DE1166273B

DE1166273B - Transistor amplifier stage for logic circuit with diodes

Info

Publication number: DE1166273B
Application number: DEJ23686A
Authority: DE
Inventors: Carl Edward Ruoff
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1962-05-21
Filing date: 1963-05-11
Publication date: 1964-03-26

Description

Transistorverstärkerstufe für logische Schaltung mit Dioden Die Erfindung betrifft Maßnahmen zur Unterdrückung von Störimpulsen in einer Transistorverstärkerstufe für logische Schaltung mit Dioden.Transistor amplifier stage for logic circuit with diodes The invention relates to measures to suppress interference pulses in a transistor amplifier stage for logic circuit with diodes.

Hochfrequente Störimpulse bilden ein Problem bei für die Datenverarbeitung verwendeten logischen Schaltungen, und zwar besonders wenn logische Diodenschaltungen vorgesehen sind, bei denen mehrere Stufen hintereinandergeschaltet sind. Das fehlerhafte Ansprechen der logischen Schaltungen hat seine Ursache häufig in einem starken Rauschpegel und in unerwünschten kapazitiven Einstreuungen. Obwohl die hierbei auftretenden Störimpulse von verhältnismäßig kurzer Dauer sind, können sie doch zur Erzeugung eines Ausgangssignals ausreichen, wenn keine besonderen Maßnahmen zur Unterdrückung solcher Störimpulse getroffen sind.High-frequency glitches are a problem for data processing used logic circuits, especially when logic diode circuits are provided in which several stages are connected in series. The faulty one The response of the logic circuits is often caused by a strong noise level and in unwanted capacitive interference. Although the here occurring Interfering pulses are of relatively short duration because they can be used to generate them of an output signal are sufficient if no special measures are taken to suppress it such glitches are hit.

Zur Herabsetzung oder Beseitigung dieses Störsignalproblems sind schon verschiedene Lösungen vorgeschlagen worden, aber da bei der Verwendung der Diodenlogik das Hauptziel möglichst niedrige Kosten sind, sind diese vorgeschlagenen Lösungen wegen der damit verbundenen hohen Kosten nicht anwendbar.To reduce or eliminate this interference signal problem are already Various solutions have been proposed, but since when using diode logic the main goal is the lowest possible cost, these proposed solutions are not applicable because of the high costs involved.

Es ist die Aufgabe der Erfindung eine wirtschaftliche Maßnahme zur Unterdrückung von Störimpulsen in Transistorverstärkerstufen für logische Schaltungen mit Dioden zu offenbaren.It is the object of the invention to provide an economic measure Suppression of interference pulses in transistor amplifier stages for logic circuits with diodes to reveal.

Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß eine spannungsabhängige Kapazität als Gegenkopplung zwischen Kollektor und Basis angeordnet wird. Vorteilhafterweise wird als spannungsabhängige Kapazität eine Germanium- oder Siliziumdiode vorgesehen.According to the invention, this object is achieved in that a voltage-dependent Capacity is arranged as negative feedback between the collector and the base. Advantageously a germanium or silicon diode is provided as a voltage-dependent capacitance.

Es hat sich gezeigt, daß in mit niedrigen Geschwindigkeiten (z. B. mit 100 kHz) arbeitenden logischen Schaltungen mit Dioden, die in mehreren Stufen hintereinander angeordnet und mit einem in Emitterschaltung betriebenen Transistorschalter abgeschlossen sind, hochfrequente Störimpulse erfindungsgemäß durch eine zwischen Kollektor und Basis eingeschaltete Selendiode unwirksam gemacht werden können. Die Diode bewirkt im leitenden Zustand des Transistors eine stärkere Gegenkopplung zur Basis als im gesperrten Zustand des Transistors. Diese Tatsache ist von besonderer Bedeutung, da im leitenden Zustand des Transistors eine stärkere Entstörung erforderlich ist als im Sperrzustand. Die Kapazität der Diode ist umgekehrt proportional der Amplitude der der Diode zugeführten Sperrspannung. Die Sperrspannung ist am höchsten, wenn der Schalter gesperrt ist, und am niedrigsten, wenn der Schalter leitend, d. h. in oder nahe dem Sättigungszustand ist. Daher ist die Diodenkapazität am kleinsten, wenn der Schalter gesperrt ist, und am größten, wenn er leitend ist. Hierdurch ist die Entstörung bedeutend größer, wenn der Schalter leitend ist, als wenn er nichtleitend ist, und trotzdem findet im nichtleitenden Zustand des Schalters eine ausreichende Störimpumlsunterdrückung statt.It has been shown that at low speeds (e.g. with 100 kHz) working logic circuits with diodes in several stages arranged one behind the other and with a transistor switch operated in an emitter circuit are completed, high-frequency glitches according to the invention by an between Collector and base switched on selenium diode can be made ineffective. the When the transistor is conducting, the diode causes a stronger negative feedback to the Base than in the blocked state of the transistor. This fact is special Significance because stronger interference suppression is required when the transistor is conducting is than in the locked state. The capacitance of the diode is inversely proportional to the Amplitude of the reverse voltage applied to the diode. The reverse voltage is highest, when the switch is blocked and lowest when the switch is conductive, i.e. H. is in or near saturation. Therefore the diode capacitance is the smallest, when the switch is locked, and greatest when it is conducting. This is the interference suppression is significantly greater when the switch is conductive than when it is non-conductive is, and still takes place in the non-conductive state of the switch is sufficient Glitch suppression takes place.

Ein Störimpuls, der dieselbe Polarität hat wie das Datensignal und zeitweise eine größere Amplitude (bei kürzerer Dauer) aufweist als das Datensignal, wird den Schalter nicht leitend machen, und trotzdem wird die schnelle Einschaltung des Schalters durch den Datenimpuls praktisch nicht beeinträchtigt. Außerdem wird durch die Diode die Abschaltzeit des Schalters nicht wesentlich verzögert.A glitch that has the same polarity as the data signal and temporarily has a greater amplitude (with a shorter duration) than the data signal, will not make the switch conductive, and still it will turn on quickly of the switch is practically not affected by the data pulse. Also will the diode does not significantly delay the switch-off time.

Ein zwischen Kollektor und Basis des Transistorschalters angeschlossener Kondensator kann die gestellte Aufgabe nicht befriedigend lösen. Wenn die Kapazität des Kondensators groß genug gewählt wird, um eine zuverlässige Entstörung sicherzustellen, ist die Rückkopplung während des Einschaltens des Transistorschalters so groß, daß die logische Schaltung mit bedeutend niedrigerer Geschwindigkeit betrieben werden muß.One connected between the collector and base of the transistor switch Capacitor cannot solve the task satisfactorily. If the capacity of the capacitor is chosen large enough to ensure reliable interference suppression, the feedback during the turning on of the transistor switch is so great that the logic circuit can be operated at a significantly lower speed got to.

Weiter ist festgestellt worden, daß eine in der gleichen Weise an den Transistor angeschlossene Siliziumdiode dieselbe Entstörung bei höheren Betriebsgeschwindigkeiten, z. B. bis zu 5 MHz, ermöglicht. Weitere Einzelheiten ergeben sich aus der Beschreibung sowie den nachstehend aufgeführten Zeichnungen. Es zeigt F i g. 1 das Schaltschema einer logischen Schaltung mit Dioden, F i g. 1 a die Abhängigkeit der Kapazität von der Sperrspannung bei einer Diode (Selen), F i g. 2 bis 8 logische Schaltungen mit nachfolgender Transistorverstärkerstufe und graphische Darstellungen der auftretenden Spannungspegel.It has further been found that one works in the same way the silicon diode connected to the transistor has the same interference suppression at higher operating speeds, z. B. up to 5 MHz, allows. Further details emerge from the description and the drawings listed below. It shows F i g. 1 shows the circuit diagram of a logic circuit with diodes, FIG. 1 a the dependency the capacitance of the reverse voltage in a diode (selenium), F i g. 2 to 8 logical Circuits with subsequent transistor amplifier stage and graphic representations the occurring voltage level.

Das Ausführungsbeispiel gemäß F i g. 1 zeigt eine logische Schaltung 10 mit Dioden, die mit einem Transistorschalter 11 abgeschlossen ist. Die Schaltung 10 besteht aus drei Stufen logischer Kreise 12, 13 und 14.The embodiment according to FIG. 1 shows a logic circuit 10 with diodes, which is terminated with a transistor switch 11. The circuit 10 consists of three levels of logic circles 12, 13 and 14.

Die Stufe 12 kann bis zu zehn Dioden enthalten; gezeigt sind drei Dioden 15, 16 und 17, deren Kathoden an die Eingangsklemmen 18, 19 bzw. 20 angeschlossen sind. Die Anoden der Dioden sind gemeinsam an den Verbindungspunkt 21 angeschlossen, und eine positive Spannungsquelle ist über einen Widerstand 22 an den Verbindungspunkt angeschlossen.Stage 12 can contain up to ten diodes; three diodes 15, 16 and 17 are shown with their cathodes connected to input terminals 18, 19 and 20 , respectively. The anodes of the diodes are connected in common to the connection point 21, and a positive voltage source is connected to the connection point through a resistor 22.

Die Stufe 13 kann bis zu zehn Dioden enthalten, von denen nur drei Dioden 25, 26 und 27 dargestellt sind, deren Kathoden gemeinsam an den Verbindungspunkt28 angeschlossen sind, mit dem außerdem über einen Widerstand 29 eine negative Spannungsquelle verbunden ist. Die Anode der Diode 25 ist an den Verbindungspunkt 21 angeschlossen, und die Anoden der Dioden 26 und 27 sind an die Eingangsklemmen 30 bzw. 31 angeschlossen.Stage 13 can contain up to ten diodes, of which only three Diodes 25, 26 and 27 are shown, the cathodes of which are jointly connected to the connection point 28 are connected, with which also a negative voltage source via a resistor 29 connected is. The anode of the diode 25 is connected to the connection point 21, and the anodes of diodes 26 and 27 are connected to input terminals 30 and 31, respectively.

Die Stufe 14 kann bis zu zehn Dioden enthalten, wie z. B. die Dioden 35, 36 und 37, deren Anoden gemeinsam über die in Reihe liegenden Dioden 39 und 40 an den Verbindungspunkt 38 angeschlossen sind. Die Kathode der Diode 35 ist an den Punkt 28 angeschlossen, und die Kathoden der Dioden 36 und 37 sind mit den Eingangsklemmen 41 bzw. 42 verbunden. Eine positive Spannungsquelle liegt über einen Widerstand 43 am Verbindungspunkt 38.Stage 14 can contain up to ten diodes, such as B. the diodes 35, 36 and 37, the anodes of which are jointly connected to the junction point 38 via the diodes 39 and 40 in series. The cathode of diode 35 is connected to point 28 and the cathodes of diodes 36 and 37 are connected to input terminals 41 and 42, respectively. A positive voltage source is connected to connection point 38 via a resistor 43.

Der Schalter 11 besteht aus einem Transistor 50 mit Basis 50 b, Emitter 50 e und Kollektor 50 c. Die Basis liegt am Verbindungspunkt38, der Emitter liegt an Erde, und der Kollektor ist über einen Lastwiderstand 51 mit einer negativen Spannungsquelle verbunden. Die Anode und die Kathode einer Selendiode 52 sind an den Kollektor bzw. die Basis angeschlossen, und die Ausgangsklemme 53 ist mit dem Kollektor verbunden.The switch 11 consists of a transistor 50 with base 50 b, emitter 50 e and collector 50 c. The base is at connection point 38, the emitter is connected to ground, and the collector is connected via a load resistor 51 to a negative voltage source. The anode and cathode of a selenium diode 52 are connected to the collector and the base, respectively, and the output terminal 53 is connected to the collector.

Die Schaltung arbeitet so, daß ein am Verbindungspunkt 38 erscheinendes negatives Potential den Transistor einschaltet, während ein über den Vorspannungswiderstand 43 angelegtes geringes positives Potential ihn ausschaltet. Ein positives Potential erscheint am Verbindungspunkt 38, um den Transistor zu sperren, wenn keine negative Eingangsspannung einer der Dioden 35, 36 oder 37 zugeführt wird. Der Diode 35 wird nur dann eine negative Eingangsspannung zugeführt, wenn die Eingänge der Dioden 25, 26 und 27 alle negativ sind. Die Eingangsspannung der Diode 25 ist negativ, wenn ein beliebiger der Eingänge zu den Dioden 15, 16 oder 17 negativ ist. Die Dioden 15 bis 17 und 35 bis 37 bilden also negative Oder-Funktionen und die Dioden 25 bis 27 eine negative Und-Funktion.The circuit operates so that an appearing at junction 38 negative potential turns the transistor on, while a across the bias resistor 43 applied low positive potential turns it off. A positive potential appears at junction 38 to turn the transistor off if not negative Input voltage of one of the diodes 35, 36 or 37 is supplied. The diode 35 will only fed a negative input voltage when the inputs of the diodes 25, 26, and 27 are all negative. The input voltage of diode 25 is negative, when any of the inputs to diodes 15, 16 or 17 are negative. The diodes 15 to 17 and 35 to 37 thus form negative OR functions and the diodes 25 to 27 a negative AND function.

Die logische Funktion, die den Transistor leitend macht, ist ein negativer Eingangsimpuls an Klemme 41 oder 42 oder das Zusammentreffen negativer Eingangsimpulse an den Klemmen 30 und 31 und einer der Klemmen 18, 19 oder 20. 1n Boolescher Form läßt sich dies so ausdrücken: 41-#-42+30-31(18-I-19+20). Die Spannungspegel der den verschiedenen Eingangsklemmen zugeführten Datensignale schwingen nominell von Null oder Erde bis -12 Volt. Wegen der Toleranzen der Spannungszuführung und der Bauelemente können die Datensignale jedoch von 0 bis -0,2 und von -3,86 bis -12,48 Volt differieren.The logical function that makes the transistor conductive is a negative input pulse at terminal 41 or 42 or the coincidence of negative input pulses at terminals 30 and 31 and one of terminals 18, 19 or 20. In Boolean form this can be expressed as follows: 41 - # - 42 + 30-31 (18-I-19 + 20). The voltage levels of the data signals applied to the various input terminals swing nominally from zero or ground to -12 volts. However, due to the tolerances of the voltage supply and the components, the data signals can differ from 0 to -0.2 and from -3.86 to -12.48 volts.

Wenn auf Grund der Erfüllung einer der oben beschriebenen logischen Funktionen eine negative Spannung an den Punkt 38 gelegt wird, wird der Transistor leitend, und der Punkt 38 wird über den PN-Obergang zwischen Basis und Emitter auf etwa --0,3 Volt festgelegt. Wegen der Verwendung großer Schaltsignale wird der Transistor 50 bis zur Sättigung ausgesteuert, und die Kollektorspannung steigt auf etwa Erdspannung an. Obwohl der PN-Übergang zwischen Basis und Kollektor im gesättigten Zustand des Transistors geringfügig in Durchlaßrichtung vorgespannt ist, wodurch die Selendiode 52 leicht in Durchlaßrichtung vorgespannt wird, ist trotzdem die Entsperrspannung niedrig, und die Diode 52 wird im Bereich hohen Widerstandes ihrer Kennlinie gehalten. Bei Wegnahme der negativen Spannung vom Punkt 38 wird der Transistor nichtleitend, und die Kollektorspannung fällt auf -12 Volt ab.If due to the fulfillment of one of the logical above Functions a negative voltage is applied to the point 38, the transistor becomes conductive, and the point 38 is on via the PN junction between base and emitter fixed at about --0.3 volts. Because of the use of large switching signals, the transistor 50 driven to saturation, and the collector voltage rises to about earth voltage at. Although the PN junction between base and collector is in the saturated state of the Transistor is slightly forward biased, causing the selenium diode 52 is slightly forward biased, the unlock voltage is still low, and the diode 52 is held in the high resistance region of its characteristic. When the negative voltage is removed from point 38, the transistor becomes non-conductive, and the collector voltage drops to -12 volts.

Wenn also der Transistor abgeschaltet wird, wird die Diode 52 durch die -12-V-Kollektorquelle und die schwach positive Spannung, die der Klemme 38 über die logischen Eingänge, die Dioden 39 und 40 und den Widerstand 43 zugeführt wird, in Sperrichtung vorgespannt. Wenn der Transistor leitend wird, liegt die Spannung, die die Diode 52 in Durchlaßrichtung vorspannt, nahe bei 0 Volt.Thus, when the transistor is turned off, diode 52 is reverse biased by the -12 V collector source and the weak positive voltage applied to terminal 38 via logic inputs, diodes 39 and 40 and resistor 43. When the transistor becomes conductive, the voltage that forward biases diode 52 is close to zero volts.

Aus F i g. 1 a ist ersichtlich, daß die Kapazität der Diode 52 während der Abschaltzeit relativ gering ist und daß die Kapazität der Diode 52 während der Sättigung um mehrere Faktoren größer ist. Die Kapazitätswerte für die Selendiode liegen in der Größenordnung von 180 pF bei einer Sperrspannung von 12 Volt und bei etwa 400 pF bei einer Potentialdifferenz von etwa Null zwischen Anode und Kathode.From Fig. 1 a it can be seen that the capacitance of the diode 52 during the turn-off time is relatively short and that the capacitance of the diode 52 during the Saturation is greater by several factors. The capacitance values for the selenium diode are on the order of 180 pF with a reverse voltage of 12 volts and about 400 pF with a potential difference of about zero between anode and cathode.

Zwecks optimaler Entstörung unter Aufrechterhaltung einer möglichst hohen Betriebsgeschwindigkeit wird eine Selendiode 52 verwendet, welche die niedrigste Kapazitätskurve hat, die die Entstörung garantiert. Der Rauchpegel wird vorwiegend durch die Kapazitätswerte der verschiedenen Dioden (15 bis 17, 25 bis 27, 35 bis 37 und 39 und 40) bestimmt. Die Dioden sind vorzugsweise Selendioden wegen ihrer niedrigen Kosten. Der maximale Rauchpegel, der von diesen Dioden bei gegebenen Toleranzen und unter verschiedenen Betriebsbedingungen erzeugt wird, hängt von ihren Kapazitätswerten ab. Bei höheren Kapazitätswerten sind die Rauchpegel höher, und daher muß die Kapazität der Diode 52 höher sein, um die Entstörung sicherzustellen. Nach Bestimmung des maximalen Rauschpegels können die Vorschriften für die Diode 52 mit tragbaren Toleranzen festgelegt werden.For the purpose of optimal interference suppression while maintaining the highest possible operating speed, a selenium diode 52 is used which has the lowest capacitance curve that guarantees interference suppression. The smoke level is mainly determined by the capacitance values of the various diodes (15 to 17, 25 to 27, 35 to 37 and 39 and 40). The diodes are preferably selenium diodes because of their low cost. The maximum smoke level generated by these diodes, given tolerances and under different operating conditions, depends on their capacitance values. At higher capacitance values, the smoke levels are higher and therefore the capacitance of the diode 52 must be higher in order to ensure the suppression of interference. Once the maximum noise level has been determined, the specifications for diode 52 can be established with acceptable tolerances.

Für den Betrieb mit höherer Geschwindigkeit können, wenn Siliziumdioden verwendet werden, die Diodenkapazitätswerte in ähnlicher Weise für einen optimalen Schaltungsbetrieb festgelegt werden. F i g. 2 bis 8 zeigen verschiedene Schaltungsbedingungen, die ohne die Diode 52 zur Erzeugung von Störimpulsen führen, welche als Datenimpulse erkannt werden. F i g. 2, 4 und 6 zeigen Teile der Schaltung von F i g. 1, und übereinstimmende Schaltungselemente tragen gleiche Bezugsziffern. In F i g. 3 zeigt der Potentialverlauf A einen möglichen Spannungspegel, der am Punkt 21 auftritt, wenn die negative Und-Funktion an den Eingängen der Dioden 25 bis 27 erfüllt ist, um den Transistor einzuschalten; der Potentialverlauf B ist ein Teil eines möglichen, der Eingangsklemme 41 zugeführten Datensignals; der Potentialverlauf C zeigt ein Fehlersignal, das am Ausgang 53 auf die Impulse A und B hin erscheint, wenn die Diode nicht in der gezeigten Weise in die Schaltung eingefügt ist, und der Potentialverlauf D zeigt die Verhältnisse am Ausgang 53 für die Eingangssignale A und B an, wenn die Diode 52 vorhanden ist.For higher speed operation, when silicon diodes are used, the diode capacitance values can similarly be set for optimal circuit operation. F i g. 2 to 8 show various circuit conditions which, without the diode 52, lead to the generation of interference pulses which are recognized as data pulses. F i g. 2, 4 and 6 show parts of the circuit of FIG. 1, and corresponding circuit elements have the same reference numerals. In Fig. 3 shows the potential profile A a possible voltage level which occurs at point 21 when the negative AND function is fulfilled at the inputs of the diodes 25 to 27 in order to switch the transistor on; the potential curve B is part of a possible data signal fed to the input terminal 41; the potential profile C shows an error signal which appears at the output 53 in response to the pulses A and B if the diode is not inserted into the circuit in the manner shown, and the potential profile D shows the relationships at the output 53 for the input signals A and B. on when the diode 52 is present.

Der der Eingangsklemme 41 zugeführte positive Impuls B hat eine hohe positive Spannungsspitze zum Ergebnis, die über die Kapazitäten der Dioden 36, 39 und 40 an die Klemme 38 gelegt wird. Diese positive Spannungsspitze schaltet den Transistor für kurze Zeit ab, wie es der Potentialverlauf C zeigt, und zwar selbst dann, wenn die gewünschte logische Funktion immer noch von Signal A erfüllt wird. Obwohl der Abschaltzustand wesentlich kürzer dauert als die Breite eines Datenimpulses, hat er doch noch eine genügend große Amplitude und zeitliche Dauer, um als Datensignal (logische 0) durch die die Last des Transistors 50 bildenden Schaltungen erkannt zu werden. Selbst wenn die -3,86-Volt-Spannung des Signals A, das der Klemme 21 für den richtigen Betrieb der Schaltung zugeführt wird, den Transistor leitend halten sollte, schaltet also die positive Vorderflanke des Signals B den Transistor kurzzeitg ab, wenn die Diode 52 nicht verwendet wird. Wenn der leitende Zustand des Transistors als Darstellung für die logische 1 angesehen wird, erkennen die Lastschaltungen des Transistors 50 als Ausgangsimpuls eine logische 0 an Stelle einer logischen 1, wenn die Diode 52 nicht verwendet wird. Aus dem Potentialverlauf D geht hervor, daß der an der Vorderflanke des positiven Ausschlags der Welle B auftretende kleine negative Impuls so klein und von so kurzer Dauer ist, daß er nicht als logische 0 erkannt wird.The positive pulse B applied to input terminal 41 is high positive voltage peak to the result, which over the capacities of the diodes 36, 39 and 40 is applied to the terminal 38. This positive voltage spike switches the Transistor off for a short time, as the potential curve C shows, namely itself when the desired logical function is still fulfilled by signal A. Although the shutdown state lasts much shorter than the width of a data pulse, it still has a sufficiently large amplitude and duration to be used as a data signal (logic 0) recognized by the circuits forming the load of the transistor 50 to become. Even if the -3.86 volt voltage of signal A, which is connected to terminal 21 for proper operation of the circuit, keep the transistor conductive should, so the positive leading edge of signal B switches the transistor for a short time off when the diode 52 is not used. When the conductive state of the transistor is viewed as a representation for the logical 1, recognize the load circuits of the transistor 50 as an output pulse a logic 0 instead of a logic one 1 when diode 52 is not used. From the potential curve D it follows that that the small one occurring on the leading edge of the positive deflection of wave B negative impulse is so small and of so short duration that it cannot be considered logical 0 is recognized.

F i g. 4 und 5 veranschaulichen die Wirkung eines der Klemme 30 zugeführten negativen Impulses, wenn der Transistor nichtleitend ist und eine Spannung von -0,2 Volt an die Klemme 21 gelegt wird. Die Vorderflanke des negativen Impulses des der Klemme 30 zugeführten Signals E erzeugt einen positiven Ausgangsimpuls (logische 1) an Klemme 53 (Potentialverlauf G), wenn die Diode 52 nicht verwendet wird, selbst wenn die negative Und-Funktion der Dioden 25 bis 27 nicht erfüllt ist. Wie der Potentialverlauf H zeigt, entsteht am Ausgang 53 nur ein sehr kleiner kurzzeitiger positiver Impuls, wenn die Diode 52 verwendet wird.F i g. FIGS. 4 and 5 illustrate the action of one applied to the clamp 30 negative pulse when the transistor is non-conductive and a voltage of -0.2 Volt is applied to terminal 21. The leading edge of the negative pulse of the Signal E applied to terminal 30 generates a positive output pulse (logical 1) at terminal 53 (potential curve G), if the diode 52 is not used, itself if the negative AND function of diodes 25 to 27 is not fulfilled. Like the potential curve H shows, there is only a very small short-term positive pulse at output 53, when the diode 52 is used.

Der Fehlerimpuls (logische 1) im Signal G (F i g. 5) hat eine wesentlich kürzere Dauer als der entsprechende Fehlerimpuls (logische 0) im Signal C (F i g. 3), der auftritt, solange der Transistor normalerweise leitend ist. Daher sind die Rückkopplungserfordernisse für das Ausschalten des Fehlerimpulses des Impulsdiagramms G wesentlich geringer als die Rückkopplungserfordernisse für das Ausschalten des Fehlerimpulses des Impulsdiagramms C. F i g. 1 a zeigt, daß die Kapazität der Diode 52 im leitenden Zustand des Transistors wesentlich größer ist als im abgeschalteten Zustand. Man erhält deshalb sowohl im leitenden als auch im nichtleitenden Zustand optimale Rückkopplungsverhältnisse.The error pulse (logic 1) in signal G (Fig. 5) has a significant shorter duration than the corresponding error pulse (logical 0) in signal C (F i g. 3) that occurs as long as the transistor is normally conductive. Hence the Feedback requirements for turning off the error pulse of the pulse diagram G significantly less than the feedback requirements for turning off the Error pulse of the pulse diagram C. F i g. 1 a shows that the capacitance of the diode 52 is significantly larger when the transistor is on than when it is switched off State. One therefore obtains both in the conductive and in the non-conductive state optimal feedback ratios.

F i g. 6 und 7 lassen erkennen, daß ohne Diode 52 ein Fehlerimpuls (logische 0) am Ausgang 53 (Potentialverlauf K) auftritt, wenn ein positiver Impuls (Potentialverlauf J) der Eingangsklemme 19 zugeführt wird, während der Transistor leitend ist und eine Spannung von -3,86 Volt (Potentialverlauf I) an die Eingangsklemme 18 gelegt wird. Bei Vorhandensein der Diode 52 wird nur ein sehr kleiner und unbedeutender negativer Rauschimpuls (Potentialverlauf L) an der Ausgangsklemme 53 erzeugt.F i g. 6 and 7 show that without diode 52 an error pulse (logical 0) at output 53 (potential profile K) occurs when a positive pulse (Potential profile J) is fed to the input terminal 19, while the transistor is conductive and a voltage of -3.86 volts (potential curve I) at the input terminal 18 is laid. In the presence of the diode 52, only a very small and insignificant one becomes negative noise pulse (potential profile L) generated at output terminal 53.

Die Potentialverläufe M, N, O und P von F i g. 8 veranschaulichen die Einschalt- und Abschaltverzögerungen an der Ausgangsklemme 53 bei Verwendung und bei Nichtverwendung der Diode 52. Die positive Flanke des Impulses N bewirkt das Abschalten des Transistors, und ihre negative Flanke schaltet ihn ein. Bei Nichtverwendung der Diode 52 (Potentialverlauf O) gibt es kurze Einschalt-Abschaltverzögerungen. Gemäß Kurve P sind diese Verzögerungen beim Ein- und Abschalten etwas größer. Der Wert der Kapazität der Diode 52 beim Ein- und Abschalten bestimmt die Größe der Verzögerung im Ausgangsimpuls.The potential curves M, N, O and P of F i g. 8 illustrate the switch-on and switch-off delays at output terminal 53 when used and when the diode 52 is not used. The positive edge of the pulse N causes turning off the transistor, and its negative edge turns it on. When not in use the diode 52 (potential profile O) there are short switch-on and switch-off delays. According to curve P, these delays when switching on and off are somewhat greater. Of the The value of the capacitance of the diode 52 when switching on and off determines the size of the Delay in the output pulse.

Claims

Claims: 1. Transistor amplifier stage for logic circuit with diodes, with suppression of interference pulses, characterized in that a voltage-dependent capacitance as negative feedback between the collector and the base Transistor amplifier stage is arranged.

2. transistor amplifier stage according to claim 1, characterized in that a germanium as the voltage-dependent capacitance or silicon diode is provided.