CN103201801B - 金属板低电阻芯片电阻器的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，能不受长条状部的电阻金属板宽度的影响地容易地形成保护膜，此外，能根据电阻金属板的宽度方向的厚度不均调整保护膜的宽度，进而能扩大保护膜的宽度的调整的自由度。为此，先实施在电阻金属板的表面和背面形成保护膜的保护膜形成工序（步骤S13），而后实施在电阻金属板上形成狭缝并将电阻金属板的形状形成为具有长条状部和连接部的狭缝形成工序（步骤S14）。在保护膜形成工序（步骤S13）之前实施测量用于形成保护膜的电阻金属板宽度方向的各位置的厚度的电阻金属板厚度测量工序（步骤S12），在保护膜形成工序（步骤S13）中，根据测量到的电阻金属板宽度方向的各位置的厚度，设定保护膜的宽度。

Description

金属板低电阻芯片电阻器的制造方法

技术领域

本发明涉及使用电阻金属板的芯片电阻器的制造方法。

背景技术

在电源装置和电机的转速控制电路等各种控制电路中，需要检测电流的手段。存在多种检测电流的手段，通常大多使用分流电阻器等电子元件。作为适用于这种分流电阻器等的电阻器，公知的有芯片电阻器。此外，所述芯片电阻器中，在电阻值为数mΩ这样的电阻值非常低的芯片电阻器的制造中，主要采用电阻金属板。使用所述的电阻金属板制造的低电阻的芯片电阻器，一般被称作金属板低电阻芯片电阻器。

如图16的(a)～图16的(c)所示，金属板低电阻芯片电阻器1的外观为长方体状，使用电阻金属板2制造而成。电阻金属板2的表面2a和背面2b上分别形成有保护膜3a、3b。所述保护膜3a、3b为电绝缘性的膜。此外，未形成有保护膜3a、3b的电阻金属板2的长度方向(图16的(b)和图16的(c)的左右方向)的两端部2e、2f的表面(即表面2a的宽度方向的两端部2a-1、2a-2、背面2b的宽度方向的两端部2b-1、2b-2、和两端面2c、2d)上，形成有电极镀膜4a、4b。

关于芯片电阻器1的各尺寸(单位：mm)，例如规定芯片电阻器1的全长L1为1.6±0.1(允差)，电极镀膜4a、4b的长度C为0.2±0.1(允差)，芯片电阻器1的宽度W为0.8±0.1(允差)，芯片电阻器1的厚度H为0.3±0.1(允差)。所述的包含允差的芯片电阻器1的各尺寸是根据在电路基板上安装芯片电阻器1时的尺寸上的制约等而设定的。另外，保护膜3a、3b的长度L2是芯片电阻器1的全长L1与两侧的电极镀膜4a、4b的长度(全长)2×C的差(L1-2×C)。换言之，L2是电阻金属板2的被保护膜3a、3b覆盖的部分的长度。此外，电阻金属板2的厚度为厚度T，电阻金属板2的长度为长度L3。

以往，通过依次实施图17的工序流程图所示的带状电阻金属板切断工序(步骤S1)、狭缝形成工序(步骤S2)、保护膜形成工序(步骤S3)、电极镀膜形成工序(步骤S4)、长条状部切取工序(步骤S5)和长条状部切断工序(步骤S6)，来制造图16所示结构的金属板低电阻芯片电阻器1。

对于狭缝形成工序(步骤S2)和保护膜形成工序(步骤S3)，参照图18和图19进一步说明。另外，对于带状电阻金属板切断工序(步骤S1)、电极镀膜形成工序(步骤S4)、长条状部切取工序(步骤S5)以及长条状部切断工序(步骤S6)，与图1所示的带状电阻金属板切断工序(步骤S11)、电极镀膜形成工序(步骤S15)、长条状部切取工序(步骤S16)、长条状部切断工序(步骤S17)相同，这些工序的详细内容见后述。

如图18的(a)～图18的(c)所示，在狭缝形成工序(步骤S2)中，在矩形的电阻金属板2B上形成多个(图中示例为5个)狭缝6。在带状电阻金属板切断工序(步骤S1)中，从带状的电阻金属板2A(参照图2)切取电阻金属板2B。狭缝6在电阻金属板2B的长度方向(图18的(b)的上下方向)上延伸、且在电阻金属板2B的宽度方向(图18的(b)的左右方向)上相互平行。另外，以定位标记5为基准设定形成狭缝6的位置。通过形成所述多个狭缝6，电阻金属板2B的形状成为具有多个(图中示例为4个)长条状部7和连接部8的形状，所述长条状部7在电阻金属板2B的长度方向上延伸，所述连接部8分别连接所述多个长条状部7的长度方向(图18的(b)的上下方向)的两端。

如图19的(a)～图19的(c)所示，在接着的保护膜形成工序(步骤S3)中，通过丝网印刷法等，针对各长条状部7，在电阻金属板2B的表面2B-1和背面2B-2上分别形成多个(图中示例为4个)保护膜3A、3B。所述保护膜3A、3B在电阻金属板2B的长度方向上延伸、且在电阻金属板2B的宽度方向上相互平行。另外，以定位标记5为基准设定形成保护膜3A、3B的位置。

另外，作为公开了芯片电阻器的制造方法的现有技术文献，例如有以下的专利文献1、2。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利公开公报特开2009-218552号

专利文献2:国际公开第2008/018219号册子

发明内容

本发明要解决的技术问题

所述以往的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，在形成保护膜3A、3B之前形成狭缝6。即，通过在电阻金属板2B上形成狭缝6而形成长条状部7后，在所述长条状部7上形成保护膜3A、3B。因此，所述以往的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法存在下述问题。

即，先于保护膜3A、3B形成狭缝6时，必须在长条状部7的宽度非常窄的电阻金属板2B的表面2B-1和背面2B-2上形成保护膜3A、3B。因此，保护膜3A、3B的形成很困难。另外，在进一步要求芯片电阻器1的小型化时，由于长条状部7的电阻金属板2B的宽度更窄，因此形成保护膜3A、3B更加困难。此外，形成保护膜3A、3B时，一般通过丝网印刷法将浆料形成图案，进而，为提高其尺寸精度采用光刻法。此外，当采用所述光刻法时，如果先于保护膜3A、3B首先形成狭缝6，则会使制造方法变得复杂。

此外，为了将用于制造芯片电阻器1的带状的电阻金属板2A(参照图2)形成所希望的厚度，通过反复进行退火工序和轧制工序来进行制造。可是，制成的带状的电阻金属板2A的厚度不会成为完全均匀，特别是在电阻金属板2A的宽度方向上会产生厚度不均。因此，在从带状的电阻金属板2A切取的电阻金属板2B上，在宽度方向上也会产生厚度不均。

此外，所述电阻金属板2B的宽度方向上的厚度不均，会招致芯片电阻器1的电阻值的不均。另一方面，芯片电阻器1的电阻值，由被电阻金属板2的保护膜3a、3b覆盖部分的宽度W、长度L2、厚度T(参照图16)决定。即，由后述的公式(1)、公式(3)决定。因此，在芯片电阻器1的制造过程中，根据电阻金属板2B的宽度方向的厚度不均，需要通过调整图19所示的各保护膜3A、3B的宽度L2₁、L2₂、L2₃、L2₄，来降低芯片电阻器1的电阻值的不均。此外，此时，与保护膜3A、3B的宽度L2₁、L2₂、L2₃、L2₄(即芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度L2)相关的调整的允许范围，优选的是尽可能大。

对此如图20所示，在前述芯片电阻器1的尺寸例子的情况下，以往的制造方法的保护膜3a、3b的长度L2的调整允许范围为0.4mm。即，因为先于保护膜3A、3B形成狭缝6，所以在芯片电阻器1中先于保护膜3a、3b的长度L2决定电阻金属板2的长度L3，并决定芯片电阻器1的全长L1。例如设芯片电阻器1的全长L1为1.6mm，在电极镀膜4a、4b的全长2×C最长为0.6mm(＝2×(0.2+0.1))的情况和最短为0.2mm(＝2×(0.2-0.1))的情况下，保护膜3a、3b的长度L2分别为0.9mm和1.3mm。因此，保护膜3a、3b的长度L2的调整允许范围成为0.4mm(＝1.3-0.9)。将芯片电阻器1的全长L1设为1.5mm(＝1.6-0.1)和1.7mm(＝1.6+0.1)时，调整允许范围也相同。

另外，作为降低因电阻金属板的宽度方向的厚度不均所导致的芯片电阻器的电阻值的不均的方法，有通过修整电阻金属板来调整电阻值的方法。可是，修整电阻金属板后，当将使用了所述被修整的电阻金属板的芯片电阻器与负载连接并使电流流过所述芯片电阻器时，由于所述芯片电阻器上产生热点，所以存在会发生芯片电阻器的寿命特性等负载特性劣化等问题。因此，为了降低因电阻金属板2B的宽度方向的厚度不均所导致的芯片电阻器1的电阻值的不均，不是采用修整电阻金属板2B的方法，而需要通过调整保护膜3A、3B的宽度L2₁、L2₂、L2₃、L2₄的方法来实施。

因此鉴于所述问题，本发明的目的是提供一种金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，能不受长条状部的电阻金属板宽度的影响地容易地形成保护膜，此外，能根据电阻金属板的宽度方向的厚度不均来调整保护膜的宽度(芯片电阻器的保护膜的长度)，进而能扩大保护膜的宽度(芯片电阻器的保护膜的长度)的调整的允许范围。

解决技术问题的技术方案

解决所述问题的第一发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，其特征在于，使用矩形或带状的电阻金属板，通过依次实施下述工序来制造所述芯片电阻器：保护膜形成工序，分别针对所述电阻金属板的表面和背面，在所述电阻金属板的宽度方向上形成多个保护膜，所述保护膜在所述电阻金属板的长度方向上延伸；狭缝形成工序，通过在所述电阻金属板上形成狭缝，将所述电阻金属板的形状形成为具有多个长条状部和连接部的形状，所述狭缝在所述宽度方向上邻接的所述保护膜之间和位于所述宽度方向两侧的所述保护膜的外侧沿所述电阻金属板的长度方向延伸，所述多个长条状部具有比所述保护膜更宽的宽度且在所述电阻金属板的长度方向上延伸，所述连接部分别连接所述多个长条状部的长度方向的两端；电极镀膜形成工序，针对未形成有所述保护膜且露出有所述电阻金属板的所述长条状部的宽度方向的两端部的由表面(2a)的宽度方向的两端部(2a-1、2a-2)、背面(2b)的宽度方向的两端部(2b-1、2b-2)和两端面(2c、2d)构成的面，形成电极镀膜；长条状部切取工序，从所述连接部切取所述长条状部；以及长条状部切断工序，将所述长条状部切断成多个单片。

此外，第二发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法是在第一发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法中，其特征在于，在所述保护膜形成工序之前实施电阻金属板厚度测量工序，在所述电阻金属板厚度测量工序中测量形成所述多个保护膜的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，在所述保护膜形成工序中，根据在所述电阻金属板厚度测量工序中测量到的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，分别设定所述多个保护膜的宽度。

此外，第三发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，其特征在于，使用矩形或带状的电阻金属板，通过依次实施下述工序来制造所述芯片电阻器：保护膜形成工序，分别针对所述电阻金属板的表面和背面，在所述电阻金属板的宽度方向上形成多个保护膜，所述保护膜在所述电阻金属板的长度方向上延伸；长条状切断工序，通过在切断位置切断所述电阻金属板，切取具有比所述保护膜更宽的宽度且在所述电阻金属板的长度方向上延伸的多个长条状部，所述切断位置在所述宽度方向上邻接的所述保护膜之间和位于所述宽度方向两侧的所述保护膜的外侧沿所述电阻金属板的长度方向延伸；电极镀膜形成工序，针对未形成有所述保护膜且露出有所述电阻金属板的所述长条状部的宽度方向的两端部的表面，形成电极镀膜；以及单片切断工序，将所述长条状部切断成多个单片。

此外，第四发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法是在第三发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法中，其特征在于，在所述保护膜形成工序之前实施电阻金属板厚度测量工序，在所述电阻金属板厚度测量工序中测量形成所述多个保护膜的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，在所述保护膜形成工序中，根据在所述电阻金属板厚度测量工序中测量到的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，分别设定所述多个保护膜的宽度。

发明效果

按照第一发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，其特征在于，使用矩形或带状的电阻金属板，通过依次实施下述工序来制造所述芯片电阻器：保护膜形成工序，分别针对所述电阻金属板的表面和背面，在所述电阻金属板的宽度方向上形成多个保护膜，所述保护膜在所述电阻金属板的长度方向上延伸；狭缝形成工序，通过在所述电阻金属板上形成狭缝，将所述电阻金属板的形状形成为具有多个长条状部和连接部的形状，所述狭缝在所述宽度方向上邻接的所述保护膜之间和位于所述宽度方向两侧的所述保护膜的外侧沿所述电阻金属板的长度方向延伸，所述多个长条状部具有比所述保护膜更宽的宽度且在所述电阻金属板的长度方向上延伸，所述连接部分别连接所述多个长条状部的长度方向的两端；电极镀膜形成工序，针对未形成有所述保护膜且露出有所述电阻金属板的所述长条状部的宽度方向的两端部的表面，形成电极镀膜；长条状部切取工序，从所述连接部切取所述长条状部；以及长条状部切断工序，将所述长条状部切断成多个单片，因此先于狭缝(即长条状部)形成保护膜。

因此，即使在例如要求芯片电阻器进一步小型化、长条状部的电阻金属板的宽度变得更窄时，也可以不受所述长条状部的电阻金属板的宽度影响地容易地形成保护膜。此外，还能扩大保护膜的宽度(芯片电阻器的保护膜的长度)的调整的允许范围(参照图8：详细内容将在后面叙述)。

按照第二发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，在第一发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法中，其特征在于，在所述保护膜形成工序之前实施电阻金属板厚度测量工序，在所述电阻金属板厚度测量工序中测量形成所述多个保护膜的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，在所述保护膜形成工序中，根据在所述电阻金属板厚度测量工序中测量到的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，分别设定所述多个保护膜的宽度。因此除了具有所述第一发明的效果以外，还能够根据电阻金属板的宽度方向的厚度不均，调整保护膜的宽度(芯片电阻器的保护膜的长度)。因此，可以降低因电阻金属板的宽度方向的厚度不均带来的芯片电阻器的电阻值的不均。

按照第三发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，其特征在于，使用矩形或带状的电阻金属板，通过依次实施下述工序来制造所述芯片电阻器：保护膜形成工序，分别针对所述电阻金属板的表面和背面，在所述电阻金属板的宽度方向上形成多个保护膜，所述保护膜在所述电阻金属板的长度方向上延伸；长条状切断工序，通过在切断位置切断所述电阻金属板，切取具有比所述保护膜更宽的宽度且在所述电阻金属板的长度方向上延伸的多个长条状部，所述切断位置在所述宽度方向上邻接的所述保护膜之间和位于所述宽度方向两侧的所述保护膜的外侧沿所述电阻金属板的长度方向延伸；电极镀膜形成工序，针对未形成有所述保护膜且露出有所述电阻金属板的所述长条状部的宽度方向的两端部的表面，形成电极镀膜；以及单片切断工序，将所述长条状部切断成多个单片，因此先于切取长条状部形成保护膜。

因此，即使在例如要求芯片电阻器进一步小型化、长条状部的电阻金属板的宽度变得更窄时，也可以不受所述长条状部的电阻金属板的宽度影响地容易地形成保护膜。此外，还能扩大保护膜的宽度(芯片电阻器的保护膜的长度)的调整的允许范围(参照图8：详细内容将在后面叙述)。

按照第四发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，在第三发明的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法中，其特征在于，在所述保护膜形成工序之前实施电阻金属板厚度测量工序，在所述电阻金属板厚度测量工序中测量形成所述多个保护膜的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，在所述保护膜形成工序中，根据在所述电阻金属板厚度测量工序中测量到的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，分别设定所述多个保护膜的宽度，因此除了具有所述第三发明的效果以外，还能够根据电阻金属板的宽度方向的厚度不均，调整保护膜的宽度(芯片电阻器的保护膜的长度)。因此，可以降低因电阻金属板的宽度方向的厚度不均带来的芯片电阻器的电阻值的不均。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的金属板低电阻芯片电阻器的制造工序的流程图。

图2的(a)是用于对带状电阻金属板切断工序进行说明的带状电阻金属板的立体图，图2的(b)是用于说明带状电阻金属板切断工序的矩形电阻金属板的俯视图。

图3的(a)是用于对电阻金属板厚度测量工序进行说明的电阻金属板的立体图，图3的(b)是用于对电阻金属板厚度测量工序进行说明的电阻金属板的俯视图，图3的(c)是用于对电阻金属板厚度测量工序进行说明的电阻金属板的截面放大图(沿图3的(b)的A-A线的截面放大图)。

图4的(a)是用于对保护膜形成工序进行说明的电阻金属板等的立体图，图4的(b)是用于对保护膜形成工序进行说明的电阻金属板等的俯视图，图4的(c)是用于对保护膜形成工序进行说明的电阻金属板等的截面放大图(沿图4的(b)的B-B线的截面放大图)。

图5的(a)是用于对狭缝形成工序进行说明的电阻金属板等的立体图，图5的(b)是用于对狭缝形成工序进行说明的电阻金属板等的俯视图，图5的(c)是用于对狭缝形成工序进行说明的电阻金属板等的截面放大图(沿图5的(b)的C-C线的截面放大图)。

图6的(a)是用于对电极镀膜形成工序进行说明的电阻金属板等的立体图，图6的(b)是用于对电极镀膜形成工序进行说明的电阻金属板等的俯视图，图6的(c)是用于对电极镀膜形成工序进行说明的电阻金属板等的截面放大图(沿图6的(b)的D-D线的截面放大图)。

图7的(a)是用于对长条状部切取工序进行说明的电阻金属板等的立体图，图7的(b)是用于对长条状部切取工序和长条状部切断工序进行说明的长条状部的立体图，图7的(c)是用于对长条状部切断工序进行说明的金属板低电阻芯片电阻器(单片)的立体图。

图8是表示与本发明的实施方式的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法有关的金属板低电阻芯片电阻器的各尺寸关系的表。

图9是表示本发明的另一实施方式的金属板低电阻芯片电阻器的制造工序的流程图。

图10的(a)是用于对带状电阻金属板切断工序进行说明的带状电阻金属板的立体图，图10的(b)是用于说明带状电阻金属板切断工序的矩形电阻金属板的俯视图。

图11的(a)是用于对电阻金属板厚度测量工序进行说明的电阻金属板的立体图，图11的(b)是用于对电阻金属板厚度测量工序进行说明的电阻金属板的俯视图，图11的(c)是用于对电阻金属板厚度测量工序进行说明的电阻金属板的截面放大图(沿图11的(b)的A1-A1线的截面放大图)。

图12的(a)是用于对保护膜形成工序进行说明的电阻金属板等的立体图，图12的(b)是用于对保护膜形成工序进行说明的电阻金属板等的俯视图，图12的(c)是用于对保护膜形成工序进行说明的电阻金属板等的截面放大图(沿图12的(b)的B1-B1线的截面放大图)。

图13的(a)是用于对长条状切断工序进行说明的电阻金属板等的立体图，图13的(b)是用于对长条状切断工序进行说明的长条状部的立体图，图13的(c)是用于对长条状切断工序进行说明的长条状部的截面放大图(沿图13的(b)的C1-C1线的截面放大图)。

图14的(a)是用于对电极镀膜形成工序进行说明的长条状部的立体图，图14的(c)是用于对电极镀膜形成工序进行说明的长条状部的截面放大图(沿图14的(a)的D1-D1线的截面放大图)。

图15的(a)是用于对单片切断工序进行说明的长条状部的立体图，图15的(b)是用于对单片切断工序进行说明的金属板低电阻芯片电阻器(单片)的立体图。

图16的(a)是表示金属板低电阻芯片电阻器的结构的立体图，图16的(b)是表示所述金属板低电阻芯片电阻器的结构的俯视图，图16的(c)是表示所述金属板低电阻芯片电阻器的结构的、沿图16的(b)的E-E线的截面图。

图17是表示以往的金属板低电阻芯片电阻器的制造工序的流程图。

图18的(a)是用于对狭缝形成工序进行说明的电阻金属板的立体图，图18的(b)是用于对狭缝形成工序进行说明的电阻金属板的俯视图，图18的(c)是用于对狭缝形成工序进行说明的电阻金属板的截面放大图(沿图18的(b)的F-F线的截面放大图)。

图19的(a)是用于对保护膜形成工序进行说明的电阻金属板等的立体图，图19的(b)是用于对保护膜形成工序进行说明的电阻金属板等的俯视图，图19的(c)是用于对保护膜形成工序进行说明的电阻金属板等的截面放大图(沿图19的(b)的G-G线的截面放大图)。

图20是表示与以往的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法有关的金属板低电阻芯片电阻器的各尺寸关系的表。

具体实施方式

以下，参照附图具体说明本发明的实施方式。

参照图1～图7和图16，说明本发明的实施方式的芯片电阻器的制造方法。另外，关于通过本实施方式的芯片电阻器的制造方法制造的金属板低电阻芯片电阻器的结构，由于已经参照图16进行了说明，故在此省略对其的详细说明。

在本实施方式中，通过依次实施图1的工序流程图所示的带状电阻金属板切断工序(步骤S11)、电阻金属板厚度测量工序(步骤S12)、保护膜形成工序(步骤S13)、狭缝形成工序(步骤S14)、电极镀膜形成工序(步骤S15)、长条状部切取工序(步骤S16)以及长条状部切断工序(步骤S17)，制造如图16所示的结构的金属板低电阻芯片电阻器1。

具体地说，如图2的(a)所示，在带状电阻金属板切断工序(步骤S11)中，利用激光、电火花线切割机(ワイヤ放電)、切刀等切断装置，将通过输送装置(省略图示)向箭头J方向输送来的带状的电阻金属板2A，在用单点划线(假想线)K所示的切割线位置处切断。带状的电阻金属板2A由FeCrAl系、CuNi系或CuMn系等材料制成，为了得到所希望的厚度，通过将板坯状态的所述材料经各种工序，反复进行退火工序和轧制工序来进行制造。

将带状的电阻金属板2A在所述切断位置切断后的结果，得到图2的(b)所示的矩形的电阻金属板2B。如图2的(a)所示，在带状的电阻金属板2A上，在宽度方向的两侧、且沿长度方向以一定的间隔设有定位标记5。所述定位标记5位于图2的(b)所示矩形的电阻金属板2B的长度方向的前端部、且位于宽度方向的两侧。另外，不限于此，定位标记5可以仅存在于所述宽度方向的单侧，此外，也可以设于电阻金属板2B的长度方向的后端部或中央部等。

如图3的(a)～图3的(c)所示，在接下来的电阻金属板厚度测量工序(步骤S12)中，利用板厚测量装置(省略图示)测量用于形成多个(图中示例为4个)保护膜3A、3B(用假想线(单点划线)表示)的电阻金属板2B的宽度方向(图3的(b)的左右方向)的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄。以定位标记5为基准设定用于测量所述板厚的电阻金属板2B的宽度方向的各位置。

另外，在图示例子中，针对各保护膜3A、3B，在用于测量板厚的电阻金属板2B的宽度方向的各位置分别设定一处测量板厚的位置，但是不限于此。例如，可以分别针对各保护膜3A、3B，在用于测量板厚的电阻金属板2B的宽度方向的各位置分别设定多处测量板厚的位置，并将在所述多个部位处测量到的电阻金属板2B的厚度的平均值，作为电阻金属板2B在宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄。

如图4的(a)～图4的(c)所示，在接下来的保护膜形成工序(步骤S13)中，通过丝网印刷法或光刻法等，在电阻金属板2B的表面2B-1和背面2B-2上分别形成多个(图中示例为4个)保护膜3A、3B。所述保护膜3A、3B在电阻金属板2B的长度方向上延伸、且在电阻金属板2B的宽度方向上相互平行。另外，以定位标记5为基准设定形成保护膜3A、3B的位置。

此外，在所述保护膜形成工序中，根据在前述的电阻金属板厚度测量工序(步骤S12)中测量到的电阻金属板2B的宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄，设定多个保护膜3A、3B的各自的宽度(即芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度)L2₁、L2₂、L2₃、L2₄。具体地说，根据下述的公式(2)，计算出各保护膜3A、3B的宽度L2₁、L2₂、L2₃、L2₄。公式(2)是将公式(1)变形得到的公式。

[数学式1]

$\begin{array}{cc}R=\mathrm{\ρ}\frac{L{2}_n}{W\·T_n}& (n=1,2,3,4)\end{array}...\left(1\right)$

$\begin{array}{cc}L{2}_n=\frac{R\·W\·T_n}{\mathrm{\ρ}}& (n=1,2,3,4)\end{array}...\left(2\right)$

在公式(1)、公式(2)中，R表示芯片电阻器1的电阻值(目标电阻值)，L2表示芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度(即电阻金属板2的被保护膜3a、3b覆盖的部分的长度)，W表示芯片电阻器1的宽度(目标值)(即电阻金属板2的宽度)，T_n表示电阻金属板2的厚度，ρ表示电阻金属板2的体积电阻率。即，芯片电阻器1的电阻值R，由电阻金属板2的被保护膜3A、3B覆盖部分的宽度W、长度L2、厚度T_n(L2/(W×T_n))以及电阻金属板2的体积电阻率ρ决定。

因为电阻值R(目标电阻值)、由长条状部切断工序(步骤17)决定的宽度W(目标值)、体积电阻率ρ为已知，厚度T_n(即电阻金属板2B的宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄)也通过前述的电阻金属板厚度测量工序(步骤S12)测量后为已知，所以使用所述值从所述的公式(2)可以计算出与电阻金属板2B的宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄对应的各保护膜3A、3B的宽度(即芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度)L2₁、L2₂、L2₃、L2₄。

计算出各保护膜3A、3B的宽度L2₁、L2₂、L2₃、L2₄后，设定与所述计算值对应的丝网图案，通过基于所述丝网图案实施丝网印刷法，由此在电阻金属板2B的表面2B-1和背面2B-2上印刷环氧系树脂的浆料，并且通过对所述丝网印刷后的浆料进行烧结，从而形成各保护膜3A、3B。当然，当采用光刻法等时，也设定与各保护膜3A、3B的宽度L2₁、L2₂、L2₃、L2₄的计算值对应的图案，并形成各保护膜3A、3B。

如图5的(a)～图5的(c)所示，在接下来的狭缝形成工序(步骤S14)中，在电阻金属板2B上形成多个(图中示例为5个)狭缝6。所述狭缝6在电阻金属板2B的长度方向(图5的(b)的上下方向)上延伸，并形成在电阻金属板2B的宽度方向(图5的(b)的左右方向)上邻接的保护膜3A、3B之间(即表面2B-1侧的保护膜3A、3A之间和背面2B-2侧的保护膜3B、3B之间)以及位于电阻金属板2B的宽度方向两侧的保护膜3A、3B的外侧(即表面2B-1侧的宽度方向两侧的保护膜3A的外侧和背面2B-2侧的宽度方向两侧的保护膜3B的外侧)。另外，以定位标记5为基准设定形成狭缝6的位置。通过形成所述多个狭缝6，电阻金属板2B的形状成为具有多个(图中示例为4个)长条状部7和连接部8的形状，所述长条状部7在电阻金属板2B的长度方向上延伸，所述连接部8分别连接所述多个长条状部7的长度方向(图5的(b)的上下方向)的两端。另外，图中狭缝6的宽度分别为宽度L4₁、L4₂、L4₃、L4₄、L4₅，长条状部7的电阻金属板2B的宽度(芯片电阻器1中电阻金属板2的长度L3)分别为宽度L3₁、L3₂、L3₃、L3₄。

例如利用以留下与连接部8以及比保护膜3A、3B更宽的长条状部7对应的部分的方式曝光显影得到的干膜，覆盖包含保护膜3A、3B的电阻金属板2B的表面2B-1和背面2B-2这两面，并在该状态下通过向电阻金属板2B的表面2B-1和背面2B-2这两面喷射适合于电阻金属板2B的各种类(各种材质)的蚀刻液的蚀刻法，由此通过蚀刻电阻金属板2B形成狭缝6。通过利用所述蚀刻法形成狭缝6，长条状部7的电阻金属板2B的侧面(狭缝6一侧的面)2B-5，成为与电阻金属板2B的表面2B-1和背面2B-2这两面成直角的平坦面，从而可以高精度地设定长条状部7的电阻金属板2B的宽度L3₁、L3₂、L3₃、L3₄(芯片电阻器1中电阻金属板2的长度L3)。另外，作为形成狭缝6的手段，不限于蚀刻法，也可用激光加工等手段。此外，在图示例子中，连接部8形成在长条状部7的长度方向的两端，但是不限于此，也可以仅在长条状部7的长度方向的任意一端形成连接部8。

如图6的(a)～图6的(c)所示，在接下来的电极镀膜形成工序(步骤S15)中，针对各长条状部7的未形成保护膜3A、3B而露出的电阻金属板2B的宽度方向(图6的(c)的左右方向)的两端部2B-3、2B-4的表面，通过电镀法形成电极镀膜4A、4B。另外，此时连接部8等电阻金属板2B的周缘部上也形成镀膜4C(为便于说明，以单点划线的透视图表示)。作为电极镀膜4A、4B，形成例如镍镀膜和锡镀膜。此外，电极镀膜4A、4B也可以是通过依次进行冲击镀镍(ニッケルストライクめっき)、镀铜、镀镍、镀锡膜而得到的镀膜。

如图7的(a)和图7的(b)所示，在接下来的长条状部切取工序(步骤S16)中，通过利用激光、电火花线切割机、切刀等切断装置在单点划线(假想线)所示的切断位置M切断电阻金属板2B，由此从连接部8切取长条状部7。图7的(b)中放大表示了从连接部8切取的多个长条状部7中的一个。

如图7的(b)和图7的(c)所示，在接下来的长条状部切断工序(步骤S17)中，利用激光、电火花线切割机、切刀等切断装置，在单点划线(假想线)所示的切断位置N将长条状部7切断为多个(图中示例为10个)单片。这样，制造出图7的(c)所示的金属板低电阻芯片电阻器1。即，通过将长条状部7切断为多个单片，从长条状部7的电阻金属板2B、保护膜3A、3B和电极镀膜4A、4B，分别形成芯片电阻器1的电阻金属板2、保护膜3a、3b和电极镀膜4a、4b。

关于长条状部7的尺寸与芯片电阻器1的尺寸的对应关系，长条状部7的电阻金属板2B与电极镀膜4B、4B的宽度L1相当于芯片电阻器1的全长L1，长条状部7的电极镀膜4A、4B的宽度C相当于芯片电阻器1的电极镀膜4a、4b的长度C，长条状部7的保护膜3A、3B的宽度L2相当于芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度L2，长条状部7的电阻金属板2B的宽度L3相当于芯片电阻器1的电阻金属板2的长度L3。

另外，针对从带状的电阻金属板2A依次切取的矩形的电阻金属板2B的任何一个，都实施所述包含了电阻金属板厚度测量工序的芯片电阻器的制造工序。这是因为，在带状的电阻金属板2A的长度方向上有时也会产生厚度不均，此时每个电阻金属板2B的宽度方向的厚度不均都不同。另外，当带状的电阻金属板2A的长度方向上几乎不存在厚度不均时，也可以仅针对从带状的电阻金属板2A最初切取的矩形的电阻金属板2B，实施厚度测量以决定保护膜3A、3B的宽度，并将所述保护膜3A、3B的宽度应用于从带状的电阻金属板2A切取的第二个以后的矩形电阻金属板2B上形成的保护膜3A、3B。

如上所述，按照本实施方式的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，其是使用矩形的电阻金属板2B的芯片电阻器的制造方法，通过依次实施下述工序来制造芯片电阻器1：保护膜形成工序(步骤S13)，分别针对电阻金属板2B的表面2B-1和背面2B-2，在电阻金属板2B的宽度方向上形成多个保护膜3A、3B，所述保护膜3A、3B在电阻金属板2B的长度方向上延伸；狭缝形成工序(步骤S14)，通过在电阻金属板2B上形成狭缝6，将电阻金属板2B的形状形成为具有多个长条状部7和连接部8的形状，所述狭缝6分别在所述宽度方向上邻接的保护膜3A、3B之间和位于所述宽度方向两侧的保护膜3A、3B的外侧沿电阻金属板2B的长度方向延伸，多个长条状部7具有比保护膜3A、3B更宽的宽度并在电阻金属板2B的长度方向上延伸，连接部8分别连接所述多个长条状部7的长度方向的两端；电极镀膜形成工序(步骤S15)，针对未形成有保护膜3A、3B且露出有电阻金属板2B的长条状部7的宽度方向的两端部2B-3、2B-4的表面，形成电极镀膜4A、4B；长条状部切取工序(步骤S16)，从连接部8切取长条状部7；以及长条状部切断工序(步骤S17)，将长条状部7切断为多个单片，因此先于狭缝6(即长条状部7)形成保护膜3A、3B。

因此，即使在例如要求芯片电阻器1进一步小型化、长条状部7的电阻金属板2B的宽度L3变得更窄时，也可以不受所述长条状部7的电阻金属板2B的宽度L3影响地容易地形成保护膜3A、3B。即，能容易地利用丝网印刷法或光刻法等形成保护膜3A、3B。

此外，还能扩大保护膜3A、3B的宽度(芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度)L2的调整的允许范围。当参照图8说明前述的芯片电阻器1的尺寸例子时，例如，当将保护膜3a、3b的长度L2设定为0.9mm时，在电极镀膜4a、4b的全长2×C最长0.6mm(＝2×(0.2+0.1))的情况和最短0.2mm(＝2×(0.2-0.1))的情况下，芯片电阻器1的全长L1分别为1.5mm和1.1mm。因此，只要将芯片电阻器1的全长L1设定为作为允许尺寸的最短的1.5mm(＝1.6-0.1)即可。当将保护膜3a、3b的长度L2设定为1.2mm时，在电极镀膜4a、4b的全长2×C最长0.6mm的情况下和最短0.2mm的情况下，芯片电阻器1的全长L1分别为1.8mm和1.4mm。因此，只要将芯片电阻器1的全长L1设定在1.5～1.7mm的范围即可。当将保护膜3a、3b的长度L2设定为1.5mm时，在电极镀膜4a、4b的全长2×C最长0.6mm的情况和最短0.2mm的情况下，芯片电阻器1的全长L1分别为2.1mm和1.7mm。因此，只要将芯片电阻器1的全长L1设定在作为允许尺寸的最长的1.7mm的范围即可。因此，保护膜3a、3b的长度L2的调整允许范围为0.6mm，大于以往的制造方法中的调整允许范围的0.4mm(参照图20)。

此外，按照本实施方式的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，在保护膜形成工序(步骤S13)之前实施电阻金属板厚度测量工序(步骤S12)，电阻金属板厚度测量工序测量形成多个保护膜3A、3B的电阻金属板2B的宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄，在保护膜形成工序(步骤S13)中，根据在电阻金属板厚度测量工序(步骤S12)中测量到的所述电阻金属板2B的宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄，分别设定所述多个保护膜3A、3B的宽度L2₁、L2₂、L2₃、L2₄，因此本实施方式的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法还能够根据电阻金属板2B的宽度方向上的厚度不均来调整保护膜3A、3B的宽度(芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度)。因此，可以降低因电阻金属板2B的宽度方向上的厚度不均导致的芯片电阻器1的电阻值的不均。

另外，在所述的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法中，不限于从带状的电阻金属板2A切取矩形的电阻金属板2B，并针对所述矩形的电阻金属板2B形成保护膜3A、3B、狭缝6(长条状部7)和电极镀膜4A、4B，然后切取长条状部7。即，也可以不切取矩形的电阻金属板2B，而是针对带状的电阻金属板2A形成保护膜3A、3B、狭缝6(长条状部7)和电极镀膜4A、4B，然后切取长条状部7。

参照图9～图16，说明本发明另一实施方式的芯片电阻器的制造方法。另外，对于通过另一实施方式的芯片电阻器的制造方法制造的金属板低电阻芯片电阻器的结构，由于已经参照图16进行了说明，因此在此省略对其的详细说明。

在另一实施方式中，通过依次实施图9的工序流程图所示的带状电阻金属板切断工序(步骤S21)、电阻金属板厚度测量工序(步骤S22)、保护膜形成工序(步骤S23)、长条状切断工序(步骤S24)、电极镀膜形成工序(步骤S25)、单片切断工序(步骤S26)，来制造图16所示结构的金属板低电阻芯片电阻器1。

具体地说，如图10的(a)所示，在带状电阻金属板切断工序(步骤S21)中，利用激光、电火花线切割机、切刀等切断装置，将通过输送装置(省略图示)向箭头J1方向输送来的带状的电阻金属板12A，在用单点划线(假想线)K1所示的切割线位置切断。带状的电阻金属板12A由FeCrAl系、CuNi系或CuMn系等材料制成，为达到所希望的厚度，将板坯状态的所述材料经过各种工序，并通过反复进行退火工序和轧制工序来进行制造。

将带状的电阻金属板12A在所述切断位置切断的结果，得到图10的(b)所示的矩形的电阻金属板12B。如图10的(a)所示，在带状的电阻金属板12A的宽度方向的两侧，在长度方向上以一定的间隔设置定位标记15。所述定位标记15位于如图10的(b)所示的矩形的电阻金属板12B的长度方向的前端部、且位于宽度方向的两侧。另外，不限于此，定位标记15可以仅设置在所述宽度方向的单侧，此外，也可以设在电阻金属板12B的长度方向的后端部或中央部等处。

如图11的(a)～图11的(c)所示，在接下来的电阻金属板厚度测量工序(步骤S22)中，通过板厚测量装置(省略图示)测量用于形成多个(图中示例为7个)保护膜13A、13B(用假想线(单点划线)表示)的电阻金属板12B的宽度方向(图11的(b)的左右方向)的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇。以定位标记15为基准设定用于测量所述板厚的电阻金属板12B的宽度方向的各位置。

另外，在图示例子中，针对各保护膜13A、13B，在用于测量板厚的电阻金属板12B的宽度方向的各位置分别设定一处测量板厚的位置，但是不限于此。例如，可以分别针对各保护膜13A、13B，在用于测量板厚的电阻金属板12B的宽度方向的各位置分别设定多处测量板厚的位置，并将在所述多个部位处测量到的电阻金属板12B的厚度的平均值，作为电阻金属板12B的宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇。

如图12的(a)～图12的(c)所示，在接下来的保护膜形成工序(步骤S23)中，利用丝网印刷法或光刻法等，在电阻金属板12B的表面12B-1和背面12B-2分别形成多个(图中示例为7个)保护膜13A、13B。所述保护膜13A、13B在电阻金属板12B的长度方向上延伸、且在电阻金属板12B的宽度方向上相互平行。另外，以定位标记15为基准设定形成保护膜13A、13B的位置。

此外，在本保护膜形成工序中，根据在前述的电阻金属板厚度测量工序(步骤S22)中测量到的电阻金属板12B的宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇，设定多个保护膜13A、13B各自的宽度(即芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度)L2₁、L2₂、L2₃、L2₄、L2₅、L2₆、L2₇。具体地说，根据下述的公式(4)，计算出各保护膜13A、13B的宽度L2₁、L2₂、L2₃、L2₄、L2₅、L2₆、L2₇。公式(4)是通过将公式(3)的变形得到的。

[数学式2]

$\begin{array}{cc}R=\mathrm{\ρ}\frac{L{2}_n}{W\·T_n}& (n=1,2,3,4,5,6,7)\end{array}...\left(3\right)$

$\begin{array}{cc}L{2}_n=\frac{R\·W\·T_n}{\mathrm{\ρ}}& (n=1,2,3,4,5,6,7)\end{array}...\left(4\right)$

在公式(3)、公式(4)中，R表示芯片电阻器1的电阻值(目标电阻值)，L2表示芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度(即电阻金属板2的被保护膜3a、3b覆盖部分的长度)，W表示芯片电阻器1的宽度(目标值)(即电阻金属板2的宽度)，T_n表示电阻金属板2的厚度，ρ表示电阻金属板2的体积电阻率。即，芯片电阻器1的电阻值R由电阻金属板2的被保护膜3a、3b覆盖部分的宽度W、长度L2、厚度T_n(L2/(W×T_n))以及电阻金属板2的体积电阻率ρ决定。

由于电阻值R(目标电阻值)、由单片切断工序(步骤26)决定的宽度W(目标值)和体积电阻率ρ为已知，并且厚度T_n(即电阻金属板12B的宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇)也在前述的电阻金属板厚度测量工序(步骤S22)中测量后为已知，所以能够使用所述值并根据所述的公式(4)，计算出与电阻金属板12B的宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇对应的、各保护膜13A、13B的宽度(即芯片电阻器1上的保护膜3a、3b的长度)L2₁、L2₂、L2₃、L2₄、L2₅、L2₆、L2₇。

计算出各保护膜13A、13B的宽度L2₁、L2₂、L2₃、L2₄、L2₅、L2₆、L2₇后，设定与所述计算值对应的丝网图案，并基于所述丝网图案实施丝网印刷法，由此在电阻金属板12B的表面12B-1和背面12B-2上印刷环氧系树脂的浆料，并且通过对所述丝网印刷后的浆料进行烧结，形成各保护膜13A、13B。当然，当使用光刻法等时，也设定与各保护膜13A、13B的宽度L2₁、L2₂、L2₃、L2₄、L2₅、L2₆、L2₇的计算值对应的图案，并形成各保护膜13A、13B。

如图13的(a)～图13的(b)所示，在接下来的长条状切断工序(步骤S24)中，通过利用激光、电火花线切割机、切刀等切断装置将电阻金属板12B在单点划线(假想线)所示的切断位置M1切断，切取多个(图中示例为7个)长条状部17。图13的(b)放大表示了从电阻金属板12B切取的多个长条状部17中的一个，图13的(c)放大表示了这个长条状部17的截面。图13的(b)表示了长条状部17的电阻金属板12B的宽度L3(芯片电阻器1的电阻金属板2的长度L3)、以及长条状部17的保护膜13A、13B的宽度L2(芯片电阻器1中保护膜3a、3b的长度L2)。

如图13的(a)所示，切断位置(切割线)M1在电阻金属板12B的长度方向(图12的(b)的上下方向)上延伸，并且设定在电阻金属板12B的宽度方向(图12的(b)的左右方向)上邻接的保护膜3A、3B之间(即表面12B-1侧的保护膜13A、13A之间和背面12B-2侧的保护膜13B、13B之间)以及位于电阻金属板12B的宽度方向两侧的保护膜13A、13B的外侧(即表面12B-1侧的宽度方向两侧的保护膜13A的外侧和背面12B-2侧的宽度方向两侧的保护膜13B的外侧)。以定位标记15为基准设定所述切断位置(切割线)M1，使得长条状部17的电阻金属板12B的宽度L3成为规定值。另外，通过适当调整激光、电火花线切割机、切刀等切断装置的切断宽度(即由激光束的宽度、线的粗细、切刀刃的厚度等决定的切断位置(切割线)M1的宽度)，也可以调整长条状部17的电阻金属板12B的宽度L3。

如图13的(b)、图13的(c)和图14的(a)、图14的(b)所示，在接下来的电极镀膜形成工序(步骤S25)中，对于长条状部17，针对未形成保护膜13A、13B而露出的电阻金属板12B的宽度方向(图13的(b)的左右方向)的两端部12B-3、12B-4的表面，通过电镀法形成电极镀膜14A、14B。另外，此时未形成保护膜13A、13B的长条状部17的长度方向的两端部，也形成镀膜14C、14D。作为电极镀膜14A、14B，形成例如镍镀膜和锡镀膜。此外，电极镀膜14A、14B也可以是通过依次进行冲击镀镍、镀铜、镀镍、镀锡膜而形成的镀膜。

如图15的(a)所示，在接下来的单片切断工序(步骤S26)中，利用激光、电火花线切割机、切刀等切断装置将长条状部17在用单点划线(假想线)所示的切断位置N1切断为多个(在图示的例子中为12个)单片。这样，制造出图15的(b)所示的金属板低电阻芯片电阻器1。即，通过将长条状部17切断为多个单片，从长条状部17的电阻金属板12B、保护膜13A、13B及电极镀膜14A、14B，分别形成芯片电阻器1的电阻金属板2、保护膜3a、3b及电极镀膜4a、4b。

关于长条状部17的尺寸与芯片电阻器1的尺寸的对应关系，长条状部17的电阻金属板12B和电极镀膜14B、14B的宽度L1相当于芯片电阻器1的全长L1，长条状部17的电极镀膜14A、14B的宽度C相当于芯片电阻器1中电极镀膜4a、4b的长度C，长条状部17的保护膜13A、13B的宽度L2相当于芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度L2，长条状部17的电阻金属板12B的宽度L3相当于芯片电阻器1的电阻金属板2的长度L3。

另外，针对从带状的电阻金属板12A依次切取的矩形的电阻金属板12B的任何一个，实施所述的包含电阻金属板厚度测量工序的芯片电阻器的制造工序。这是因为，在带状的电阻金属板12A的长度方向上有时也会产生厚度不均，此时每个电阻金属板12B在宽度方向上的厚度不均都不同。另外，当带状的电阻金属板12A的长度方向上基本不存在厚度不均时，也可以仅针对从带状的电阻金属板12A最初切取的矩形的电阻金属板12B实施厚度测量并决定保护膜13A、13B的宽度，并且将所述保护膜13A、13B的宽度应用于从带状的电阻金属板12A切取的第二个以后的矩形的电阻金属板12B上形成的保护膜13A、13B。

如上所述，在另一实施方式的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法中，也可以得到与所述实施方式的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法相同的效果。

即，按照本发明另一实施方式的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，其是使用矩形的电阻金属板12B的芯片电阻器1的制造方法，通过依次实施下述工序来制造芯片电阻器1：保护膜形成工序(步骤S23)，分别针对电阻金属板12B的表面12B-1和背面12B-2，在电阻金属板12B的宽度方向上形成多个保护膜13A、13B，并且多个保护膜13A、13B在电阻金属板12的长度方向上延伸；长条状切断工序(步骤S24)，通过在切断位置M1处切断电阻金属板12B，切取具有比保护膜13A、13B更宽的宽度且在电阻金属板12B的长度方向上延伸的多个长条状部17，切断位置M1分别在所述宽度方向上邻接的保护膜13A、13B之间和位于所述宽度方向两侧的保护膜13A、13B的外侧沿电阻金属板12B的长度方向延伸；电极镀膜形成工序(步骤S25)，针对未形成有保护膜13A、13B且露出有电阻金属板12B的、长条状部17的宽度方向的两端部12B-3、12B-4的表面，形成电极镀膜14A、14B；以及单片切断工序(步骤S26)，将长条状部17切断为多个单片，因此先于切取长条状部17形成保护膜13A、13B。

因此，即使在例如要求芯片电阻器1进一步小型化、长条状部17的电阻金属板12B的宽度L3变得更窄时，也可以不受所述长条状部17的电阻金属板12B的宽度L3的影响地容易地形成保护膜13A、13B。即，能容易地通过丝网印刷法或光刻法等形成保护膜13A、13B。

此外，还能扩大保护膜13A、13B的宽度(芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度)L2的调整的允许范围(参照图8)。

此外，按照本发明另一实施方式的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，由于在保护膜形成工序(步骤S23)之前实施电阻金属板厚度测量工序(步骤S22)，在电阻金属板厚度测量工序中测量形成多个保护膜13A、13B的电阻金属板12B的宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇，在保护膜形成工序(步骤S23)中，根据在电阻金属板厚度测量工序(步骤S22)中测量到的电阻金属板12B的宽度方向的各位置处的厚度T₁、T₂、T₃、T₄、T₅、T₆、T₇，分别设定多个保护膜13A、13B的宽度L2₁、L2₂、L2₃、L2₄、L2₅、L2₆、L2₇，因此还可以根据电阻金属板12B的宽度方向的厚度不均来调整保护膜13A、13B的宽度(芯片电阻器1的保护膜3a、3b的长度)。因此，可以降低因电阻金属板12B的宽度方向的厚度不均带来的芯片电阻器1的电阻值的不均。

另外，在所述的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法中，从带状的电阻金属板12A切取矩形的电阻金属板12B，并针对所述矩形的电阻金属板12B形成保护膜13A、13B，然后切取长条状部17，但是不限于此。即，也可以不切取矩形的电阻金属板12B，在针对带状的电阻金属板12A形成保护膜13A、13B后，切取长条状部17。

工业实用性

本发明涉及使用电阻金属板的芯片电阻器的制造方法，特别适合用于芯片电阻器的制造过程中的长条状部的电阻金属板的宽度非常狭窄的情况。

附图标记说明

1金属板低电阻芯片电阻器，2电阻金属板，2A带状的电阻金属板，2B矩形的电阻金属板，2B-1表面，2B-2背面，2B-3、2B-4端部，2B-5侧面，2a表面，2a-1、2a-2端部，2b背面，2b-1、2b-2端部，2c、2d端面，2e、2f端部，3a、3b保护膜，3A、3B保护膜，4a、4b电极镀膜，4A、4B电极镀膜，4C镀膜，5定位标记，6狭缝，7长条状部，8连接部，12A带状的电阻金属板，12B矩形的电阻金属板，12B-1表面，12B-2背面，12B-3、12B-4端部，14A、14B电极镀膜，14C、14D镀膜，15定位标记，17长条状部。

Claims (4)

1.一种金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，其特征在于，使用矩形或带状的电阻金属板，通过依次实施下述工序来制造所述芯片电阻器：

保护膜形成工序，分别针对所述电阻金属板的表面和背面，在所述电阻金属板的宽度方向上形成多个保护膜，所述保护膜在所述电阻金属板的长度方向上延伸；

狭缝形成工序，通过在所述电阻金属板上形成狭缝，将所述电阻金属板的形状形成为具有多个长条状部和连接部的形状，所述狭缝在所述宽度方向上邻接的所述保护膜之间和位于所述宽度方向两侧的所述保护膜的外侧沿所述电阻金属板的长度方向延伸，所述多个长条状部具有比所述保护膜更宽的宽度且在所述电阻金属板的长度方向上延伸，所述连接部分别连接所述多个长条状部的长度方向的两端；

电极镀膜形成工序，针对未形成有所述保护膜且露出有所述电阻金属板的所述长条状部的宽度方向的两端部的由表面(2a)的宽度方向的两端部(2a-1、2a-2)、背面(2b)的宽度方向的两端部(2b-1、2b-2)和两端面(2c、2d)构成的面，形成电极镀膜；

长条状部切取工序，从所述连接部切取所述长条状部；以及

长条状部切断工序，将所述长条状部切断成多个单片。

2.根据权利要求1所述的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，其特征在于，

在所述保护膜形成工序之前实施电阻金属板厚度测量工序，在所述电阻金属板厚度测量工序中测量形成所述多个保护膜的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，

在所述保护膜形成工序中，根据在所述电阻金属板厚度测量工序中测量到的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，分别设定所述多个保护膜的宽度。

3.一种金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，其特征在于，使用矩形或带状的电阻金属板，通过依次实施下述工序来制造所述芯片电阻器：

保护膜形成工序，分别针对所述电阻金属板的表面和背面，在所述电阻金属板的宽度方向上形成多个保护膜，所述保护膜在所述电阻金属板的长度方向上延伸；

长条状切断工序，通过在切断位置切断所述电阻金属板，切取具有比所述保护膜更宽的宽度且在所述电阻金属板的长度方向上延伸的多个长条状部，所述切断位置在所述宽度方向上邻接的所述保护膜之间和位于所述宽度方向两侧的所述保护膜的外侧沿所述电阻金属板的长度方向延伸；

电极镀膜形成工序，针对未形成有所述保护膜且露出有所述电阻金属板的所述长条状部的宽度方向的两端部的表面，形成电极镀膜；以及

单片切断工序，将所述长条状部切断成多个单片。

4.根据权利要求3所述的金属板低电阻芯片电阻器的制造方法，其特征在于，

在所述保护膜形成工序之前实施电阻金属板厚度测量工序，在所述电阻金属板厚度测量工序中测量形成所述多个保护膜的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，

在所述保护膜形成工序中，根据在所述电阻金属板厚度测量工序中测量到的所述电阻金属板的宽度方向的各位置的厚度，分别设定所述多个保护膜的宽度。