[go: up one dir, main page]

DD229160A1 - CIRCUIT ARRANGEMENT FOR OPERATING DC PLASTER DRYERING DEVICES - Google Patents

CIRCUIT ARRANGEMENT FOR OPERATING DC PLASTER DRYERING DEVICES Download PDF

Info

Publication number
DD229160A1
DD229160A1 DD26049284A DD26049284A DD229160A1 DD 229160 A1 DD229160 A1 DD 229160A1 DD 26049284 A DD26049284 A DD 26049284A DD 26049284 A DD26049284 A DD 26049284A DD 229160 A1 DD229160 A1 DD 229160A1
Authority
DD
German Democratic Republic
Prior art keywords
circuit arrangement
inductance
layers
plasmatron
target
Prior art date
Application number
DD26049284A
Other languages
German (de)
Other versions
DD229160B1 (en
Inventor
Wolfgang Michalke
Juergen Salm
Klaus Steenbeck
Erwin Steinbeiss
Original Assignee
Adw Ddr
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Adw Ddr filed Critical Adw Ddr
Priority to DD26049284A priority Critical patent/DD229160B1/en
Publication of DD229160A1 publication Critical patent/DD229160A1/en
Publication of DD229160B1 publication Critical patent/DD229160B1/en

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Betreiben von Gleichstromplasmatronzerstaeubungsvorrichtungen. Die Aufgabe der Erfindung vermittels einer Schaltungsanordnung stabilisierte Entladungsbedingungen beim Gleichstromzerstaeuben zu erreichen und eine derartiges ermoeglichende Schaltungsanordnung anzugeben, wird erfindungsgemaess dadurch geloest, dass die Ankopplung eines Gleichstromgenerators an das Gleichstromplasmatron ueber eine Induktivitaet und einer parallel zum Plasmatron liegende Kapazitaet mit der Massgabe erfolgt, dass die Induktivitaet groesser 5 H gewaehlt ist und die Kapazitaet kleiner 10 nF ist.The invention relates to a circuit arrangement for operating Gleichstromplasmatronzerstaeubungsvorrichtungen. The object of the invention by means of a circuit arrangement to achieve stabilized discharge conditions in Gleichstromzerstaeuben and specify such an ermoeglichende circuitry is achieved according to the invention that the coupling of a DC generator to the Gleichstromplasmatron via an inductance and a lying parallel to the Plasmatron capacity with the proviso that the Inductance greater than 5 H is selected and the capacity is less than 10 nF.

Description

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Betreiben von Gleichstromplasmatronzerstäubungsvorrichtungen, bei denen eine ruhig brennende Entladung, wie das bei der Herstellung qualitativ hochwertiger Dünnschichten erforderlich ist, benötigt wird.The invention relates to a circuit arrangement for operating DC plasma atomizing devices, in which a quiet burning discharge, as is required in the production of high-quality thin films, is needed.

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

Es sind eine Reihe von Maßnahmen bekannt, die darauf abzielen, die Entladungsbedingungen inThere are a number of measures known which aim at the discharge conditions in

Gleichstromplasmatronzerstäubungsvorrichtungen zu stabilisieren. Bei der Gleichstromzerstäubung von Festkörpertargets mit Plasmatronquellen treten nach bestimmten Betriebszeiten häufig Entladungsinstabilitäten in Form von Funkendurchschlägen auf, die von schwächer abgetragenen Targetteilen außerhalb der intensiven Erosionszone ausgehen, deren Ursachen bisher nicht vollständig geklärt sind. Besonders störend wirken sich diese Instabilitäten bei der reaktiven Elementzerstäubung zur Abscheidung hochisolierender Schichten aus, z.B. bei der dc-Zerstäubung von Si in O2-haltiger Atmosphäre, weil die Ausbildung der Funkeninstabilitäten noch durch die allmähliche Bedeckung der schwach abgetragenen Targetteile mit isolierenden Schichten und isolierende Staubpartikel forciert wird. Da mit jedem Funken Targetmaterial in feinster Verteilung auf die wachsenden Schichten geschleudert wird, entstehen in den Schichten hohe Defektdichten (pinholes), die bis zur Unbrauchbarkeit der Schichten führen können. Mit bestimmten Vorsputterregimes, durch häufige Targetreinigung, . Auflegen isolierender Targetberandungen und staubarme Rezipienten läßt sich die Häufigkeit und die zeitliche Zunahme derartiger Instabilitäten zwar reduzieren, jedoch nicht vollständig vermeiden, bzw. in der Funkenstärke nicht auf ein unterkritisches Maß reduzieren. Ferner sind aus DE-AS 1.440.662 und DD 122.160 Maßnahmen schaltungstechnischer Art bekannt, die die Ausbildung von Bogenentladungen unterbinden sollen. Diese Maßnahmen sind jedoch nicht zur Unterdrückung von Entladungen geeignet, die unterhalb der Schwelle für Bogenentladungen liegen, aber im Ergebnis zu einem unerwünschten Einfluß auf die Qualität der hergestellten Schichten bzw. des beschichteten Bauelementes (Strahlenschäden) führen.To stabilize DC plasma atomizing devices. In the DC sputtering of solid state targets with Plasmatronquellen occur after certain operating times often discharge instabilities in the form of sparking, emanating from weaker ablated target parts outside the intense erosion zone, whose causes are not fully understood. Particularly disturbing affect these instabilities in the reactive element sputtering for the deposition of highly insulating layers, e.g. in the dc sputtering of Si in O 2 -containing atmosphere, because the formation of the sparks instabilities is still forced by the gradual covering of the weakly abraded target parts with insulating layers and insulating dust particles. Since target material in the finest distribution is thrown onto the growing layers with each spark, high defect densities (pinholes) develop in the layers, which can lead to the unusability of the layers. With certain sputtering regimes, through frequent target cleaning,. Applying insulating target boundaries and low-dust containers, the frequency and the temporal increase of such instabilities can be reduced, but not completely avoided, or reduced in the spark thickness not to a subcritical level. Furthermore, from DE-AS 1,440,662 and DD 122,160 measures of a circuit type are known to prevent the formation of arc discharges. However, these measures are not suitable for suppressing discharges that are below the threshold for arc discharges, but as a result lead to an undesirable effect on the quality of the layers produced or the coated component (radiation damage).

Ziel der ErfindungObject of the invention

Es ist das Ziel der Erfindung, defektreduzierte Dünnschichten mittels Gleichstromplasmatronzerstäubungsvorrichtung herzustellen.It is the object of the invention to produce low-defect thin films by means of DC plasma sputtering apparatus.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, vermittels einer Schaltungsanordnung stabilisierte Entladungsbedingungen beim Gleichstromplasmatronzerstäuben zu erreichen und eine derartiges ermöglichende Schaltungsanordnung anzugeben. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Ankopplung eines Gleichstromgenerators an das Plasmatron über eine Induktivität und eine parallel zum Plasmatron liegende Kapazität mit der Maßgabe erfolgt, daß die Induktivität größer 5H gewählt ist und die Kapazität kleiner 10 nF ist. Diese erfindungsgemäße Maßnahme führt in überraschenderweise zu einer erheblichen Verringerung der Funkenausbildung bei der Plasmatronentladung, was einer Reduzierung, der im Falle der SiO2-Beschichtung entstehenden Defektdichte, ohne Verwendung erfindungsgemäßer Schaltungsanordnung um mindestens den Faktor 10 entspricht. Die erfindungsgemäß eingesetzte Schaltungsanordnung kann dabei sowohl durch die Ausgangsstufe des Gleichstromgenerators bzw. durch ein separates Bauteil repräsentiert werden.The invention has for its object to achieve by means of a circuit arrangement stabilized discharge conditions in Gleichstromplasmatronzerstäuben and to provide such enabling circuitry. According to the invention the object is achieved in that the coupling of a DC generator to the plasmatron via an inductance and a parallel to the plasmatron capacity is carried out with the proviso that the inductance is greater than 5H and the capacity is less than 10 nF. Surprisingly, this measure according to the invention leads to a considerable reduction in spark formation during the plasmatron discharge, which corresponds to a reduction of the defect density arising in the case of the SiO.sub.2 coating by at least a factor of 10 without using a circuit arrangement according to the invention. The circuit arrangement used according to the invention can be represented both by the output stage of the DC generator or by a separate component.

Ausführungsbeispielembodiment

Zur näheren Illustration der Erfindung soll folgendes Ausführungsbeispiel dienen.For a more detailed illustration of the invention, the following embodiment is intended to serve.

Die heiligende Figur zeigt eine nach der Erfindung ausgeführte Schaltungsanordnung.The sanctifying figure shows a circuit arrangement according to the invention.

Unter Verwendung einer üblichen Vakuumbeschichtungsapparatur ausgerüstet mit einem 1 kW-Plasmatron soll ein 3-Siliziumtarget in Ar/O-Gemisch bei einem Druck von 0,5 Pa zwecks Herstellung von SiO2-Schichten zerstäubt werden. Zwischen einem üblichen Gleichstromgenerator 1 mit regelbarer Ausgangsleistung und dem Plasmatron 4 befindet sich die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung mit einer Induktivität 2 von 15H und einer Kapazität 3 von 1 nF entsprechend beiliegender Figur angeordnet. Der dabei parallel zur Induktivität 2 geschaltete Regelwiderstand (1 -10kil) dient dem Feinabgleich. Der Ohmsche Widerstand der Induktivität 2 wird durch Rv repräsentiert. Die parallel zur Induktivität 2 geschaltete Diode ist zum Schutz gegenüber Spannungsspitzen vorgesehen.Using a conventional vacuum coating apparatus equipped with a 1 kW plasmatron, a 3-silicon target is to be sputtered in Ar / O mixture at a pressure of 0.5 Pa for the production of SiO 2 layers. Between a conventional DC generator 1 with adjustable output power and the Plasmatron 4, the circuit arrangement according to the invention with an inductance 2 of 15H and a capacitance 3 of 1 nF is arranged according to the enclosed figure. The case parallel to the inductance 2 connected variable resistor (1 -10kil) is used for fine adjustment. The ohmic resistance of the inductor 2 is represented by Rv. The diode connected in parallel to the inductance 2 is provided for protection against voltage spikes.

Claims (1)

— I —- I - Patentanspruch:Claim: Schaltungsanordnung zum Betreiben von Gleichstromplasmatronzerstäubungsvorrichtungen unter Verwendung von Gleichstromgeneratoren, gekennzeichnet dadurch, daß die Ankopplung an das Gleichstromplasmatron über eine Induktivität und eine parallel zum Plasmatron liegende Kapazität mit der Maßgabe erfolgt, daß die Induktivität größer 5H gewählt ist und die Kapazität kleiner 1OnF ist.Circuit arrangement for operating direct current plasma atomizing devices using direct current generators, characterized in that the coupling to the Gleichstromplasmatron via an inductance and a capacitance parallel to the Plasmatron takes place with the proviso that the inductance is greater than 5H and the capacity is less than 1OnF. Hierzu 1 Seite ZeichnungenFor this 1 page drawings Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Betreiben von Gleichstromplasmatronzerstäubungsvorrichtungen, bei denen eine ruhig brennende Entladung, wie das bei der Herstellung qualitativ hochwertiger Dünnschichten erforderlich ist, benötigt wird.The invention relates to a circuit arrangement for operating DC plasma atomizing devices, in which a quiet burning discharge, as is required in the production of high-quality thin films, is needed. Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions Es sind eine Reihe von Maßnahmen bekannt, die darauf abzielen, die Entladungsbedingungen in Gleichstromplasmatronzerstäubungsvorrichtungen zu stabilisieren. Bei der Gleichstromzerstäubung von Festkörpertargets mit Piasmatronquellen treten nach bestimmten Betriebszeiten häufig Entladungsinstabilitäten in Form von Funkendurchschlägen auf, die von schwächer abgetragenen Targetteilen außerhalb der intensiven Erosionszone ausgehen, deren Ursachen bisher nicht vollständig geklärt sind. Besonders störend wirken sich diese Instabilitäten bei der reaktiven Elementzerstäubung zur Abscheidung hochisolierender Schichten aus, z. B. bei der dc-Zerstäübung von Si in O2-haltiger Atmosphäre, weil die Ausbildung der Funkeninstabilitäten noch durch die allmähliche Bedeckung der schwach abgetragenen Targetteile mit isolierenden Schichten und isolierende Staubpartikel forciert wird. Da mit jedem Funken Targetmaterial in feinster Verteilung auf die wachsenden Schichten geschleudert wird, entstehen in den Schichten hohe Defektdichten (pinholes), die bis zur Unbrauchbarkeit der Schichten führen können. Mit bestimmten Vorsputterregimes, durch häufige Targetreinigung, Auflegen isolierender Targetberandungen und staubarme Rezipienten läßt sich die Häufigkeit und die zeitliche Zunahme derartiger Instabilitäten zwar reduzieren, jedoch nicht vollständig vermeiden, bzw. in der Funkenstärke nicht auf ein unterkritisches Maß reduzieren. Ferner sind aus DE-AS 1.440.662 und DD 122.160 Maßnahmen schaltungstechnischer Art bekannt, die die Ausbildung von Bogenentladungen unterbinden sollen. Diese Maßnahmen sind jedoch nicht zur Unterdrückung von Entladungen geeignet, die unterhalb der Schwelle für Bogenentladungen liegen, aber im Ergebnis zu einem unerwünschten Einfluß auf die Qualität der hergestellten Schichten bzw. des beschichteten Bauelementes (Strahlenschäden) führen.A number of measures are known which aim to stabilize the discharge conditions in DC plasma atomizing devices. In the DC sputtering of solid state targets with Piasmatronquellen occur after certain operating times often discharge instabilities in the form of sparking, emanating from weaker ablated target parts outside of the intense erosion zone, whose causes are not fully understood. Particularly disturbing affect these instabilities in the reactive element atomization for the deposition of highly insulating layers, z. B. in the dc Zerstäübung of Si in O 2 -containing atmosphere, because the formation of the spark instabilities is still forced by the gradual coverage of the weakly removed target parts with insulating layers and insulating dust particles. Since target material in the finest distribution is thrown onto the growing layers with each spark, high defect densities (pinholes) develop in the layers, which can lead to the unusability of the layers. With certain sputtering regimens, frequent target cleaning, application of insulating target boundaries and low-dust recipients, the frequency and the temporal increase of such instabilities can be reduced, but not completely avoided, or reduced to a subcritical level in the spark strength. Furthermore, from DE-AS 1,440,662 and DD 122,160 measures of a circuit type are known to prevent the formation of arc discharges. However, these measures are not suitable for suppressing discharges that are below the threshold for arc discharges, but as a result lead to an undesirable influence on the quality of the layers produced or of the coated component (radiation damage). Ziel der ErfindungObject of the invention Es ist das Ziel der Erfindung, defektreduzierte Dünnschichten mittels Gleichstromplasmatronzerstäubungsvorrichtung herzustellen.It is the object of the invention to produce low-defect thin films by means of DC plasma sputtering apparatus. Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, vermittels einer Schaltungsanordnung stabilisierte Entladungsbedingungen beim Gleichstromplasmatronzerstäuben zu erreichen und eine derartiges ermöglichende Schaltungsanordnung anzugeben. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß die Ankopplung eines Gleichstromgenerators an das Plasmatron über eine Induktivität und eine parallel zum Plasmatron liegende Kapazität mit der Maßgabe erfolgt, daß die Induktivität größer 5H gewählt ist und die Kapazität kleiner 1OnF ist. Diese erfindungsgemäße Maßnahme führt in überraschender Weise zu einer erheblichen Verringerung der Funkenausbildung bei der Piasmatronentladung, was einer Reduzierung, der im Falle der SiO2-Beschichtung entstehenden Defektdichte, ohne Verwendung erfindungsgemäßer Schaltungsanordnung um mindestens den Faktor 10 entspricht. Die erfindungsgemäß eingesetzte Schaltungsanordnung kann dabei sowohl durch die Ausgangsstufe des Gleichstromgenerators bzw. durch ein separates Bauteil repräsentiert werden.The invention has for its object to achieve by means of a circuit arrangement stabilized discharge conditions in Gleichstromplasmatronzerstäuben and to provide such enabling circuitry. According to the invention the object is achieved in that the coupling of a DC generator to the plasmatron via an inductor and a capacitor lying parallel to the plasmatron is carried out with the proviso that the inductance is greater than 5H selected and the capacity is less than 1OnF. This measure according to the invention surprisingly leads to a considerable reduction of the spark formation during the piasmatone discharge, which corresponds to a reduction of the defect density arising in the case of the SiO 2 coating by at least a factor of 10 without using a circuit arrangement according to the invention. The circuit arrangement used according to the invention can be represented both by the output stage of the DC generator or by a separate component. Ausführungsbeispielembodiment Zur näheren Illustration der Erfindung soll folgendes Ausführungsbeispiel dienen. Die heiligende Figur zeigt eine nach der Erfindung ausgeführte Schaltungsanordnung.For a more detailed illustration of the invention, the following embodiment is intended to serve. The sanctifying figure shows a circuit arrangement according to the invention. Unter Verwendung einer üblichen Vakuumbeschichtungsapparatur ausgerüstet mit einem 1 kW-Plasmatron soll ein 3-Siliziumtarget in Ar/O-Gemisch bei einem Druck von 0,5 Pa zwecks Herstellung von SiO2-Schichten zerstäubt werden. Zwischen einem üblichen Gleichstromgenerator 1 mit regelbarer Ausgangsleistung und dem Plasmatron 4 befindet sich die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung mit einer Induktivität 2 von 15H und einer Kapazität 3 von 1 nF entsprechend beiliegender Figur angeordnet. Der dabei parallel zur Induktivität 2 geschaltete Regelwiderstand (1-10kß) dient dem Feinabgleich. Der Ohmsche Widerstand der Induktivität 2 wird durch Rv repräsentiert. Die parallel zur Induktivität 2 geschaltete Diode ist zum Schutz gegenüber Spannungsspitzen vorgesehen.Using a conventional vacuum coating apparatus equipped with a 1 kW plasmatron, a 3-silicon target is to be sputtered in Ar / O mixture at a pressure of 0.5 Pa for the production of SiO 2 layers. Between a conventional DC generator 1 with adjustable output power and the Plasmatron 4, the circuit arrangement according to the invention with an inductance 2 of 15H and a capacitance 3 of 1 nF is arranged according to the enclosed figure. The case parallel to the inductance 2 connected variable resistor (1-10kß) is used for fine adjustment. The ohmic resistance of the inductor 2 is represented by R v . The diode connected in parallel to the inductance 2 is provided for protection against voltage spikes.
DD26049284A 1984-04-16 1984-04-16 CIRCUIT ARRANGEMENT FOR OPERATING DC PLASTER DRYERING DEVICES DD229160B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD26049284A DD229160B1 (en) 1984-04-16 1984-04-16 CIRCUIT ARRANGEMENT FOR OPERATING DC PLASTER DRYERING DEVICES

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD26049284A DD229160B1 (en) 1984-04-16 1984-04-16 CIRCUIT ARRANGEMENT FOR OPERATING DC PLASTER DRYERING DEVICES

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DD229160A1 true DD229160A1 (en) 1985-10-30
DD229160B1 DD229160B1 (en) 1989-11-29

Family

ID=5555023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DD26049284A DD229160B1 (en) 1984-04-16 1984-04-16 CIRCUIT ARRANGEMENT FOR OPERATING DC PLASTER DRYERING DEVICES

Country Status (1)

Country Link
DD (1) DD229160B1 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5645698A (en) * 1992-09-30 1997-07-08 Advanced Energy Industries, Inc. Topographically precise thin film coating system
US5682067A (en) * 1996-06-21 1997-10-28 Sierra Applied Sciences, Inc. Circuit for reversing polarity on electrodes
US5718813A (en) * 1992-12-30 1998-02-17 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced reactive DC sputtering system
US5882492A (en) * 1996-06-21 1999-03-16 Sierra Applied Sciences, Inc. A.C. plasma processing system
US5910886A (en) * 1997-11-07 1999-06-08 Sierra Applied Sciences, Inc. Phase-shift power supply
US6011704A (en) * 1997-11-07 2000-01-04 Sierra Applied Sciences, Inc. Auto-ranging power supply
US6217717B1 (en) * 1992-12-30 2001-04-17 Advanced Energy Industries, Inc. Periodically clearing thin film plasma processing system
US6368477B1 (en) 1995-04-07 2002-04-09 Advanced Energy Industries, Inc. Adjustable energy quantum thin film plasma processing system
CN114556060A (en) * 2019-10-09 2022-05-27 特里纳米克斯股份有限公司 Optical conductor readout circuit

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5645698A (en) * 1992-09-30 1997-07-08 Advanced Energy Industries, Inc. Topographically precise thin film coating system
US5718813A (en) * 1992-12-30 1998-02-17 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced reactive DC sputtering system
US6217717B1 (en) * 1992-12-30 2001-04-17 Advanced Energy Industries, Inc. Periodically clearing thin film plasma processing system
US6521099B1 (en) 1992-12-30 2003-02-18 Advanced Energy Industries, Inc. Periodically clearing thin film plasma processing system
US6368477B1 (en) 1995-04-07 2002-04-09 Advanced Energy Industries, Inc. Adjustable energy quantum thin film plasma processing system
US5682067A (en) * 1996-06-21 1997-10-28 Sierra Applied Sciences, Inc. Circuit for reversing polarity on electrodes
US5815388A (en) * 1996-06-21 1998-09-29 Sierra Applied Sciences, Inc. Polarity reversing circuit having energy compensation
US5882492A (en) * 1996-06-21 1999-03-16 Sierra Applied Sciences, Inc. A.C. plasma processing system
US5910886A (en) * 1997-11-07 1999-06-08 Sierra Applied Sciences, Inc. Phase-shift power supply
US6011704A (en) * 1997-11-07 2000-01-04 Sierra Applied Sciences, Inc. Auto-ranging power supply
CN114556060A (en) * 2019-10-09 2022-05-27 特里纳米克斯股份有限公司 Optical conductor readout circuit

Also Published As

Publication number Publication date
DD229160B1 (en) 1989-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68926742T2 (en) DEVICE AND METHOD FOR COATING MATERIALS BY A PULSATING PLASMA JET
EP0564789B1 (en) Process for treatment of workpieces in a vacuum processing apparatus
DE68913077T2 (en) Sputtering process for producing a thin layer.
EP0275018B1 (en) Process and device for coating conducting objects by means of glow discharge
EP0727508B1 (en) Method and apparatus for treatment of substrate surfaces
EP1488444B1 (en) Vacuum plasma generator
DE3802852C2 (en)
DE102018204587A1 (en) Method for igniting a plasma in a plasma chamber and ignition circuit
EP2208216B1 (en) Method of operating an arc source and method for depositing electrically insulating layers
EP1287548A1 (en) Plasma etching equipment
DD229160A1 (en) CIRCUIT ARRANGEMENT FOR OPERATING DC PLASTER DRYERING DEVICES
EP0666335B1 (en) Method for operation of a vacuum arc evaporator and current supply therefor
DE4223505C1 (en) DEVICE FOR APPLYING ELECTRICALLY BAD CONDUCTIVE OR INSULATING LAYERS BY REACTIVE MAGNETRON SPuttering
EP1511877B1 (en) Sputter method for the production of natural voltage optimized coatings
DE102016116762A1 (en) Method for depositing a layer by means of a magnetron sputtering device
CH691686A5 (en) Vacuum treatment chamber.
DE2110987A1 (en) Process for the production of thin layers of tantalum
DE1122801B (en) Process for the production of metallic layers by means of cathode sputtering
DE3703207C2 (en)
DE1767863A1 (en) Vacuum device and method for regulating the pressure in a specific zone of a vacuum chamber
DE19853121C1 (en) Treatment of substrates made of insulating materials in high-frequency plasmas involves production of a thin electrically conductive surface layer and using this layer as a high-frequency discharge electrode
DE10122598B4 (en) Process for the ionization of a working gas for the surface treatment of a workpiece
DE1690684A1 (en) Method and apparatus for high frequency spraying
DE2107220A1 (en) Indirectly heated tunnel oven - with ceramic heating lining behind which hot gases pass
DE2246983C3 (en) Triode arrangement for cathode sputtering of substances by means of an electrical low-voltage discharge

Legal Events

Date Code Title Description
ENJ Ceased due to non-payment of renewal fee