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DE1299707B - Schaltungsanordnung zum kontaktlosen Schalten von Wechselspannungssignalen - Google Patents

Schaltungsanordnung zum kontaktlosen Schalten von Wechselspannungssignalen

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Publication number
DE1299707B
DE1299707B DE1968S0113790 DES0113790A DE1299707B DE 1299707 B DE1299707 B DE 1299707B DE 1968S0113790 DE1968S0113790 DE 1968S0113790 DE S0113790 A DES0113790 A DE S0113790A DE 1299707 B DE1299707 B DE 1299707B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
switch
transistors
voltage
controlled
branch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE1968S0113790
Other languages
English (en)
Inventor
Wizorke Martin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DE1968S0113790 priority Critical patent/DE1299707B/de
Publication of DE1299707B publication Critical patent/DE1299707B/de
Pending legal-status Critical Current

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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/68Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors specially adapted for switching AC currents or voltages
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    • H03K17/62Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • H03K17/6221Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors combined with selecting means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum kontaktlosen Schalten von Wechselspannungssignalen mit einem im Längszweig und einem im Querzweig liegenden elektronischen Schalter, welche derart angesteuert sind, daß bei geöffnetem, im Längszweig liegendem Schalter der im Querzweig liegende geschlossen und bei geschlossenem, im Längszweig liegenden Schalter geöffnet ist. Bei einer bekannten derartigen Schaltungsanordnung ist der im Querzweig liegende Schalter ein Schalttransistor, der durch einen seiner Basis zugeführten Tastimpuls bis zur Sättigung durchgesteuert wird. Zwischen. dem Anschluß der Kollektor-Emitter-Strecke dieses Schalttransistors und den Signalausgang ist eine Diode geschaltet, an die eine Sperrspannung gelegt wird, wenn der Schalttransistor im leitenden Zustand ist. Eine derartige Schaltungsanordnung ist für elektroakustische Anlagen kaum geeignet, da er hinsichtlich Klirrfaktor; Verhältnis von Sperr- zu Durchlaßdämpfung und insbesondere der Knackgeräusche beim Umschalten den an solche Anlagen gestellten Forderungen nicht genügt.
  • Kontaktlose Schalter werden bevorzugt eingesetzt, wenn wegen häufigen Schalters Relais hinsichtlich Störungsfreiheit, Wartung und Kontaktzuverlässigkeit unbefriedigend sind. Man ist auch bemüht, kontaktlose Schalter in Kreuzschienenverteiler einzusetzen, da wegen der großen Zahl von Kontaktstellen die einzelnen Kontakte eine hohe Zuverlässigkeit aufweisen sollen. In einem Kreuzschienenverteiler werden bekanntlich eine Anzahl von Informationsquellen auf eine Anzahl von Informationsverbrauchern wahlweise durchverbunden. Eingangs- und Ausgangsschienen kreuzen dabei einander so, daß sich eine Matrix von Kreuzungspunkten ergibt und durch Verbinden der Schienen an einem Kreuzungspunkt ein Eingang auf einen Ausgang geschaltet wird. Solche Verteiler wurden bisher mit Relais aufgebaut, obwohl diesen verschiedene Mängel anhaften. Sie haben jedoch den großen Vorteil einer großen Sperrdämpfung, die bisher mit kontaktlosen, aus Halbleiterbauelementen aufgebauten Schaltern nicht erreicht werden konnte.
  • In F i g. 1 ist ein kontaktloser Schalter dargestellt, der für den Einsatz in Kreuzschienenverteiler vorgeschlagen wurde. Das Eingangssignal wird über einen Übertrager Vi, dessen Sekundärwicklung eine Mittelanzapfung enthält, den Kollektoren von zwei Transistoren T1 und T2 zugeführt. In den Emitterkreisen dieser Transistoren liegt die Primärwicklung eines Ausgangsübertragers Ü2, die ebenfalls eine Mittelanzapfung enthält. An die Mittelanzapfungen der Übertrager ist die Speisespannung angeschlossen. Die Basisanschlüsse der Transistoren T1 und T2 sind über Widerstände miteinander .verbunden und liegen über einen Schalter an dem Pluspol der Speisespannung: Wird der Schalter geschlossen, so führen die beiden Transistoren Strom, und das Wechselspannungssignal gelangt vom Eingangsübertrager zum Ausgangsübertrager. Die Sperrdämpfung eines solchen Schalters ist bei höheren Frequenzen nur gering, da die Kollektor-Emitter-Kapazitäten der Transistoren im Vergleich zum Belastungswiderstand am Ausgang so groß sind, daß am Ausgang ein störendes Wechselspannungssignal auftritt. Zur Erhöhung der Sperrdämpfung hat man deshalb Kompensationskondensatoren C3 und C4 vorgesehen, deren Abgleich aber sehr kritisch und temperaturabhängig ist. Es kann kaum eine Dämpfung von mehr als 90 db erreicht werden. Für Tonkreuzschienenverteiler ist dagegen eine Dämpfung von mindestens 100 db erforderlich.
  • Es wurden auch Dämpfungsglieder vorgeschlagen (Patentanmeldung S 104916 VIII c/21 a2), die eine Diodenbrücke enthalten. Die Brücke ist so in den Signalweg geschaltet, daß zwei Brückenzweige mit je zwei gegensinnig geschalteten Diodenstrecken den Signalweg überbrücken. An die Brückenzweige sind zwischen den Diodenstrecken die beiden Pole einer Steuergleichspannung angeschlossen. Der Diodenbrücke ist in dein Signalweg ein Widerstand mit einem solchen Widerstandswert vorgeschaltet, daß, wenn die Dioden in Durchlaßrichtung gepolt sind, das Verhältnis des aus dem Durchlaßwiderstand der Diodenbrücke und dem Vorwiderstand klein ist und der Signalpegel entsprechend erniedrigt wird und daß, wenn die Dioden in Sperrichtung gepolt sind, das Spannungsteilerverhältnis groß ist und der Signalpegel nur wenig erniedrigt wird. Eine solche Diodenbrücke kann als Schalter verwendet werden, dessen Sperrdämpfung größer als die des Schalters nach F i g. 1 ist, aber noch nicht völlig den Anforderungen genügt, die an einen Schalter für einen Kreuzschienenverteiler gestellt werden. Weitere Nachteile dieses Schalters sind darin zu sehen, daß die Widerstände R die Wechselstromquelle belasten und daß Ungleichheiten der Diodenbrücke beim Schalten der Gleichspannung zu Knackstörungen am Ausgang führen.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen kontaktlosen Schalter zu schaffen, der insbesondere für Tonkreuzschienenverteiler geeignet ist und bei dem die Nachteile der vorbekannten Schalter vermieden sind, der aber dennoch günstige Eigenschaften hinsichtlich seines Frequenzganges, seines Klirrfaktors und seiner Aussteuerfähigkeit aufweist. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Wechselspannung auf einer symmetrischen Leitung geführt ist, in deren Adern jeweils ein im Längszweig liegender, als Schalter wirkender Transistor vorgesehen ist, auf die eine den im Querzweig liegenden Schalter bildende Diodenbrücke folgt, welche die Signalwege überbrückt, und daß die Kollektor- oder Emitterströme der im Längszweig liegenden Transistoren einen gemeinsamen Widerstand durchfließen und an diesem einen Spannungsabfall erzeugen, der größer als die an einem Spannungsteiler abgegriffene konstante Spannung ist, so daß die von der Differenz dieser Spannung angesteuerte Diodenbrücke bei durchgesteuerten Transistoren gesperrt und bei gesperrten Transistoren durchgeschaltet ist. Dadurch, daß für die in den Längszweigen liegenden Schalter Transistoren und für den im Querzweig liegenden Schalter eine gesteuerte Diodenbrücke verwendet ist, wird die Signalquelle nur wenig belastet, und es entsteht beim Umschalten nur eine niedrige Knackspannung.
  • Unter Umständen ist der niedrige Ausgangswiderstand des geöffneten Schalters unerwünscht, insbesondere dann, wenn, wie im Falle eines Kreuzschienenverteilers, eine von vielen Eingängen auf eine gemeinsame Ausgangsschiene geschaltet wird. Die jeweils sperrenden Schalter würden die jeweils durchgeschaltete Signalquelle kurzschließen. Um dies zu vermeiden, ist in die Signalwege des Schalters je ein weiterer, zum ersten Schalter in Reihe liegender und parallel zu diesem angesteuerter Schalter vorgesehen.
  • Bei Einsatz des Schalters nach der Erfindung in einem Kreuzschienenverteiler, wozu er besonders geeignet ist, ist außerdem vorzugsweise für jede Ausgangsschiene jeweils eine weitere Diodenbrücke vorgesehen, die über Entkopplungsdioden von allen Kreuzpunkten oder von einer Verriegelungsschaltung, die verhindert, daß mehrere Eingänge auf einen Ausgang geschaltet sind, angesteuert wird.
  • An Hand der F i g. 2 und 3, in denen Ausführungsbeispiele der Erfindung dargestellt sind, werden im folgenden die Erfindung sowie weitere Vorteile und Ergänzungen näher beschrieben und erläutert.
  • F i g. 2 zeigt das Schaltbild eines bevorzugten Schalters nach der Erfindung.
  • In F i g. 3 ist ein mit Schaltern nach der Erfindung aufgebauter Kreuzschienenverteiler im Prinzip dargestellt.
  • Die zu schaltende Wechselspannung wird über einen übertrager ü1 dem Schalter zugeführt. An der Sekundärwicklung des Eingangsübertragers liegen die Kollektoren der Transistoren T3 und T4, an deren Emitter ein weiteres Transistorpaar T5, TB in Reihe geschaltet ist, in deren Emitterkreis die Primärwicklung des Ausgangsübertragers liegt. Die Basiselektroden der Transistoren sind entkoppelt parallel geschaltet und werden über einen Schalter S von dem Pluspol der Speisespannung angesteuert. Eine Diode D3 dient dazu, etwaige Rückströme in der Ansteuerschaltung zu verhindern.
  • Zwischen den beiden Transistorpaaren liegt über zwei Kondensatoren C5 und C, die eine Diagonale einer Diodenbrücke D4, deren andere Diagonale mit einer Spannung angesteuert wird, die aus der Differenz zwischen einer an einem Potentiometer RJR2 abgegriffenen konstanten Spannung und der an dem gemeinsamen Emitterwiderstand R3 der Transistoren T5 und T8 abfallenden Spannung gebildet wird. Die Kollektorgleichspannung der Transistoren T3 und T4 wird über einen Widerstand und über jeweils eine Wicklungshälfte der Sekundärwicklung des Eingangsübertragers zugeführt.
  • Bei geöffnetem Schalter S sind die Transistoren T3 ... T8 gesperrt, während die Dioden der Brücke D4 einen durch die Widerstände R1 und R3 begrenzten Strom aus der Gleichspannungsquelle führen. Das Verhältnis des aus dem Brückenwiderstand und dem Innenwiderstand der Transistoren T3 und T4 gebildeten Spannungsteilers ist daher niedrig, und an der Diodenbrücke liegt nur eine kleine Wechselspannung. Diese kleine Wechselspannung wird an einem weiteren Spannungsteiler, der von den Transistoren T5 und TB und dem Lastwiderstand RL gebildet wird, nochmals verkleinert. Mit einer solchen Schaltung werden auch ohne Kompensation der Kollektor-Emitter-Kapazitäten der Transistoren Sperrdämpfungen von mehr als 100 db z. B. 115 db bei 15 kHz erreicht.
  • Ist der Schalter S geschlossen, so werden die Transistorschalter T3 ... T6 geöffnet, und es fließt ein Strom über den gemeinsamen Emitterwiderstand R3. Dieser Widerstand ist in Verbindung mit den Emitterströmen und dem Spannungsteilerverhältnis der Widerstände R1 und R2 so gewählt, daß der Spannungsanfall an ihm größer ist als die Spannung am Widerstand R2, so daß die Dioden der Brücke D4 gesperrt werden. Das Spannungsteilerverhältnis des Innenwiderstandes der Transistoren T3 und T4 zu dem dynamischen Widerstand der Brücke D4 wird damit nahezu gleich Null; der Schalter ist geöffnet. Eine Besonderheit des neuen kontaktlosen Schalters liegt darin, daß die Diodenbrücke D4 von den Transistoren T3, T4 zwangläufig umgekehrt mitgesteuert wird. Zur Verminderung von Knackspannungen kann zwischen der Steuerleitung der Transistoren und Masse ein Kondensator C eingeschaltet sein. Die beschriebene Schaltung nach F i g. 2 zeichnet sich durch ihre besonders hohe Sperrdämpfung bei gleichzeitig guten übertragungseigenschaften aus. Es sind zahlreiche Variationen möglich, die im allgemeinen eine Verschlechterung der übertragungscharakteristik zur Folge haben. Beispielsweise können die Transistoren T3 ... T, durch Diodenbrvcken oderkund die Diodenbrücke D4 durch Transistoren ersetzt werden. Es ist auch eine unsymmetrische Einspeisung der Signalwechselspannung möglich. In diesem Falle müßte die Schaltung mit einer erdfreien Gleichspannung angesteuert werden, damit keine Knackspannung beim Umschalten auftritt.
  • Mit dem Kreuzschienenverteiler nach F i g. 3 kann wahlweise je einer der Eingänge El ... En auf einen der Ausgänge A 1... Am durchgeschaltet werden. In jedem Kreuzungspunkt der Sammelschienen für die Eingangs- und Ausgangssignale liegt jeweils ein Schalter S11, S12 ... S"," nach Art des in F i g. 2 dargestellten. Einige Bauteile können allen Schaltern gemeinsam sein, so z. B. der Spannungsteiler RJR2 zur Erzeugung der Vorspannung für die Diodenbrükken D4. Zur weiteren Verminderung des Übersprechens ist in jeder Ausgangsschiene eine weitere Diodenbrücke DA 1 ... DA," vorgesehen, welche die Ausgangsschiene kurzschließt, wenn keiner der zugehörigen Schalter angesteuert ist. Ist dagegen ein Schalter angesteuert, so muß der Kurzschluß aufgehoben werden. Die Diodenbrücken werden mit den Potentialen angesteuert, die an den Widerständen R3 der einzelnen Schalter abgegriffen und mit denen die Diodenbrücken D4 angesteuert werden. Zweckmäßig werden diese Potentiale über Entkopplungsdioden D5 auf eine Sammelschiene geführt.

Claims (7)

  1. Patentansprüche: 1. Schaltungsanordnung zum kontaktlosen Schalten von Wechselspannungssignalen mit einem im Längszweig und einem im Querzweig liegenden elektronischen Schalter, welche derart angesteuert sind, daß bei geöffnetem, im Längszweig liegenden Schalter der im Querzweig liegende geschlossen und bei geschlossenem, im Längszweig liegende Schalter geöffnet ist, d a -durch gekennzeichnet, daß die Wechselspannung auf einer symmetrischen Leitung geführt ist, in deren Adern jeweils ein im Längszweig liegender, als Schalter wirkender Transistor vorgesehen ist, auf die eine den im Querzweig liegenden Schalter bildende Diodenbrücke (D4) folgt, welche die Signalwege überbrückt, und daß die Kollektor- oder Emitterströme der im Längszweig liegenden Transistoren (T3, T4) einen gemeinsamen Widerstand (R.) durchfließen und an diesem einen Spannungsabfall erzeugen, der größer als die an einem Spannungsteiler (R1, R2) abgegriffene konstante Spannung ist, so daß die von der Differenz dieser Spannung angesteuerte Diodenbrücke (D4) bei durchgesteuerten Transistoren (T3, T4) gesperrt und bei gesperrten Transistoren durchgeschaltet ist.
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Sekundärwicklung des Eingangsübertragers (EU) und die Primärwicklung des Ausgangsübertragers (AÜ) jeweils eine Mittelanzapfung aufweisen, über welche die Speisespannung (UB) zugeführt wird und daß an der Mittelanzapfung des Eingangsübertragers (EÜ) über einen Schalter (S) die Basisanschlüsse der Transistoren (T3, T4) liegen, deren Kollektor-Emitter-Strecken in Reihe mit der Sekundärwicklung des Eingangsübertragers (EU) und der Primärwicklung des Ausgangsübertragers (AÜ) liegen.
  3. 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in den Signalwegen auf die im Querzweig liegende Diodenbrücke (D4) je ein weiterer, zu den Transistoren (T3, T4) in Reihe liegender und parallel zu diesen angesteuerter Schalter (T5, T6) liegt.
  4. 4. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Schalter (S) und die Basisanschlüsse der Transistoren (T3 ... T6) eine Diode (D3) geschaltet ist.
  5. 5. Schalter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen die Steuer-Leitung für die im Signalweg liegenden Schalter und Masse ein Kondensator (C) geschaltet ist.
  6. 6. Verwendung eines Schalters Lach einem der Ansprüche 1 bis 5 zum Durchschalten der Kreuzpunkte eines Kreuzschienenverteilers.
  7. 7. Kreuzschienenverteiler nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß in jede Ausgangsschiene eine weitere Diodenbrücke (DA, . . . DA",) geschaltet ist, die in den Sperrzustand geschaltet ist, wenn einer der an der Ausgangsschiene liegenden Schalter (S11 ... S" 1 bzw. S12 ... S" 2 bzvc: S1. ... S"",) durchgeschaltet ist, und die im Durchlaßzustand ist, wenn kein Schalter durchgeschaltet ist. B. Kreuzschienenverteiler nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Diodenbrücken (DA, ... DA") parallel mit den zweiten elektronischen Schaltern (D4) der an der Ausgangsschiene liegenden Schalter angesteuert sind. 9. Kreuzschienenverteiler nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Diodenbrücken (DA, ... DA,") von einer die Eindeutigkeit der Zuordnung zwischen Eingängen und Ausgängen bewirkenden Verriegelungsschaltung angesteuert sind.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1230849B (de) * 1965-01-21 1966-12-22 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur elektronischen Tastung von Signalen

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