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DE102006034061A1 - Polysilanverarbeitung und Verwendung - Google Patents

Polysilanverarbeitung und Verwendung Download PDF

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DE102006034061A1
DE102006034061A1 DE102006034061A DE102006034061A DE102006034061A1 DE 102006034061 A1 DE102006034061 A1 DE 102006034061A1 DE 102006034061 A DE102006034061 A DE 102006034061A DE 102006034061 A DE102006034061 A DE 102006034061A DE 102006034061 A1 DE102006034061 A1 DE 102006034061A1
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Germany
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plasma
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product
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chemically produced
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DE102006034061A
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English (en)
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Gudrun Annette Auner
Christian Dr. Bauch
Gerd Dr. Lippold
Rumen Dr. Deltschew
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Nagarjuna Fertilizers and Chemicals Ltd
Original Assignee
REV RENEWABLE ENERGY VENTURES Inc
REV Renewable Energy Ventures Inc Aloha
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Publication date
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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung von nieder-, mittel- und hochmolekularen halogenierten Polysilanen, deren Destillation in ausgewählte Fraktionen, die direkte Abscheidung von Silizium aus der Gasphase oder einer Flüssigphase von Polysilangemischen oder hochreinen Polysilanen, die Hydrierung oder Methylierung von halogenierten Polysilanen und die Verarbeitung zu Endprodukten in der bestimmungsgemäßen Anlage.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung von halogenierten Polysilanen, deren Destillation, Hydrierung oder Methylierung und die Verarbeitung zu Endprodukten in der bestimmungsgemäßen Anlage.
  • Darstellung der Polysilane
  • Das perchlorierte Polysilangemisch, das unter anderem zur Herstellung von Silizium dienen kann, wird in einem plasmachemischen Schritt aus SiCl4 und H2 erzeugt. Dieses Verfahren ist in der Patentanmeldung Prof. Dr. Auner DE Verfahren zur Herstellung von Silizium aus Halogensilanen beschrieben. Die Plasmareaktion kann z.B. mittels kontinuierlicher Anregung (cw) durchgeführt werden:
    Ein H2/SiCl4-Dampf-Gemisch wird mittels eines elektrischen oder elektromagnetischen Wechselfeldes angeregt und in den plasmaförmigen Zustand überführt. Dabei entstehen je nach Reaktionsbedingungen flüssige, halbfeste oder feste Gemische chlorierter Polysilane unterschiedlicher Molekulargewichte.
  • Es erweist sich erfindungsgemäß als besonders vorteilhaft, die Reaktionsbedingungen in dem Plasmareaktor so zu steuern, dass nicht nur irgendein halogeniertes Polysilangemisch erzeugt wird, sondern möglichst dass für die weitere Verarbeitung vorteilhafteste Polysilan. Die zur weiteren Verwendung vorgesehenen spezifischen halogenierten Polysilane lassen sich insbesondere über das Molekulargewicht sowie weitere geeignete Bestimmungsverfahren eindeutig bestimmen. Es lassen sich niedermolekulare, mittelmolekulare und hochmolekulare Polysilane herstellen und bestimmen, wobei cyclisch aufgebauten Polysilanen ebenfalls Bedeutung zukommt.
  • Es erweist sich als vorteilhaft, die im Plasmareaktor vorgesehene Plasmaquelle in mehreren Stufen vorzusehen und alle denkbaren Massnahmen zum zielgerichteten Energieeintrag in ein möglichst kleines Raumvolumen mit einem möglichst homogenen Reaktionsgemisch vorzusehen. Dieses ermöglicht einen hohen Durchsatz des Reaktionsgemisches bei weitestgehend homogenen Reaktionsbedingungen und damit auch Reaktionsprodukten – also kleinen Unterschieden des Molekulargewichtes des erhaltenen Polysilangemisches.
  • Entscheidend für ein möglichst homogenes Reaktionsprodukt ist es, den Energieeintrag in das zu erzeugende Reaktionsplasma so homogen wie möglich zu gestalten und in dem Plasma möglichst homogene Reaktionsbedingungen zu schaffen. Hier erweist es sich als vorteilhaft, nicht nur eine Plasmaquelle vorzusehen sondern mehrere Plasmaquellen, die von dem Reaktionsgemisch hintereinander durchlaufen werden.
  • Um einen möglichst gleichmäßigen Energieeintrag in das von dem Reaktionsgemisch ausgefüllte Raumvolumen zu erhalten, erweist es sich als vorteilhaft, die Plasmaquelle zu pulsen, um eine bessere Durchmischung des Reaktionsgemischen zu erhalten.
  • Das gleiche Ziel der besseren Durchmischung wird erreicht, in dem das Reaktionsgemisch einem zusätzlichen Elektronenfluß ausgesetzt wird.
  • Zusätzlich kann das Reaktionsgemisch durch aussen an dem Reaktor angebrachte elektromagnetische Spulen gequencht werden, womit das Reaktionsplasma einer Kompression mit anschließender Expansion unterworfen wird. Hier wird erfindungsgemäß auch vorgesehen, dass das Reaktionsplasma eine auf die Mikrowellenquelle abgestimmte Resonatorkammer durchläuft.
  • Entscheidend für einen kontinuierlichen Betrieb der Anlage ist, dass das Produktgemisch eine flüssige (zähflüssige) Konsistenz aufweist, damit es aus dem Reaktor herausfließen kann, um Verstopfungen zu vermeiden. Die gasförmige oder flüssige Konsistenz der erzeugten halogenierten Polysilane wird erreicht, in dem in dem Reaktor mit SiCl4–Überschuss und möglichst wenig H2-Gehalt gefahren wird und die Temperatur in dem Reaktor unterhalb der Raumtemperatur gehalten wird.
  • Die Charakterisierung der dargestellten Polysilane erfolgt wie folgt:
    Die maßanalytische Bestimmung des Chlorgehaltes (Chlorid nach Mohr) einer in wässriger Lauge aufgelösten Probe liefert die empirische Formel SiCl2 für das Polysilan, weshalb man auch von einem polymeren Dichlorsilylen sprechen kann, das aus Ringen und Ketten besteht, wobei die Ketten mit –SiCl3 Gruppen terminiert sind. Die Summenformel der Ringe lautet: SinCl2n und die der Ketten: SinCl2n+2
  • EDX-Messungen bestätigen ein Atomverhältnis im Produkt von ca. Si:Cl = 1:2.
    • 29Si-NMR-Messungen zeigen, dass es sich bei dem Produkt je nach Erzeugungsbedingungen um ein komplexes Gemisch verschiedener chlorierter Polysilane handeln kann. Dabei liegen vorwiegend unverzweigte Verbindungen vor, wie das Fehlen von Signalen tertiärer (Cl-Si(SiR3)3) und quartärer (Si(SiR3)4) Siliciumatome belegt. 1H-NMR-Messungen zeigen, dass das Produkt nur Spuren von Wasserstoff enthält (Si-H-Bindungen).
  • Die Ermittlung der mittleren Molekülmasse mittels Kryoskopie, da diese Methode ein konsequentes Arbeiten zur Produktionskontrolle unter Inertgas erlaubt.
  • Die erhaltenen halogenierten Polysilangemische werden als niedermolekulare, mittelmolekulare und hochmolekulare Polysilane bezeichnet. Das niedermolekulare Polysilangemisch setzt sich vorwiegend aus Hexachlordisilan (Si:H = 1:3) und Octachlortrisilan Si3Cl8(Si:H = 1:2,67) zusammen. Diese beiden Komponenten können durch durch Destillation voneinander getrennt werden.
  • Trennung des Polysilangemisches
  • Aus dem Produktgemisch können z.B. durch Destillation einzelne Komponenten bzw. Fraktion erhalten werden.
    • 1. Hexachlordisilan entweicht zuerst bei einer Temperatur von ca. 144°C/1013hPa, wobei es je nach Reaktionsbedingungen auch schon bei der Polysilansynthese dampfförmig aus dem Gemisch abgetrennt und kondensiert (z.B. 0°C) werden kann.
    • 2. Die nächste Fraktion bilden die niederen chlorierten Oligosilane, wie z.B. das Octachlortrisilan, das Decachlortrisilan und das Decachlorisotetrasilan.
    • 3. Als Rückstand bleiben die Polysilane, deren Zersetzungstemperaturen unterhalb der Siedepunkte bei Normaldruck liegen.
  • Hydrierung der Polysilane:
  • Durch Hydrierung der chlorierten Polysilane können teil- und perhydrierte Verbindungen erhalten werden, d.h. die Chloratome sind teilweise oder vollständig durch Wasserstoffatome ersetzt. Die Hydrierung kann in inerten Lösungsmitteln wie Ethern, Toluol etc. durchgeführt werden, wobei als Hydriermittel vor allem Metall- und Metalloidhydride geeignet sind. Besonders hervorzuheben sind hier das Natriumaluminiumhydrid und verschiedene Borhydride wie z.B. Natriumborhydrid. Bei der Hydrierung sollte bei möglichst niedrigen Temperaturen (RT oder tiefer) gearbeitet werden, um eine Zersetzung der gebildeten Polysilane zu unterdrücken.
  • Zweckmäßigerweise werden nur die gewünschten Fraktionen hydriert, so dass ein möglichst einheitliches Produkt/Produktgemisch erhalten wird.
  • Potentielle Anwendungen der dargestellten Polysilane:
    • 1. Die vollständige Pyrolyse des Produktgemisches oder einzelner Komponenten (chlorierte Polysilane) führt zur Bildung von Silicium, welches z.B. für die Photovoltaik oder die Mikroelektronik verwendet werden kann, wenn bei der Herstellung des Polysilans entsprechend reine Ausgangsverbindungen eingesetzt werden.
    • 2. Nach Trennung des Produktgemisches (z.B. destillativ) können die Komponenten mit hohem Dampfdruck zur Abscheidung von Siliziumschichten (z.B. a-Si) aus der Gasphase auf geheizten Substraten eingesetzt werden. Hierzu eignen sich z.B. das Hexachlordisilan und die niederen Oligosilane, wobei Siliziumschichten bereits ab Temperaturen von 400–500°C sowohl in Gegenwart von H2 auch ohne H2 abgeschieden werden können. Hierzu werden die Substanzen dampfförmig, auch im Gemisch mit Trägergas (z.B. H2), über das geheizte Substrat geleitet.
    • 3. Die Komponenten mit geringem Dampfdruck können aus dem Produktgemisch heraus oder nach Abtrennung der Anteile mit höherem Dampfdruck ebenfalls zur Schichtabscheidung von Silicium genutzt werden, wenn sie in Substanz oder als Lösung auf ein heizbares Substrat aufgetragen und pyrolysiert werden.
    • 4. Durch Hydrierung des Produktgemisches oder einzelner Komponenten können vollständig oder teilhydrierte Polysilane erhalten werden, die sich besonders zur Abscheidung von Siliziumschichten auf Substraten bei niedriger Temperatur eignen, z.B. (SiH2)n → nSi + nH2, Dabei können die leichtflüchtigen Oligosilane für Abscheidungen aus der Gasphase verwendet werden. Die schwerer flüchtigen Polysilane können dann z.B. als Lösung in inerten Lösemitteln (z.B. Toluol) auf einen Träger aufgebracht werden und durch geeignete Maßnahmen (z.B. Erhitzen, UV-Licht etc.) unter Bildung einer Siliziumschicht zersetzt werden.
    • 5. Durch Derivatisierung des Produktgemisches oder einzelner Komponenten lassen sich Organopolysilane erhalten, wie z.B. teil- oder permethylierte Verbindungen der allgemeinen Formeln SinClnMen (a + b = 2n) und und SinClnMen (c + d = 2n + 2). Die Organopolysilane können dann z.B. durch geeignete Kupplungsreaktionen (z.B. Wurtz-Kupplungen) in Polymere eingebaut oder auf bestehende Polymere aufgepfropft werden, um die besonderen optischen oder elektronischen Eigenschaften der Polysilanketten zu nutzen. Auch eine direkte Nutzung geeignet derivatisierter Polysilane, z.B. in Form dünner Schichten auf geeigneten Substraten, ist denkbar. Eine denkbare Verwendung der Organopolysilane liegt in der Herstellung von LED's.
    • 6. Nach Trennung (z.B. destillativ) können die Chlorpolysilane auch als Feinchemikalien für Synthesen eingesetzt werden. So kann z.B. Hexachlordisilan, welches ein Hauptbestandteil des Produktgemisches ist, für Deoxygenierungsreaktionen in der Synthesechemie verwendet werden.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur und Verwendung von Polysilanen ist in 5 Zeichnungen dargestellt.
  • Zeichnung 1 stellt das gesamte Verfahrensschema zur Verarbeitung dar.
  • Zeichnung 2 stellt die Nutzung des Verfahrensschemas für die Abscheidung von Bulk-Silizium aus halogenierten Polysilanen kleiner Molmasse wie zum Beispiel Hexachlordisilan dar.
  • Zeichnung 3 stellt die Nutzung des Verfahrensschemas für Die Hydrierung und die Abscheidung von Dünnschichtsilizium aus hydrierten Polysilanen kleiner Molmasse wie zum Beispiel Hexachlordisilan dar.
  • Zeichnung 4 stellt die Nutzung des Verfahrensschemas zur Methylierung halogenierter Polysilane mittlerer Molmasse wie zum Beispiel Decachlortetrasilan und die weitere Verarbeitung dieser Organopolysilane durch die Wurtz-Kupplung dieser Organopolysilane an langkettige Polymere dar bei Rückführung der nieder- und hochmolekularen halogenierten Polysilane aus der Destillation in den Vorratsbehälter für niederhochmolekulare Polysilane und die Abführung des hochmolekularen Destillationsrestes in die unmittelbare Abscheidung von Silizium.
  • Zeichnung 5 stellt die Nutzung des Verfahrensschemas zur Destillation von hochmolekularen halogenierten Polysilanen, deren Methylierung und anschließende Verarbeitung zu Organopolysilanen bei Rückführung der nider- und mittelmolekularen Destillationsresten in die jeweiligen Vorratsbehälter dar.
    • 1
    Plasmareaktor
    2
    elektromagnetischer Hochfrequenzerzeuger I
    3
    elektromagnetischer Hochfrequenzerzeuger II
    4
    elektromagnetischer Hochfrequenzerzeuger III
    5
    Abführung vorwiegend niedermolekularer halogenisierter Polysilane
    6
    Abführung vorwiegend mittelmolekularer halogenisierter Polysilane
    7
    Abführung vorwiegend hochmolekularer halogenisierter Polysilane
    8
    Destillation vorwiegend niedermolekularer halogenisierter Polysilane
    9
    Destillation vorwiegend mittelmolekularer halogenisierter Polysilane
    10
    Destillation vorwiegend hochmolekularer halogenisierter Polysilane
    11
    Abführung undestillierter niedermolekularer halogenisierter Polysilane
    12
    Abführung Destillationsrückstände
    13
    Abführung Destillationsrückstände
    14
    Abführung Destillationsrückstände
    15
    Abführung hochreiner niedermolekularer Destillate
    16
    Abführung undestillierter mittelmolekularer halogenisierter Polysilane
    17
    Abführung Destillationsrückstände
    18
    Abführung Destillationsrückstände
    19
    Abführung Destillationsrückstände
    20
    Abführung Destillationsrückstände
    21
    Abführung Destillationsrückstände
    22
    Abführung hochreiner mittelmolekularer Destillate
    23
    Abführung undestillierter hochmolekularer halogenisierter Polysilane
    24
    Abführung Destillationsrückstände
    25
    Abführung Destillationsrückstände
    26
    Abführung Destillationsrückstände
    27
    Abführung Destillationsrückstände
    28
    Abführung Destillationsrückstände
    29
    Abführung hochreiner hochmolekularer Destillate
    30
    Vorratsbehälter hochreiner niedermolekularer halogeniserter Polysilane
    31
    Vorratsbehälter hochreiner mittelmolekularer halogeniserter Polysilane
    32
    Vorratsbehälter hochreiner hochmolekularer halogeniserter Polysilane
    33
    Vorratsbehälter vorwiegend niedermolekularer halogeniserter Polysilangemische
    34
    Abscheidevorrichtung für Silizium aus niedermolekularen Polysilangemischen
    35
    Abscheidevorrichtung für Siliziumschichten aus hochreinen gasförmigen niedermolekularen hydrierten Polysilanen
    36
    Hydrierungsreaktor
    37
    Speicherbehälter hochreiner flüssiger niedermolekularer hydrierter Polysilane
    38
    Methylierungsreaktor
    39
    Speicherbehälter niedermolekularer Organopolysilane
    40
    Vorratsbehälter vorwiegend mittelmolekularer halogeniserter Polysilangemische
    41
    Abscheidevorrichtung für Silizium aus mittelmolekularen Polysilangemischen
    42
    Hydrierungsreaktor
    43
    Abscheidevorrichtung für Siliziumschichten aus hochreinen gasförmigen mittelmolekularen hydrierten Polysilanen
    44
    Speicherbehälter hochreiner mittelmolekularer Organopolysilane
    45
    Methylierungsreaktor
    46
    Abscheidevorrichtung für Silizium aus hochmolekularen Polysilangemischen
    47
    Vorratsbehälter vorwiegend hochmolekularer halogeniserter Polysilangemische
    48
    Abscheidevorrichtung für Siliziumschichten aus hochreinen gasförmigen hochmolekularen hydrierten Polysilanen
    49
    Hydrierungsreaktor
    50
    Speicherbehälter flüssiger hochreiner hochmolekularer hydrierter Polysilane
    51
    Speicherbehälter gasförmiger hochreiner hochmolekularer Organopolysilane
    52
    Methylierungsreaktor
    53
    Speicherbehälter flüssiger hochreiner hochmolekularer Organopolysilane

Claims (30)

  1. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von chemisch oder plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen zur Erzeugung von Silizium und/oder siliziumbasierten Produkten, dadurch gekennzeichnet, dass je nach erzeugtem Polysilangemisch und gewünschtem End- und/oder Zwischenprodukt – dieses halogenierte Polysilangemisch in der Gas- oder Flüssigphase entweder unmittelbar der weiteren Verarbeitung zugeführt wird oder – in einer Destillationskolonne in einzelne Fraktionen getrennt wird und die hochreinen Destillate unmittelbar verarbeitet werden oder weiteren Verarbeitungsschritten zugeführt werden, beispielsweise – einer Hydrierung der halogenierten Polysilane und/oder – einer Methylierung oder Derivatisierung zwecks Erhalt von Organopolysilanen und – das zum Einsatz gelangende, plasmachemisch hergestellte Polysilangemisch über die Regelung und der wahlweise möglichen Stufung des Plasmareaktors und der Stoffflüsse in der Zusammensetzung des Gemisches gesteuert wird.
  2. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemische gemäß Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass zur Steuerung der Zusammensetzung des Polysilangemisches einer oder mehrere Plasmareaktoren hintereinander von dem zugeführten Reaktionsgemisch aus SiCl4 und H2 durchlaufen werden und die mittlere Molmasse des Polysilangemisches nach jedem Plasmareaktor zunimmt.
  3. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass zur Steuerung der Zusammensetzung des Polysilangemisches in einem Plasmareaktor mehrere Plasmaquellen vorgesehen und diese von dem Reaktionsgemisch durchlaufen werden und nach jeder Plasmaquelle in dem einen Plasmareaktor die mittlere Molmasse des Polysilangemisches zunimmt.
  4. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1, 2 und 3 dadurch gekennzeichnet, dass je nach Anzahl der Plasmareaktoren oder der Plasmaquellen in einem Plasmareaktor Polysilangemische von vorwiegend niederer, mittlerer und hoher Molmasse erhalten werden, die einer Weiterverarbeitung zugeführt wird.
  5. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 4 dadurch gekennzeichnet, dass die Reaktionstemperatur des Plasma unterhalb der Raumtemperatur gehalten wird und die Viskosität des erhaltenen Polysilangemisches durch das Mischungsverhältnis zwischen dem Wasserstoff- und dem Chlorgehalt des Plasmas gesteuert wird.
  6. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 5 dadurch gekennzeichnet, dass die in dem Plasmareaktor zum Einsatz kommenden Plasmaquellen gepulst werden.
  7. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 6 dadurch gekennzeichnet, dass das Plasma in dem Plasmareaktor periodisch durch ein zusätzliches elektromagnetisches Wechselfeld gequencht wird oder eine auf die Mikrowellenquelle abgestimmte Resonatorkammer durchläuft.
  8. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 7 dadurch gekennzeichnet, dass sich in dem Plasmareaktor Plasmapulsung und/oder zusätzliche Elektronenentladung und/oder Plasmaquenchen abwechseln.
  9. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 8 dadurch gekennzeichnet, dass die vorwiegend niedermolekulare Polysilangemische einer Destillation zugeführt werden, um ein über die Molmasse definiertes niedermolekulares Polysilan wie zum Beispiel Si2Cl6 hoher Reinheit zu erhalten.
  10. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 9 dadurch gekennzeichnet, dass der Destillationsrest mit überwiegend mittleren Molmassen wie zum Beispiel Si5Cl12 oder Si5Cl10 einer unmittelbaren Weiterverarbeitung zugeführt oder in den Prozess zurückgeführt wird.
  11. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 8 dadurch gekennzeichnet, dass die vorwiegend mittelmolekularen Polysilangemische einer Destillation zugeführt werden, um ein über die Molmasse definiertes mittelmolekulares Polysilan hoher Reinheit zu erhalten.
  12. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 8 und 11 dadurch gekennzeichnet, dass die polysilanen Destillationsreste mit überwiegend niederen oder hohen Molmassen einer unmittelbaren Weiterverarbeitung zugeführt oder in den Prozess zurückgeführt werden.
  13. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 8 dadurch gekennzeichnet, dass die vorwiegend hochmolekularen Polysilangemische einer Destillation zugeführt werden, um ein über die Molmasse definiertes hochmolekulares Polysilan hoher Reinheit zu erhalten.
  14. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 8 und 13 dadurch gekennzeichnet, dass die polysilanen Destillationsreste mit überwiegend niederen oder mittleren Molmassen einer unmittelbaren Weiterverarbeitung zugeführt oder in den Prozess zurückgeführt werden.
  15. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 9, 11 und 13 dadurch gekennzeichnet, dass die nach der Destillation erhaltenen hochreinen Polysilane mit niederer, mittlerer und hoher Molmasse einer Hydrierung zugeführt und teil- bzw. perhydrierte Verbindungen erhalten werden.
  16. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 15 dadurch gekennzeichnet, dass die Hydrierung in den inerten Lösemitteln Ether oder Toluol durchgeführt wird.
  17. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 16 dadurch gekennzeichnet, dass als Hydrierungsmittel Metall- und Metalloidhydride eingesetzt werden, vorzugsweise Natriumaluminiumhydrid oder Natriumborhydrid.
  18. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 17 dadurch gekennzeichnet, dass die Hydrierung vorzugsweise bei Temperaturen unterhalb 20°C durchgeführt wird.
  19. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 14 dadurch gekennzeichnet, dass die nach der Destillation erhaltenen hochreinen Polysilane mit niederer, mittlerer und hoher Molmasse einer Methylierung zugeführt und teil- bzw. permethylierte Organopolysilane der Form SinClaMEb(a + b = 2n) und SinClcMed(c + d = 2n + 2) erhalten werden.
  20. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 14 dadurch gekennzeichnet, dass als Methylisierungsmittel Methanol, Dimethylsulfat, Diazomethan oder Methylhalogenide verwandt werden.
  21. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 14 und 19 bis 20 dadurch gekennzeichnet, dass die erhaltenen Organoploysilane mit Kupplungsreaktionen in Polymere eingebaut oder auf diese aufgepropft werden.
  22. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 18 dadurch gekennzeichnet, dass nieder-, und/oder mittel- und/oder hochmolekulare halogenisierte Polysilangemische unmittelbar aus der Gasphase zur Abscheidung von hochreinem Silizium durch Pyrolyse zersetzt und über eine erhitzte Oberfläche geleitet werden.
  23. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 18 dadurch gekennzeichnet, dass flüssige halogeniserte Polysilangemische durch Pyrolyse zersetzt und über erhitzte Abscheideflächen geleitet werden und dort hochreines Silizium abgeschieden wird.
  24. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 18 dadurch gekennzeichnet, dass hochreine hydrierte Polysilane ausgewählter Molekulargewichte in der Gasphase durch Pyrolyse zersetzt und über erhitzte Oberflächen geführt werden und sich auf diesen Oberflächen Silizium abscheidet.
  25. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 18 dadurch gekennzeichnet, dass hochreine hydrierte Polysilane ausgewählter Molekulargewichte in der Flüssigphase oder in Lösung durch Pyrolyse zersetzt und über zu erhitzende Oberflächen geführt werden und sich auf diesen Oberflächen Silizium abscheidet.
  26. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 18 und 22 bis 26 dadurch gekennzeichnet, dass als Endprodukt amorphe Siliziumdünnschichten auf beliebigen Trägerflächen erhalten werden.
  27. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 27 dadurch gekennzeichnet, dass polykristalline Siliziumdünnschichten auf beliebigen Trägerflächen erhalten werden.
  28. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 27 dadurch gekennzeichnet, dass monokristalline Siliziumdünnschichten auf beliebigen Trägerflächen erhalten werden.
  29. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 27 dadurch gekennzeichnet, dass Silizium aus halogenierten Polysilangemischen oder hochreinen hydrierten Polysilanen als beliebig dicke Schicht abgeschieden wird.
  30. Verfahren zur endproduktbezogenen Herstellung und Weiterarbeitung von plasmachemisch hergestellten halogenierten Polysilangemischen gemäß Anspruch 1 bis 18 sowie 22 bis 25 dadurch gekennzeichnet, dass abgeschiedene Siliziumschichten einer Wärmenachbehandlung unterzogen werden.
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