DE10147454A1 - Targetkollektor zum Auffangen von Flüssigkeitstargets - Google Patents
Targetkollektor zum Auffangen von FlüssigkeitstargetsInfo
- Publication number
- DE10147454A1 DE10147454A1 DE10147454A DE10147454A DE10147454A1 DE 10147454 A1 DE10147454 A1 DE 10147454A1 DE 10147454 A DE10147454 A DE 10147454A DE 10147454 A DE10147454 A DE 10147454A DE 10147454 A1 DE10147454 A1 DE 10147454A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- collector
- liquid targets
- target
- targets
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims description 5
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 title abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract 1
- 238000010257 thawing Methods 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/002—Supply of the plasma generating material
- H05G2/0025—Systems for collecting the plasma generating material after the plasma generation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H6/00—Targets for producing nuclear reactions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
Mit der Erfindung sollen unverbrauchte Flüssigkeitstargets mit möglichst geringem Energieaufwand aus der Wechselwirkungskammer entsorgt werden. DOLLAR A Vorschlagsgemäß ist an der Kollektoröffnung (4) mindestens ein Heizelement (8) mit lediglich einer Wärmeleistung angeordnet, die hinreichend ist, ein Gefrieren von auf eine feste Oberfläche der Kollektoröffnung (4) auftreffenden Flüssigkeitstargets (2) zu verhindern. DOLLAR A Angewendet wird die Erfindung zur Absaugentfernung von bei der Plasmaerzeugung für die Emittierung elektromagnetischer Strahlung unverbrauchten Flüssigkeitstargets (2) aus einer evakuierten Wechselwirkungskammer. Dadurch kann für eine minimale Saugleistung eine kleine Auffangöffnung (4) des Targetkollektors (5) realisiert werden, ohne dass besondere Aufwendungen betrieben werden müssen, die Auffangöffnung (4) durch Abtauen bzw. Wiederverflüssigung der Targets (2) freizuhalten bzw. durch Wartung wieder freizumachen.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Targetkollektor zum Auffangen von Flüssigkeitstargets, insbesondere zum Entfernen von bei der Plasmaerzeugung für die Emittierung elektromagnetischer Strahlung unverbrauchten Flüssigkeitstargets aus einer evakuierten Wechselwirkungskammer.
- Strahlungsquellen, besonders im extrem ultravioletten Spektralbereich (EUV), lassen sich durch Wechselwirkung intensiver Laserstrahlung mit Materie realisieren. Dieser Prozess erfordert eine hohe Laserintensität, weshalb bei der praktischen Durchführung grundsätzlich intensive Laserimpulse verwendet werden. Verfahren zur Erzeugung von EUV-Strahlung mit lasergetriebenen Plasmen wurden beschrieben (z. B. US 6.002.744, US 5.577.092, US 5.577.091, US 5.459.771).
- Trifft ein solcher Laserimpuls in einer sog. Wechselwirkungskammer auf ein festes, flüssiges oder gasförmiges Material (Target), so entsteht ein Plasma, das bei geeigneter Wahl der Laserimpuls- und Targetparameter elektromagnetische Strahlung u. a. im besagten EUV-Bereich emittiert. Um die Absorption der entstandenen EUV-Strahlung am umgebenden Material (z. B. Luft) zu verhindern, muss die Wechselwirkungskammer evakuiert sein. Wenn Flüssigkeiten oder Gase als Targetmaterial verwendet werden, ist deshalb eine Entfernung verbrauchten oder ungenutzten Targetmaterials unbedingt erforderlich.
- Es ist bereits bekannt (US 5.577.091 und US 5.459.771), unverbrauchtes und zu Eiskristallen gefrorenes Targetmaterial nach erfolgter Laseranregung mittels eines Kollektors im Vakuum zu sammeln und anschließend für eine Entsorgung bzw. Wiederverwendung thermisch zu verflüssigen oder zu verdampfen. Erstens ist die Verwendung von Eiskristallen als Targetmaterial mit bestimmten Nachteilen verbunden (beispielsweise ein starkes Debris, d. h. eine Verschmutzung der optischen Komponenten) und zweitens ist für eine Wiederverflüssigung bzw. Verdampfung der in der Wechselwirkungskammer unverbrauchten Eiskristalle ein relativ hoher Heizaufwand erforderlich. Selbst wenn die Eiskristalle nicht vollends verflüssigt werden, ist der Aufwand für die Entsorgung immens hoch, beispielsweise durch hohe Absaugenergie.
- Doch auch unverbrauchte Flüssigtargets, die entfernt werden müssen, gefrieren in der evakuierten Wechselwirkungskammer bei ihrem Auftreffen auf jede feste Oberfläche eines Targetkollektors. Das bereitet wiederum Probleme, die Auffangöffnung eisfrei und damit im aufnahmefähigen Zustand zu halten. Um den Aufwand dafür zu begrenzen, besitzt der Targetkollektor eine hinreichend große Kollektoröffnung, die sich nicht so schnell mit Eiskristallen zusetzen kann. Ein großer Durchmesser der Kollektoröffnung bedingt aber wiederum die bereits angesprochene hohe Saugleistung zum Einfangen der Targets.
- Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zu Grunde, unverbrauchte Flüssigkeitstargets mit möglichst geringem Energieaufwand aus der Wechselwirkungskammer zu entsorgen.
- Erfindungsgemäß ist an der Kollektoröffnung mindestens ein Heizelement mit lediglich einer Heizleistung angeordnet, die hinreichend ist, ein Gefrieren von auf eine feste Oberfläche, wie den Rand der Kollektoröffnung, auftreffenden Flüssigkeitstargets zu verhindern und diese in ihrem flüssigen Zustand zu erhalten. Dadurch wird ein Zusetzen der Kollektoröffnung durch gefrierendes Targetmaterial im evakuierten Raum der Wechselwirkungskammer vermieden. Des weiteren besitzt der Targetkollektor eine Kollektoröffnung, deren Durchmesser sich nur unwesentlich vom Durchmesser der zu sammelnden Flüssigtargets unterscheidet. Weil die Flüssigkeitstargets infolge der Erhaltungsheizung nicht gefrieren und die Kollektoröffnung zusetzen können, wird es möglich, die besagte Öffnung aus Gründen einer minimalen Saugleistung zum Einfangen der Flüssigkeitstargets vergleichsweise klein zu halten und lediglich unwesentlich größer als die Flüssigkeitstargets zu gestalten.
- In der Praxis kann die Erwärmung beispielsweise durch eine elektrische Heizwicklung im oder um die Wandung der Kollektoröffnung realisiert werden. Treffen Flüssigkeitstropfen nicht exakt in die Kollektoröffnung, sondern ganz oder teilweise auf die erwärmte Wandung auf, bleibt somit die Flüssigphase der Targets erhalten; ein Wiederverflüssigen der Targets sowie ein "Abtauen" oder sonstigen Handlungen zum Offenhalten bzw. Wiederfreimachen der Kollektoröffnung werden nicht erforderlich, obgleich selbige geringe Abmessungen aufweist.
- Die Erfindung soll nachstehend anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert werden.
- Es zeigen:
- Fig. 1 Prinzipaufbau einer Wechselwirkungskammer mit Targetdüse, Laserstrahl und Targetkollektor mit beheizter Targetöffnung
- Figur Targetkollektor mit geregelter x-y-Positionierung
- In einer nicht explizit dargestellten luftleeren Wechselwirkungskammer für die Erzeugung eines Plasmas zur Emittierung einer Strahlung im extrem ultravioletten Spektralbereich (EUV) werden durch eine Targetdüse 1 Flüssigkeitstargets 2 in Form von Tropfen erzeugt, die durch den Strahlenbereich eines Lasers 3 geleitet werden. Trifft der Strahl des Lasers 3 auf ein solches Flüssigkeitstarget 2, so entsteht unter Verdampfen das besagte Plasma zur Emission der EUV-Strahlung (aus Übersichtsgründen in der Zeichnung nicht näher dargestellt). Bei dieser Plasmaerzeugung unverbrauchte Flüssigkeitstargets 2 gelangen in eine Auffangöffnung 4 eines Targetkollektors 5, der mit einer nicht näher dargestellten Vakuumpumpe 6 zur Absaugung der aufgefangenen Flüssigkeitstargets 2 in Verbindung steht. Im vorliegenden Beispiel besitzt die Auffangöffnung 4 eine zylindrische Wandung 7, um welche sich zu deren Erwärmen eine elektrische Heizwicklung 8 befindet, wobei die Erfindung jedoch nicht auf die beispielhaft dargestellte Art der Erwärmung beschränkt ist. Treffen Flüssigkeitstargets 2 nicht exakt und berührungslos in die Auffangöffnung 4, sondern ganz oder teilweise auf die Wandung 7, so verhindert die Erwärmungsenergie der Heizwicklung 8 ein Gefrieren der Flüssigkeitstargets 2 und insbesondere auch deren an Anfrieren an die Wandung 7. Infolge der Aufrechterhaltung des flüssigen Zustandes der Targets 2 bleibt die Auffangöffnung 4 frei und setzt sich nicht mit Eiskristallen zu. Diese Gefahr wäre auch um so größer, da der Innendurchmesser der Auffangöffnung 4 (vgl. Fig. 1) aus Gründen einer minimalen Saugleistung durch die Vakuumpumpe 6 nur unwesentlich größer als der Durchmesser der Flüssigkeitstargets 2 (Tröpfchengröße) gewählt ist. Die Wärmeleistung der elektrischen Heizwicklung 8 braucht lediglich in Hinsicht auf den Erhalt des Flüssigzustandes der Targets 2 bemessen zu sein. Gute Ergebnisse wurden mit Heizleistungen in der Größenordnung von 15 Watt erzielt.
- Um die Gefahr eines Anfrierens der Flüssigkeitstargets 2 und damit ggf. auch die erforderliche Heizleistung weiter zu senken, ist es vorteilhaft, wenn der Targetkollektor 5 in seiner relativen Lage zum Strom der zu sammelnden Flüssigkeitstargets 2positionsgeregelt ist, um die Flüssigkeitstargets 2 möglichst unter minimaler Berührung an der Wandung 7 aufzufangen. Fig. 2 zeigt eine solchen Prinzipanordnung. Zu diesem Zweck ist ein die Auffangöffnung 4 und das Sammeln der Flüssigkeitstargets 2 kontrollierender Lagesensor 9, beispielsweise ein optischer CCD-Sensor, vorgesehen, der mit einer X-Y- Positioniereinrichtung 10 für den Targetkollektor 5 in Verbindung steht. Mit ihren Koordinatenantrieben bewegt die X-Y-Positioniereinrichtung 10 den Targetkollektor 5 zweidimensional relativ zur Lage der einfallenden Flüssigkeitstargets.
- Durch die positionsgeregelte Bewegung des Targetkollektors 5 kann die relative Lage der Flüssigkeitstargets 2 zur plasmaerzeugenden Strahlung (Laser 3), einschließlich der optischen Elementen zu deren Fokussierung, vom vorteilhaften Einfangen der unverbrauchten Flüssigkeitstargets 2 unbeeinflusst bleiben. Aufstellung der verwendeten Bezugszeichen 1 Targetdüse
2 Flüssigkeitstargets
3 Laser
4 Auffangöffnung
5 Targetkollektor
6 Vakuumpumpe
7 Wandung
8 elektrische Heizwicklung
9 Lagesensor
10 X-Y-Positioniereinrichtung
Claims (6)
1. Targetkollektor zum Auffangen von Flüssigkeitstargets, insbesondere zum Entfernen
von bei der Plasmaerzeugung für die Emittierung elektromagnetischer Strahlung
unverbrauchten Flüssigkeitstargets aus einer evakuierten Wechselwirkungskammer, bei
welchem die Flüssigkeitstargets in einer Kollektoröffnung aufgefangen und vorzugsweise
durch Mittel zur Erzeugung eines Unterdrucks, wie eine Vakuumpumpe, abgesaugt werden
dadurch gekennzeichnet, dass die Kollektoröffnung (4) zum Zweck der Vermeidung des
Gefrierens der Flüssigkeitstargets (2) bei deren Auftreffen auf eine feste Oberfläche der
Kollektoröffnung (4) durch mindestens ein Heizelement (8) erwärmt ist.
2. Targetkollektor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Heizelement aus
einer vorzugsweise um die Kollektoröffnung (4) des Targetkollektors (5) angeordneten
elektrischen Heizwicklung (8) zur Erwärmung des Wandungsmaterials (7) der
Kollektoröffnung (4) besteht.
3. Targetkollektor gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser der
Kollektoröffnung (4) in Einrichtungen zur Emittierung elektromagnetischer Strahlen,
beispielsweise für die Erzeugung von Strahlung im extrem ultravioletten Spektralbereich
(EUV-Strahlung), weniger als 500 µm beträgt.
4. Targetkollektor gemäß Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der
Durchmesser der Kollektoröffnung (4) nur unwesentlich größer als der Durchmesser der
aufzufangenden Flüssigkeitstargets (2) ist.
5. Targetkollektor gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass dieser für ein in der
Kollektoröffnung (4) möglichst berührungsloses Auffangen der Flüssigkeitstargets (2)
positionsgeregelt ist.
6. Targetkollektor gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein die relative
Position der Auffangöffnung (4) zum Strom der aufzufangenden Flüssigkeitstargets (2)
kontrollierender Lagesensor (9) vorgesehen ist, der mit einer Positioniereinrichtung (10)
für den Targetkollektor (5) in Verbindung steht.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10147454A DE10147454A1 (de) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | Targetkollektor zum Auffangen von Flüssigkeitstargets |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10147454A DE10147454A1 (de) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | Targetkollektor zum Auffangen von Flüssigkeitstargets |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10147454A1 true DE10147454A1 (de) | 2003-04-17 |
Family
ID=7700347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE10147454A Ceased DE10147454A1 (de) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | Targetkollektor zum Auffangen von Flüssigkeitstargets |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE10147454A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102013110760A1 (de) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Strahlungsquelle zur Erzeugung von kurzwelliger Strahlung aus einem Plasma |
| US9119280B2 (en) | 2011-08-12 | 2015-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5577091A (en) * | 1994-04-01 | 1996-11-19 | University Of Central Florida | Water laser plasma x-ray point sources |
| DE19743311A1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-04-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Target für die Erzeugung gepulster Röntgen- und Extrem-UV-Strahlung (EUV), Verfahren zur Erzeugung eines solchen Targets sowie seine Verwendung |
| US5991360A (en) * | 1997-02-07 | 1999-11-23 | Hitachi, Ltd. | Laser plasma x-ray source, semiconductor lithography apparatus using the same and a method thereof |
| WO2001049087A1 (en) * | 1999-12-24 | 2001-07-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of generating euv radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, euv radiation source unit, and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit |
-
2001
- 2001-09-20 DE DE10147454A patent/DE10147454A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5577091A (en) * | 1994-04-01 | 1996-11-19 | University Of Central Florida | Water laser plasma x-ray point sources |
| DE19743311A1 (de) * | 1996-09-30 | 1998-04-02 | Fraunhofer Ges Forschung | Target für die Erzeugung gepulster Röntgen- und Extrem-UV-Strahlung (EUV), Verfahren zur Erzeugung eines solchen Targets sowie seine Verwendung |
| US5991360A (en) * | 1997-02-07 | 1999-11-23 | Hitachi, Ltd. | Laser plasma x-ray source, semiconductor lithography apparatus using the same and a method thereof |
| WO2001049087A1 (en) * | 1999-12-24 | 2001-07-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of generating euv radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, euv radiation source unit, and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9119280B2 (en) | 2011-08-12 | 2015-08-25 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source |
| DE102013110760A1 (de) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Strahlungsquelle zur Erzeugung von kurzwelliger Strahlung aus einem Plasma |
| US9119279B2 (en) | 2013-09-27 | 2015-08-25 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Radiation source for generating short-wavelength radiation from plasma |
| DE102013110760B4 (de) * | 2013-09-27 | 2017-01-12 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Strahlungsquelle zur Erzeugung von kurzwelliger Strahlung aus einem Plasma |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60007852T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum verlängern der lebenszeit einer röntgenanode | |
| DE69722609T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen von röntgen- oder extremer uv- strahlung | |
| EP1166358B1 (de) | Verfahren zum abtragen von dünnen schichten auf einem trägermaterial | |
| DE69612411T2 (de) | Unterwasserbehandlungsverfahren und -system | |
| DE112010000850B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aufrechterhalten und Erzeugen eines Plasmas | |
| DE69729588T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von extrem-ultraviolettlicht für die verwendung in der fotolitographie | |
| DE2121155A1 (de) | Vorrichtung zum Anreißen der Oberfläche von Gegenständen | |
| DE69410900T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung von Oberflächen-Laserreinigung | |
| EP2944413A1 (de) | Vorrichtung zur Maskenprojektion von Femtosekunden- und Pikosekunden- Laserstrahlen mit einer Blende, einer Maske und Linsensystemen | |
| DE10392145T5 (de) | Extremultraviolett-Lichtquellenvorrichtung | |
| EP2247251A2 (de) | Verfahren und laserbearbeitungsgerät zur bearbeitung von biologischem gewebe | |
| Hendricks et al. | An all-optical ion-loading technique for scalable microtrap architectures | |
| DE102014001653B4 (de) | Laserionenquelle und Schwerteilchenstrahl-Therapiegerät | |
| EP2937892A1 (de) | Strahlerzeugungsvorrichtung und verfahren zur erzeugung eines flüssigkeitsstrahls | |
| DE102012109961B4 (de) | Vorrichtung mit fokussiertem Ionenstrahl | |
| DE102006052824B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung beim Laserstrahlschneiden eines metallischen Bauteils | |
| DE10147454A1 (de) | Targetkollektor zum Auffangen von Flüssigkeitstargets | |
| DE69204879T2 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Arbeiten mit Laser in einer kontaminierten Zone einer Nuklearanlage. | |
| CH665307A5 (de) | Vorrichtung zum beruehrungslosen erzeugen eines oertlichen vakuums auf einem werkstueck. | |
| DE102021123027A1 (de) | Laser-Bearbeitungsvorrichtung | |
| DE19840934B4 (de) | Anordnung zum Entfernen von Material, das durch eine Laserstrahlungsquelle bei der Materialbearbeitung von einer Bearbeitungsfläche abgetragen wird | |
| DE102008038118A1 (de) | Verfahren und Anlagen zum Entschichten mit Laserstrahlen | |
| DE102012218103A1 (de) | Anlage zur Reinigung eines Bauteils, insbesondere eines piezoelektrischen Aktors | |
| EP0634648A1 (de) | Erfassungseinheit für die optronische Oberflächeninspektion | |
| DE102009042199A1 (de) | Laserstrahl-Ausrichteinheit und Laserbearbeitungsgerät zur Bearbeitung eines Materials |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| 8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| R016 | Response to examination communication | ||
| R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
| R003 | Refusal decision now final |
Effective date: 20140325 |