem Ausführungsbeispiel zentral vorgenommen wird, dient der bereits erwähnte Thernewid 4. Wegen des geringen Gleichstromverbrauchs läßt sich eine derartige Schaltungsanordnung besonders vorteilhaft bei Anordnungen verwenden, die für tragbare Geräte oder ferngespeiste Ämter benötigt werden.The frequency to be divided 4 f becomes the input circuit of the 1st divider stage fed. Due to the special dimensioning of the oscillating circuits in the collector circuit the resonant circuit tuned to 2 f begins to oscillate first. Through feedback the frequency 2 f and mixing with the input frequency 4 f in the transistor 1 is produced a stable frequency of 2f. A little later the tuned to frequency f oscillates Resonant circuit on, and is created by mixing with the frequency 2 f in transistor 1 finally the desired divided output frequency f. Um with such a Multiple feedback through the suppression of vibrations of different frequencies To avoid an oscillation of a certain frequency in each case, amplitude limiters are used to limit the voltages of the applied frequencies for each resonant circuit intended. In the exemplary embodiment, only one half-wave of the resulting Limited vibrations. The frequency divider starts to oscillate when the Threshold. The setting of this threshold value is made by means of the resistors 18, 17 and 15 existing voltage divider made in that a negative bias arises, which is only caused by the input voltage to be divided with the Frequency must be overcome. The output frequency f is then a second divider stage fed, in which a further division 4: 1 takes place. For temperature compensation, which is carried out centrally in this exemplary embodiment, the one already mentioned is used Thernewid 4. Because of the low direct current consumption, such a circuit arrangement particularly advantageous to use in arrangements for portable or remote-powered devices Offices are needed.

Claims (4)

Patentansprüche: 1. Schaltungsanordnung zur Teilung und Vervielfachung einer Frequenz nf in einem vorgegebenen rationalen Verhältnis für Teilungsverhältnisse n gleich oder größer 3 unter Verwendung eines mitgezogenen Oszillators mit Mehrfachrückkopplung mittels in Reihe geschalteter Schwingkreise im Ausgangskreis des Oszillators und einer Reihenschaltung der den einzelnen Schwingkreisen zugehörigen Kopplungswicklungen im Rückkopplungskreis des Oszillators und bei dem nach Patent 1168 508 bei Teilungsverhältnissen, die sich in q-Faktoren p1, p2 . .. p. zerlegen lassen, q-Rückkopplungswege bestehen, die auf die Frequenzen abgestimmt und so bemessen sind, daß sich die Schwingungen in der Reihenfolge von hohen zu tiefen Frequenzen erregen, daß bei anderen Teilungsverhältnissen zwei Rückkopplungswege bestehen, die auf die Frequenzen (h-1) f und f abgestimmt und so bemessen sind, daß sich die Schwingung mit der tieferen Frequenz zuerst erregt, daß jeder in einem Rückkopplungsweg liegende Schwingkreis einen Amplitudenbegrenzer enthält und daß eine während des Betriebs dauernd am Oszillatoreingang liegende Vorspannung den Teilungsvorgang unterbricht, wenn die absolute Größe der Eingangsspannung mit der zu teilenden Frequenz nf kleiner ist als die absolute Größe der Vorspannung, dadurch gekennzeichnet, daß die Amplitudenbegrenzer derart ausgebildet sind, daß sie nur eine Halbwelle der jeweiligen Schwingkreisspannung begrenzen. Claims: 1. Circuit arrangement for division and multiplication of a frequency nf in a given rational ratio for division ratios n equal to or greater than 3 using a dragged oscillator with multiple feedback by means of resonant circuits connected in series in the output circuit of the oscillator and a series connection of the coupling windings belonging to the individual resonant circuits Feedback circuit of the oscillator and in the case of the patent 1168 508 with division ratios, which are in q-factors p1, p2 . .. p. let them decompose, q-feedback paths exist on the frequencies are matched and dimensioned so that the vibrations are excited in the order from high to low frequencies, that with other division ratios there are two feedback paths that are matched to the frequencies (h-1) f and f and dimensioned so that the oscillation with the lower frequency first excited that each resonant circuit lying in a feedback path contains an amplitude limiter and that a bias voltage continuously applied to the oscillator input during operation interrupts the division process if the absolute value of the input voltage with the frequency to be divided nf is smaller than the absolute value the preload, characterized in that the amplitude limiters are designed in such a way that they limit only one half-cycle of the respective resonant circuit voltage. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im Emitterkreis des . jeweiligen Transistors eine aus ohmschem Widerstand und Kapazität bestehende Parallelschaltung zur Gleichstromgegenkopplung angeschaltet ist. 2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the emitter circuit des. respective transistor a parallel circuit consisting of ohmic resistance and capacitance for direct current negative feedback is turned on. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der ohmsche Widerstand der Parallelschaltung zur Gleichstromgegenkopplung zugleich in den zur Erzeugung der Transistorvorspannung angeschalteten Spannungsteiler einbezogen ist. 3. Circuit arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that that the ohmic resistance of the parallel connection to the DC negative feedback at the same time included in the voltage divider connected to generate the transistor bias is. 4. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei mehreren gleichartigen, unmittelbar hintereinandergeschalteten Teilerstufen die Aussteuerung der nachfolgenden Stufe mit der nicht begrenzten Halbwelle der vorhergehenden Stufe erfolgt.4. Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that that with several similar divider stages connected directly one after the other the modulation of the subsequent stage with the unlimited half-wave of the previous stage takes place.
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