DE1049423B

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Publication number: DE1049423B
Application number: DENDAT1049423D
Authority: DE
Publication date: 1959-01-29

Description

Es sind Fernsehaufnahmeröhren bekannt, in denen zur Umwandlung des optischen Bildes in ein elektrisches Ladungsbild der innere Photoeffekt von dünnen Halbleiterschichten ausgenutzt wird.There are television pick-up tubes known in which to convert the optical image into an electrical one Charge pattern the internal photo effect of thin semiconductor layers is used.

Diese weisen unter anderem folgende Nachteile auf:These have the following disadvantages, among others:

Die Signalerzeugung erfolgt nicht trägheitsfrei. Diese Trägheit, die sich als Nachbild bemerkbar macht, hat zum Teil im Mechanismus der Photoieitung eines Halbleiters ihre Ursache. Die Halbleiterträgheit kann durch Verwendung hoch gereinigter Halbleiter vermindert werden.The signal generation is not free of inertia. This indolence, which is noticeable as an afterimage is partly due to the photo-conduction mechanism of a semiconductor. The semiconductor inertia can be reduced by using highly purified semiconductors.

Zum anderen Teil beruht die Trägheit auf einer ungenügenden Entladung der Bildelemente und kann durch genügend dicke Schichten vermieden werden.On the other hand, the inertia is based on insufficient discharge of the picture elements and can can be avoided by sufficiently thick layers.

Die Technologie bei der Herstellung der Halbleiterschicht ist schwierig und wird in Abb. 1 dargestelltThe technology used to manufacture the semiconductor layer is difficult and is shown in Fig. 1

Die lichtempfindliche Halbleiterschicht 1 wird durch Aufdampfen des Halbleitermaterials auf die Planscheibe 2 aus einem durch eine seitliche Kapillare 3 einschiebbaren Verdampfer 5 hergestellt. Aus diesem Herstellungsverfahren resultiert:The light-sensitive semiconductor layer 1 is produced by vapor deposition of the semiconductor material onto the plane plate 2 from an evaporator 5 which can be inserted through a lateral capillary 3. This manufacturing process results in:

Die Verdampfung des Halbleitermaterials erfolgt durch das Abbremsnetz 4 hindurch. Dabei schlägt sich ein Teil des verdampften Materials auf dem Netz nieder und trägt nicht zum Aufbau der Schicht bei. Dies vermindert die erzielbare Schichtdicke und die Durchlässigkeit des Netzes für den Elektronenstrahl und ?rhöht somit die Umladeträgheit.The evaporation of the semiconductor material takes place through the braking network 4 . Some of the evaporated material is deposited on the network and does not contribute to the build-up of the layer. This reduces the achievable layer thickness and the permeability of the network for the electron beam and thus increases the reloading inertia.

Die Kapillare 3 muß nach dem Aufdampfprozeß ibgezogen werden. Da die Kapillare durch die Nähe Ier Planscheibe an einer glastechnisch ungünstigen Stelle liegt, können beim Abziehen der Kapillare eicht Sprünge entstehen. Außerdem stört die gegen Verfahren zur Herstellung
der lichtempfindlichen Halbleiterschicht in VidikonröhrenThe capillary 3 must be pulled after the evaporation process. Since the capillary is in a technically unfavorable position due to the proximity of the faceplate, cracks can easily occur when the capillary is removed. It also interferes with the manufacturing process
the photosensitive semiconductor layer in vidicon tubes

nechanische Einwirkung sehr empfindliche Abzieh ■pitze beim Einsetzen der Röhre in die Ablenk- und "okussierspulen.mechanical action very sensitive pull-off tip when inserting the tube into the deflection and "focus coils.

Weitere bekannte Röhren haben fest eingebaute /"erdampfer zur Herstellung der Antimon-Trisulfidchicht, welche als Art Schiffchen auf dem Haltering iir das Feinstruktunietz aufgebaut sind.Other well-known tubes have built-in / "evaporators for the production of the antimony trisulfide layer, which are built as a kind of shuttle on the retaining ring in the fine structure network.

Diese Röhren haben die Nachteile, daß sich das erdampfte Material durch die Anordnung der beiden chiffchen als ungleiche Schicht auf der Signalplatte iederschlägt.These tubes have the disadvantages that the vaporized material is separated by the arrangement of the two chiffchen precipitates as an uneven layer on the signal plate.

Erfiridungsgemäß sollen diese Nachteile vermieden 'erden. Es soll erreicht werden, daß die Aufdampf- :hicht gleichmäßig dick ist, daß durch eine zweilalige Vakuumdestillation das Aufdampfmaterial ^reinigt und dadurch die Trägheit vermindert wird nd daß der Abziehstutzen an technologisch ungünstiir Stelle entfällt. Das wird erfindungsgemäß dadurch reicht, daß ein geeignet geformter Metallring am nde des Anodenzylinders zwischenAccording to the invention, these disadvantages should be avoided. It should be achieved that the evaporation : hicht is evenly thick that the vapor deposition material is obtained by a double vacuum distillation ^ cleans and thereby the inertia is reduced and that the extraction socket is technologically unfavorable Position is omitted. This is sufficient according to the invention that a suitably shaped metal ring on end of the anode cylinder between

id Abbremsnetz eingebaut wird.id deceleration network is installed.

Anmelder:
Deutsche Akademie
der Wissenschaften zu Berlin,
Berlin W 8, Jägerstr. 22/23Applicant:
German Academy
of the sciences in Berlin,
Berlin W 8, Jägerstr. 22/23

Dr. Friedrich Eckart, Berlin-Oberschöneweide, und Dr. Claus Kunze, Berlin-Schmöckwitz, sind als Erfinder genannt wordenDr. Friedrich Eckart, Berlin-Oberschöneweide, and Dr. Claus Kunze, Berlin-Schmöckwitz, have been named as inventors

Schichtträger Nachstehend wird die Erfindung" an Hand eines Ausführungsbeispieles in der Abb. 2 erläutert:Layer carrier The invention is explained below using an exemplary embodiment in Fig. 2:

Auf einen durch z. B. Sandstrahlen aufgerauhten Ringl wird vor dem Einbau in die Röhre das Halbleitermaterial in gewünschter Menge aufgedampft und nach dem Einbau unter Vakuum durch Erhitzen des Ringes in einem Hochfrequenzfeld wieder abgedampft. Dadurch wird eine zweimalige Destillation und damit eine Reinigung des Halbleitermaterials erreicht und die früher notwendige Kapillare für das Einbringen eines Verdampfers vermieden.On one by z. B. sandblasting roughened ring, the semiconductor material is evaporated in the desired amount before installation in the tube and after installation, evaporated again under vacuum by heating the ring in a high-frequency field. This results in a double distillation and thus a cleaning of the semiconductor material achieved and the previously necessary capillary for the introduction of an evaporator avoided.

Der genannte Ring kann, sofern er isoliert auf dem Anodenzylinder 2 angebracht wird und auf einem Potential zwischen dem der Strahlkathode 3 und des Anodenzylinders 2 gehalten wird, als Abbremselektrode für die Abtastelektronen dienen. Durch diesen Ring kann das bisher übliche Abbremsnetz 4 einge spart werden.Said ring, provided it is attached to the anode cylinder 2 in an isolated manner and at a potential between which the beam cathode 3 and the anode cylinder 2 is held, can serve as a deceleration electrode for the scanning electrons. Through this ring, the previously usual braking network 4 can be saved.

Claims

Claims.

1. Method of manufacturing the photosensitive semiconductor layer of a television pickup tube of the Vidikon type, characterized in that a suitably shaped metal ring with vapor-deposited onto the semiconductor material before installation in the tube and after installation in the tube

809 747/224809 747/224

is heated by an RF field, is used as a vaporizer.

2. Apparatus according to claim 1, characterized in that the specially shaped metal ring is used at the same time as a deceleration electrode for the scanning electrons.

Considered publications:

"Proceedings of the IEE", Part Β, No. 4, July 1955, pp. 401 to 411, in particular pp. 402 and 403;

"Electronic Rundschau", 195.6, Issue 6, pp. 153 to 157 'in particular Fig. 2.

1 sheet of drawings