CN119816111B - 显示面板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示面板及其制作方法和显示装置，显示面板包括衬底基板、像素定义层、发光单元、第一隔断结构和第二隔断结构，发光单元包括阳极、发光功能层和阴极，第二隔断结构设置在第一隔断结构上，第一隔断结构用于隔断相邻两个发光单元的阴极，第二隔断结构用于隔断相邻两个发光单元的发光功能层；其中，在衬底基板的正投影上，阴极的径向宽度小于发光功能层的宽度；第一隔断结构还用于隔开阴极与第二隔断结构。本申请通过设置两个堆叠设置第一隔断结构和第二隔断结构，利用第一隔断结构来对阴极进行隔断，利用第二隔断结构来对发光功能层进行隔断，来改善阴极与发光功能层之间膜层界面，提升发光单元的发光效率和寿命。

Description

显示面板及其制作方法和显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示器件由于具有轻巧、广视角、响应快、耐低温、发光效率高，且能制备弯曲的柔性显示屏，被广泛应用在各个领域。由于量产技术日益成熟，OLED显示面板逐渐成为主流现实面板。

现有的有机发光显示面板主要包括两类，一种是正置的有机发光显示面板，其中正置的有机发光显示面板中的发光单元包括从衬底基板上依次层叠设置的阳极、发光功能层和阴极；另一种是倒置的有机发光显示面板，其中包括从衬底基板依次层叠设置的阴极、发光功能层和阳极。以正置的有机发光显示面板来说，阴极中的活性金属容易受到水氧侵蚀，造成显示面板的寿命降低，对于倒置的有机发光显示面板而言，阴极中的活性金属也容易在制程中被氧化或存在制程残留等问题，造成倒置的有机发光显示面板的发光效率低。对此，本领域亟需一种解决上述问题的方案。

发明内容

本申请的目的是提供一种显示面板及其制作方法和显示装置，通过设置两个堆叠设置第一隔断结构和第二隔断结构，利用第一隔断结构来对阴极进行隔断，利用第二隔断结构来对发光功能层进行隔断，来改善阴极与发光功能层之间膜层界面，提升发光单元的发光效率和寿命。

本申请公开了一种显示面板，所述显示面板包括衬底基板、像素定义层、发光单元、第一隔断结构和第二隔断结构，所述像素定义层设置在所述衬底基板上，且设置有多个开口区，所述发光单元设置在所述衬底基板上，且位于所述开口区内；所述发光单元包括阳极、发光功能层和阴极，所述阴极设置在所述衬底基板上，所述发光功能层设置在所述阴极上，所述阳极设置在所述发光功能层上；所述第二隔断结构设置在所述第一隔断结构上，所述第一隔断结构用于隔断相邻两个所述发光单元的阴极，所述第二隔断结构用于隔断相邻两个所述发光单元的发光功能层；其中，在所述衬底基板的正投影上，所述阴极的径向宽度小于所述发光功能层的宽度；所述第一隔断结构还用于隔开所述阴极与所述第二隔断结构。

可选的，所述第一隔断结构包括隔断层，所述隔断层设置在所述像素定义层下方，且与所述像素定义层直接接触；在所述衬底基板的正投影下，所述隔断层的边界在所述像素定义层的投影范围内，且与所述像素定义层的投影边界具有一预设距离，所述像素定义层与所述隔断层形成第一隔断结构。

可选的，所述第二隔断结构包括导电部和隔断部，所述导电部设置在所述像素定义层上，所述隔断部设置在所述导电部上，所述隔断部的径向宽度大于所述导电部的径向宽度；所述导电部用于连接相邻两个所述发光单元的阳极；在所述衬底基板的投影上，所述第二隔断结构的隔断部的边界设置在所述第一隔断结构远离所述发光单元的一侧；所述发光功能层覆盖所述第一隔断结构设置，且延伸到所述像素定义层上，且与所述导电部之间具有一间隙。

可选的，所述发光功能层包括电子传输层、发光层和空穴传输层，所述电子传输层设置在所述发光层靠近所述阴极的一侧，所述空穴传输层设置在所述发光层靠近所述阳极的一侧；所述电子传输层被所述第一隔断结构隔断，所述电子传输层的径向宽度等于所述阴极的径向宽度；所述发光层、所述空穴传输层覆盖所述第一隔断结构设置，且被所述第二隔断结构隔断，所述发光层、所述空穴传输层的径向宽度分别大于所述电子传输层的径向宽度；所述电子传输层、所述发光层、所述空穴传输层还用于隔断所述阴极与所述导电部之间。

可选的，所述发光单元还包括阴极辅助电极，相邻两个所述发光单元中的阴极辅助电极通过所述像素定义层隔开绝缘，所述阴极辅助电极设置在所述阴极下，且与所述阴极直接接触；所述隔断层设置在所述阴极辅助电极与所述像素定义之间，所述隔断层采用导电材料形成，所述隔断层与所述阴极辅助电极直接接触，在相邻两个所述发光单元中，相邻所述两个所述隔断层通过所述像素定义层隔开。

可选的，所述阴极采用镁材料和银材料中的一种或两种形成；所述阳极采用反射金属材料整面沉积形成，多个所述发光单元共用所述阳极；所述发光单元的出光从所述衬底基板的一侧发出；所述阴极的厚度大于等于100埃米小于等于300埃米；所述预设距离大于等于5000埃米小于等于50000埃米；所述隔断层的厚度大于等于100埃米小于等于1000埃米。

本申请还公开了一种显示面板的制作方法，包括步骤：

提供一衬底基板；

在衬底基板上的非开口区形成像素定义层和第一隔断结构；

在所述第一隔断结构上形成第二隔断结构；

利用所述第一隔断结构在开口区形成阴极；

利用所述第二隔断结构在开口区形成发光功能层；

形成阳极以形成发光单元；

其中，在所述衬底基板的正投影上，所述阴极的径向宽度小于所述发光功能层的宽度；所述第一隔断结构还用于隔断所述阴极与所述第二隔断结构。

可选的，所述在衬底基板上的非开口区形成像素定义层和第一隔断结构的步骤中包括：

在衬底基板上的非开口区形成整面的隔断层材料层；

在整面的隔断层材料层上沉积整面的像素定义层材料层，去除开口区的像素定义层材料后，保留非开口区的像素定义层；

利用像素定义层为保护层对所述隔断层进行刻蚀，以使得所述像素定义层与所述隔断层形成第一隔断结构；

其中，在所述衬底基板的正投影下，所述隔断层的边界在所述像素定义层的投影范围内，且与所述像素定义层的投影边界具有一预设距离；

所述在所述第一隔断结构上形成第二隔断结构的步骤中包括：

在所述像素定义层上依次形成导电部材料层和隔断部材料层；

图案化形成隔断部，利用隔断部为保护层对所述导电部材料层进行刻蚀，以形成第二隔断结构；其中，所述隔断部的径向宽度大于所述导电部的径向宽度；

所述形成阳极以形成发光单元的步骤中包括：

利用所述第二隔断结构在开口区形成发光功能层，相邻两个所述发光单元的阳极之间通过所述导电部连接。

可选的，所述在所述衬底基板上衬底隔断层材料层的步骤中包括：

在所述衬底基板上依次沉积阴极辅助电极材料层、隔断层材料层；

在非开口区位置依次刻蚀所述隔断层材料层、所述阴极辅助电极以形成隔断孔；

所述在整面的隔断层材料层上沉积整面的像素定义层材料层，去除开口区的像素定义层材料后，保留非开口区的像素定义层的步骤中包括：

整面沉积像素定义层材料层；在所述隔断孔位置处，所述像素定义层填充所述隔断孔；

去除开口区的像素定义层材料后，保留非开口区的像素定义层；其中，所述像素定义层填充所述隔断孔，且所述像素定义层的径向宽度大于所述隔断孔的宽度。

本申请还公开了一种显示装置，包括驱动电路和上述的显示面板，其中，所述驱动电路用于驱动所述显示面板显示。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本申请的第一实施例的显示面板的示意图；

图2是本申请的发光单元的膜层示意图；

图3是本申请的第一隔断结构和第二隔断结构的示意图；

图4是本申请的第二实施例的显示面板的示意图；

图5是本申请的显示面板的制作方法的步骤示意图；

图6是本申请的显示面板的制作流程示意图；

图7是本申请的显示装置的示意图。

其中，100、显示面板；101、开口区；102、非开口区；110、衬底基板；120、像素定义层；130、发光单元；131、阴极；132、发光功能层；1321、空穴注入层；1322、空穴传输层；1323、电子阻挡层；1324、发光层；1325、空穴阻挡层；1326、电子传输层；1327、电子注入层；133、阳极；134、阴极辅助电极；140、第一隔断结构；141、隔断层；150、第二隔断结构；151、导电部；152、隔断部；160、像素驱动层；200、显示装置；210、驱动电路。

具体实施方式

需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。另外，“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明。

图1是本申请的第一实施例的显示面板100的示意图，参见图1所示，本申请公开了一种显示面板100，所述显示面板100包括衬底基板110、像素定义层120、发光单元130、第一隔断结构140和第二隔断结构150，所述像素定义层120设置在所述衬底基板110上，且设置有多个开口区101，所述发光单元130设置在所述衬底基板110上，且位于所述开口区101内；所述发光单元130包括阳极133、发光功能层132和阴极131，所述阴极131设置在所述衬底基板110上，所述发光功能层132设置在所述阴极131上，所述阳极133设置在所述发光功能层132上；所述第二隔断结构150设置在所述第一隔断结构140上，所述第一隔断结构140用于隔断相邻两个所述发光单元130的阴极131，所述第二隔断结构150用于隔断相邻两个所述发光单元130的发光功能层132；其中，在所述衬底基板110的正投影上，所述阴极131的径向宽度小于所述发光功能层132的宽度；所述第一隔断结构140还用于隔开所述阴极131与所述第二隔断结构150。

本申请通过设置两个堆叠设置第一隔断结构140和第二隔断结构150，利用第一隔断结构140来对阴极131进行隔断，利用第二隔断结构150来对发光功能层132进行隔断。通过第一隔断结构140与第二隔断结构150的使用，使得阴极131的径向宽度小于发光功能层132的径向宽度，从而避免了发光单元130的阴极131、发光功能层132和阳极133分别通过隔断结构在进行无掩膜蒸镀时，可能存在阴极131与阳极133短路的问题。另一方面，本申请通过第一隔断结构140和第二隔断结构150，使得发光单元130的阴极131、发光功能层132和阳极133都可以采用无掩膜蒸镀，其优势在于，在形成阴极131与发光功能层132的过程中，阴极131与发光功能层132可以在同一环境下形成，避免了示例性制程中，需要对阴极131进行刻蚀造成阴极131氧化的问题。同时还改进了阴极131与发光功能层132之间的膜层界面，提升了发光单元130的发光效率。

在本申请一实施例中，也可以单独采用第一隔断结构140或单独采用第二隔断结构150来形成上述发光单元130的阴极131、发光功能层132和阳极133。其中，第一隔断结构140或第二隔断结构150为无掩膜蒸镀技术中所使用的关键结构，通常也被称为屋檐结构或导电隔断结构。主要是通过隔断结构的隔断能力，在蒸镀阳极133、阴极131和发光功能层132时，不需要使用金属掩膜版，即可在对应的开口区101形成图案化的阴极131、发光功能层132和阳极133。而目前的无掩膜蒸镀技术中，主要使用隔断结构来形成发光功能层132以及位于发光功能层132上的阳极133或阴极131，而没有将阳极133和阴极131分制程利用隔断结构来进行的。因此，在无掩膜蒸镀过程中，一般不会存在阳极133与阴极131短路的问题。而在本申请中，通过将设置在发光功能层132下方的阴极131也采用无掩膜蒸镀技术形成，从而改善了阴极131需要刻蚀步骤使得阴极131与发光功能层132之间的膜层界面不好的现象，但是在单独使用第一隔断结构140或第二隔断结构150的情况下，即使控制蒸镀角度，但仍然可能会存在阳极133和阴极131短接的问题。对此，本申请通过设置第一隔断结构140和第二隔断结构150，利用第一隔断结构140与第二隔断结构150的隔断能力，使得阴极131与发光功能层132的径向宽度不同，且阴极131的侧面完全由发光功能层132所覆盖，从而避免了阴极131与阳极133的短接问题。

具体地，本申请的第二隔断结构150即为常规无掩膜蒸镀技术中的隔断结构，第二隔断结构150包括设置在像素定义层120上的导电部151和隔断部152；所述导电部151设置在所述像素定义层120上，所述隔断部152设置在所述导电部151上，所述隔断部152的径向宽度大于所述导电部151的径向宽度。

本实施例中，第二隔断结构150的主要作用是隔断发光功能层132和阳极133。当然，第二隔断结构150在阴极131的整面蒸镀中，也对阴极131起到隔断作用。因此，在整面蒸镀阴极131的过程中，除了在开口区101形成阴极131外，还在第一隔断结构140与第二隔断结构150之间形成第一阴极131冗余电极，在第二隔断结构150上形成第二阴极131冗余电极，且上述三段电极之间互相不连接。其中，第一隔断结构140与第二隔断结构150设置在位置不同，第一隔断结构140设置在第二隔断结构150更靠近开口区101的位置，以使得阴极131的径向宽度小于发光功能层132的径向宽度。如不设置第一隔断结构140，则阴极131与发光功能层132都通过第二隔断结构150进行隔断，阴极131的径向宽度应等于发光功能层132的径向宽度，容易出现阴极131与导电部151或阳极133短接的问题。

其中，第二隔断结构150中的导电部151还用于将多个发光单元130的阳极133连接起来，形成整面的阳极133布线。在本实施例中，本申请的显示面板100为一种倒置的底发光显示面板100，其中，发光单元130的阴极131采用透光电极，而阳极133采用反射电极，发光单元130的出射光线从阴极131侧出射，从而从衬底基板110侧进行出射，形成底发光的显示面板100。因此，设置在发光功能层132下部的阴极131需要独立设置，两个阴极131之间不相互连接，且分别连接至对应的像素驱动电路上，而阳极133仅需要给到一固定电压即可，因此多个发光单元130的阳极133是连接在一起的。通过将阳极133设置为反射电极，且连接在一起，可大大降低阳极133方面的阻降问题。

图2是本申请的发光单元130的膜层示意图，参见图2所示，倒置指的是发光单元130的中发光功能层132顺序，在本实施例中，发光功能层132一般可包括电子传输层1326、发光层1324和空穴传输层1322，在倒置的发光层1324中，电子传输层1326一般设置在发光层1324靠近阴极131的一侧，空穴传输层1322一般设置在发光层1324靠近阳极133的一侧。一般来说，底发光显示面板100中的发光功能层132都为倒置方案，使其具有更高的发光效率。但是倒置方案对阳极133与阴极131之间的功函数要求较高，对阴极131的功函数尽可能低。在此情况下，阳极133采用反射电极，可以为银材料。阴极131采用透光电极，当透明导电层这种功函数较高的电极时，容易出现发光效率较低的问题。

因此，需要在阴极131中增加透光的活性金属，来降低阴极131的功函数，在阳极133中增加功函数较高的ITO或IZO材料，来增加阳极133的功函数。在阴极131增加活性金属的情况下，需要考虑两个方面，第一方面需要考虑活性金属的透光性，金属的透射度与其晶格结构有关，晶格结构是指金属原子按照特定的规律排列的方式。当金属的晶格结构足够紧密，没有足够的空间让光子穿过时，金属就会呈现出不透明的特性。而如果金属的厚度降低到一定程度，光子就有可能穿过金属的晶格结构，使得金属变得透光。另一方案需要考虑功函数，在考虑透光性对厚度进行设置的同时，还需要兼顾功函数，其厚度对功函数也有影响。一般来说，以阴极131采用活性金属材料形成，活性金属材料为镁或银为例，阴极131的厚度需要比阳极133中的反射金属层的厚度小，以实现较高的发光效率。

但是，当阴极131采用的活性金属材料较薄时，例如在100埃米至300埃米时，在制程中的沉积、刻蚀步骤容易出现被氧化；具体在刻蚀制程中，还存在光刻胶残留以及刻蚀问题等，都会影响阴极131的功函数，从而造成倒置的底发光显示面板100的发光效率较低。但是通过本申请的第一隔断结构140，在证明沉积阴极131的过程中，利用第一隔断结构140，形成图案化的阴极131。即使在形成较薄的活性金属作为阴极131时，在真空环境下，也不会发生氧化等问题。值得一提的是，在阴极131的活性金属沉积较薄的情况下，在沉积过程中，容易被氧化。对于正置的顶发光显示面板100来说，阴极131材料一般采用氧化铟锡材料形成，阳极133材料一般是两层氧化铟锡材料夹设一层银材料形成，银材料的厚度较厚以形成反射电极，且存在两层氧化铟锡材料的保护，相对来说不容易出现氧化的问题。但是对于倒置的底发光显示面板100而言，阴极131的上方没有氧化铟锡材料的保护，在后续制程中极易出现被氧化的情况，本实施例利用第一隔断结构140从而保护的阴极131，而且结合上述，使得阴极131与第一阴极131冗余电极、第二阴极131冗余电极相隔开，实现了更好的发光效果。

图3是本申请的第一隔断结构140和第二隔断结构150的示意图，参见图3所示，具体地，所述第一隔断结构140包括隔断层141，所述隔断层141设置在所述像素定义层120下方，且与所述像素定义层120直接接触；在所述衬底基板110的正投影下，所述隔断层141的边界在所述像素定义层120的投影范围内，且与所述像素定义层120的投影边界具有一预设距离，所述像素定义层120与所述隔断层141形成第一隔断结构140。

在衬底基板110的正投影上，所述第一隔断结构140相对于第二隔断结构150更靠近开口区101，以使得通过第一隔断结构140形成阴极131的径向宽度小于通过第二隔断结构150形成的发光功能层132的径向宽度。从而利用发光功能层132能欧将阳极133、阴极131、第一阴极131冗余电极和第二阴极131冗余电极之间隔开，从而避免了阳极133、阴极131分别通过无掩膜蒸镀技术形成时的短接问题。

图4是本申请的第二实施例的显示面板100的示意图，参见图4所示，所述发光单元130还包括阴极辅助电极134，相邻两个所述发光单元130中的阴极辅助电极134通过所述像素定义层120隔开绝缘，所述阴极辅助电极134设置在所述阴极131下，且与所述阴极131直接接触；所述隔断层141设置在所述阴极辅助电极134与所述像素定义层之间，所述隔断层141采用导电材料形成，所述隔断层141与所述阴极辅助电极134直接接触，在相邻两个所述发光单元130中，相邻所述两个所述隔断层141通过所述像素定义层120隔开。

本方案中，通过在阴极131下方设置阴极辅助电极134，阴极辅助电极134可以采用透明导电材料形成，例如氧化铟锡材料或氧化铟锌材料形成。该阴极辅助电极134通过过孔与像素驱动层160中的像素主动开关连接。可以理解的是，在衬底基板110上还设置有像素驱动层160，像素驱动层160一般包括发光单元130的像素驱动电路，例如像素主动开关、数据驱动线、扫描控制线等，每一发光单元130的阴极131通过阴极辅助电极134连接至像素主动开关上，通过像素主动开关控制阴极131的电压以及关断。具体地，相邻两个所述发光单元130的阴极辅助电极134通过所述像素定义层120隔开。考虑到阴极辅助电极134需要与各个发光单元130的阴极131直接连接，因此，相邻发光单元130的阴极辅助电极134也需要间隔设置，以避免电性串扰问题。

本方案中的阴极辅助电极134一般需要通过刻蚀形成，在整面铺设阴极辅助电极134材料后，通过刻蚀去除非开口区102的材料，从而保留开口区101的阴极辅助电极134。在刻蚀过程中，可以利用隔断层141来对阴极辅助电极134进行刻蚀保护。具体来说，隔断层141设置在像素定义层120与阴极辅助电极134之间，在相邻两个开口区101之间，通过像素定义层120将相邻的隔断层141和阴极辅助电极134进行绝缘隔开。在对阴极辅助电极134进行刻蚀时，通过隔断层141对阴极辅助电极134进行保护。而在形成第一隔断结构140的过程中，会对开口区101的隔断层141去除，从而剥离阴极辅助电极134上的隔断层141，且在像素定义层120的边缘位置形成第一隔断结构140，对阴极131形成时进行隔断。值得一提的是，本申请中的第一隔断结构140与第二隔断结构150的隔断能力主要以上部超出下部的宽度，例如在一隔断结构中，像素定义层120的边界超出隔断层141的边界的距离w与隔断层141的厚度，两者决定了第一隔断结构140的隔断能力。

其中，隔断层141也可以采用金属材料形成，即在衬底基板110上的像素驱动层160完成制程后，在形成阴极辅助电极134之后，采用与阴极辅助电极134不同材料的金属材料形成隔断层141，在隔断层141上形成一层像素定义层120，对像素定义层120进行图案化工艺，即通过像素定义层120形成多个开口作为开口区101后，利用像素定义层120对隔断层141进行刻蚀，使得在每一非开口区102至开口区101的交界位置处，像素定义层120超出隔断层141一定的距离形成第一隔断结构140。在此过程中，虽然增加了隔断层141的结构，但没有带来制程的复杂，可完全通过目前的工艺，无需增加掩膜即可实现。

当隔断层141采用金属材料形成时，隔断层141由于与阴极辅助电极134直接接触，因此，也需要将相邻发光单元130的隔断层141间隔设置，分别通过像素定义层120进行绝缘。

在一具体的实施例中，第二隔断结构150的隔断能力强于第一隔断结构140。因为在无掩膜蒸镀技术中，由于使用的第二隔断结构150，导致对像素定义层120的材料选用为无机绝缘材料，导致像素定义层120的高度有限，其第一隔断结构140的隔断能力有限，而将像素定义层120改用为有机绝缘材料，又容易出现膜层较厚的问题。因此，在本实施例中，第一隔断结构140通常仅能隔断部152分发光单元130的膜层，而不能完全将发光功能层132隔断。

具体地，所述发光功能层132包括电子传输层1326、发光层1324和空穴传输层1322，所述电子传输层1326设置在所述发光层1324靠近所述阴极131的一侧，所述空穴传输层1322设置在所述发光层1324靠近所述阳极133的一侧；所述电子传输层1326被所述第一隔断结构140隔断，所述电子传输层1326的径向宽度等于所述阴极131的径向宽度；所述发光层1324、所述空穴传输层1322覆盖所述第一隔断结构140设置，且被所述第二隔断结构150隔断，所述发光层1324、所述空穴传输层1322的径向宽度分别大于所述电子传输层1326的径向宽度；所述电子传输层1326、所述发光层1324、所述空穴传输层1322还用于隔断所述阴极131与所述导电部151之间。

在本实施例中，位于靠近阴极131的电子传输层1326可以通过第一隔断结构140隔断，为了通过第一隔断结构140将阴极131完全隔断，第一隔断结构140的隔断能力需要直接隔断至发光功能层132，才能够保证第一隔断结构140能够将阴极131完全进行隔断。因而，对于发光功能层132来说，需要将阴极131与被第一隔断结构140隔断的第一阴极131冗余电极之间绝缘隔开。从而进一步避免阴极131与第一阴极131冗余电极、阳极133之间的短接问题。值得一提的是，即使阴极131和电子传输层1326的径向宽度减少，但实际不影响发光单元130的有效发光面积。

当然，在一具体实施例中，电子传输层1326还靠近阴极131的一侧设置有电子注入层1327，靠近发光层1324的一侧设置有空穴阻挡层1325，空穴传输层1322靠近阳极的一侧设置有空穴注入层1321，靠近发光层1324的一侧设置有电子阻挡层1323。对于电子传输层1326靠近阴极131一侧的膜层也同样会被第一隔断结构140所隔断，从而在开口区101形成互不连接的电子注入层。

其中，所述阴极131的厚度大于等于100埃米小于等于300埃米；在第一隔断结构140中，所述预设距离大于等于5000埃米小于等于50000埃米，优选为10000埃米至30000埃米；当第一隔断结构140仅隔断阴极131时，所述隔断层141的厚度大于等于100埃米小于等于600埃米，优选为200埃米至500埃米。当第一隔断结构140还继续隔断至电子传输层1326时，隔断层141的厚度大于等200埃米小于等于1500埃米，优选为400埃米至1000埃米。

图5是本申请的显示面板的制作方法的步骤示意图，图6是本申请的显示面板的制作流程示意图，参见图5至图6所示，本申请还公开了对应上述任意一实施例的显示面板的制作方法，包括步骤：

S10：提供一衬底基板；

S20：在衬底基板上的非开口区形成像素定义层和第一隔断结构；

S30：在所述第一隔断结构上形成第二隔断结构；

S40：利用所述第一隔断结构在开口区形成阴极；

S50：利用所述第二隔断结构在开口区形成发光功能层；

S60：形成阳极以形成发光单元；

S70：形成显示面板。

其中，在所述衬底基板的正投影上，所述阴极的径向宽度小于所述发光功能层的宽度；所述第一隔断结构还用于隔断所述阴极与所述第二隔断结构。

本申请通过第一隔断结构和第二隔断结构的设置，在形成阴极使用第一隔断结构来进行无掩膜蒸镀，在形成发光功能层使用第二隔断结构来进行无掩膜蒸镀，且第一隔断结构与第二隔断结构设置的位置不一样，使得阴极的径向宽度小于发光功能层的径向宽度，从而利用发光功能层来对阴极与阳极之间形成绝缘隔开，避免阳极和阴极之间发生短接。另一方面，本申请通过第一隔断结构和第二隔断结构，使得发光单元的阴极、发光功能层和阳极都可以采用无掩膜蒸镀，其优势在于，在形成阴极与发光功能层的过程中，阴极与发光功能层可以在同一环境下形成，避免了示例性制程中，需要对阴极进行刻蚀造成阴极氧化的问题。同时还改进了阴极与发光功能层之间的膜层界面，提升了发光单元的发光效率。

在S20的步骤中包括：

S201：在衬底基板上的非开口区形成整面的隔断层材料层；

S202：在整面的隔断层材料层上沉积整面的像素定义层材料层，去除开口区的像素定义层材料后，保留非开口区的像素定义层；

S203：利用像素定义层为保护层对所述隔断层进行刻蚀，以使得所述像素定义层与所述隔断层形成第一隔断结构；

其中，在所述衬底基板的正投影下，所述隔断层的边界在所述像素定义层的投影范围内，且与所述像素定义层的投影边界具有一预设距离。对于隔断层材料层以及其他膜层的材料层来说，一般的材料层指定是在衬底基板上形成整面铺设的隔断层材料层，在去除部分区域即图案化后形成对应的隔断层，通过增加材料层的方式加以区别隔断层与隔断层材料层之间的区别，在此，隔断层材料层与隔断层之间别无其他区别。本实施例的第一隔断结构主要采用在像素定义层与衬底基板之间增加隔断层，利用隔断层与像素定义层来形成第一隔断结构，该隔断层的刻蚀并不需要增加额外的掩膜，不会带来制程成本的增加。

在S30的步骤中包括：

S301：在所述像素定义层上依次形成导电部材料层和隔断部材料层；

S302：图案化形成隔断部，利用隔断部为保护层对所述导电部材料层进行刻蚀，以形成第二隔断结构；其中，所述隔断部的径向宽度大于所述导电部的径向宽度。

在S60的步骤中包括：

S601：利用所述第二隔断结构在开口区形成发光功能层，相邻两个所述发光单元的阳极之间通过所述导电部连接。

在本实施例中，通过在像素定义层上形成第二隔断结构，利用第二隔断结构对发光功能层和阳极进行隔断。可以理解的是，第二隔断结构在阴极的整面蒸镀中，也对阴极起到隔断作用。因此，在整面蒸镀阴极的过程中，除了在开口区形成阴极外，还在第一隔断结构与第二隔断结构之间形成第一阴极冗余电极，在第二隔断结构上形成第二阴极冗余电极，且上述三段电极之间互相不连接，且在第二隔断结构上的第二阴极冗余电极可以在后续制程中去除。

当然，在上述阴极辅助电极设置在隔断层的显示面板来说，在S20的步骤中包括：

S211：在所述衬底基板上依次沉积阴极辅助电极材料层、隔断层材料层；

S212：在非开口区位置依次刻蚀所述隔断层材料层、所述阴极辅助电极以形成隔断孔；

S213：整面沉积像素定义层材料层；在所述隔断孔位置处，所述像素定义层填充所述隔断孔；

S214：去除开口区的像素定义层材料后，保留非开口区的像素定义层；其中，所述像素定义层填充所述隔断孔，且所述像素定义层的径向宽度大于所述隔断孔的宽度；

S215：利用像素定义层为保护层刻蚀所述隔断层，以使得所述像素定义层与所述隔断层形成第一隔断结构

本实施例中，利用隔断层对阴极辅助电极进行保护，而完成第一隔断结构的制程后，阴极辅助电极从开口区裸露，在形成阴极时，阴极与阴极辅助电极直接接触。

本实施例的第一隔断结构和第二隔断结构可分别环绕每个开口区设置，使得在形成阴极、发光功能层和阳极的过程中，可以通过无掩膜蒸镀技术形成。且本申请的阴极、阴极辅助电极和阳极的设置，使得倒置的底发光显示面板的发光效率高。而且因为阳极不需要透光，因此阳极可以做厚且整面形成，使得整面形成的阳极在不同位置的阻降相较于正置的顶发光显示面板中采用氧化铟锡形成的整面阴极而言差距更小，不同位置的阻降更为均匀，避免出现不同位置的电压不同。其中，倒置的底发光显示面板又一优势在于，在发光单元完成制程之后，由于出射光线不从发光单元上方的封装层出射。因此，对于封装层的材料和工艺的选择性更大，可以实现对发光单元更好的封装。

图7是本申请的显示装置的示意图，参见图7所示，本申请还公开了一种显示装置，显示装置200包括驱动电路210和上述任一实施例中的显示面板100，其中，所述驱动电路210用于驱动所述显示面板100进行显示。

需要说明的是，本申请的发明构思可以形成非常多的实施例，但是申请文件的篇幅有限，无法一一列出，因而，在不相冲突的前提下，以上描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例，各实施例或技术特征组合之后，将会增强原有的技术效果。

以上内容是结合具体的可选实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。

Claims (7)

1.一种显示面板，包括衬底基板、像素定义层和发光单元，所述像素定义层设置在所述衬底基板上，且设置有多个开口区，所述发光单元设置在所述衬底基板上，且位于所述开口区内；其特征在于，

所述发光单元包括阳极、发光功能层和阴极，所述阴极设置在所述衬底基板上，所述发光功能层设置在所述阴极上，所述阳极设置在所述发光功能层上；

所述显示面板还包括第一隔断结构和第二隔断结构，所述第二隔断结构设置在所述第一隔断结构上，所述第一隔断结构用于隔断相邻两个所述发光单元的阴极，所述第二隔断结构用于隔断相邻两个所述发光单元的发光功能层；

其中，在所述衬底基板的正投影上，所述阴极的径向宽度小于所述发光功能层的宽度；

所述第一隔断结构还用于隔开所述阴极与所述第二隔断结构；

所述第一隔断结构包括隔断层，所述隔断层设置在所述像素定义层下方，且与所述像素定义层直接接触；在所述衬底基板的正投影下，所述隔断层的边界在所述像素定义层的投影范围内，且与所述像素定义层的投影边界具有一预设距离，所述像素定义层与所述隔断层形成第一隔断结构；

所述第二隔断结构包括导电部和隔断部，所述导电部设置在所述像素定义层上，所述隔断部设置在所述导电部上，所述隔断部的径向宽度大于所述导电部的径向宽度；所述导电部用于连接相邻两个所述发光单元的阳极；在所述衬底基板的投影上，所述第二隔断结构的隔断部的边界设置在所述第一隔断结构远离所述发光单元的一侧；所述发光功能层覆盖所述第一隔断结构设置，且延伸像素定义层上，且与所述导电部之间具有一间隙。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光功能层包括电子传输层、发光层和空穴传输层，所述电子传输层设置在所述发光层靠近所述阴极的一侧，所述空穴传输层设置在所述发光层靠近所述阳极的一侧；

所述电子传输层被所述第一隔断结构隔断，所述电子传输层的径向宽度等于所述阴极的径向宽度；

所述发光层、所述空穴传输层覆盖所述第一隔断结构设置，且被所述第二隔断结构隔断，所述发光层、所述空穴传输层的径向宽度分别大于所述电子传输层的径向宽度；

所述电子传输层、所述发光层、所述空穴传输层还用于隔断所述阴极与所述导电部之间。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述发光单元还包括阴极辅助电极，相邻两个所述发光单元中的阴极辅助电极通过所述像素定义层隔开绝缘，所述阴极辅助电极设置在所述阴极下，且与所述阴极直接接触；

所述隔断层设置在所述阴极辅助电极与所述像素定义之间，所述隔断层采用导电材料形成，所述隔断层与所述阴极辅助电极直接接触，在相邻两个所述发光单元中，相邻两个所述隔断层通过所述像素定义层隔开。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阴极采用镁材料和银材料中的一种或两种形成；所述阳极采用反射金属材料整面沉积形成，多个所述发光单元共用所述阳极；所述发光单元的出光从所述衬底基板的一侧发出；

所述阴极的厚度大于等于100埃米小于等于300埃米；

所述预设距离大于等于5000埃米小于等于50000埃米；所述隔断层的厚度大于等于100埃米小于等于1000埃米。

5.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供一衬底基板；

在衬底基板上的非开口区形成像素定义层和第一隔断结构；

在所述第一隔断结构上形成第二隔断结构；

利用所述第一隔断结构在开口区形成阴极；

利用所述第二隔断结构在开口区形成发光功能层；

形成阳极以形成发光单元；

其中，在所述衬底基板的正投影上，所述阴极的径向宽度小于所述发光功能层的宽度；所述第一隔断结构还用于隔断所述阴极与所述第二隔断结构；

所述在衬底基板上的非开口区形成像素定义层和第一隔断结构的步骤中包括：

在衬底基板上的非开口区形成整面的隔断层材料层；

在整面的隔断层材料层上沉积整面的像素定义层材料层，去除开口区的像素定义层材料后，保留非开口区的像素定义层；

利用像素定义层为保护层对所述隔断层进行刻蚀，以使得所述像素定义层与所述隔断层形成第一隔断结构；

其中，在所述衬底基板的正投影下，所述隔断层的边界在所述像素定义层的投影范围内，且与所述像素定义层的投影边界具有一预设距离；

所述在所述第一隔断结构上形成第二隔断结构的步骤中包括：

在所述像素定义层上依次形成导电部材料层和隔断部材料层；

图案化形成隔断部，利用隔断部为保护层对所述导电部材料层进行刻蚀，以形成第二隔断结构；其中，所述隔断部的径向宽度大于所述导电部的径向宽度；

所述形成阳极以形成发光单元的步骤中包括：

利用所述第二隔断结构在开口区形成发光功能层，相邻两个所述发光单元的阳极之间通过所述导电部连接。

6.根据权利要求5所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上的非开口区形成整面的隔断层材料层的步骤中包括：

在所述衬底基板上依次沉积阴极辅助电极材料层、隔断层材料层；

在非开口区位置依次刻蚀所述隔断层材料层、所述阴极辅助电极以形成隔断孔；

所述在整面的隔断层材料层上沉积整面的像素定义层材料层，去除开口区的像素定义层材料后，保留非开口区的像素定义层的步骤中包括：

整面沉积像素定义层材料层；在所述隔断孔位置处，所述像素定义层填充所述隔断孔；

去除开口区的像素定义层材料后，保留非开口区的像素定义层；其中，所述像素定义层填充所述隔断孔，且所述像素定义层的径向宽度大于所述隔断孔的宽度。

7.一种显示装置，其特征在于，包括驱动电路和权利要求1-4任意一项所述的显示面板，其中，所述驱动电路用于驱动所述显示面板显示。