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CN1649009A - 光记录介质 - Google Patents

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CN1649009A
CN1649009A CN200510006742.6A CN200510006742A CN1649009A CN 1649009 A CN1649009 A CN 1649009A CN 200510006742 A CN200510006742 A CN 200510006742A CN 1649009 A CN1649009 A CN 1649009A
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米原和男
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Abstract

提供一种相变型光记录介质，即使加快记录速度也能得到良好的记录特性，还能够维持1次或多次的重写记录特性良好。相变型光记录介质(A)由基板(1、11)和记录层(3、13)组成。在设一次也未记录信息的未记录部的反射率为R0、向那里记录了1次随机图案后的反射率为R1、进而记录了9次随机图案后的反射率为R9的情况下，下述(1)、(2)式成立，1.00＜(R1/R0)＜1.15…(1)；1.05＜(R9/R0)＜1.20…(2)。

Description

光记录介质
技术领域
本发明涉及通过照射光(例如激光)来记录、擦除、再现信息的光记录介质。本发明特别涉及光盘、光卡等可重写的相变型记录介质。
背景技术
所谓相变型光记录介质，例如是近年的CD-RW、DVD-RW或DVD-RAM，是能够重写信息的介质。尤其，DVD-RW或DVD-RAM主要用于记录、重写影像信息等信息量大的信息。对相变型光记录介质除了要求优良的记录特性以外，还要求优良的重写特性。再者，也要求增大记录容量的记录方法。
增大光记录介质的记录容量的方法之一有下述方法：减小从记录再现装置的激光源照射到光记录介质的记录层上的激光的光点直径，来使记录信号高密度化。为了实现该方法，例如研究出下述手段：将使用的激光的波长缩短到蓝色区域；或者增大记录再现装置中的光学头上的物镜的数值孔径(NA)来进一步收聚激光。但是该方法难以与目前使用的数字多能光盘(DVD)记录再现装置(或再现专用装置)取得再现兼容性。
因此，近年来，作为在维持再现兼容性的同时增大记录容量的方法，提出了在1枚光记录介质上反复设置多个记录层的方法，例如光记录介质的双层构造。
双层相变型光记录介质，例如由将具有第1记录层的第1层、和具有第2记录层的第2层用紫外线固化型树脂等粘合起来的构造组成。第1层的结构，是在以具有记录/再现或擦除用的各功率的激光照射到的面为底面的基板上，至少依次层叠了电介质膜、记录层、电介质膜、反射层；第2层的结构，是在基板上至少依次层叠了电介质膜、记录层、电介质膜、反射层。记录层在用溅射法等成膜紧之后处于反射率低的非晶状态。因此，在产品出厂时，为了使其变为反射率高的结晶状态，进行激光照射等来进行初始化。此外，在第1层及第2层中的任一个中，电介质膜都需要减小吸光效果，提高透光性。
现有的可重写的相变型光记录介质的记录方法如下所述。在如上所述构成的相变型光记录介质中，通过在记录时用记录功率的激光将记录脉冲施加(照射)到记录层上来熔融、急冷记录层，从而形成非结晶的记录标记。该记录标记的反射率低于结晶状态记录层的反射率，所以能够以光学方式读取该记录标记作为记录信息。在擦除该记录标记的情况下，通过照射比记录功率小的功率(擦除功率)的激光，使记录层温度达到结晶化温度或以上，从非结晶状态变为结晶状态，来擦除记录标记，使得能够重写。
在(日本)特许第2962052号公报(专利文献1)中，以提高记录密度和提高反复特性为目的，提出了使未记录部的反射率高于记录部的反射率的方法，但是没有支持高速记录介质的描述，并且本发明人已确认，仅以该条件，近年的高记录密度、高记录速度上的重写特性(特别是第1次重写)不充分。
在(日本)特开2002-237089号公报(专利文献2)和特开2003-200665(专利文献3)号公报中，以高速记录时的优良的抖动特性和重写特性为目的，提出了使未记录部的反射率低于记录部的反射率的光记录方法和光记录介质。然而，本发明人通过研究判明，仅以所提出的光记录方法和光记录介质，在高线速度(例如DVD 2倍速以上)上不能得到充分的重写特性(特别是第1次重写)。
在双层光记录介质中，为了在第2层记录层上进行记录，需要使记录用激光通过第1层。而为了在第2层记录层上进行充分的记录，需要使激光在构成第1层的整个膜上的透射率为50％左右。因此，发明人通过研究判明，第1层不能以具有足够的冷却效果的厚度来形成反射膜，其结果是，不能得到充分的记录特性及重写特性。
在特开2003-242676号公报(专利文献4)中，为了解决第1层所用的半透明反射膜的、透射率和记录层的急冷效果难以两立、不能得到良好的记录再现特性的问题，提出了降低构成第1层的记录层的元素的比率(Sb/Te)、使其结晶化速度慢于第2层的记录层的结晶化速度的方法。采用该方法，在难以发挥急冷效果的第1层上的记录层也充分结晶化，得到良好的记录再现特性。然而该方法降低了结晶化速度，所以难以支持高线速度记录。即，对于高线速度记录领域中的1层或多层光记录介质，需要有取代专利文献1～4所述的方法的手法。
【专利文献1】特许第2962052号公报；
【专利文献2】特开2002-237089号公报；
【专利文献3】特开2003-200665号公报；
【专利文献4】特开2003-242676号公报。
如上所述，现有的光记录介质中，存在有如下的问题：在1层或多层相变型光记录介质上进行1次或多次重写(特别是重写1次)时的抖动大大恶化，难以充分确保高线速度记录时的重写特性。
发明内容
因此，本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于，提供一种相变型光记录介质，即使加快记录速度(例如DVD 2倍速(线速度：7m/s)以上的高线速度记录)也能得到良好的记录特性，还能够维持1次或多次重写记录特性(特别是重写1次)良好。此外，其目的在于提供一种相变型光记录介质，即使不减慢多次记录层中的一部分层的结晶化速度，也具有良好的记录及重写特性。
为了解决上述课题，本发明提供下面的(a)～(c)的光记录介质。
(a)一种光记录介质，是相变型光记录介质(A)，其特征在于，具有：基板(1、11)；和记录层(3、13)，通过按照记录脉冲图案照射记录光来记录表示记录信息的记录标记，该记录脉冲图案由记录脉冲(Ttop，Tmp)和擦除脉冲(Tcl)组成，所述记录脉冲(Ttop，Tmp)从擦除功率(Pe)上升并形成在比上述擦除功率大的记录功率(Pw)和比上述擦除功率小的最低功率(Pb)之间，所述擦除脉冲(Tcl)从上述最低功率向上述擦除功率上升；在设向上述记录层上的一次也未记录信息的未记录部上照射再现光时上述未记录部的反射率为R0、向上述未记录部上照射了1次与上述记录脉冲图案相应的上述记录光后照射上述再现光时上述未记录部的反射率为R1、向上述未记录部上照射了9次与上述记录脉冲图案相应的上述记录光后照射上述再现光时上述未记录部的反射率为R9的情况下，上述记录层中，成立下述(1)、(2)式
1.00＜(R1/R0)＜1.15…(1)
1.05＜(R9/R0)＜1.20…(2)。
(b)如(a)所述的光记录介质，其特征在于，上述光记录介质具有多个上述记录层。
(c)如(a)或(b)所述的光记录介质，其特征在于，在设上述记录功率为Pw、上述擦除功率为Pe，设上述擦除功率Pe与上述记录功率Pw的功率比为ε(ε＝Pe/Pw)时，向规定的区域上写入了用于使
0.20≤ε≤0.40的信息。
发明效果
即使加快记录速度，也能得到良好的记录特性，还能够维持1次或多次的重写记录特性良好。此外，无需变更多层记录层中的一部分层的结晶化速度。
附图说明
图1是用相变型光记录介质的制造设备300或用制造设备300进行的制造/初始化工序的图。
图2是本发明的光记录介质的一实施方式的放大断面图。
图3是本发明的光记录介质的一实施方式的平面图。
图4是记录脉冲图案的第一例的图。
图5是记录脉冲图案的第二例的图。
图6是本发明的光记录装置的一实施方式的方框图。
图7是初始化激光功率密度Di、和初始化后的光记录介质A的R0之间的关系的图。
图8是图7所示的反射率区域B～D上的DOW次数和抖动之间的关系的DOW抖动特性图。
图9是L0层及L1层上的抖动和功率比ε之间的关系的图。
图10是抖动与DOW次数的关系的DOW抖动特性图。
图11是记录线速度和功率比ε之间的关系的图。
具体实施方式
图1是用于制造相变型光记录介质的制造设备300或用制造设备300进行的制造/初始化工序的图。在制造装置100(制造工序)中制造相变型光记录介质，在初始化装置200(初始化工序)中对相变型光记录介质进行初始化。经过初始化工序的相变型光记录介质作为光记录介质A而出厂。
作为相变型光记录介质，有DVD-RW等相变型光盘、光卡等可反复重写信息的介质。其中，在以下的说明中，作为相变型光记录介质的一实施方式，使用相变型光盘(光记录介质A)，当然对此外的光卡等具有同样结构的相变型光记录介质也能够应用本发明。
<光记录介质的结构>
图2是本发明一实施方式的光记录介质A的放大断面图。光记录介质A的基本结构是：将以记录/再现或擦除用激光入射到的入射面1a为底面的第1层(L0层)、和第2层(L1层)用透明层20粘合起来。
L0层是在以记录/再现或擦除用激光入射到的入射面1a为底面的基板1上，依次层叠了第1电介质膜2、记录层3、第2电介质膜4、半透明反射层5(以下称为反射层5)而成的。在反射层5上形成了保护层6。
L1层是在基板11上依次层叠了反射层15、第3电介质膜12、记录层13、第4电介质膜14而成的。
构成L0层和L1层的各个层及膜的材料如下所述。
作为基板1的材料，可以使用各种透明的合成树脂、透明玻璃等。为了避免尘埃的附着或基板1的划伤等的影响，使用透明的基板1，用会聚的激光从基板1的入射面1a侧向记录层3上记录信息。作为这种基板1的材料，例如有玻璃、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烃树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等。特别是聚碳酸酯树脂由于光学双折射及吸湿性小、容易成形，所以较理想。
基板11的材料不特别需要考虑对基板1所要求的透明性、尘埃的附着或划伤的影响，但是在照顾到生产率等的情况下，使用与基板1相同的材料较理想。
基板1、基板11的厚度并没有特别的限制，但是考虑到与DVD兼容，0.01mm～0.6mm较理想，尤其是0.6mm最理想(DVD的总厚度为1.2mm)。这是因为，如果基板1的厚度低于0.01mm，则即使在从基板1的入射面1a侧用聚光的激光来进行记录的情况下，也容易受污物的影响。此外，如果对光记录介质的总厚度没有限制，则在实用上处于0.01mm～5mm的范围内即可。这是因为，如果在5mm以上，则难以增大物镜的数值孔径，照射激光的光点尺寸大，所以难以提高记录密度。
基板1、基板11可以是柔性的，也可以是刚性的。柔性的基板1用于带状、片状、卡状的光记录介质。刚性的基板1用于卡状、或盘状的光记录介质。
第1电介质膜2及第2电介质膜4具有保护基板1、记录层3不受热的效果，例如防止在记录时基板1、记录层3等受热变形而使记录特性恶化等，或者起通过光学干涉效应来改善再现时的信号对比度的效果。第3电介质膜12及第4电介质膜14也对基板11、记录层13起与第1电介质膜2及第2电介质膜4同样的效果。
第1电介质膜2、第2电介质膜4、第3电介质膜12及第4电介质膜14(第1～第4电介质膜)分别对于记录/再现或擦除用的激光是透明的，折射率n在1.9≤n≤2.3的范围内较理想。再者，从热特性方面来看，第1～第4电介质膜的材料为SiO2、SiO、ZnO、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、MgO等氧化物、ZnS、In2S3、TaS4等硫化物、SiC、TaC、WC、TiC等碳化物的单质及混合物较理想。尤其是由于即使反复记录、擦除，ZnS和SiO2的混合膜的记录灵敏度、C/N、擦除率等也不容易恶化，所以特别理想。
此外，第1～第4电介质膜可以不都是同一材料、组成，由不同材料构成也无妨。
第1电介质膜2的厚度大致处于5nm～500nm的范围内。再者，为了难以从基板1或记录层3剥离，难以产生裂纹等缺陷，第1电介质膜2的厚度处于40nm～300nm的范围内较理想。如果比40nm薄，则难以确保光盘的光学特性；如果比300nm厚，则生产率低。其中，更理想的是50nm～80nm的范围。
为了使C/N、擦除率等记录特性好，能够稳定地重写多次，第2电介质膜4的厚度处于5nm～40nm的范围内较理想。如果比5nm薄，则记录层3难以保保温，所以最佳记录功率上升；如果比40nm厚，则重写特性恶化。更理想的是5nm～20nm的范围。
第3电介质膜12的厚度大致在5～500nm的范围内。
为了使C/N、擦除率等记录特性好，能够稳定地重写多次，第4电介质膜14的厚度处于5nm～40nm的范围内较理想。如果比5nm薄，则记录层13难以保热，所以最佳记录功率上升；如果比40nm厚，则重写特性恶化。更理想的是10nm～20nm的范围。
记录层3、记录层13是在Ag-In-Sb-Te合金、Ge-In-Sb-Te合金、或Ge-In-Sb-Te合金中至少包含Ag或Si、Al、Ti、Bi、Ga中的某1种的合金层。此外，记录层3的层厚在10nm以下较理想，记录层13的层厚为10nm～25nm较理想。
L0层如上所述需要满足激光的透射率为50％左右。构成L0层的层及膜中影响透射率的是吸光大的记录层3及反射层5，如果考虑到再现信号(RF信号)的调制度至少能取50％以上、DOW抖动特性良好、而且能得到足够的透射率，则记录层3的厚度在小于等于10nm较理想。如果超过10nm，则难以实现L0层的透射率为50％左右。其中，更理想的是5nm～10nm。
这里，所谓透射率，是指在以图2的基板1侧为下、以基板11侧为上时，构成从基板1的入射面1a到反射层5的顶面(与保护层6的边界面)的范围的层的透光率。即，透射率T是由从入射面1a到反射层5的顶面的范围内包含的所有物质(层)决定的透光率。
可以设置与记录层3的单面、或双面相接的界面层。作为界面层的材料，不含硫很重要。如果将含硫的材料用作界面层，则由于反复重写，界面层中包含的硫有时会扩散到记录层3中，记录特性恶化，所以不理想。此外，从擦除特性欠佳这一点来看也不理想。
作为界面层的材料，包含氮化物、氧化物、碳化物中的至少1种的材料较理想，具体地说，包含氮化锗、氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化锆、氧化铬、碳化硅、碳中的至少1种的材料较理想。此外，也可以使这些材料含有氧、氮、氢等。上述的氮化物、氧化物、碳化物可以不是化学计量成分，也可以氮、氧、碳过剩或不足。由此，界面层的特性有时会提高，例如界面层难以剥离，耐保存性等提高等。
其中，记录层13也可以与记录层3同样设置界面层。
作为反射层5、反射层15的材料，有具有光反射性的Al、Au、Ag等金属，以这些金属为主成分、包含由1种以上的金属或半导体组成的添加元素的合金，以及向这些金属中混合了Al、Si等的金属氮化物、金属氧化物、金属硫族化物等金属化合物而成的材料等。
尤其是Al、Au、Ag等金属、及以这些金属为主成分的合金光反射性高，而且能够提高导热系数，所以较理想。作为合金的例子，一般有向Al中混合了Si、Mg、Cu、Pd、Ti、Cr、Hf、Ta、Nb、Mn、Zr等中的至少1种元素而成的合金，或者向Au或Ag中混合了Cr、Ag、Cu、Pd、Pt、Ni、Nd、In、Ca等中的至少1种元素而成的合金等。但是在考虑到高线速度记录的情况下，从记录特性方面来看，以导热系数较高的Ag为主成分的金属或合金较理想。
此外，考虑到反射率和导热系数等，也可以用不同的材料来形成反射层5和反射层15。
如上所述，反射层5也影响L0层的透射率。因此，如果考虑到光对于L1层的记录层13的透射，则(半透明)反射层5的厚度小于等于10nm较理想。在形成大于等于300nm的厚度的情况下，在制造上需要时间，所以用导热系数高的材料一边控制层厚一边形成较理想。
反射层15的厚度根据形成反射层15的材料的导热系数的大小而变化，但是50nm～300nm较理想。如果反射层15的厚度在50nm以上，则反射层15在光学上不变化，不影响反射率的值；如果反射层15的厚度增加，则对冷却速度影响很大。此外，形成超过300nm的厚度在制造上需要时间。因此，通过采用导热系数高的材料，将反射层15的层厚尽量控制在最佳范围内。
透明层20采用紫外线(UV)固化型树脂、双面粘着型薄片较理想。
<光记录介质的制造方法>
接着，说明制造装置100制造光记录介质的方法。描述在L0层的基板1上层叠构成L0层的各层的方法。其中，在L1层的基板11上层叠构成L1层的各层的方法也相同。构成L0层的第1电介质膜2和第2电介质膜4分别对应于构成L1层的第3电介质膜12、第4电介质膜14，构成L0层的记录层3对应于构成L1层的记录层13，构成L0层的反射层5对应于构成L1层的反射层15。
作为将第1电介质膜2、记录层3、第2电介质膜4、反射层5等层叠在基板1上的方法，有公知的真空中的薄膜形成法。例如是真空蒸镀法(电阻加热型或电子束型)、离子镀法、溅射法(直流或交流溅射、反应溅射)，特别是溅射法容易控制组成、层厚，所以较理想。
此外，使用在真空箱内对多个基板1同时成膜的分批法、或逐枚处理基板1的枚叶式成膜装置较理想。形成的第1电介质膜2、记录层3、第2电介质膜4、反射层5等的层厚的控制能通过控制溅射电源的接通功率和时间、或者用石英振荡型膜厚计(水晶振動型膜厚计)监视沉积状态来容易地进行。
此外，第1电介质膜2、记录层3、第2电介质膜4、反射层5等的形成可以在固定或移动、旋转基板1的任一种状态下进行。由于使基板1自转则层厚在面内的均匀性优良，所以较理想，与公转组合更理想。如果在必要时冷却基板1，则能够减少基板1的翘度。
此外，在不显著损害本发明效果的范围内，也可以在形成了反射层5等后，为了防止已经形成的各层变形等，在必要时设置采用ZnS、SiO2等的介质层或采用紫外线固化树脂等的树脂保护层作为保护层6。
将用以上方法形成的L0层和L1层用透明层20粘合起来，使得保护层6和第4电介质膜14被夹在基板1和基板11之间。即，将保护层6和第4电介质膜14面对面地进行粘合，使得基板1、11面向外侧。
其中，双层光记录介质也可以用下述方法来形成。至少在以记录/再现或擦除用激光入射到的入射面21a为底面的基板21上，依次层叠第1电介质膜22、第1记录层23、第2电介质膜24、第1反射膜25，在第1反射膜25上涂敷紫外线固化树脂。在按压了用于转印记录槽的透明压模(stamper)的状态下照射紫外线，形成紫外线固化膜26并剥离透明压模。接着，在紫外线固化膜上依次层叠第3电介质膜27、第2记录层28、第4电介质膜29、第2反射膜30，形成双层光记录介质。
接着，光记录介质经过初始化装置200中的初始化工序，作为光记录介质A而出厂。初始化是向记录层3及记录层13照射激光、氙闪光灯等的光来加热，使记录层3及记录层13的构成材料结晶。由于再现噪声少，所以用激光来进行初始化较理想，初始化激光被依次聚焦照射到记录层3、记录层13上。
图3示出光记录介质A的俯视图。光记录介质A具有中心孔、和其外周的夹持区52。在夹持区52的外周的同心圆上设有信息区(导入区)53，其更外周的区域为用于记录影像信息或声音信息等实际数据的记录区54。这里，导入区53可以是ROM状态或RAM状态中的任一种。此外，也有通过在用于得到跟踪信号的激光引导槽中形成高频摆动或凹坑来保存再现专用的记录信息的方法。
<光记录介质的记录方法>
图4示出向光记录介质A上记录信息时使用的记录脉冲图案。根据记录脉冲图案用三值(记录功率Pw、擦除功率Pe、最低功率Pb)激光强度对激光进行调制，对应于记录信号的标记长度来增减脉冲数，将期望的标记长度的记录标记形成在记录层3、记录层13上。在激光强度中，记录功率Pw最大，擦除功率Pe次之，最低功率Pb最小。
记录脉冲图案如图4所示，由下述脉冲组成：先头脉冲Ttop，从擦除功率Pe上升，最初以记录功率Pw向记录层3、记录层13施加激光；多脉冲Tmp，接着先头脉冲Ttop，交替施加记录功率Pw和最低功率Pb；以及擦除脉冲Tcl，位于末端，使激光从最低功率Pb上升来施加擦除功率Pe。先头脉冲Ttop和多脉冲Tmp是用于在记录层3、记录层13上形成记录标记的记录脉冲。其中，有时也没有多脉冲Tmp，只用先头脉冲Ttop来形成记录脉冲。
例如在DVD-RW中，标记长度有3T、4T、5T、6T、7T、8T、9T、10T、11T、14T这10种。在设标记长度为nT的情况下，多脉冲Tmp的数目一般是(n-1)或(n-2)。在图4中示出了(n-2)的情况。这里，所谓T，是单位时钟，在DVD-RW中，在DVD 1倍速时(记录线速度：3.5m/s)1T＝38.2ns，在DVD 4倍速时(记录线速度：14.0m/s)1T＝9.6ns。
此外，随着近年的高速化记录，单位时钟T缩短至几ns量级，所以考虑到激光脉冲的上升/下降响应限度，也可以采用图5所示的以2T为基准的记录脉冲图案。在图5中示出用于形成记录脉冲A具有3T的标记长度、记录脉冲B具有11T的标记长度、记录脉冲C具有14T的标记长度的记录标记的记录脉冲图案。
<光记录装置>
图6示出用于将具有期望的记录脉冲图案的激光照射到光记录介质A上的本发明一实施方式的光记录装置。
首先，主轴电机31使光记录介质A旋转。旋转控制部32进行控制，使得主轴电机31的转速为与目的记录速度对应的记录线速度。此外，包括光记录介质A的记录/再现或擦除所用的半导体激光器(LD)33、会聚照射LD 33的激光的物镜(未图示)及四分割感光元件(未图示)的光头34，被设置成在光记录介质A的半径方向上移动自如。
其中，作为本实施方式的光记录装置所用的记录用的光源，激光、闪光灯光那样高强度的光源较理想。尤其是半导体激光的光源能够小型化，功耗小，容易调制，所以较理想。
驱动器控制器44根据被供给的聚焦误差信号及跟踪误差信号来控制致动器控制部35。致动器控制部35控制光头34对光记录介质A的聚焦及跟踪。反射率检测部46根据被供给的再现信号来检测反射率，并将检测结果输出到系统控制器45。
摆动检测部36包括可编程带通滤波器(BPF)361，将检测出的摆动信号输出到地址解调电路37。地址解调电路37根据检测出的摆动信号对地址进行解调并输出。输入了解调出的地址的记录时钟生成部38具有PLL合成器电路381，生成记录通道时钟并输出到记录脉冲生成部39及脉冲数控制部40。
记录时钟生成部38由驱动器控制器44来控制。驱动器控制器44也控制旋转控制部32、致动器控制部35、摆动检测部36、地址解调电路37及系统控制器45。
驱动器控制器44将从摆动检测部36供给的摆动信号输出到记录时钟生成部38。此外，将从地址解调电路37供给的地址信息输出到系统控制器45。
系统控制器45具有存储器451，控制EFM+编码器42、标记长度计数器41、脉冲数控制部40及LD驱动部43。EFM+编码器42对输入的记录信息进行8-16调制作为已调数据，输出到记录脉冲生成部39和标记长度计数器41。标记长度计数器41作为根据已调数据对已调数据的反转间隔进行计数来生成标记长度数据的标记长度生成部来工作，将其计数值输出到记录脉冲生成部39和脉冲数控制部40。脉冲数控制部40根据被供给的计数值和记录通道时钟来控制记录脉冲生成部39，使得记录脉冲成为规定的脉冲。
记录脉冲生成部39包括先头脉冲控制信号生成部39t、多脉冲控制信号生成部39m以及擦除脉冲控制信号生成部39c。先头脉冲控制信号生成部39t生成先头脉冲控制信号，多脉冲控制信号生成部39m生成多脉冲控制信号，擦除脉冲控制信号生成部39c生成擦除脉冲控制信号。各个控制信号被供给到LD驱动部43，开关部431通过根据被供给的控制信号开关记录功率Pw的驱动电流源431w、擦除功率Pe的驱动电流源431e、最低功率Pb的驱动电流源431b，来生成记录脉冲图案。
Pw驱动电流源431w、Pe驱动电流源431e及Pb驱动电流源431b根据系统控制器45的存储器451中存储的记录功率Pw、擦除功率Pe及最低功率Pb向光头34供给电流。这三值是用于使光记录介质A的记录特性保持良好的最佳值，表示该最佳值的识别信息被预先保存在存储器451中，或者通过更新来保存，或者也可以利用反射率检测部46求出并保存。其中，存储器451例如是ROM(Read Only Memory，只读存储器)或可记录的RAM(Ramdom Access Memory，随机存取存储器)。
本实施方式的光记录装置能够对应光记录介质的高线速度(高倍速)化，来设定从多个记录线速度中选择出的记录线速度。系统控制器45被输入了用于选择记录线速度(倍速模式)的指示信号后，根据存储器451中存储的所指示的记录线速度的识别信息与上述同样来控制Pw驱动电流源431w、Pe驱动电流源431e及Pb驱动电流源431b。在存储器451中如上所述保存着多个记录线速度的识别信息。
生成的记录脉冲图案被输入到光头34中。光头34通过进行控制，使得LD 33输出期望的记录脉冲图案及功率比ε(Pw/Pw)的LD发光波形，将记录信息记录到光记录介质A上。
记录脉冲生成部39、LD驱动部43以及光头34根据标记长度计数器41生成的标记长度，来生成由从擦除功率Pe上升的、且在比擦除功率Pe大的记录功率Pw和比擦除功率Pe小的最低功率Pb之间形成的记录脉冲、和从最低功率Pb向擦除功率Pe上升的擦除脉冲组成的记录脉冲图案，作为按照记录脉冲图案从LD 33向记录层3照射记录光来记录表示记录信息的记录标记的记录部400来工作。
<最佳反射率比的讨论>
本发明人估计光记录介质A的记录层3及记录层13的、未记录部上的反射率和向未记录部上照射了与记录脉冲图案相应的记录光后的反射率之间的关系(反射率比)，可能会影响光记录介质的记录及重写特性，根据下述实施例A-1～A-6及比较例A-7～A-13发现该估计是正确的，具有使记录及重写特性达到最好的反射率比。
首先，说明初始化激光功率密度Di和光记录介质A的反射率R0之间的关系。图7示出反射率R0与初始化激光功率密度Di的关系。所谓初始化激光功率密度Di，是初始化所用的激光的激光功率除以初始化用激光的照射面积、进而除以初始化用激光的扫描速度所得的值。所谓反射率R0，如后所述，是在从LD 33向光记录介质A的记录区54上的、一次也未记录信息的未记录部照射具有激光功率Pr的再现光(0.7mW)时未记录部的反射率。在本实施方式中，采用了记录光道1周的平均反射率。
区域A的初始化激光功率密度Di低，溅射后残留非晶部(As-depo)，所以DOW0的抖动特性等非常差，不理想。
如果比区域A提高初始化激光功率密度Di，则非晶部消失，成为反射率变化比较少的区域B。设随着该初始化激光功率密度Di的增加、反射率R0平稳增加的区域B上的前半1/2的低反射率侧的区域为BL，后半1/2的高反射率侧的区域为BH。如果进一步提高初始化激光功率密度Di，则依次变化为反射率变化大的区域C、反射率变化少的区域D、乃至光盘坏区。在光盘坏区，初始化时投入的激光功率过大，所以在以记录层3及记录层13为中心的层上发生热造成的物理破坏。
其中，分别构成L0层和L1层的记录层3、记录层13及反射层5、反射层15的厚度不同，所以各个区域的边界上的初始化激光功率密度Di的绝对值有时也不同。然而，在L0层、L1层中，都有图7所示的关系。此外，以下所求的第1反射率比(R1/R0)及第2反射率比(R9/R0)都依赖于反射率R0，所以如果区域相同，则L0层、L1层都呈现相同的值。
在以下实施例A-1～A-6及比较例A-7～A-13中，用搭载了波长为658nm的激光二极管、NA＝0.60的光学透镜的PulseTech公司制造的光盘驱动器测试仪(DDU1000)进行了记录(单光束重写)和再现。对记录层3、记录层13分别进行了聚焦，对各记录层进行了评价。
记录线速度是7m/s(相当于DVD标准2倍速)，用8-16(EFM+)调制随机图案进行了记录再现评价。单位时钟是19.2ns(DVD 2倍速)，比特长度是0.267μm/比特。这样对光记录介质进行了与DVD-ROM同密度的记录。此情况下的光记录介质的容量是4.7G字节。其中，以光记录介质的最佳条件、包含相邻光道在内进行了10次重写后，在其再现信号的振幅的中心进行限幅(slice)，测定了时钟对数据抖动(クロツク·トウ一·デ一タ·ジツタ)。其中，再现光的激光功率(再现功率)Pr在再现L0层的记录层3时采用了0.7mW，在再现L1层的记录层13时采用了1.2mW。
此外，记录策略采用图4所示的符合DVD-RW Version1.1的规定的分割脉冲序列。
(实施例A-1)
首先，详细描述L0层的形成。L0层在直径为120mm、板厚为0.6mm的聚碳酸酯树脂制造的基板1上，形成了后述各层。在基板1上以光道间距0.74μm形成了空槽。该槽深度是25mm，槽宽和岸(land)宽之比大约是40∶60。其中，槽从记录/再现或擦除用激光的入射方向来看为凸状。
首先，将真空容器内排气到3×10-4Pa后，在2×10-1Pa的氩气气氛中用添加了20mol％的SiO2的ZnS靶通过高频磁控管溅射法，在基板1上形成了层厚为70nm的第1电介质膜2。
接着，依次用Ge-In-Sb-Te的四元素单一合金靶层叠了层厚为6nm的记录层3，接着用与第1电介质膜2相同的材料层叠了层厚为10nm的第2电介质膜4，用Ag-Pd-Cu靶层叠了层厚为10nm的反射层5。
将基板1从真空容器内取出后，在该反射层5上旋涂丙烯类紫外线固化树脂(SonyChemical(索尼化学”)公司制造的SK5110)，通过照射紫外线使其固化而形成了厚度为3μm的保护层6。
接着，形成了L1层。各层的形成方法是与前述构成L0层的对应的层及膜同样的方法。在基板11上，依次用Ag-Pd-Cu靶层叠了层厚为120nm的反射层15，用与第1电介质膜2相同的材料层叠了膜厚为16nm的第3电介质膜12，用Ge-In-Sb-Te的四元素单一合金靶层叠了层厚为16nm的记录层13，用ZnS·SiO2层叠了膜厚为70nm的第4电介质膜14。记录层13的Sb/Te与记录层3的Sb/Te相同。
使用日立计算机设备公司制造(日立コンピユ一タ機器製)的POP120，用径向激光宽度为94μm、扫描方向激光宽度为1.0μm的激光，在扫描线速度为2m/s、激光功率为720mW、进给间距为15μm的初始化条件下(初始化激光功率密度Di＝3.83[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BH)，对未初始化的光记录介质的记录层3及记录层13进行了初始化。
完成了L0层及L1层的初始化后，使保护层6和第4电介质膜14面对面并用透明层20粘合起来，使得基板1、11面向外侧，得到图2所示的光记录介质A。透明层20采用了双面粘着型薄片。其中，在本实施方式中，对L0层及L1层分别进行了初始化后进行粘合，但是也可以在进行了粘合后进行初始化。
接着，设从LD 33向光记录介质A的记录区54上的一次也未记录信息的未记录部照射具有激光功率Pr的再现光(0.7mW)时未记录部的反射率为R0，向该未记录部照射了1个轨道的记录脉冲图案的激光后从LD 33照射再现用激光时未记录部的反射率为R1，求出R0及R1。这里，在本实施方式中，作为记录脉冲图案，采用了在3T～14T之间随机形成记录标记的记录脉冲图案(随机图案)。激光的三值采用了使抖动达到最少的最佳值。反射率R1是将基于该随机图案的激光照射到1个光道上时的反射率(1个光道上的平均值)。此外，设向未记录部的1个光道上照射了9次与随机图案相应的激光后从LD 33照射再现用的激光时未记录部的反射率为R9，并求出它。
接着，向光记录介质A的记录层3及记录层13的槽中进行记录。
作为记录条件的记录脉冲图案为，在线速度7m/s(DVD 2倍速)上，Ttop＝0.6[T]，Tmp＝0.5[T]，Tcl＝0.0[T]。此外，激光的激光强度采用记录功率Pw＝17.0[mW]、擦除功率Pe＝4.6[mW]、最低功率Pb＝0.5[mW]这3值(功率比ε＝Pe/Pw＝0.27)。
本实施例A-1中所用的光记录介质A的L0层的记录层3上的未记录部的反射率R0是5.9％，照射了1次与记录脉冲图案相应的记录光后的反射率R1是6.2％，照射了9次与记录脉冲图案相应的记录光后的反射率R9是6.5％。其中，第1反射率比(R1/R0)是1.051，第2反射率比(R9/R0)是1.102。此外，同样求出的L1层的记录层13的R0是6.1％，R1是6.3％，R9是6.6％(R1/R0＝1.033，R9/R0＝1.082)。将实施例A-1中测定出的值对L0层归纳示于表1，对L1层归纳示于表2。
L0层 功率[mW]   线速   功率密度Di 反射率区域     反射率        反射率比 DOW0 DOW1 DOW9 ε
  [m/s] [mW·s/(μm2·m)] R0   R1   R9  R1/R0  R9/R0
实施例A-1     720     2     3.83     BH  5.9   6.2   6.5  1.051  1.102   7.3   8.8   8.3   0.27
实施例A-2     740     2     3.94     BH  6.1   6.4   6.7  1.049  1.098   7.6   10.3   9.0   0.23
实施例A-3     700     2     3.72     BH  5.7   6.3   6.6  1.105  1.158   8.6   9.6   8.8   0.38
实施例A-4     780     2     4.15     BH  6.3   6.33   6.6  1.005  1.048   7.2   8.6   8.1   0.21
实施例A-5     610     2     3.24     BH  5.4   6.2   6.4  1.141  1.185   7.8   10.8   8.9   0.38
实施例A-6     695     2     3.70     BH  5.7   6.4   6.8  1.123  1.193   8.6   9.8   8.8   0.27
比较例A-7     580     2     3.09     BL  5.3   6.1   6.3  1.151  1.189   7.9   11.9   10.6   0.27
比较例A-8     720     1.7     4.51     C  6.4   6.5   6.6  1.016  1.031   11.8   11.0   9.8   0.27
比较例A-9     760     1.7     4.76     D  6.7   6.7   6.8  1.000  1.015   8.3   14.9   10.4   0.27
比较例A-10     720     1.8     4.26     C  6.4   6.5   6.7  1.016  1.042   11.8   11.0   10.0   0.27
比较例A-11     580     2.1     2.94     BL  5.3   6.1   6.4  1.151  1.208   8.0   12.1   10.8   0.27
比较例A-12     720     2     3.83     BH  6.1   6.2   6.3  1.016  1.033   9.7   19.8   13.1   0.18
比较例A-13     720     2     3.83     BH  6.0   6.2   6.5  1.033  1.083   8.3   13.6   10.0   0.5
表1
L1层 功率[mW] 线速   功率密度 反射率区域     反射率   反射率比 DOW0 DOW1 DOW9 ε
[m/s] [mW·s/(μm2·m)]  R0   R1   R9   R1/R0   R9/R0
实施例A-1     720     2     3.83     BH  6.1   6.3   6.6   1.033   1.082   7.1   8.6   8.2  0.27
实施例A-2     740     2     3.94     BH  6.2   6.5   6.8   1.048   1.097   7.4   10.1   8.7  0.23
实施例A-3     700     2     3.72     BH  5.8   6.5   6.7   1.121   1.155   8.4   9.5   8.6  0.38
实施例A-4     780     2     4.15     BH  6.4   6.45   6.8   1.008   1.055   7.0   8.4   8.0  0.21
实施例A-5     610     2     3.24     BH  5.5   6.3   6.5   1.145   1.182   7.7   10.6   8.7  0.38
实施例A-6     695     2     3.70     BH  5.8   6.4   6.9   1.103   1.190   8.6   9.8   8.8  0.27
比较例A-7     580     2     3.09     BL  5.4   6.3   6.4   1.167   1.185   7.7   11.6   10.5  0.27
比较例A-8     720     1.7     4.51     C  6.5   6.6   6.7   1.015   1.031   11.5   10.7   9.6  0.27
比较例A-9     760     1.7     4.76     D  6.8   6.8   6.9   1.000   1.015   8.2   14.7   10.3  0.27
比较例A-10     720     1.8     4.26     C  6.5   6.6   6.8   1.014   1.045   11.8   11.0   10.0  0.27
比较例A-11     580     2.1     2.94     BL  5.4   6.1   6.5   1.140   1.215   8.0   12.1   10.8  0.27
比较例A-12     720     2     3.83     BH  6.1   6.1   6.3   1.000   1.033   9.6   19.5   12.9  0.18
比较例A-13     720     2     3.83     BH  5.9   6.8   6.8   1.153   1.153   8.1   13.5   9.8  0.5
表2
分别构成L0层和L1层的层厚度不同，所以初始化激光功率密度Di和反射率区域之间的关系在L0层和L1层中有时也不同。因此，变更向未记录部施加的初始化激光功率，对L0层及L1层分别预先求初始化激光功率密度Di和反射率区域之间的关系，并进行研究，以便能够根据初始化激光功率密度Di来判断L0层及L1层的反射率区域。
初始特性及重写记录特性如表1所示，L0层的初次记录(DOW0)抖动是7.3％，重写1次(DOW1)抖动是8.8％，重写9次(DOW9)抖动是8.3％。再者，虽然未记载，约1万次重写(DOW10000)时的抖动为9.5％，即使重写，特性也始终稳定，记录特性良好。此外，如表2所示，L1层的DOW0抖动是7.1％，DOW1抖动是8.6％，DOW10抖动是8.2％，DOW10000抖动为9.2％，与L0层同样，记录特性良好。
这里所述的重写是单光束重写，是指用1次激光扫描来擦除以前形成的记录标记，并重新形成记录标记。而DOW0(Direct Over Write：重写)是在初始化了的光记录介质A的未记录部上形成记录标记的初次记录，DOW1是再在那里形成记录标记的第1次重写。认为大致小于等于0％的抖动对差错率的不良影响少。因此，DOW0抖动将小于等于10％的值定义为良好，DOW1抖动将小于等于11％的值定义为良好，DOW9抖动将小于等于9％的值定义为良好。
(实施例A-2)
准备了在以下条件下对未初始化的光记录介质的记录层进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为740mW(初始化激光功率密度Di＝3.94[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BH)以外，在与实施例A-1相同的初始化条件。将功率比ε变更为0.23，与实施例A-1同样进行了测定，L0层的R0＝6.1％，R1＝6.4％，R9＝6.7％(R1/R0＝1.049，R9/R0＝1.098)。如表1所示，得到了与实施例A-1同样良好的DOW抖动特性。此外，L1层的R0＝6.2％，R1＝6.5％，R9＝6.8％(R1/R0＝1.048，R9/R0＝1.097)，如表2所示，得到了与实施例A-1同样良好的DOW抖动特性。
(实施例A-3)
准备了在以下条件下对未初始化的光记录介质的记录层进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为700mW(初始化激光功率密度Di＝3.72[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BH)以外，与实施例A-1相同的初始化条件。将功率比ε变更为0.38，与实施例A-1同样进行了测定，L0层的R0＝5.7％，R1＝6.3％，R9＝6.6％(R1/R0＝1.105，R9/R0＝1.158)。如表1所示，得到了与实施例A-1同样良好的DOW抖动特性。此外，L1层的R0＝5.8％，R1＝6.5％，R9＝6.7％(R1/R0＝1.121，R9/R0＝1.155)，如表2所示，得到了与实施例A-1同样良好的DOW抖动特性。
(实施例A-4)
准备了在以下条件下对未初始化的光记录介质的记录层进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为780mW(初始化激光功率密度Di＝4.15[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BH)以外，与实施例A-1相同的初始化条件。将功率比ε变更为0.21，与实施例A-1同样进行了测定，L0层的R0＝6.3％，R1＝6.33％，R9＝6.6％(R1/R0＝1.005，R9/R0＝1.048)。如表1所示，得到了与实施例A-1同样良好的DOW抖动特性。此外，L1层的R0＝6.4％，R1＝6.45％，R9＝6.8％(R1/R0＝1.008，R9/R0＝1.055)，如表2所示，得到了与实施例A-1同样良好的DOW抖动特性。
(实施例A-5)
准备了在以下条件下对未初始化的光记录介质的记录层进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为610mW(初始化激光功率密度Di＝3.24[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BH)以外，与实施例A-1相同的初始化条件。此时反射率区域是接近BL的BH。将功率比ε变更为0.38，与实施例A-1同样进行了测定，L0层的R0＝5.4％，R1＝6.2％，R9＝6.4％(R1/R0＝1.141，R9/R0＝1.185)。如表1所示，得到了与实施例A-1同样良好的DOW抖动特性。此外，L1层的R0＝5.5％，R1＝6.3％，R9＝6.5％(R1/R0＝1.145，R9/R0＝1.182)，如表2所示，得到了与实施例A-1同样良好的DOW抖动特性。
(实施例A-6)
准备了在以下条件下对未初始化的光记录介质的记录层进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为695mW(初始化激光功率密度Di＝3.70[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BH)以外，与实施例A-1相同的初始化条件。与实施例A-1同样进行了测定，L0层的R0＝5.7％，R1＝6.4％，R9＝6.8％(R1/R0＝1.123，R9/R0＝1.193)。如表1所示，得到了与实施例A-1同样良好的DOW抖动特性。此外，L1层的R0＝5.8％，R1＝6.4％，R9＝6.9％(R1/R0＝1.103，R9/R0＝1.190)，如表2所示，得到了与实施例A-1同样良好的DOW抖动特性。
(比较例A-7)
准备了在以下条件下对未初始化的光记录介质的记录层进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为580mW(初始化激光功率密度Di＝3.09[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BL)以外，与实施例A-1相同的初始化条件。与实施例A-1同样进行了测定，L0层的R0＝5.3％，R1＝6.1％，R9＝6.3％(R1/R0＝1.151，R9/R0＝1.189)。如表1所示，DOW1抖动为11.9％，取11％以上的值，DOW9抖动为10.6％，取9％以上的值，不能得到良好的DOW抖动特性。此外，L1层的R0＝5.4％，R1＝6.3％，R9＝6.4％(R1/R0＝1.167，R9/R0＝1.185)，如表2所示，与L0层同样，DOW1抖动及DOW9抖动差，不能得到良好的DOW抖动特性。
(比较例A-8)
准备了在以下条件下对未初始化的光记录介质的记录层进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将扫描线速度设为1.7m/s(初始化激光功率密度Di＝4.51[mW·s/(μm2·m)]，区域＝C)以外，与实施例A-1相同的初始化条件。与实施例A-1同样进行了测定，L0层的R0＝6.4％，R1＝6.5％，R9＝6.6％(R1/R0＝1.016，R9/R0＝1.031)。如表1所示，DOW0抖动为11.8％，初次记录特性特别差，不能得到良好的DOW抖动特性。此外，L1层的R0＝6.5％，R1＝6.6％，R9＝6.7％(R1/R0＝1.015，R9/R0＝1.031)，如表2所示，与L0层同样，DOW0抖动为11.5％，初次记录特性差。
(比较例A-9)
准备了在以下条件下对未初始化的光记录介质的记录层进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将扫描线速度设为1.7m/s、将初始化激光功率设为760mW(初始化激光功率密度Di＝4.76[mW·s/(μm2·m)]，区域＝D)以外，与实施例A-1相同的初始化条件。与实施例A-1同样进行了测定，L0层的R0＝6.7％，R1＝6.7％，R9＝6.8％(R1/R0＝1.000，R9/R0＝1.015)。如表1所示，DOW1抖动为14.9％，不能得到良好的DOW抖动特性。此外，L1层的R0＝6.8％，R1＝6.8％，R9＝6.9％(R1/R0＝1.000，R9/R0＝1.015)，如表2所示，DOW1抖动为14.7％，与L0层同样不能得到良好的DOW抖动特性。
(比较例A-10)
准备了在以下条件下对未初始化的光记录介质的记录层进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将扫描线速度设为1.8m/s(初始化激光功率密度Di＝4.26[mW·s/(μm2·m)]，区域＝C)以外，与实施例A-1相同的初始化条件。与实施例A-1同样进行了测定，L0层的R0＝6.4％，R1＝6.5％，R9＝6.7％(R1/R0＝1.016，R9/R0＝1.042)。如表1所示，DOW9抖动为10％，不能得到良好的抖动特性。此外，L1层的R0＝6.5％，R1＝6.6％，R9＝6.8％(R1/R0＝1.014，R9/R0＝1.045)，如表2所示，DOW9抖动为10％，与L0层同样不能得到良好的抖动特性。
(比较例A-11)
准备了在以下条件下对未初始化的光记录介质的记录层进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将扫描线速度设为2.1m/s、将初始化激光功率设为580mW(初始化激光功率密度Di＝2.94[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BL)以外，与实施例A-1相同的初始化条件。与实施例A-1同样进行了测定，L0层的R0＝5.3％，R1＝6.1％，R9＝6.4％(R1/R0＝1.151，R9/R0＝1.208)。如表1所示，DOW1抖动为12.1％，DOW9抖动为10.8％，不能得到良好的抖动特性。此外，L1层的R0＝5.4％，R1＝6.1％，R9＝6.5％(R1/R0＝1.140，R9/R0＝1.215)，如表2所示，DOW1抖动为12.1％，不能得到良好的抖动特性。
根据以上实施例A-1～A-6及比较例A-7～A-11判明，在第1反射率比(R1/R0)大于1.00、小于1.15的范围内，能够将DOW1抖动抑制到小于等于11.0％，而且将DOW9抑制到小于等于9.0％。再者，也判明此时第2反射率比(R9/R0)处于大于1.05、小于1.20的范围内。
此外，判明：在R1/R0或R9/R0处于上述范围外的情况下，抖动为不理想的值。
(比较例A-12)
制作了与实施例A-1相同的光记录介质A，除了将功率比ε变更为0.18以外，在与实施例A-1相同的记录条件下进行了记录、测定。L0层的R0＝6.1％，R1＝6.2％，R9＝6.3％(R1/R0＝1.016，R9/R0＝1.033)。如表1所示，DOW1抖动为19.8％，DOW9抖动为13.1％，不能得到良好的抖动特性。此外，L1层的R0＝6.1％，R1＝6.1％，R9＝6.3％(R1/R0＝1.000，R9/R00＝1.033)，如表2所示，DOW1抖动为19.5％，DOW9抖动为12.9％，与L0层同样不能得到良好的抖动特性。
(比较例A-13)
制作了与实施例A-1相同的光记录介质A，除了将功率比ε变更为0.50以外，在与实施例A-1相同的记录条件下进行了记录、测定。L0层的R0＝6.0％，R1＝6.2％，R9＝6.5％(R1/R0＝1.033，R9/R0＝1.083)。如表1所示，DOW1抖动为13.6％，不能得到良好的抖动特性。此外，L1层的R0＝5.9％，R1＝6.8％，R9＝6.8％(R1/R0＝1.153，R9/R0＝1.153)，如表2所示，DOW1抖动为13.5％，与L0层同样不能得到良好的抖动特性。
通过以上判明，光记录介质A的如上所述定义的反射率R0、R1及R9、基于其的第1反射率比(R1/R0)满足(1)式的关系较理想。再者，也判明了第2反射率比(R9/R0)满足(2)式的关系较理想。为了满足(1)式、(2)式的关系，例如可以设定初始化激光功率密度Di。通过满足(1)式、(2)式的关系，即使进行1次或多次重写，光记录介质A也能够保持良好的记录及重写特性。
1.00＜(R1/R0)＜1.15…(1)
1.05＜(R9/R0)＜1.20…(2)
如果第1反射率比(R1/R0)大于1.15，则有下述等问题：初始化过的未记录部包含很多非晶部分，不能充分得到再现信号的调制度。此外，双层光记录介质也可能发生下述等问题：不能得到足够的反射率，驱动器不能识别。
此外，将反射率R0设定得很低，会导致反射率由于反复重写而容易增大。因此，如果设定初始化条件，使得第2反射率比(R9/R0)满足(2)式的关系，则反复重写造成的结晶状态的变化也不大，也能够使DOW9抖动成为DVD-RW的标准所设定的值。
图8是表示反射率区域B～D上的重写次数(Overwrite：DOW)和抖动值之间的关系的DOW抖动特性图。
在基于区域D(◆)的初始化激光功率密度、即初始化用激光的激光功率和扫描速度的初始化条件下，DOW0的抖动好，DOW1抖动非常差，所以不理想。在区域D上，第2反射率比(R9/R0)低于1.05，不满足(2)式。
在区域C(●)的初始化条件下，区域D和区域BH这两者混杂，所以初始特性不稳定，如图8所示，DOW0的抖动不好。如果反复重写少数次，则抖动好，但是在DOW9(第9次重写)时不能得到良好的抖动，所以不理想。在区域C上也与区域D同样，R9/R0低于1.05，不满足(2)式。
区域BL(□)上的DOW抖动特性如图8所示，DOW0的抖动好，但是DOW1抖动非常差，所以不理想。在区域BL上，第1反射率比(R1/R0)超过1.15，不满足(1)式。
另一方面，在区域BH(△)上能够得到图8所示的良好的DOW抖动特性，所以是最理想的初始化条件。再者，在区域BH上，满足上述(1)式及(2)式的关系。
图9示出基于实施例A-1～A-6及比较例A-7～A-13的、光记录介质A的L0层上的抖动和功率比ε之间的关系。从图9可知，如果功率比ε处于大于等于0.20以上且小于等于0.40的范围内，则能得到良好的DOW1抖动。图9也示出了L1层上的同样的关系，可知，在L1层上，如果功率比ε处于大于等于0.20且小于等于0.40的范围内，则也能得到良好的DOW1抖动。
图10是抖动与DOW次数的关系的DOW抖动特性图。在图10中，示出了功率比ε为0.3(△)、比0.2小的0.15(◇)、以及比0.4大的0.45(○)。在功率比ε小于0.20的情况下，擦除功率Pe过度小于记录功率Pw，所以不能充分擦除以前描绘的标记。因此，如图10的(◇)所示，DOW1以后的抖动特性不好，所以不理想。另一方面，在功率比ε大于0.40的情况下，擦除功率Pe过度大于记录功率Pw，所以结晶状态不稳定，如图10的(○)所示，DOW1的抖动特性不好，所以不理想。
可知，在图10所示的功率比ε是0.30的情况下(△)，抖动在任一个DOW次数时都取小于等于10％的值。根据以上事实，为了得到小于等于10％的抖动，处于0.20≤ε≤0.40的范围内的功率比ε较理想。
其中，通过将功率比ε设定为0.20≤ε≤0.40，不会施加擦除功率Pe超过记录层的熔点的能量。此外，结晶能够利用的时间长。因此，即使形成记录层的材料的Sb/Te低，也能够得到高结晶化速度。由此，即使不进行在L0层的记录层3和L1层的记录层13之间改变Sb/Te这一烦杂的设定，记录层3和记录层13也能够进行高速记录，而且能够得到良好的记录特性。
图11示出用SbTe类材料形成的记录层的结晶化速度和功率比ε之间的关系。用直线来表示Sb/Te比为3.2的情况，用虚线来表示Sb/Te比为3.0的情况，用点划线来表示Sb/Te比为2.3的情况。从这里可知，如果像本发明这样功率比ε是0.20≤ε≤0.40，则即使在Sb/Te低达3.0的情况下，也能得到与DVD 4倍速相当的结晶化速度。
<透射率的研究>
接着，本发明人估计，为了提高构成L0层的记录层3的透射率而减小膜的厚度，可能会影响光记录介质的记录及重写特性，根据下述实施例B-1～B-5及比较例B-6～B-12发现，该估计是正确的，有使记录及重写特性达到最好的L0层的结构。
因此，以下，为了提高记录层3的透射率，制作了L0层的结构和L0层的初始化条件与实施例A-1不同的光记录介质A，并进行了研究。与L0层有关的其他条件采用了与实施例A-1同样的条件。
此外，对于组合的L1层的记录层13，实施例B-1～B-5采用了与实施例A-1～A-5相同的东西，比较例B-6～B-12采用了与比较例A-7～A-13相同的东西，所以省略与L1层有关的记载。下面只详述L0层的记录层3，归纳于表3。
(实施例B-1)
与实施例A-1同样在真空容器内在基板1上形成了由ZnS和SiO2组成的层厚为70nm的第1电介质膜2，依次用Ge-In-Sb-Te的四元素单一合金靶层叠了层厚为5nm的记录层3，接着用与第1电介质膜2相同的材料层叠了层厚为8nm的第2电介质膜4，用Ag-Pd-Cu靶层叠了层厚为7nm的反射层5。
将该基板1从真空容器内取出后，在该反射层5上旋涂丙烯类紫外线固化树脂(SonyChemical(索尼化学)公司制造的SK5110)，通过照射紫外线使其固化而形成了厚度为3μm的保护层6，完成了L0层。
用实施例A-1中所用的初始化装置200，用径向激光宽度为94μm、扫描方向激光宽度为1.0μm的激光，在扫描线速度为3m/s、激光功率为620mW、进给间距为15μm的初始化条件下(初始化激光功率密度Di＝2.2[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BH)，对未初始化的光记录介质的记录层3进行了初始化。
其中，L1层用与实施例A-1相同结构的东西，在与实施例A-1相同的初始化条件下进行初始化，最后将L0层和L1层用透明层20——双面粘着型薄片粘合起来，形成了光记录介质A。
该光记录介质A的L0层由于记录层3的厚度薄，所以虽然透射率高，但是冷却非常慢。此外，记录层3的初始化条件与L1层的记录层13不同。在以下实施例B-2～B-5及比较例B-6～B-12中也用同样结构的光记录介质A来进行讨论。
与实施例A-1同样进行了测定，L0层的R0＝6.9％，R1＝7.3％，R9＝7.6％(R1/R0＝1.058，R9/R0＝1.101)。将以上值归纳示于表3。
初始特性及重写特性如表3所示，DOW0抖动是7.4％，DOW1抖动是9.0％，DOW9抖动是8.3％，再者，虽然表2未示出，DOW10000抖动为9.6％，重写特性非常稳定，记录特性良好。
L0层 功率[mW]   线速     功率密度 反射率区域         反射率   反射率比 DOW0 DOW1  DOW9   ε
  [m/s] [mW·s/(μm2·m)]  R0  R1  R9  R1/R0  R9/R0
实施例B-1     620     3     2.20     BH  6.9  7.3  7.6  1.058  1.101  7.4  9.0  8.3  0.27
实施例B-2     640     3     2.27     BH  7.1  7.4  7.8  1.042  1.099  7.6  10.6  9.0  0.23
实施例B-3     600     3     2.13     BH  6.7  7.4  7.7  1.104  1.149  8.7  9.9  8.9  0.38
实施例B-4     680     3     2.41     BH  7.2  7.24  7.6  1.006  1.056  7.3  8.8  8.3  0.21
实施例B-5     510     3     1.81     BH  6.4  7.3  7.6  1.141  1.188  7.2  10.9  9.0  0.38
比较例B-6     480     3     1.70     BL  6.3  7.3  7.5  1.159  1.19  8.0  12.3  11.1  0.27
比较例B-7     620     2.5     2.64     C  7.4  7.5  7.6  1.014  1.027  12.2  12.0  10.2  0.27
比较例B-8     660     2.5     2.81     D  7.7  7.7  7.8  1.000  1.013  8.4  16.5  10.6  0.27
比较例B-9     620     2.8     2.36     C  7.4  7.6  7.7  1.027  1.041  11.8  11.0  10.0  0.27
比较例B-10     480     3.1     1.65     BL  6.4  7.2  7.8  1.125  1.219  8.0  12.1  10.8  0.27
比转例B-11     620     3     2.20     BH  7.1  7.2  7.3  1.014  1.028  9.9  20.3  14.1  0.18
比较例B-12     620     3     2.20     BH  7.0  7.2  7.6  1.029  1.086  8.3  14.2  10.3  0.5
表3
(实施例B-2)
准备了对未初始化的光记录介质的记录层3在下述条件下进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为640mW(初始化激光功率密度Di＝2.27[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BH)以外，与实施例B-1相同的初始化条件。将功率比ε变更为0.23，与实施例B-1同样进行了测定，L0层的R0＝7.1％，R1＝7.4％，R9＝7.8％(R1/R0＝1.042，R9/R0＝1.099)。与实施例B-1同样进行了测定，如表3所示，得到了与实施例B-1同样良好的DOW抖动特性。
(实施例B-3)
准备了对未初始化的光记录介质的记录层3在下述条件下进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为600mW(初始化激光功率密度Di＝2.13[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BH)以外，与实施例B-1相同的初始化条件。将功率比ε变更为0.38，与实施例B-1同样进行了测定，L0层的R0＝6.7％，R1＝7.4％，R9＝7.7％(R1/R0＝1.104，R9/R0＝1.149)。与实施例B-1同样进行了测定，如表3所示，得到了与实施例B-1同样良好的DOW抖动特性。
(实施例B-4)
准备了对未初始化的光记录介质的记录层3在下述条件下进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为680mW(初始化激光功率密度Di＝2.41[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BH)以外，与实施例B-1相同的初始化条件。将功率比ε变更为0.21，与实施例B-1同样进行了测定，L0层的R0＝7.2％，R1＝7.24％，R9＝7.6％(R1/R0＝1.006，R9/R0＝1.056)。与实施例B-1同样进行了测定，如表3所示，得到了与实施例B-1同样良好的DOW抖动特性。
(实施例B-5)
准备了对未初始化的光记录介质的记录层3在下述条件下进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为510mW(初始化激光功率密度Di＝1.81[mW·s/(μm2·m)]，区域＝接近BL的BH)以外，与实施例B-1相同的初始化条件。将功率比ε变更为0.38，与实施例B-1同样进行了测定，L0层的R0＝6.4％，R1＝7.3％，R9＝7.6％(R1/R0＝1.141，R9/R0＝1.188)。与实施例B-1同样进行了测定，如表3所示，得到了与实施例B-1同样良好的DOW抖动特性。
(比较例B-6)
准备了对未初始化的光记录介质的记录层3在下述条件下进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为480mW(初始化激光功率密度Di＝1.70[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BL)以外，与实施例B-1相同的初始化条件。在与实施例B-1相同的条件下进行了测定，L0层的R0＝6.3％，R1＝7.3％，R9＝7.5％(R1/R0＝1.151，R9/R0＝1.188)。与实施例B-1同样进行了测定，如表3所示，DOW1抖动特性略差。
(比较例B-7)
准备了对未初始化的光记录介质的记录层3在下述条件下进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为620mW、将线速度设为2.5m/s(初始化激光功率密度Di＝2.64[mW·s/(μm2·m)]，区域＝C)以外，与实施例B-1相同的初始化条件。在与实施例B-1相同的条件下进行了测定，L0层的R0＝7.4％，R1＝7.5％，R9＝7.6％(R1/R0＝1.014，R9/R0＝1.027)。与实施例B-1同样进行了测定，如表3所示，DOW0抖动及DOW1抖动略差。
(比较例B-8)
准备了对未初始化的光记录介质的记录层3在下述条件下进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为660mW、将线速度设为2.5m/s(初始化激光功率密度Di＝2.81[mW·s/(μm2·m)]，区域＝D)以外，与实施例B-1相同的初始化条件。在与实施例B-1相同的条件下进行了测定，L0层的R0＝7.7％，R1＝7.7％，R9＝7.8％(R1/R0＝1.000，R9/R0＝1.013)。与实施例B-1同样进行了测定，如表3所示，DOW1抖动差。
(比较例B-9)
准备了对未初始化的光记录介质的记录层3在下述条件下进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为620mW、将线速度设为2.8m/s(初始化激光功率密度Di＝2.36[mW·s/(μm2·m)]，区域＝C)以外，与实施例B-1相同的初始化条件。在与实施例B-1相同的条件下进行了测定，L0层的R0＝7.4％，R1＝7.6％，R9＝7.7％(R1/R0＝1.027，R9/R0＝1.041)。与实施例B-1同样进行了测定，如表3所示，DOW9抖动特性略差。
(比较例B-10)
准备了对未初始化的光记录介质的记录层3在下述条件下进行了初始化的光记录介质A，该条件是：除了将激光功率设为480mW、将线速度设为3.1m/s(初始化激光功率密度Di＝1.65[mW·s/(μm2·m)]，区域＝BL)以外，与实施例B-1相同的初始化条件。在与实施例B-1相同的条件下进行了测定，L0层的R0＝6.4％，R1＝7.2％，R9＝7.8％(R1/R0＝1.125，R9/R0＝1.219)。与实施例B-1同样进行了测定，如表3所示，DOW9抖动特性略差。
(比较例B-11)
制作了与实施例B-1相同的光记录介质A，除了将功率比ε变更为0.18以外，在与实施例B-1相同的记录条件下进行了记录、测定。反射率区域是BH，L0层的R0＝7.1％，R1＝7.2％，R9＝7.2％(R1/R0＝1.014，R9/R0＝1.028)。如表3所示，DOW1抖动超过了20％。
(比较例B-12)
制作了与实施例B-1相同的光记录介质A，除了将功率比ε变更为0.5以外，在与实施例B-1相同的记录条件下进行了记录、测定。反射率区域是BH，L0层的R0＝7.0％，R1＝7.2％，R9＝7.6％(R1/R0＝1.029，R9/R0＝1.086)。如表3所示，DOW1抖动差。
如上所述，判明，在为了提高L0层的记录层3的透射率而将记录层3、第2电介质膜4和半透明膜5的膜厚做得非常薄的情况下，即使记录层3的初始化所需的初始化功率密度Di低，上述(1)、(2)式也成立。
其中，在上述实施例A、B中用双层相变型光记录介质作为光记录介质的实施方式进行了讨论，但是本发明在记录层为1层的相变型光记录介质及记录层为3层以上的多层相变型光记录介质中都成立。

Claims (3)

1.一种光记录介质，是相变型光记录介质，其特征在于，
具有：基板；和
记录层，通过按照记录脉冲图案照射记录光来记录表示记录信息的记录标记，该记录脉冲图案由记录脉冲和擦除脉冲组成，所述记录脉冲从擦除功率上升并形成在比上述擦除功率大的记录功率和比上述擦除功率小的最低功率之间，所述擦除脉冲从上述最低功率向上述擦除功率上升；
在将向上述记录层上的一次也未记录信息的未记录部上照射再现光时的、上述未记录部的反射率设为R0，将向上述未记录部上照射了1次与上述记录脉冲图案相应的上述记录光后照射上述再现光时的、上述未记录部的反射率设为R1，将向上述未记录部上照射了9次与上述记录脉冲图案相应的上述记录光后照射上述再现光时的上述未记录部的反射率设为R9的情况下，上述记录层中，
成立下述(1)、(2)式
1.00＜(R1/R0)＜1.15…(1)
1.05＜(R9/R0)＜1.20…(2)。
2.如权利要求1所述的光记录介质，其特征在于，上述光记录介质具有多个上述记录层。
3.如权利要求1或2所述的光记录介质，其特征在于，在设上述记录功率为Pw、上述擦除功率为Pe，设上述擦除功率Pe与上述记录功率Pw的功率比为ε，ε＝Pe/Pw时，向规定的区域写入了用于使0.20≤ε≤0.40的信息。
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