NL8002609A

NL8002609A - COMPOSITE CONDUCTIVE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THAT.

Info

Publication number: NL8002609A
Application number: NL8002609A
Authority: NL
Original assignee: Gen Electric
Priority date: 1979-06-11
Filing date: 1980-05-07
Publication date: 1980-12-15
Also published as: DE3021574A1; GB2052857A; FR2458900A1

Description

Samengestelde geleidende structuur en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.Composite conductive structure and method of manufacturing the same.

De uitvinding heeft betrekking op werkwijzen voor het vervaardigen van samengestelde geleidende structuren in geïntegreerde schakelingen.The invention relates to methods of manufacturing composite conductive structures in integrated circuits.

Bij het uitvoeren van de werkwijze volgens de 5 uitvinding gaat men bij een bepaalde uitvoeringsvorm daarvan uit van een substraat van een halfgeleidermateriaal met een hoofdoppervlak, waarop zich een laag isolerend materiaal bevindt. Ben geleider van metalliek materiaal, gekozen uit de groep hitte-bestendige metalen, die nagenoeg niet-reactief zijn met siliciumdioxyde, wordt 10 bovenop de isolerende laag aangebracht. Ben laag van een silicide van het metallieke materiaal wordt aangebracht op de vrijliggende oppervlakken van de geleider. Een laag siliciumdioxyde wordt gevormd op de vrijliggende oppervlakken van de laag van het silicide van het metallieke materiaal.In a particular embodiment thereof, the method according to the invention is based on a substrate of a semiconductor material with a main surface on which a layer of insulating material is located. A metallic material conductor selected from the group of heat-resistant metals, which are substantially non-reactive with silicon dioxide, is applied on top of the insulating layer. A layer of a silicide of the metallic material is applied to the exposed surfaces of the conductor. A layer of silicon dioxide is formed on the exposed surfaces of the layer of the silicide of the metallic material.

15 Bij het uitvoeren van de werkwijze volgens de uitvinding wordt volgens een voorkeursuitvoering daarvan uitgegaan van een substraat van een halfgeleidermateriaal met een daarboven ‘op liggende laag van een isolerend materiaal. Ben geleider van molybdeen wordt gevormd in een gewenst patroon op de laag isolerend 20 materiaal. Een laag molybdeensilicide wordt gevormd op de vrijliggende oppervlakken van de geleider. Het substraat met de geleider en de daarop liggende laag molybdeensilicide wordt in een oxyderende atmosfeer verhit bij een temperatuur en gedurende een tijd, die geschikt zijn cm het ox^datianiddel te laten reageren met de laag 25 molybdeensilicide, zodat een deel daarvan wordt omgezet in silicium-dioxyde, dat zich bevindt op een ander deel van de laag molybdeensilicide, dat niet in siliciumdioxyde is omgezet. Ook kan de laag molybdeensilicide volledig in siliciumdioxyde worden omgezet.In a preferred embodiment thereof, the method according to the invention is based on a substrate of a semiconductor material with an "superimposed layer of an insulating material. A molybdenum conductor is formed in a desired pattern on the layer of insulating material. A layer of molybdenum silicide is formed on the exposed surfaces of the conductor. The substrate with the conductor and the overlying layer of molybdenum silicide is heated in an oxidizing atmosphere at a temperature and for a time suitable for reacting the oxidant with the layer of molybdenum silicide so that part of it is converted into silicon - dioxide, which is located on another part of the layer of molybdenum silicide, which has not been converted into silicon dioxide. Also, the layer of molybdenum silicide can be completely converted into silicon dioxide.

8002609 28002609 2

Bij het uitvoeren van een bepaalde uitvoeringsvorm gaat men uit van een substraat van een halfgeleidermateriaal met een daarop liggende laag van een isolerend materiaal. Ben geleider van een metalliek materiaal, gekozen uit de groep hitte-besten-5 dige materialen, die nagenoeg niet-reactief zijn ten opzichte van siüciumdioxyde, wordt in een gewenst patroon gevormd op de laag isolerend materiaal. Ben laag polykristallijn silicium wordt gevormd op de geleider van metalliek materiaal en de laag isolerend materiaal. Het substraat, met inbegrip van de geleider van metalliek 10 materiaal en de daarop liggende laag polykristallijn silicium, wordt verhit tot een zodanige temperatuur en gedurende een zodanige tijd, dat de laag polykristallijn silicium reageert met een deel van de geleider onder vorming \an een laag van een silicide van het metallieke materiaal, die ligt op een overgebleven deel van de geleider, 15 die niet in een silicide daarvan is omgezet. Het deel van de laag polykristallijn silicium, dat niet met het metallieke materiaal heeft gereageerd wordt verwijderd. Het substraat, met inbegrip van de geleider en de laag metaalsilicide, wordt in een oxyderende atmosfeer verhit bij een tenperatuur en gedurende een tijd, waardoor 20 het oxidatiemiddel reageert met de silicidelaag en een deel daarvan wordt omgezet in siüciumdioxyde,dat Hgt op een ander deel van de silicidelaag, dat niet in siliciundioxyde is omgezet. Alternatief kan de laag van het silicide van het metalüeke materiaal volledig in siüciumdioxyde worden ongezet.In carrying out a particular embodiment, a substrate of a semiconductor material with a layer of an insulating material lying thereon is used. A conductor of a metallic material, selected from the group of heat-resistant materials, which are substantially non-reactive with silicon dioxide, is formed in a desired pattern on the layer of insulating material. A layer of polycrystalline silicon is formed on the conductor of metallic material and the layer of insulating material. The substrate, including the metallic material conductor and the polycrystalline silicon layer thereon, is heated to such a temperature and for a time that the polycrystalline silicon layer reacts with a portion of the conductor to form a layer of a silicide of the metallic material, which lies on a remaining part of the conductor, which has not been converted into a silicide thereof. The part of the layer of polycrystalline silicon that has not reacted with the metallic material is removed. The substrate, including the conductor and the metal silicide layer, is heated in an oxidizing atmosphere at a temperature and for a time, whereby the oxidant reacts with the silicide layer and part of it is converted into silicon dioxide, which Hgt on another part of the silicide layer, which has not been converted to silicon dioxide. Alternatively, the layer of the silicide of the metallic material can be completely set in silicon dioxide.

25 1 De uitvinding kan worden begrepen aan de hand van de volgende beschrijving in verband met de bijgaande tekening, waarop fig. 1 een bovenaanzicht is van een samengesteld lichaam, omvattende een isolerend substraat, waarop een eerste 30 metalliseringsniveau van molybdeen is gevormd, gevolgd door een laag molybdeensiücide en daarna gevolgd door een passiverende laag siüciumdioxyde, fig. 2 een aanzicht in dwarsdoorsnede is van het lichaam van fig. 1 volgens de lijn 2-2, 35 de fig. 3A-3E dwarsdoorsneden weergeven van 800 2 6 09 3 structuren, die ODeenvolgende trappen aangeven van een werkwijze voor het vervaardigen van de samengestelde structuur van de fig. 1 en 2 volgens de uitvinding.The invention can be understood from the following description in connection with the accompanying drawing, in which Fig. 1 is a top view of a composite body, comprising an insulating substrate on which a first metallization level of molybdenum is formed, followed by a layer of molybdenum silicide and then followed by a passivating layer of silicon dioxide, FIG. 2 is a cross-sectional view of the body of FIG. 1 taken along line 2-2, 35. FIGS. 3A-3E show cross-sections of 800 2 6 09 3 structures. indicating O consecutive steps of a method of manufacturing the composite structure of FIGS. 1 and 2 of the invention.

In fig. 1 is een samengesteld lichaam 10 aange-5 geven, voorzien van een geleider 11 uit molybdeen van een eerste niveau volgens de onderhavige uitvinding. Het samengestelde lichaam 10 omvat een substraat 12, opgebouwd uit een substraat 13 van silicium, waarop een laag 14 van siliciumdioxyde is gevormd. De laag 14 dient voor de stuurelektrode of voor andere doeleinden van een 10 geïntegreerde schakeling, bijvoorbeeld een beeldweergeef orgaan, een geheugen of een verwerkingsschakeling voor signalen of gegevens.In Fig. 1, a composite body 10 is shown, provided with a first level molybdenum conductor 11 according to the present invention. The composite body 10 comprises a substrate 12 constructed from a silicon substrate 13 on which a layer 14 of silicon dioxide is formed. The layer 14 serves for the control electrode or for other purposes of an integrated circuit, for example an image display, a memory or a processing circuit for signals or data.

Op de isolerende laag bevindt zich de geleider 11 uit molybdeen.Molybdenum conductor 11 is located on the insulating layer.

De geleider 11 kan worden gevormd door aanvankelijk een laag molybdeen aan te brengen op het oppervlak van de isolerende laag en wel 15 tot een geschikte dichtheid, bijvoorbeeld verschillende duizenden Angstrom eenheden, en bijvoorbeeld door spetteren en daarna een patroon op de laag te vormen door fotoresist-maskering en etstech-. nieken, zoals die in de stand der techniek algemeen bekend zijn. Cp de geleider 11 en de vrij liggende delen daarvan volledig bedekkende 20 is een laag 16 aangebracht van molybdeensilicide, die bijvoorbeeld met een dikte van 1000 Angstrom is verbonden aan de molybdeengelei-der 11. Liggende op en gebonden aan de laag 16 van molybdeensilicide is een laag 17 van siliciumdioxyde aangebracht.Conductor 11 can be formed by initially applying a layer of molybdenum to the surface of the insulating layer to a suitable density, for example several thousands of Angstrom units, and for example by splashing and then patterning on the layer by photoresist -masking and etch technology. nics, as are well known in the art. On the conductor 11 and the exposed parts thereof completely covering 20, a layer 16 of molybdenum silicide is applied, which, for example, is bonded to the molybdenum conductor 11 with a thickness of 1000 Angstroms. Lying on and bonded to the layer 16 of molybdenum silicide is a silicon dioxide layer 17 is applied.

Een werkwijze voor het vervaardigen van de samen-25 gestelde structuur volgens de fig. 1 en 2 zal nu worden beschreven aan de hand van de fig. 3A-3E. De onderdelen van de fig. 3A-3E, die identiek zijn aan de onderdelen van de fig. 1 en 2, zijn op dezelfde wijze aangeduid. Een substraat 13 van een silicium-halfgeleidermate-riaal met een dikte van ongeveer 0,25 mm met daarop een laag 14 van 30 thermisch-gegroeid siliciumdioxyde met een dikte van ongeveer 1000 Angstrom eenheden wordt als uitgangsmateriaal gebruikt. Een laag molybdeen met een dikte van 3000 Angstrom wordt door spetteren op de isolerende laag af gezet. De laag 'molybdeen wordt van een patroon voorzien door gebruik te maken van fotoresist-maskering en etstech-35 nieken, zoals die algemeen békend zijn, teneinde een geleider te 8002609 « 4 verkrijgen als aanqegeven in fig. 3A. Daarna wordt een laag poly-kristallijn silicium 15 met een dikte van ongeveer 2000 Angstrom afgezet op de molybdeengeleider 11 en de laag 14 van siliciumdioxyde door pyrolytische ontleding van silaan bij ongeveer 750° C in een 5 stroom inert dragergas, bijvoorbeeld argon, teneinde de structuur van fig. 3B te verkrijgen. Deze structuur wordt in een inerte atmosfeer bot een temperatuur van ongeveer 1000° C verhit gedurende een bepaalde tijd, teneinde het polykristallijn silicium te laten reageren net de molybdeengeleider 11 onder vorming van een laag molyb-10 deensilicide met geschikte dikte, die ligt op het niet gereageerd hebbende deel van de molybdeengeleider 11 en daaraan is gebonden als aangegeven in fig. 3C. Vervolgens worden de niet gereageerd hebbende delen van de laag polykristallijn silicium geëtst met een daarvoor geschikt etsmiddel, bijvoorbeeld een waterige oplossing van kalium-15 hydroxyde, die het polykristallijne silicium selectief etst zonder de molybdeensilicidelaag 16 of de isolerende siliciumdioxydelaag 14 te etsen en waarbij dan de structuur van fig. 3D wordt verkregen, waarbij de geleider 11 is bedekt door een daarop liggende laag 16 van molybdeensilicide. Het samengestelde lichaam van fig. 3D wordt 20 vervolgens in een oxyderende atmosfeer bij een temperatuur van ongeveer 1000° C geoxydeerd cm een deel van de molybdeensilicidelaag 16 te oxyderen tot siliciumdioxyde, waarbij een deel van de laag molybdeensilicide, die de molybdeengeleider 11 bedekt, achterblijft, zoals in fig. 3E is aangegeven. Dit deel van de laag molybdeensili-25 cide geeft een afscherming tussen de molybdeengeleider 11 en de oxyderende atmosfeer en deze is geschikt verschillende duizenden Angstrom dik, hoewel deze laag belangrijk dunner kan zijn. De aanvankelijke dikte van de molybdeensilicidelaag van het samengestelde lichaam van fig. 3C wordt voldoende dik gekozen om een siliciumdioxy-30 delaag 17 net de gewenste dikte te kunnen verkrijgen, zoals aangegeven in fig. 3E. Als bijvoorbeeld een tweede metalliseringsniveau wordt aangebracht over de siliciumdioxydelaag, wordt de silicium-dioxydelaag voldoende dik gemaakt om een goede elektrische isolatie tussen de beide niveaus te bewerkstelligen. De dikte van deze sili-35 ciumdioxydelaag 17 en de dikte van het overblijvende deel van de 8002609 5 laag 16 van molybdeensilicide is afhankelijk van de tijd en temperatuur van de oxydatiebewerking. Zo wordt een samengestelde structuur verkregen, omvattende een molybdeengeleider, die volledig is inge-kapseld door siliciumdioxyde.A method of manufacturing the composite structure of Figures 1 and 2 will now be described with reference to Figures 3A-3E. The parts of Figures 3A-3E, which are identical to the parts of Figures 1 and 2, are indicated in the same manner. A substrate 13 of a silicon semiconductor material having a thickness of about 0.25 mm with a layer 14 of thermally grown silicon dioxide having a thickness of about 1000 Angstrom units on it is used as the starting material. A layer of molybdenum with a thickness of 3000 Angstroms is deposited on the insulating layer by splashing. The layer of molybdenum is patterned using photoresist masking and etching techniques, as are well known in the art, to obtain a conductor as shown in FIG. 3A. Thereafter, a layer of polycrystalline silicon 15 having a thickness of about 2000 Angstroms is deposited on the molybdenum conductor 11 and the layer 14 of silicon dioxide by pyrolytic decomposition of silane at about 750 ° C in a flow of inert carrier gas, for example argon, to give the structure of Fig. 3B. This structure is heated in an inert atmosphere of bone at a temperature of about 1000 ° C for a period of time in order to react the polycrystalline silicon with the molybdenum conductor 11 to form a layer of molyb-10 danesilicide of suitable thickness, which is not reacted portion of the molybdenum conductor 11 and bonded thereto as shown in Fig. 3C. Then, the unreacted parts of the polycrystalline silicon layer are etched with an appropriate etchant, for example, an aqueous solution of potassium-15 hydroxide, which selectively etches the polycrystalline silicon without etching the molybdenum silicide layer 16 or the insulating silicon dioxide layer 14, and then structure of FIG. 3D is obtained, the conductor 11 being covered by an overlying layer 16 of molybdenum silicide. The composite body of Fig. 3D is then oxidized in an oxidizing atmosphere at a temperature of about 1000 ° C to oxidize a portion of the molybdenum silicide layer 16 to form silicon dioxide, leaving a portion of the layer of molybdenum silicide covering the molybdenum conductor 11 as indicated in Fig. 3E. This part of the layer of molybdenum silicide provides a shield between the molybdenum conductor 11 and the oxidizing atmosphere and it is suitably several thousand Angstroms thick, although this layer may be significantly thinner. The initial thickness of the molybdenum silicide layer of the composite body of Fig. 3C is selected sufficiently thick to allow a silicon dioxide layer 17 to obtain just the desired thickness, as indicated in Fig. 3E. For example, if a second metallization level is applied over the silicon dioxide layer, the silicon dioxide layer is made thick enough to effect good electrical insulation between the two levels. The thickness of this silicon dioxide layer 17 and the thickness of the remaining part of the 8002609 layer 16 of molybdenum silicide depends on the time and temperature of the oxidation operation. Thus, a composite structure comprising a molybdenum conductor completely encapsulated by silicon dioxide is obtained.

5 Alternatief kan, nadat de laag polykristallijn silicium 15 is afgezet over de molybdeengeleider 11, zoals in fig.Alternatively, after the polycrystalline silicon layer 15 has been deposited over the molybdenum conductor 11, as shown in FIG.

3B, het polykristallijne silicium met een fotoresist worden gemaskeerd volgens een algemeen bekende techniek. De delen van de polykristallijne siliciumlaag, die niet door de fotoresist zijn bedekt, 10 worden geëtst met een geschikt etsmiddel voor silicium, bijvoorbeeld een waterige oplossing van kaliumhvdroxyde, die het polykristallijne silicium selectief etst zonder de siliciumdioxyde-isolatielaag 14 in belangrijke mate te etsen, waarbij de structuur van fig. 3B wordt verkregen, waarin de geleider 11 is bedekt door een daarop liggende 15 laag 15 van polykristallijn silicium met een dikte van ongeveer 2000 Angstran. Als de reactietijd tussen het polykristallijne silicium en de molybdeengeleider beperkt is, kan een buitenste deel van de laag polykristallijn silicium niet reageren, zoals in fig. 3C is aangegeven. Daar het vrij liggende oppervlak van de samengestelde 20 structuur bestaat uit siliciumdioxyde, kan een tweede metalliserings-niveau, omvattende molybdeen, op dezelfde wijze worden aangebracht als in het geval van het eerste metalliseringsniveau.3B, the polycrystalline silicon with a photoresist is masked according to a well known technique. The parts of the polycrystalline silicon layer, which are not covered by the photoresist, are etched with a suitable silicon etchant, for example an aqueous solution of potassium hydroxide, which selectively etches the polycrystalline silicon without substantially etching the silicon dioxide insulating layer 14, the structure of Fig. 3B is obtained, in which the conductor 11 is covered by an overlying layer 15 of polycrystalline silicon with a thickness of about 2000 Angstran. If the reaction time between the polycrystalline silicon and the molybdenum conductor is limited, an outer part of the polycrystalline silicon layer cannot react as shown in Fig. 3C. Since the exposed surface of the composite structure consists of silicon dioxide, a second metallization level, comprising molybdenum, can be applied in the same manner as in the case of the first metallization level.

Hoewel de uitvinding is beschreven en toegelicht in verband met samengestelde elektrodestructuren, waarbij de gelei-25 der 11 bestaat uit molybdeen, is het duidelijk dat op grond van de gelijkenis van verbindingen van wolfraam en verbindingen van molybdeen, in het bijzonder de oxyden en siliciden, de geleider 11 ook uit wolfraam kan bestaan. Ook kan de geleider 11 bestaan uit andere hitte-bestendige materialen, die nagenoeg niet-reactief zijn ten 30 opzichte van siliciumdioxyde, zoals tantaal, platina en palladium. Daarnaast zijn de legeringen van de hitte-bestendige materialen, die hierboven zijn genoemd en waarbij het hitte-bestendige materiaal een hoofdbestanddeel daarvan vormt, geschikt voor de geleider 11.Although the invention has been described and illustrated in connection with composite electrode structures, in which the conductor 11 consists of molybdenum, it is clear that from the similarity of compounds of tungsten and compounds of molybdenum, in particular the oxides and silicides, the conductor 11 can also consist of tungsten. Also, conductor 11 may consist of other heat-resistant materials that are substantially non-reactive with silicon dioxide, such as tantalum, platinum, and palladium. In addition, the alloys of the heat-resistant materials mentioned above, where the heat-resistant material is a major component thereof, are suitable for the conductor 11.

Hoewel bij de hierboven beschreven werkwijze het 35 niet gereageerd hebbende polykristallijne silicium werd verwijderd 8002609 f 6 vöör de oxidatie van het molybdeensilicide, zoals aangegeven in fig. 3, zal het duidelijk zijn dat de oxydatie van het silicide kan geschieden zonder verwijdering van het onomgezette polykristallijne silicium.Although in the above-described process the unreacted polycrystalline silicon was removed 8002609 f 6 before the oxidation of the molybdenum silicide, as indicated in Fig. 3, it will be appreciated that the oxidation of the silicide can be effected without removal of the unreacted polycrystalline silicon.

5 Hoewel de laag isolerend materiaal 14, waarop het geleidende orgaan 11 uit molybdeen werd gevormd, uit silicium-dioxyde bestaat, is het duidelijk dat de isolerende laag kan bestaan uit een aantal materialen, zoals bijvoorbeeld siliciuimitride of een laag van siliciumnitrlde, liggende op een laag van de sili- 10 ciumdioxyde of combinaties daarvan. Hoewel een siliciumsubstraat is aangegeven als het materiaal, waarop de isolerende laag silicium-dioxyde is gevormd, kan ieder ander half geleidend substraat worden gebruikt, bijvoorbeeld galliumarsenide.Although the layer of insulating material 14 on which the conductive member 11 was formed from molybdenum consists of silicon dioxide, it is clear that the insulating layer can consist of a number of materials, such as, for example, silicon nitride or a layer of silicon nitride, lying on a layer of the silicon dioxide or combinations thereof. Although a silicon substrate has been identified as the material on which the insulating silicon dioxide layer is formed, any other semiconductive substrate may be used, for example gallium arsenide.

15 800250915 800 2509

Claims

Conductor structure according to claim 1, characterized in that the heat-resistant metallic material consists of molybdenum, tungsten, tantalum, platinum or palladium.

Conductor structure according to claim 1 or 2, characterized in that the insulating material is silicon dioxide.

Conductor structure according to claim 1 or 2, characterized in that the layer of insulating material consists of a layer of silicon nitride lying on a layer of silicon dioxide and in that the conductor lies on the layer of silicon nitride.

Conductor structure according to claim 1 or 2, characterized in that the insulating material is a composition of silicon dioxide and silicon nitride.

Conductor structure according to any one of the preceding claims, characterized in that the semiconductor material is silicon.

7. A method of forming a composite conductor structure, characterized in that (a) a substrate of a semiconductor material with a layer of insulating material lying thereon is used, (b) a conductor is formed of a heat-resistant metallic material, which is substantially is non-reactive with silicon dioxide in a desired pattern lying on the layer of insulating material, (c) forming a layer of a silicide of the metallic material on all exposed surfaces of the conductor, (d) substrate with including the conductor and the layer 800 2 6 09 r silicide heated in an oxidizing atmosphere at such a temperature and for such a time that the oxidant reacts with the layer of silicide and part of it is converted into silicon dioxide, which lies on another part of the layer of silicide, which is not converted into silicon dioxide.

8. A method according to claim 7, characterized in that the layer of silicide is formed by first forming a layer of polycrystalline silicon on the layer of insulating material, including the conductor of metallic material, so that a layer is formed on this conductor. polycrystalline silicon is applied and the substrate, including the metallic material conductor and the polycrystalline silicon layer, is heated to a temperature and for a time such that the polycrystalline silicon layer is patterned with a portion of the conductor to form a layer of sli -15 to form cide, which lies on another part of the conductor, which has not been converted into its silicide.

Method according to claim 8, characterized in that the polycrystalline silicon layer is patterned.

Method according to claim 9, characterized in that the substrate, including the pattern layer of polycrystalline silicon, is heated to a temperature and for such a time that part of the layer of polycrystalline silicon does not react with the conductor.

Method according to claim 7, characterized in that the layer of polycrystalline silicon is applied by chemical vapor deposition of silicon.

12. A method according to claim 9, characterized in that the pattern layer of polycrystalline silicon is obtained by chemical vapor deposition of silicon and then applying a pattern thereon.

13. A method according to claim 7 or 8, characterized in that the temperature to which the substrate is heated to cause the layer of polycrystalline silicon to react with the conductor is above 1000 ° C. 8002609 Ή

Method according to claim 8, characterized in that the part of the polycrystalline silicon layer, which has not reacted with the metallic material, is removed before the substrate is heated in an oxidizing atmosphere.

A method according to claim 14, characterized in that the unreacted portion of the layer of polycrystalline silicon is removed by etching with an etchant which etches the polycrystalline silicon significantly faster than the silicide of the metallic material .

A method according to claim 15, characterized in that the etchant is an aqueous solution of potassium hydroxide,

17. A method according to claim 7, characterized in that the substrate is heated at a temperature and during such a time that substantially the entire silicide layer is converted into silicon dioxide,

A method according to any one of the preceding claims 7-17, characterized in that the heat resistant material consists of molybdenum, tungsten, tantalum, platinum or palladium.

A method according to claims 7-18, characterized in that the insulating material consists of silicon dioxide.

20. A method according to any one of claims 7-18, characterized in that the layer of insulating material consists of a layer of silicon nitride, which lies on a layer of silicon dioxide and that the conductor lies on the layer of silicon nitride.

A method according to any one of claims 7-18, characterized in that the insulating material is an assembly of silicon dioxide and silicon nitride.

Method according to any one of claims 7-21, 30, characterized in that the semiconductor material is silicon. i /; 800 2 6 09